JPH06216396A - Acceleration sensor - Google Patents

Acceleration sensor

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JPH06216396A
JPH06216396A JP756993A JP756993A JPH06216396A JP H06216396 A JPH06216396 A JP H06216396A JP 756993 A JP756993 A JP 756993A JP 756993 A JP756993 A JP 756993A JP H06216396 A JPH06216396 A JP H06216396A
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JP
Japan
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cantilever
chip
hybrid
acceleration sensor
bonding
Prior art date
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Pending
Application number
JP756993A
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Japanese (ja)
Inventor
Kiyokazu Otaki
清和 大瀧
Nobuaki Mizui
伸朗 水井
Tamotsu Horiba
保 堀場
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Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokai Rika Co Ltd filed Critical Tokai Rika Co Ltd
Priority to JP756993A priority Critical patent/JPH06216396A/en
Publication of JPH06216396A publication Critical patent/JPH06216396A/en
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
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    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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Abstract

PURPOSE:To obtain an acceleration sensor in which automation of an assembling operation can be expedited. CONSTITUTION:A cantilever 14 for detecting acceleration is formed of a glass board 15 supported as a cantilever to an IC chip 12 and formed on its upper surface with a Cr thin film for a strain gage. The cantilever 14 is mounted on a hybrid IC 82 in a state supported as a cantilever on the chip 12. Thus, the cantilever 14 is formed in smaller size than that of conventional piezoelectric element. An electric connection of the cantilever 14 to the chip 12 and an electric connection of the chip 12 to the IC 82 can be conducted by wire bonding. Accordingly, when an automatic bonder is used, automation of assembling operation can be expedited, and a manufacturing cost can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、加速度センサに係り、
特に加速度により生ずる歪みを検出するためのカンチレ
バーを有する加速度センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an acceleration sensor,
Particularly, the present invention relates to an acceleration sensor having a cantilever for detecting a strain caused by acceleration.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の加速度センサの従来例が図5に
示されている。この加速度センサ80は、実装基板を構
成するハイブリッドIC(セラミック基板上に作られた
ストリップ・ラインという金属配線に沿ってGaAsF
ETのチップや抵抗、コンデンサ、コイル等がはんだ付
けされたもの)82と、ハイブリッドIC82上に実装
された信号処理回路を構成するSMD(サーフェスマウ
ンテッドデバイス)84と、ハイブリッドIC82上に
その一方の面(図5における下面)の一端部がはんだ付
けされたPZT等のセラミックスから成る圧電体の加速
度検出用カンチレバー86とを有している。カンチレバ
ー86とハイブリッドIC82上のSMD84を含む回
路との電気的結線は、カンチレバー86の他方の面(図
5における上面)とハイブリッドIC82上にその両端
がはんだ88あるいは導電性接着剤を用いて接合された
配線90を介してなされている。
2. Description of the Related Art A conventional example of this type of acceleration sensor is shown in FIG. The acceleration sensor 80 includes a hybrid IC (a strip line formed on a ceramic substrate, GaAsF formed on a ceramic substrate) that constitutes a mounting substrate.
ET chip, resistor, capacitor, coil, etc.) 82, SMD (Surface Mounted Device) 84 forming a signal processing circuit mounted on the hybrid IC 82, and one of them on the hybrid IC 82. One end of the surface (lower surface in FIG. 5) has a cantilever 86 for acceleration detection of a piezoelectric body made of ceramics such as PZT, which is soldered. The electrical connection between the cantilever 86 and the circuit including the SMD 84 on the hybrid IC 82 is such that the other surface of the cantilever 86 (the upper surface in FIG. 5) and the both ends of the cantilever 86 are joined to each other using solder 88 or a conductive adhesive. The wiring 90 is used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の加速度センサ80においては、カンチレバー8
6とハイブリッドIC82上のSMD84を含む回路と
の電気的結線ははんだ付け等によりなされていることか
ら、組み付け作業性が悪く、特に組み付け作業の自動化
促進が困難であるという不具合があった。また、圧電体
のカンチレバー86は、ハイブリッドIC82上にその
一方の面の一端部がはんだ付けされ、長手方向の大部分
はハイブリッドIC82から外部に突出した構造となっ
ている。このため、加速度センサ80が全体的に大型化
し、製造コストも高くなるという不具合があった。
However, in the above-mentioned conventional acceleration sensor 80, the cantilever 8 is used.
Since the electrical connection between 6 and the circuit including the SMD 84 on the hybrid IC 82 is made by soldering or the like, the assembly workability is poor, and it is particularly difficult to promote automation of the assembly work. Further, the piezoelectric cantilever 86 has a structure in which one end portion of one surface thereof is soldered onto the hybrid IC 82 and most of the longitudinal direction thereof is projected from the hybrid IC 82 to the outside. Therefore, there is a problem that the acceleration sensor 80 becomes large as a whole and the manufacturing cost becomes high.

【0004】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
ので、その目的は、特に組み付け作業の自動化を促進す
ることができる加速度センサを提供することにある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an acceleration sensor which can promote automation of assembly work in particular.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る加速度セン
サは、上面に配線部が形成された実装基板と、前記実装
基板上に実装された信号処理回路用デバイスと、前記信
号処理回路用デバイス上に片持ち支持され、少なくとも
一方の面に歪みゲージ用金属薄膜が形成された基板から
成る加速度検出用カンチレバーと、を有することを特徴
とする。
An acceleration sensor according to the present invention is a mounting board having a wiring portion formed on an upper surface thereof, a signal processing circuit device mounted on the mounting board, and the signal processing circuit device. An acceleration detecting cantilever which is cantilevered above and has a strain gauge metal thin film formed on at least one surface thereof.

【0006】[0006]

【作用】上記構成によれば、加速度検出用カンチレバー
が、信号処理回路用デバイス上に片持ち支持され、少な
くとも一方の面に歪みゲージ用金属薄膜が形成された基
板により構成されていることから、加速度検出用カンチ
レバーが従来の圧電体のものより小型化する。また、こ
の加速度検出用カンチレバーが信号処理回路用デバイス
上に片持ち支持された状態で実装基板上に実装されてい
ることから、この実装に際し、加速度検出用カンチレバ
ーと信号処理回路用デバイス,例えばICチップとの電
気的接続、信号処理回路用デバイスと実装基板との電気
的接続を、半導体実装技術の一つであるワイヤボンディ
ングやフリップチップボンディングを用いて行なうこと
ができる。従って、自動ボンダやフリップチップボンダ
等を用いれば、組みつけ作業の自動化を促進することが
でき、これにより製造コストの低減を図ることができ
る。
According to the above structure, the acceleration detecting cantilever is cantilevered on the signal processing circuit device and is composed of the substrate having the strain gauge metal thin film formed on at least one surface thereof. The acceleration detecting cantilever is made smaller than that of the conventional piezoelectric body. Further, since the acceleration detecting cantilever is mounted on the mounting board in a state of being cantilevered on the signal processing circuit device, the acceleration detecting cantilever and the signal processing circuit device, for example, an IC Electrical connection with the chip and electrical connection between the signal processing circuit device and the mounting substrate can be performed using wire bonding or flip chip bonding, which is one of semiconductor mounting technologies. Therefore, if an automatic bonder, a flip chip bonder, or the like is used, automation of the assembling work can be promoted, thereby reducing the manufacturing cost.

【0007】[0007]

【実施例】以下、本発明の第1実施例を図1に基づいて
説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0008】図1には、第1実施例に係る加速度センサ
10の概略正面図が示されている。この加速度センサ1
0は、実装基板を構成するハイブリッドIC82と、こ
のハイブリッドIC82上にダイボンディング(マウン
トともいう)された信号処理回路用デバイスとしてのI
Cチップ12と、このICチップ12上にその一方の面
(図1における下面)の長手方向一端部(図1における
右端部)が陽極接合(陽極結合)された片持ち支持状態
のガラス基板15とを有している。ここで、陽極接合と
は、電圧印加接合法の一種でガラスと金属又はガラスと
シリコン単結晶(Siウェハー)等を所定温度条件下で
高電圧,例えば300V程度の電圧を印加して接合する
方法をいう。また、前記ダイボンディングは次のように
してなされる。即ち、Ag(銀)入りのエポキシ樹脂1
6等を予めハイブリッドIC82上の所定領域に塗布し
ておき、これにICチップ12を押し付けて仮止めし、
次いで150〜200℃で銀入りのエポキシ樹脂16を
硬化させ、当該エポキシ樹脂16内の銀によってICチ
ップ12とハイブリッドIC82上のストリップ・ライ
ン(金属配線)とを電気的に接続する。
FIG. 1 shows a schematic front view of an acceleration sensor 10 according to the first embodiment. This acceleration sensor 1
Reference numeral 0 denotes a hybrid IC 82 that constitutes a mounting board, and I as a signal processing circuit device die-bonded (also referred to as a mount) on the hybrid IC 82.
A C chip 12 and a glass substrate 15 in a cantilevered state in which one longitudinal end (right end in FIG. 1) of one surface (lower surface in FIG. 1) of the IC chip 12 is anodically bonded (anodic bonded). And have. Here, the anodic bonding is a kind of voltage application bonding method in which glass and metal or glass and silicon single crystal (Si wafer) are bonded under a predetermined temperature condition by applying a high voltage, for example, a voltage of about 300V. Say. Further, the die bonding is performed as follows. That is, epoxy resin 1 containing Ag (silver)
6 or the like is applied in advance to a predetermined area on the hybrid IC 82, and the IC chip 12 is pressed against this and temporarily fixed,
Then, the epoxy resin 16 containing silver is cured at 150 to 200 ° C., and the IC chip 12 and the strip line (metal wiring) on the hybrid IC 82 are electrically connected by the silver in the epoxy resin 16.

【0009】ガラス基板15の他方の面(図1における
上面)には歪ゲージ用金属薄膜としてのクロム系薄膜
(Cr薄膜)18が、例えば蒸着法,スパッタ法,ある
いはCVD法等により形成され、これにより加速度検出
用カンチレバー(以下、適宜「カンチレバー」と略述す
る。)が構成さている。このカンチレバー14上面に形
成されたボンディングパッドとICチップ12のボンデ
ィングパッド,ICチップ12のボンディングパッドと
ハイブリッドIC82上の所定領域とが、ボンディング
ワイヤ20,22を用いてワイヤボンディング(リード
ボンディング)されている。これを更に詳述すると、ボ
ンディングワイヤ20,22としては、例えば、直径5
0μmのアルミニウム(Al)線が使用され、このアル
ミニウム線の先端をカンチレバー14のボンディングパ
ッド(又はICチップ12のボンディングパッド)上に
押さえつけ、超音波を印加することによりアルミニウム
線とカンチレバー14のボンディングパッド(又はアル
ミニウム線とICチップ12のボンディングパッド)と
を、強く接合している。ハイブリッドIC82上の所定
領域にも同様の方法でアルミニウム線の先端が接合され
ている。
A chromium-based thin film (Cr thin film) 18 as a strain gauge metal thin film is formed on the other surface (upper surface in FIG. 1) of the glass substrate 15 by, for example, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like. Thus, an acceleration detecting cantilever (hereinafter, appropriately abbreviated as "cantilever") is configured. The bonding pad formed on the upper surface of the cantilever 14 and the bonding pad of the IC chip 12, the bonding pad of the IC chip 12 and a predetermined region on the hybrid IC 82 are wire-bonded (lead-bonded) using the bonding wires 20 and 22. There is. More specifically, the bonding wires 20 and 22 have, for example, a diameter of 5
A 0 μm aluminum (Al) wire is used, the tip of this aluminum wire is pressed onto the bonding pad of the cantilever 14 (or the bonding pad of the IC chip 12), and ultrasonic waves are applied to bond the aluminum wire and the bonding pad of the cantilever 14. (Or, the aluminum wire and the bonding pad of the IC chip 12) are strongly bonded. The tip of the aluminum wire is also joined to a predetermined region on the hybrid IC 82 by the same method.

【0010】図1において、カンチレバー14の長手方
向の他端は、ハイブリッドIC82の基板の外側に出な
いようにされている。
In FIG. 1, the other end of the cantilever 14 in the longitudinal direction is arranged so as not to extend outside the substrate of the hybrid IC 82.

【0011】以上説明したように、本実施例の加速度セ
ンサ10によると、加速度検出用カンチレバー14が、
ガラス基板15とこのガラス基板15の上面に形成され
たCr薄膜18とを用いて構成されていることから、カ
ンチレバー14が従来の圧電体のものより小型化すると
ともに、このカンチレバー14をハイブリッドIC82
に直接に付けるのでなく、信号処理回路用デバイスとし
てのICチップ12を介して実装されているので、この
実装に際し、カンチレバー14とICチップ12との結
線、ICチップ12とハイブリッドIC82との結線
を、半導体実装技術の一つであるワイヤボンディングに
より行なうことができ、自動ボンダ等を用いれば、組み
つけ作業の自動化を促進することができ、従って製造コ
ストの低減を図ることができるという効果がある。
As described above, according to the acceleration sensor 10 of this embodiment, the acceleration detecting cantilever 14 is
Since the glass substrate 15 and the Cr thin film 18 formed on the upper surface of the glass substrate 15 are used, the cantilever 14 is made smaller than that of the conventional piezoelectric body, and the cantilever 14 is hybrid IC 82.
Since it is not directly attached to the IC chip 12 but is mounted via the IC chip 12 as a device for a signal processing circuit, at the time of this mounting, the connection between the cantilever 14 and the IC chip 12 and the connection between the IC chip 12 and the hybrid IC 82 are performed. , Which is one of the semiconductor mounting technologies, can be carried out by wire bonding, and the use of an automatic bonder or the like has the effect that the automation of assembly work can be promoted and therefore the manufacturing cost can be reduced. .

【0012】更に、本実施例の加速度センサ10の場合
には、ICチップ12のハイブリッドIC82上への実
装に半導体製造の後工程に含まれるダイボンディング
(半導体製造の場合は、フィルム状のリードフレームの
所定領域にチップを1個づつ接着する)が使用され、ま
た、ガラス基板15とICチップ12との接合に電圧印
加接合法の一種である陽極接合が用いられているので、
組み付け作業のほぼ完全な自動化が可能である。
Further, in the case of the acceleration sensor 10 of the present embodiment, die bonding, which is included in a post-process of semiconductor manufacturing for mounting the IC chip 12 on the hybrid IC 82 (in the case of semiconductor manufacturing, a film-shaped lead frame is used. Is used for bonding the glass substrate 15 and the IC chip 12 by anodic bonding, which is a kind of voltage application bonding method.
Almost complete automation of assembly work is possible.

【0013】次に、本発明の第2実施例を図2に基づい
て説明する。ここで、前述した第1実施例と同一の構成
部分については、同一の符号を付すと共にその説明を簡
略もしくは省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same components as those in the first embodiment described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be simplified or omitted.

【0014】この第2実施例の加速度センサ30は、ハ
イブリッドIC82と、このハイブリッドIC82上に
フリップチップボンディングされたICチップ12と、
このICチップ12上にその一方の面(図2における下
面)の長手方向一端部(図2における右端部)が陽極接
合されたカンチレバー14とを有している。ここで、フ
リップチップボンディングとは、ワイヤレスボンディン
グの内のフェイスダウンボンディングの一種で、ICチ
ップ12の表面電極とハイブリッドIC82の配線用電
極とを対向させ、加熱,加圧して直接接合することをい
う。なお、本実施例では、ICチップ12の表面電極と
ハイブリッドIC82の配線用電極との間にはんだバン
プ24が介装され、このはんだバンプ24により両者が
接合されている。フリップチップボンディングは、フリ
ップチップボンダという装置により、自動的に行なうこ
とが可能である。
The acceleration sensor 30 of the second embodiment has a hybrid IC 82, an IC chip 12 flip-chip bonded on the hybrid IC 82,
This IC chip 12 has a cantilever 14 having one surface (the lower surface in FIG. 2) on one side in the longitudinal direction (the right end in FIG. 2) anodically bonded to the IC chip 12. Here, flip-chip bonding is a kind of face-down bonding in wireless bonding, and means that the surface electrode of the IC chip 12 and the wiring electrode of the hybrid IC 82 are opposed to each other and are directly bonded by heating and pressing. . In this embodiment, the solder bumps 24 are interposed between the surface electrodes of the IC chip 12 and the wiring electrodes of the hybrid IC 82, and the solder bumps 24 join the two. Flip chip bonding can be automatically performed by a device called a flip chip bonder.

【0015】カンチレバー14とICチップ12の裏面
に形成された図示しない配線(裏面電極)とは、ボンデ
ィングワイヤ20を用いてワイヤボンディングされ、I
Cチップ12の裏面に形成された配線とハイブリッドI
C82とは、ボンディングワイヤ22を用いてワイヤボ
ンディングされている。
The cantilever 14 and an unillustrated wiring (back surface electrode) formed on the back surface of the IC chip 12 are wire-bonded using a bonding wire 20, and I
The wiring formed on the back surface of the C chip 12 and the hybrid I
C82 is wire-bonded using the bonding wire 22.

【0016】以上のように構成された本第2実施例によ
っても、第1実施例と同等の効果を得ることができる。
According to the second embodiment constructed as described above, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0017】次に、本発明の第3実施例を図3に基づい
て説明する。ここで、前述した第1,第2実施例と同一
の構成部分については、同一の符号を付すと共にその説
明を簡略もしくは省略する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same components as those in the first and second embodiments described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be simplified or omitted.

【0018】この第3実施例の加速度センサ50は、前
述した第2実施例において、カンチレバー14をICチ
ップ12の裏面にはんだバンプ26を用いてフリップチ
ップボンディングした点に特徴を有する他は、第2実施
例と同一である。
The acceleration sensor 50 of the third embodiment is characterized in that the cantilever 14 is flip-chip bonded to the back surface of the IC chip 12 by using the solder bumps 26 in the second embodiment described above. This is the same as the second embodiment.

【0019】この第3実施例によっても、第1,第2実
施例と同等の効果を得られる他、陽極接合を行なわない
ので、半導体実装技術をフルに利用した組付け作業の完
全な自動化が可能である。
According to the third embodiment as well, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained, and since anodic bonding is not performed, the assembly work can be fully automated by fully utilizing the semiconductor mounting technology. It is possible.

【0020】次に、本発明の第4実施例を図4に基づい
て説明する。ここで、前述した第1,第2実施例と同一
の構成部分については、同一の符号を付すと共にその説
明を簡略もしくは省略する。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same components as those in the first and second embodiments described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be simplified or omitted.

【0021】この第4実施例の加速度センサ70では、
前述した第2実施例とカンチレバー14の向きが左右反
対にされている。このカンチレバー14を片持ち支持す
べくICチップ12に代えて、信号処理回路用デバイス
として裏面側の一端部が裏面側に突出させられたICチ
ップ28が使用されている。カンチレバー14とICチ
ップ12とは陽極接合により接合されている。また、カ
ンチレバー14上面のCr薄膜18は、ハイブリッドI
C82上に設けられたスタッド32にボンディングワイ
ヤ20を用いてワイヤボンディングされている。このた
め、ICチップ28の裏面電極とハイブリッドIC82
上のストリップラインとの結線が不要となっている。そ
の他の構成は前述した第2実施例と同一である。
In the acceleration sensor 70 of the fourth embodiment,
The orientation of the cantilever 14 is opposite to that of the second embodiment described above. Instead of the IC chip 12 so as to support the cantilever 14 in a cantilever manner, an IC chip 28 having one end on the back surface side projected to the back surface side is used as a device for a signal processing circuit. The cantilever 14 and the IC chip 12 are joined by anodic bonding. Further, the Cr thin film 18 on the upper surface of the cantilever 14 is a hybrid I
The stud 32 provided on the C82 is wire-bonded using the bonding wire 20. Therefore, the back surface electrode of the IC chip 28 and the hybrid IC 82 are
The connection with the upper strip line is unnecessary. The other structure is the same as that of the second embodiment described above.

【0022】この第4実施例によっても、第1,第2実
施例と同等の効果を得られる。なお、カンチレバー14
の基板は、必ずしもガラス基板を用いる必要はなく、こ
れに代えてシリコン単結晶からなる基板(Siウェハ
ー)その他歪みゲージ用金属薄膜を形成できる他の基盤
を用いても良い。また、この基板上に形成される歪ゲー
ジ用金属薄膜は、Cr系の薄膜に限られるものでなく、
他の金属薄膜を用いても良い。
Also according to the fourth embodiment, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained. The cantilever 14
The glass substrate does not necessarily have to be a glass substrate, but instead of this, a substrate made of a silicon single crystal (Si wafer) or another substrate capable of forming a metal thin film for a strain gauge may be used. Further, the strain gauge metal thin film formed on this substrate is not limited to a Cr-based thin film,
Other metal thin films may be used.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
加速度検出用カンチレバーが信号処理回路用デバイス
(例えばICチップ)上に片持ち支持され、少なくとも
一方の面に歪みゲージ用金属薄膜が形成された基板によ
り構成さていることから従来の圧電体のものより小型化
し、このカンチレバーが信号処理回路用デバイス(例え
ばICチップ)上に片持ち支持された状態で実装基板
(例えばハイブリッドIC)上に実装されていることか
ら、この実装に際してカンチレバーと信号処理回路用デ
バイスとの電気的接続、信号処理回路用デバイスと実装
基板との電気的接続を、半導体実装技術の一つであるワ
イヤボンディングやフリップチップボンディングを用い
て行なうことができる。従って、自動ボンダやフリップ
チップボンダ等を用いれば、組みつけ作業の自動化を促
進することができ、これにより製造コストの低減を図る
ことができるという従来にない優れた効果がある。
As described above, according to the present invention,
The acceleration detecting cantilever is cantilevered on a signal processing circuit device (for example, an IC chip), and is composed of a substrate having a strain gauge metal thin film formed on at least one surface thereof. Since the cantilever is miniaturized and mounted on a mounting substrate (for example, a hybrid IC) in a cantilevered state on a signal processing circuit device (for example, an IC chip), the cantilever and the signal processing circuit are mounted during this mounting. The electrical connection with the device and the electrical connection between the signal processing circuit device and the mounting substrate can be performed using wire bonding or flip chip bonding, which is one of the semiconductor mounting technologies. Therefore, if an automatic bonder, a flip chip bonder, or the like is used, automation of the assembling work can be promoted, and this has an unprecedented excellent effect that the manufacturing cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例を示す概略正面図である。FIG. 1 is a schematic front view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2実施例を示す概略正面図である。FIG. 2 is a schematic front view showing a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3実施例を示す概略正面図である。FIG. 3 is a schematic front view showing a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4実施例を示す概略正面図である。FIG. 4 is a schematic front view showing a fourth embodiment of the present invention.

【図5】従来例を示す概略正面図である。FIG. 5 is a schematic front view showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 加速度センサ 12 ICチップ(信号処理回路用デバイス) 14 加速度検出用カンチレバー 15 ガラス基板(基板) 18 Cr薄膜(歪みゲージ用金属薄膜) 28 ICチップ(信号処理回路用デバイス) 30 加速度センサ 50 加速度センサ 70 加速度センサ 82 ハイブリッドIC(実装基板) 10 Acceleration Sensor 12 IC Chip (Signal Processing Circuit Device) 14 Acceleration Detection Cantilever 15 Glass Substrate (Substrate) 18 Cr Thin Film (Metal Thin Film for Strain Gauge) 28 IC Chip (Signal Processing Circuit Device) 30 Acceleration Sensor 50 Acceleration Sensor 70 Accelerometer 82 Hybrid IC (Mounting board)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 上面に配線部が形成された実装基板と、 前記実装基板上に実装された信号処理回路用デバイス
と、 前記信号処理回路用デバイス上に片持ち支持され、少な
くとも一方の面に歪みゲージ用金属薄膜が形成された基
板から成る加速度検出用カンチレバーと、 を有することを特徴とする加速度センサ。
1. A mounting board having a wiring portion formed on an upper surface thereof, a signal processing circuit device mounted on the mounting board, and a cantilevered support on the signal processing circuit device. An acceleration sensor, comprising: an acceleration detecting cantilever formed of a substrate on which a metal thin film for a strain gauge is formed.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09292409A (en) * 1996-04-26 1997-11-11 Hitachi Ltd Accelerometer
JP2002098709A (en) * 2000-09-26 2002-04-05 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor acceleration sensor
US9083312B1 (en) * 2003-01-15 2015-07-14 Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research Piezoelectric device mounted on integrated circuit chip

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