JPH06214258A - Active matrix display element - Google Patents
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- JPH06214258A JPH06214258A JP703293A JP703293A JPH06214258A JP H06214258 A JPH06214258 A JP H06214258A JP 703293 A JP703293 A JP 703293A JP 703293 A JP703293 A JP 703293A JP H06214258 A JPH06214258 A JP H06214258A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スクリーン上に画像を
拡大投影するための投射型画像表示装置などに用いられ
るアクティブマトリクス表示素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix display device used in a projection type image display device for enlarging and projecting an image on a screen.
【０００２】[0002]
【従来の技術】上記アクティブマトリクス表示素子にお
いては、一般に対向する２つの基板の一方に絵素電極が
マトリクス状に配列されて、絵素と称する表示単位が構
成される。これらの絵素電極には、薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴと称する）などのスイッチング素子を介し
て、独立した駆動電圧が印加される。絵素電極に駆動電
圧が印加されると、絵素電極と他方の基板上に設けられ
た対向電極との間に封入された液晶などの表示媒体の光
学特性が変化して、絵素による表示を行う。そして、複
数の絵素により画像や文字などが表示される。2. Description of the Related Art In the above-mentioned active matrix display element, picture element electrodes are generally arranged in a matrix on one of two opposing substrates to form a display unit called a picture element. Independent drive voltages are applied to these pixel electrodes via switching elements such as thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs). When a drive voltage is applied to the picture element electrode, the optical characteristics of the display medium such as liquid crystal enclosed between the picture element electrode and the counter electrode provided on the other substrate change, and display by the picture element is performed. I do. Images and characters are displayed by the plurality of picture elements.
【０００３】ところで、アクティブマトリクス表示素子
のＴＦＴにおいては、アモルファスシリコンや多結晶シ
リコンなどの半導体層が形成される。そして、これらの
半導体層は、一般に光によってキャリアが励起され、ス
イッチング素子としてのオフ特性が劣化するという問題
点を有している。これを解決すべく、スイッチング素子
としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス表示素子に
は、遮光膜が設けられる。By the way, in a TFT of an active matrix display element, a semiconductor layer made of amorphous silicon or polycrystalline silicon is formed. Then, these semiconductor layers generally have a problem that carriers are excited by light and the off characteristics as a switching element are deteriorated. In order to solve this, an active matrix display element using a TFT as a switching element is provided with a light shielding film.
【０００４】従来、パーソナルコンピューター、ワード
プロセッサ、ポケットテレビなどの直視型表示装置に用
いられるアクティブマトリクス表示素子においては、遮
光膜により反射された光が表示のコントラストを低下す
ることがないように、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａなどの反射率の
低い材料を用いて遮光膜を形成している。Conventionally, in an active matrix display element used in a direct-view display device such as a personal computer, a word processor, a pocket television, Cr, Cr, etc. are prevented from being reflected by the light-shielding film so as not to lower the display contrast. The light shielding film is formed using a material having a low reflectance such as Mo and Ta.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年注目され
ている、画像をスクリーンに拡大投影する投射型画像表
示装置においては、輝度を高めるべく、遮光膜が形成さ
れた側から強い光が照射されており、上記のような反射
率の低い材料を用いて遮光膜を形成すると、遮光膜が光
を吸収して表示素子の温度が上昇し、表示不良を起こし
たり、表示装置の信頼性が低下する虞れがある。However, in a projection type image display device for enlarging and projecting an image on a screen, which has been attracting attention in recent years, strong light is emitted from the side on which a light shielding film is formed in order to increase brightness. Therefore, if the light-shielding film is formed using a material having a low reflectance as described above, the light-shielding film absorbs light and the temperature of the display element rises, causing a display defect or lowering the reliability of the display device. There is a risk of
【０００６】このため、特開昭平１−１０２４３０号公
報には、光の反射率を高めて表示素子の温度上昇を防止
するために、遮光膜をＡｌを用いて形成することが提案
されている。しかし、Ａｌの薄膜は薬品によるダメージ
を受け易く、熱的な原子移動によるピンホールが発生し
易い。よって、量産した場合に充分な良品率が得られな
い。また、遮光膜が光学的表示媒体側でも高反射率であ
るので、光散乱が生じてＴＦＴの特性が悪化したり、散
乱光によるコントラストの低下などが起こり、画質が低
下するという問題がある。For this reason, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 1-202430 proposes forming a light-shielding film using Al in order to increase the reflectance of light and prevent the temperature rise of the display element. . However, the Al thin film is easily damaged by chemicals, and pinholes are easily generated due to thermal atom movement. Therefore, a sufficient yield rate cannot be obtained in mass production. Further, since the light-shielding film has a high reflectance even on the optical display medium side, there is a problem that the light scattering causes the characteristics of the TFT to deteriorate, and the contrast due to the scattered light lowers the image quality.
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、強い照射光を用いて表示画面の高輝
度化を図ると共に、画質の劣化を防止でき、しかも高い
良品率で製造することができるアクティブマトリクス表
示素子を提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and aims to increase the brightness of a display screen by using strong irradiation light, prevent deterioration of image quality, and manufacture with a high yield rate. It is an object of the present invention to provide an active matrix display device that can be manufactured.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示素子は、光学的表示媒体を挟んで対向配設さ
れた一対の透明絶縁性基板と、該一対の基板の一方にマ
トリクス状に形成された絵素電極と、該絵素電極と接続
されたスイッチング素子と、を有するアクティブマトリ
クス表示素子において、該一対の基板の内、絵素電極が
形成されていない方の基板の該光学的表示媒体側に、開
口部を有する遮光膜が、その開口部を該絵素電極と対向
させて形成され、該遮光膜の略々全面が、高反射率のＡ
ｌと高融点金属との合金からなる第１層と、低反射率の
材料からなる第２層との２層構造からなり、該第２層が
光学的表示媒体側に配されており、そのことにより上記
目的が達成される。An active matrix display device according to the present invention is provided with a pair of transparent insulating substrates which are opposed to each other with an optical display medium interposed therebetween, and which is formed in a matrix on one of the pair of substrates. An active matrix display element having a picture element electrode and a switching element connected to the picture element electrode, the optical display medium of one of the pair of substrates on which the picture element electrode is not formed. A light-shielding film having an opening is formed on the side with the opening facing the pixel electrode, and substantially the entire surface of the light-shielding film has a high reflectance A.
1 has a two-layer structure of a first layer made of an alloy of 1 and a refractory metal and a second layer made of a material having a low reflectance, and the second layer is arranged on the optical display medium side. By doing so, the above object is achieved.
【０００９】[0009]
【作用】本発明のアクティブマトリクス表示素子におい
ては、遮光膜が、その開口部を絵素電極と対向させて形
成され、２層構造からなっている。基板側に高反射率の
Ａｌと高融点金属との合金からなる第１層が形成されて
いるので、光反射率が高く、基板の温度上昇が少なくす
ることができ、薬品や熱に対しても安定である。また、
光学的表示媒体側に、低反射率の材料からなる第２層が
第１層のほぼ全面に形成されているので、表示素子内で
の光散乱が生じにくく、ＴＦＴへの光照射や散乱光によ
るコントラストの低下を防ぐことができる。In the active matrix display element of the present invention, the light shielding film is formed with its opening facing the pixel electrode and has a two-layer structure. Since the first layer made of an alloy of high-reflectance Al and refractory metal is formed on the substrate side, the light reflectance is high, the temperature rise of the substrate can be suppressed, and it is possible to prevent chemicals and heat. Is also stable. Also,
On the optical display medium side, the second layer made of a material having a low reflectance is formed on almost the entire surface of the first layer, so that light scattering is less likely to occur in the display element, and light irradiation to the TFT or scattered light is prevented. It is possible to prevent a decrease in contrast due to.
【００１０】[0010]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.
【００１１】図１に本発明のアクティブマトリクス表示
素子の模式図を示し、図２に図１の拡大図を示す。FIG. 1 shows a schematic view of an active matrix display device of the present invention, and FIG. 2 shows an enlarged view of FIG.
【００１２】このアクティブマトリクス表示素子（以下
表示素子と称する）１０は、一対の透明絶縁性基板１お
よび５を有している。透明絶縁性基板１および５として
は、ガラス基板が用いられている。一方の基板１には、
絵素電極４がマトリクス状に形成され、各絵素電極４に
はスイッチング素子としてＴＦＴ２が接続されている。
また、各絵素電極４の間には、ゲートバスライン３およ
びソースバスライン９が互いに直交するように設けられ
ている。The active matrix display element (hereinafter referred to as a display element) 10 has a pair of transparent insulating substrates 1 and 5. Glass substrates are used as the transparent insulating substrates 1 and 5. On one of the substrates 1,
The picture element electrodes 4 are formed in a matrix, and the TFTs 2 are connected to each picture element electrode 4 as switching elements.
A gate bus line 3 and a source bus line 9 are provided between the picture element electrodes 4 so as to be orthogonal to each other.
【００１３】他方の基板５には、絵素電極４の周辺部お
よび絵素電極４以外の部分を覆うように遮光膜６が形成
されている。遮光膜６は、Ａｌと高融点金属との合金、
例えば、Ａｌ９８％−Ｔａ２％（以下Ａｌ−Ｔａと称す
る）の合金からなる第１層６ａと、低反射率の材料、例
えば、Ｍｏからなる第２層６ｂとの２層構造からなる。
この遮光膜６は、例えば、スパッタリング法などの薄膜
形成技術によりＡｌ−Ｔａ薄膜とＭｏ薄膜とを連続的に
形成し、これらの薄膜にフォトリソグラフィ技術により
開口部を設けることにより形成することができる。A light shielding film 6 is formed on the other substrate 5 so as to cover the peripheral portion of the picture element electrode 4 and a portion other than the picture element electrode 4. The light-shielding film 6 is an alloy of Al and a refractory metal,
For example, it has a two-layer structure of a first layer 6a made of an alloy of Al98% -Ta2% (hereinafter referred to as Al-Ta) and a second layer 6b made of a material having a low reflectance, for example, Mo.
The light-shielding film 6 can be formed, for example, by continuously forming an Al—Ta thin film and a Mo thin film by a thin film forming technique such as a sputtering method, and forming an opening in these thin films by a photolithography technique. .
【００１４】遮光膜６を覆って、基板５の全面にスパッ
タリング法により形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔ
ｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）からなる対向電極７とポリイミド樹
脂を焼成してラビング処理を施した配向膜８とが設けら
れている。An ITO (Indium-T) formed by sputtering on the entire surface of the substrate 5 so as to cover the light-shielding film 6.
The counter electrode 7 made of in-Oxide) and the alignment film 8 obtained by baking a polyimide resin and performing a rubbing treatment are provided.
【００１５】上記基板１と基板５との間には、液晶層
（図示せず）が封入されて表示素子１０となっている。
本実施例では、表示素子１０の表示画面の大きさについ
ては、対角線を７５ｍｍ、絵素ピッチを縦１９０μｍ×
横１６１μｍとし、遮光膜６の開口部を縦８８μｍ×横
１０４μｍ、開口率３０％として形成した。また、表示
は、ツイステッドネマティックモードで行うようにし
た。本実施例では、第１層６ａが設けられているので、
表示素子面では可視光反射率が約８０％となり、また、
第２層６ｂが設けられているので、表示素子内では可視
光反射率が約６０％となる。従来より用いられているＣ
ｒからなる遮光膜では、可視光反射率は約６０％であ
り、強い照射光の当たる表示素子面では遮光膜の光吸収
率を約半分に低減し、表示素子内では散乱光を従来の遮
光膜と同程度とすることができる。また、Ａｌ−Ｔａ薄
膜は、Ａｌ薄膜に比べて薬品に対するダメージや熱的な
原子移動によるピンホールの発生などが少なく、量産し
た場合に充分な良品率を得ることができる。A liquid crystal layer (not shown) is enclosed between the substrate 1 and the substrate 5 to form a display element 10.
In the present embodiment, regarding the size of the display screen of the display element 10, the diagonal line is 75 mm, and the pixel pitch is 190 μm in length.
The width was 161 μm, and the openings of the light-shielding film 6 were formed with a length of 88 μm × width of 104 μm and an aperture ratio of 30%. Also, the display is performed in the twisted nematic mode. In this embodiment, since the first layer 6a is provided,
Visible light reflectance is about 80% on the display element surface.
Since the second layer 6b is provided, the visible light reflectance in the display element is about 60%. Conventionally used C
With a light-shielding film made of r, the visible light reflectance is about 60%, and the light-absorption rate of the light-shielding film is reduced to about half on the surface of the display element exposed to strong irradiation light. It can be comparable to a membrane. Further, the Al-Ta thin film has less damage to chemicals and pinholes due to thermal atom movement than the Al thin film, and thus a sufficient yield rate can be obtained when mass-produced.
【００１６】上記実施例では、第１層としてＡｌ９８％
−Ｔａ２％を用いたが、高融点金属としてＴａ以外のも
のを用いてもよく、含有組成もこれに限らない。また、
第２層としてＭｏを用いたが、低反射率の材料であれ
ば、いずれも用いることができる。In the above embodiment, Al 98% is used as the first layer.
Although -Ta2% is used, the refractory metal other than Ta may be used, and the content composition is not limited to this. Also,
Although Mo is used as the second layer, any material having a low reflectance can be used.
【００１７】図３に本実施例のアクティブマトリクス表
示素子を用いた投射型画像表示装置の概略図を示す。こ
の装置においては、放物面反射鏡１２を有する光源１１
が備えられており、光源１１の前方には３原色分解用ダ
イクロイックミラー（以下分解用ミラーと称する）１４
Ｒと１４Ｂ、表示素子１０Ｇおよびミラー１５Ｍが配設
されている。また、光源１１の前方から少し位置をずら
してミラー１４Ｍ、表示素子１０Ｒ、３原色合成用ダイ
クロイックミラー（以下合成用ミラーと称する）１５Ｂ
と１５Ｇ、投影レンズ１６およびスクリーン１７が配設
されている。分解用ミラー１４Ｂと合成用ミラー１５Ｂ
との間には、表示素子１０Ｂが設けられている。各表示
素子１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂの光入射側には、コンデン
サレンズ１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂが設けられている。こ
こで、表示素子１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ、投射レンズ１
６およびスクリーン１７が光軸に対して斜めに配置され
ているのは、ツイステッドネマティックモードの最適視
覚方向から光を照射し、かつ、投影画面の台形歪みをな
くすためである。FIG. 3 is a schematic view of a projection type image display device using the active matrix display element of this embodiment. In this device, a light source 11 having a parabolic reflector 12
Is provided in front of the light source 11, and a dichroic mirror for separating three primary colors (hereinafter referred to as a separating mirror) 14
R and 14B, a display element 10G and a mirror 15M are arranged. Further, the mirror 14M, the display element 10R, and the dichroic mirror for synthesizing three primary colors (hereinafter referred to as the synthesizing mirror) 15B are slightly displaced from the front of the light source 11.
15G, a projection lens 16 and a screen 17 are provided. Disassembly mirror 14B and composition mirror 15B
The display element 10B is provided between and. Condenser lenses 13R, 13G and 13B are provided on the light incident side of each of the display elements 10R, 10G and 10B. Here, the display elements 10R, 10G, 10B and the projection lens 1
6 and the screen 17 are arranged obliquely with respect to the optical axis in order to irradiate light from the optimum viewing direction of the twisted nematic mode and eliminate the trapezoidal distortion of the projection screen.
【００１８】光源１１から発せられた白色光は、直接ま
たは放物面反射鏡１２によって反射されて、分解用ミラ
ー１４Ｒ、１４Ｂおよびミラー１５Ｍに向かう。分解用
ミラー１４Ｒでは赤色（Ｒ）成分の光のみが反射され
る。反射されたＲ成分の光は、反射ミラー１４Ｍによっ
て反射され、コンデンサレンズ１３Ｒおよび表示素子１
０Ｒに向かう。表示素子１０ＲはＲ成分の光の透過を制
御し、Ｒ成分の光に画像情報を与える。表示素子１０Ｒ
を透過したＲ成分の光は合成用ミラー１５Ｂおよび１５
Ｇを透過し、投影レンズ１６によってスクリーン１７上
に表示される。The white light emitted from the light source 11 is reflected directly or by the parabolic reflector 12 toward the disassembling mirrors 14R, 14B and the mirror 15M. Only the red (R) component light is reflected by the disassembling mirror 14R. The reflected R component light is reflected by the reflection mirror 14M, and the condenser lens 13R and the display element 1
Head towards 0R. The display element 10R controls the transmission of the R component light and gives image information to the R component light. Display element 10R
The R component light that has passed through is reflected by the combining mirrors 15B and 15B.
The light passes through G and is displayed on the screen 17 by the projection lens 16.
【００１９】一方、分解用ミラー１４Ｒを透過した緑色
（Ｇ）成分および青色（Ｂ）成分の光の内、Ｂ成分の光
は分解用ミラー１４Ｂで反射され、コンデンサレンズ１
３Ｂおよび表示素子１０Ｂに到達する。表示素子１０Ｂ
はＢ成分の光の透過を制御し、Ｂ成分の光に画像情報を
与える。表示素子１０Ｂを透過したＢ成分の光は合成用
ミラー１５Ｂにより反射されて、表示素子１０Ｒを透過
してきたＲ成分の光と合わさり、合成用ミラー１５Ｇを
透過し、投影レンズ１６によってスクリーン１７上に表
示される。On the other hand, of the green (G) component and blue (B) component light transmitted through the disassembling mirror 14R, the B component light is reflected by the disassembling mirror 14B, and the condenser lens 1
3B and the display element 10B are reached. Display element 10B
Controls the transmission of the B component light and gives image information to the B component light. The B component light that has passed through the display element 10B is reflected by the synthesizing mirror 15B, is combined with the R component light that has passed through the display element 10R, passes through the synthesizing mirror 15G, and is projected onto the screen 17 by the projection lens 16. Is displayed.
【００２０】また、分解用ミラー１４Ｂを透過したＧ成
分の光は、コンデンサレンズ１３Ｇおよび表示素子１０
Ｇに到達する。表示素子１０Ｇは、Ｇ成分の光の透過を
制御し、Ｇ成分の光に画像情報を与える。表示素子１０
Ｇを透過したＧ成分の光は合成用ミラー１５Ｇにより反
射されて、合成用ミラー１５ＢからのＲ成分の光および
Ｂ成分の光と合わさり、投影レンズ１６によってスクリ
ーン１７上に表示される。The G component light transmitted through the disassembling mirror 14B is converted into the condenser lens 13G and the display element 10.
Reach G. The display element 10G controls the transmission of the G component light and gives image information to the G component light. Display element 10
The G component light transmitted through G is reflected by the combining mirror 15G, is combined with the R component light and the B component light from the combining mirror 15B, and is displayed on the screen 17 by the projection lens 16.
【００２１】上述のような構成の投射型画像表示装置に
おいて、表示素子１０Ｒ、１０Ｂ、１０Ｇの表面温度を
測定したところ、約４０℃程度となり、従来のＣｒから
なる遮光膜を用いた表示素子に比べて温度上昇を大幅に
小さくすることができた。また、表示素子内での光散乱
によるコントラストの低下なども生じず、良好な画質が
得られた。When the surface temperature of the display elements 10R, 10B and 10G in the projection type image display apparatus having the above-mentioned structure was measured, it was about 40 ° C., which is a conventional display element using a light shielding film made of Cr. In comparison, the temperature rise could be reduced significantly. In addition, good image quality was obtained without lowering the contrast due to light scattering in the display element.
【００２２】尚、上記実施例においては、遮光膜を絵素
電極の周辺部および絵素電極以外の部分を覆うように設
けたが、絵素電極の周辺部を省略して絵素電極以外の部
分のみを覆うようにしてもよい。In the above embodiment, the light-shielding film is provided so as to cover the peripheral portion of the pixel electrode and the portion other than the pixel electrode, but the peripheral portion of the pixel electrode is omitted and the light-shielding film other than the pixel electrode is omitted. You may make it cover only a part.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
においては、遮光膜が２層構造からなり、基板側にＡｌ
と高融点金属との合金からなる第１層が設けられている
ので、温度上昇を防ぐことができ、量産性にも優れたア
クティブマトリクス表示素子が得られる。また、光学的
表示媒体側に低反射率の材料からなる第２層が設けられ
ているので、光散乱による画質の劣化を防ぐことができ
る。よって、高輝度・高画質の投射型画像表示装置を高
い良品率で量産し、安価に供給することが可能となる。As is apparent from the above description, in the present invention, the light shielding film has a two-layer structure, and the light shielding film is made of Al on the substrate side.
Since the first layer made of an alloy of a high melting point metal is provided, an increase in temperature can be prevented, and an active matrix display element excellent in mass productivity can be obtained. Further, since the second layer made of a material having a low reflectance is provided on the optical display medium side, it is possible to prevent deterioration of image quality due to light scattering. Therefore, it is possible to mass-produce a projection-type image display device having high brightness and high image quality with a high yield rate and to supply it at a low cost.
【図１】本発明の一実施例のアクティブマトリクス表示
素子を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing an active matrix display device of one embodiment of the present invention.
【図２】図１の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of FIG.
【図３】図１のアクティブマトリクス表示素子を用いた
投射型画像表示装置の概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a projection type image display device using the active matrix display element of FIG.
【符号の説明】 １、５ 透明絶縁性基板 ２ ＴＦＴ ３ ゲートバス配線 ４ 絵素電極 ６ 遮光膜 ６ａ 第１層 ６ｂ 第２層 ７ 対向電極 ９ ソースバス配線 １０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ アクティブマトリクス表示素
子 １１ 光源 １２ 放物面反射鏡 １３ コンデンサレンズ １４Ｒ、１４Ｂ ３原色分解用ダイクロイックミラー １４Ｍ、１５Ｍ ミラー １５Ｂ、１５Ｇ ３原色合成用ダイクロイックミラー １６ 投影レンズ １７ スクリーン[Explanation of Codes] 1, 5 Transparent Insulating Substrate 2 TFT 3 Gate Bus Wiring 4 Pixel Electrode 6 Light Shielding Film 6a First Layer 6b Second Layer 7 Counter Electrode 9 Source Bus Wiring 10R, 10G, 10B Active Matrix Display Element 11 Light source 12 Parabolic reflector 13 Condenser lens 14R, 14B 3 Primary color separation dichroic mirror 14M, 15M Mirror 15B, 15G 3 Primary color synthesis dichroic mirror 16 Projection lens 17 Screen
フロントページの続き (72)発明者 飯田 宏之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 黒田 美和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内Front page continued (72) Inventor Hiroyuki Iida 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka, Japan Sharp Corporation (72) Inventor Miwa Kuroda 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka, Osaka, Japan
Claims (1)
一対の透明絶縁性基板と、 該一対の基板の一方にマトリクス状に形成された絵素電
極と、 該絵素電極と接続されたスイッチング素子と、 を有するアクティブマトリクス表示素子において、 該一対の基板の内、絵素電極が形成されていない方の基
板の該光学的表示媒体側に、開口部を有する遮光膜が、
その開口部を該絵素電極と対向させて形成され、該遮光
膜の略々全面が、高反射率のＡｌと高融点金属との合金
からなる第１層と、低反射率の材料からなる第２層との
２層構造からなり、該第２層が光学的表示媒体側に配さ
れているアクティブマトリクス表示素子。1. A pair of transparent insulating substrates which are arranged to face each other with an optical display medium interposed therebetween, picture element electrodes formed in a matrix on one of the pair of substrates, and connected to the picture element electrodes. In the active matrix display element having a switching element, a light-shielding film having an opening is provided on the optical display medium side of one of the pair of substrates on which no pixel electrode is formed,
The opening is formed so as to face the pixel electrode, and substantially the entire surface of the light shielding film is made of a first layer made of an alloy of high reflectance Al and a high melting point metal, and a material of low reflectance. An active matrix display device having a two-layer structure including a second layer, the second layer being disposed on the optical display medium side.
Priority Applications (1)
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1993
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