JPH06212477A

JPH06212477A - 微小構造物製造方法

Info

Publication number: JPH06212477A
Application number: JP334993A
Authority: JP
Inventors: Motomi Ozaki; 元美尾崎; Junichi Takahashi; 淳一高橋
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1993-01-12
Filing date: 1993-01-12
Publication date: 1994-08-02

Abstract

(57)【要約】【目的】高さ精度を向上させるとともに容易に大量生
産し得る微小構造物製造方法を提供する。【構成】基板８の上に第一の材料を第一層９として積
層し、この第一層９の一部をエッチャントにより除去し
て所望の微小構造物１４の形状に形成し、第一層９の上
に該エッチャントによってはエッチングされない第二の
材料による第二層１０を積層し、この第二層１０に穴１
１を形成し、この穴１１から該エッチャントを浸透させ
ることにより第一層９を除去して中空部１２を形成し、
この中空部１２を型として電鋳或いは射出成形を施した
後に第二層１０を除去することにより、金属製或いはプ
ラスチックス製の微小構造物１４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシニングの
分野において、種々の部品や素子を形成するための微小
構造物製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、Micro Parts 社のカタログに「Ｌ
ＩＧＡプロセス」として開示されているように、シンク
ロトロン放射光のＸ線を用いてレジストを高アスペクト
比で現像することにより型を形成し、その型によりプラ
スチックス成形を行い、又は、さらに電鋳することによ
り微細部品を大量生産する方法がある。

【０００３】また、TECHNICAL DIGEST OF THE 10th SEN
SOR SYMPOSIUM 1991.pp.25〜28において、ケンイチシ
マオカ、オサムタバタ、ススムスギヤマの三氏によ
る「Etch Stop Technique of Polysilicon」なる記事が
紹介されている。これは、ポリシリコンを犠牲層として
シリコンナイトライドの微小な橋型構造を作る方法で、
第一の方法は、図８（ａ）に示すように、シリコン基板
１にシリコンナイトライド２を積層し、その上に所定形
状のポリシリコンを積層し、さらに、その上にシリコン
ナイトライド３を積層し、このシリコンナイトライド３
に形成したエッチホール４からエッチャントを入れてポ
リシリコンをエッチングすることにより、それまでポリ
シリコンが存在していた部分に中空部５を形成する方法
である。他の方法は、図８（ｂ）に示すように、シリコ
ン基板１にシリコンナイトライド２を積層し、その上に
ポリシリコンを積層し、そのポリシリコンの一部にボロ
ン等のイオン６を打ち込み、さらに、その上にシリコン
ナイトライド３を積層し、このシリコンナイトライド３
に形成したエッチホール４からエッチャントを入れてポ
リシリコンをエッチングすることにより、イオン６が打
ち込まれていないポリシリコンを除去して中空部５を形
成する方法である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】シンクロトロン放射光
のＸ線を用いてレジストを高アスペクト比で現像するこ
とにより型を形成する方法は、光源を得るための装置が
非常に高価なため、製造にかかるコストが極めて高い。
また、型の側面にシリコン基板の表面に対して垂直でな
い曲線をもつ三次元的な構造を作ることは極めて困難で
ある。また、被加工物の近傍にＸ線によってダメージを
受ける電子回路等を形成しておくことはできない。さら
に、最初の加工がレジストに対して行われるため、高さ
寸法の精度が出し難い。

【０００５】また、図８に示す方法は、犠牲層エッチン
グを用いたサーフェスマイクロマシニングの製造方法で
あるが、構造体がシリコン基板１の上にＩＣ製造プロセ
スによって形成されるため、構造体の材料はＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）やスパッタリングやスピン
コート等の製造法によって形成し得るものに限定され
る。また、シリコン基板１の表面に複数の層を複数回繰
り返してデポジション及びエッチングすることにより、
型の側面を三次元的な形状にすることができるが、各層
のデポジションはその下層の形状の影響を受け、さら
に、エッチングはその下層にも影響を与えるため、構造
体の設計上の制約が大きい。さらに、極めて清浄な環境
で製造する必要があるため、成膜装置にかかる負担が大
きい。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板の上に第一の材料を第一層として積層し、前記第一
層の一部をエッチャントにより除去して所望の微小構造
物の形状に形成し、前記第一層の上に前記エッチャント
によってはエッチングされない第二の材料による第二層
を積層し、この第二層に穴を形成し、この穴から前記エ
ッチャントを浸透させることにより前記第一層を除去し
て中空部を形成し、この中空部を型として電鋳を施した
後に前記第二層を除去するようにした。

【０００７】請求項２記載の発明は、中空部を型として
射出成形を行った後に第二層を除去するようにした。

【０００８】請求項３記載の発明は、中空部を型とする
成形前に中空部と大気とを連通する貫通穴を基板に形成
するようにした。

【０００９】請求項４記載の発明は、所望の微小構造物
の形状に対応する部分がエッチャントによってエッチン
グされるように変質された第一の材料を第一層として基
板の上に積層するようにした。

【００１０】請求項５記載の発明は、所望の微小構造物
の形状に対応する部分がエッチャントによってエッチン
グされないように変質された第一の材料を第一層として
基板の上に積層するようにした。

【００１１】請求項６記載の発明は、請求項４記載の第
一層の形成工程を複数回繰り返すようにした。

【００１２】請求項７記載の発明は、請求項５記載の第
一層の形成工程を複数回繰り返すようにした。

【００１３】

【作用】請求項１記載の発明は、第一層の成膜とエッチ
ングとにより最終製造品と同一形状の膜が形成され、こ
の膜を第二層で覆った後に第一層をエッチングすること
により中空部が形成され、この中空部を型として電鋳を
施してから第二層を除去することにより、金属製の微小
構造物が形成される。

【００１４】請求項２記載の発明は、中空部を型として
射出成形を行った後に第二層を除去することにより、プ
ラスチックス製の微小構造物が形成される。

【００１５】請求項３記載の発明は、中空部を型として
電鋳又は射出成形する場合に、中空部内の空気が外部に
放出されるため、微小構造物に空気溜りが発生すること
がない。

【００１６】請求項４記載の発明は、第一層の変質され
た部分がエッチングされるために中空部が形成され、第
一層の変質されない部分により中空部の側壁の幅が確保
されるため、型としての構造が強化されるとともに、型
としての側壁の寸法形状の精度が高められる。また、第
一層の変質された部分及び変質されない部分との平坦な
全平面に第二層を形成することが可能であるため、第二
層の成膜が容易となる。

【００１７】請求項５記載の発明は、第一層の変質され
ない部分がエッチングされるために中空部が形成され、
第一層の変質された部分により中空部の側壁の幅が確保
されるため、型としての構造が強化されるとともに、型
としての側壁の寸法形状の精度が高められる。また、第
一層の変質された部分及び変質されない部分との平坦な
全平面に第二層を形成することが可能であるため、第二
層の成膜が容易となる。

【００１８】請求項６記載の発明は、第一層の形成工程
を複数回繰り返す度に、変質させる部分のパターンを変
えることにより、中空部の側壁の形状を三次元的に変化
させることが可能である。

【００１９】請求項７記載の発明は、第一層の形成工程
を複数回繰り返す度に、変質させる部分のパターンを変
えることにより、中空部の側壁の形状を三次元的に変化
させることが可能である。

【００２０】

【実施例】請求項１記載の発明の一実施例を図１に基づ
いて説明する。まず、図１（ａ）に示すように、表面に
クローム層７が２００ｎｍ程の厚さをもって形成された
シリコン基板８を基板として用意する。そして、シリコ
ン基板８のクローム層７の上に第一の材料とてのポリシ
リコンを第一層９として積層する。この第一層９の厚さ
は４μｍである。そして、フォトリソエッチングにより
この第一層９の必要な部分のみを残し他の部分を除去し
て所定形状の第一層９を得る。ここで、残った第一層９
は目的とする微小構造物の形状と一致する。次に、図１
（ｂ）に示すように、第一層９の上にこの第一層９の材
料のエッチャントによってはエッチングされない第二の
材料としてのシリコンナイトライドによる第二層１０を
積層し、この第二層１０にフォトリソエッチングによっ
て穴１１を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、
第二層１０に形成した穴１１から前述したエッチャント
を浸透させて第一層９を除去して中空部１２を形成す
る。次に、図１（ｄ）に示すように、クローム層７を種
としてニッケル１３を電鋳によって中空部１２の中に埋
める。最後に、図１（ｅ）に示すように、第二層１０と
同材のシリコンナイトライドのエッチャントにより第二
層１０を除去する。ここで、残ったニッケル１３の生成
物が金属製の微小構造物１４である。

【００２１】以上のように、第一層９のデポジションと
フォトリソエッチングとにより製造目的の微小構造物１
４と同形状の膜を形成し、これを第二層１０で覆い、犠
牲層エッチングにより第一層９を除いて中空部１２を形
成し、この中空部１２にニッケル１３を電鋳で埋め込ん
でから第二層１０を除くので、高さが数μｍから数十μ
ｍで断面形状が一定な二次元的微小構造物１４を、高さ
の精度を保ちながらバッチプロセスで大量に製造するこ
とができる。

【００２２】なお、穴１１の形成はフォトリソエッチン
グに限られるものではなく、マイクロ放電加工やレーザ
加工等でもよい。また、第一層９（ポリシリコン）のエ
ッチング法はウェットエッチングに限られるものではな
く、ケミカルドライエッチングやリアクティブイオンエ
ッチング等のドライエッチング等でもよい。

【００２３】次に、請求項２記載の発明の一実施例を図
２に基づいて説明する。前記実施例と同一部分について
は同一符号を用い説明も省略する（以下同様）。本実施
例において、図２（ａ）から同図（ｃ）に至る中空部１
２を形成する工程は、前記実施例における図１（ａ）か
ら同図（ｃ）までの工程と同様である。図２（ｄ）に示
す工程では、耐酸性のプラスチックス１５を射出成形に
よって中空部１２の中に埋める。最後に、図２（ｅ）に
示すように、第二層１０をシリコンナイトライドのエッ
チャントにより除去する。ここで、残ったプラスチック
ス１５の成形物が微小構造物１６である。

【００２４】したがって、微小構造物１６の材質が異な
る点以外の点については、前記実施例と同様の利点が得
られる。

【００２５】次に、請求項３記載の発明の一実施例を図
３に基づいて説明する。本実施例において、図３（ａ）
から同図（ｃ）に至る中空部１２を形成する工程は、前
記実施例における図１及び図２（ａ）から同図（ｃ）ま
での工程と同様である。図３（ｄ）に示す工程では、水
酸化ナトリュウム等やシリコンのエッチャントによりシ
リコン基板８の一部をエッチングし、さらに、クローム
のエッチャントによりクローム層７の一部をエッチング
することにより中空部１２と外気とを連通する貫通穴１
７を形成する。続いて、図３（ｅ）に示すように、クロ
ームを種にしてニッケル１３を電鋳により中空部１２に
埋め込み、或いは、中空部１２に耐酸性のプラスチック
ス１５を射出成形により埋め込む。最後に、図３（ｆ）
に示すように、第二層１０をシリコンナイトライドのエ
ッチャントにより除去する。ここで、残ったニッケル１
３又はプラスチックス１５が微小構造物１４又は１６で
ある。

【００２６】以上のように、中空部１２を型として電鋳
又は射出成形する場合に、中空部１２内の空気が外部に
放出されるため、微小構造物に空気溜りが発生すること
がない。なお、貫通穴１７を形成する方法は、上述した
ようなウェットエッチングに限られものではなく、ドラ
イエッチング、マイクロ放電加工、レーザ加工等によっ
てもよい。

【００２７】次に、請求項４記載の発明の一実施例を図
４に基づいて説明する。本実施例は、図４（ａ）におい
て、シリコン基板８のクローム層７の上に第一層９をデ
ポジションした後に、図４（ｂ）において、第一の材料
のエッチャントによってエッチングされるｎ型又はｐ型
の添加不純物を用い、１０¹⁷／ｃｍ³ 以上のドーピング
を第一層９の所望の部分９ａに対して行う。９ｂはドー
ピングされない部分である。続いて、図４（ｃ）に示す
ように、第一層９の上にシリコンナイトライドを第二層
１０として積層し、この第二層１０にフォトリソエッチ
ングによって穴１１を形成する。しかして、弗素１０ミ
リリットル、硝酸３０ミリリットル、酢酸８０ミリリッ
トルを混合してなるポリシリコンのエッチャントを穴１
１から注入し、図４（ｄ）に示すように、第一層９のド
ーピングされた部分９ａをエッチングして除去すること
により中空部１２を形成する。この中空部１２を形成す
るエッチャントのエッチレートは、ドーピングされた部
分９ａが、ドーピングされなかった部分９ｂの約１５０
倍である。続いて、図４（ｅ）に示すように、クローム
を種にしてニッケル１３を電鋳により中空部１２に埋め
込み、或いは、中空部１２に耐酸性のプラスチックス１
５を射出成形により埋め込む。最後に、図４（ｆ）に示
すように、第二層１０をシリコンナイトライドのエッチ
ャントにより除去する。ここで、残ったニッケル１３又
はプラスチックス１５が微小構造物１４又は１６であ
る。

【００２８】図４（ｄ）に示すように、第一層９のドー
ピングされない部分９ｂにより中空部１２の側壁の幅が
確保されるため、型としての構造を強化するとともに、
型としての側壁の寸法形状の精度を高めることができ
る。また、図４（ｃ）に示す工程では、第一層９のドー
ピングされた部分９ａ及びドーピングされない部分９ｂ
との平坦な全平面に第二層１０を形成することが可能で
あるため、第二層１０の成膜が容易となる。

【００２９】前記実施例において、ドーピングにより変
質される第一層９の材料はポリシリコンに限られるもの
ではなく、また、変質はドーピングに限られるものでは
ない。例えば、ポリシリコンの代わりにポジレジストを
用い、そのポジレジストを露光により変質させた部分を
現像液によってエッチングするような方法も含まれるも
のである。

【００３０】次に、請求項５記載の発明の一実施例を図
５に基づいて説明する。本実施例は、図５（ａ）におい
て、シリコン基板８のクローム層７の上に第一層９をデ
ポジションした後に、図５（ｂ）において、第一の材料
のエッチャントによってエッチングされボロン又は燐の
添加不純物を用い、４×１０²⁰／ｃｍ³ 以上のドーピン
グを第一層９の所望の部分９ａに対して行う。９ｂはド
ーピングされない部分である。続いて、図５（ｃ）に示
すように、第一層９の上にシリコンナイトライドを第二
層１０として積層し、この第二層１０にフォトリソエッ
チングによって穴１１を形成する。しかして、８０℃の
環境において、１０％水酸化カリウム溶液のエッチャン
トを穴１１から注入し、図５（ｄ）に示すように、第一
層９のドーピングされなかった部分９ｂをエッチングし
て除去することにより中空部１２を形成する。この中空
部１２を形成するエッチャントのエッチレートは、ドー
ピングされた部分９ａが、ドーピングされなかった部分
９ｂの約０．０１倍である。続いて、前記実施例と同様
に、図５（ｅ）に示すように、クロームを種にしてニッ
ケル１３を電鋳により中空部１２に埋め込み、或いは、
中空部１２に耐酸性のプラスチックス１５を射出成形に
より埋め込む。最後に、図５（ｆ）に示すように、第二
層１０をシリコンナイトライドのエッチャントにより除
去する。ここで、残ったニッケル１３又はプラスチック
ス１５が微小構造物１４又は１６である。

【００３１】図５（ｄ）に示すように、第一層９のドー
ピングされた部分９ａにより中空部１２の側壁の幅が確
保されるため、型としての構造が強化されるとともに、
型としての側壁の寸法形状の精度が高められる。また、
図５（ｃ）に示す工程においては、第一層９のドーピン
グされた部分９ａ及びドーピングされない部分９ｂとの
平坦な全平面に第二層１０を形成することが可能である
ため、第二層の成膜が容易となる。

【００３２】本実施例においても、変質される材料はポ
リシリコンに限られるものではなく、また、変質もドー
ピングに限られるものではない。例えば、ポリシリコン
の代わりにネガレジストを用い、そのネガレジストの一
部を露光により変質させ、露光しない部分のみを現像液
によってエッチングするような方法も含まれるものであ
る。

【００３３】次に、請求項６記載の発明の一実施例を図
６に基づいて説明する。請求項６記載の発明は、請求項
４記載の第一層９の形成工程を複数回繰り返すことを特
徴とするものである。すなわち、図６（ｂ）に示すよう
に、シリコン基板８のクローム層７の上には一部９ａが
ドーピングにより変質された第一層９を形成するが、図
６（ｃ）（ｄ）においても第一層９を重ねて形成する。
図６（ｅ）における第二層１０の形成及び穴１１の形
成、図６（ｆ）における電鋳又は射出成形、図６（ｆ）
における型の除去については請求項４記載の発明の実施
例と同様につき説明を省略する。

【００３４】ここで、第一層９の形成工程を複数回繰り
返す度に、変質させる部分９ａのパターンを変えること
により、中空部１２の側壁の形状を三次元的に変化させ
ることが可能である。なお、本実施例においては、ドー
ピングによって変質された部分９ａがエッチングにより
除去されてしまうので、ドーピングの影響が下層の第一
層９に及ぶことを考慮すると、ドーピングさせる寸法形
状は、上層から見て下層に含まれる寸法形状にすること
が望ましい。すなわち、請求項６記載の発明は、図６
（ｅ）に示すように、上方に向かうに従い次第に狭くな
る中空部１２を形成する場合に適している。

【００３５】次に、請求項７記載の発明の一実施例を図
７に基づいて説明する。請求項７記載の発明は、請求項
５記載の第一層９の形成工程を複数回繰り返すことを特
徴とするものである。すなわち、図７（ｂ）に示すよう
に、シリコン基板８のクローム層７の上には一部９ａが
ドーピングにより変質された第一層９を形成するが、図
７（ｃ）（ｄ）においても第一層９を重ねて形成する。
図７（ｅ）における第二層１０の形成及び穴１１の形
成、図７（ｆ）における電鋳又は射出成形、図７（ｆ）
における型の除去については請求項５記載の発明の実施
例と同様につき説明を省略する。

【００３６】ここで、第一層９の形成工程を複数回繰り
返す度に、変質させる部分９ａのパターンを変えること
により、中空部１２の側壁の形状を三次元的に変化させ
ることが可能である。なお、本実施例においては、ドー
ピングによって変質されない部分９ｂがエッチングによ
り除去されてしまうので、ドーピングの影響が下層の第
一層９に及ぶことを考慮すると、ドーピングさせる寸法
形状は、上層から見て下層を含む寸法形状にすることが
望ましい。すなわち、請求項７記載の発明は、図７
（ｅ）に示すように、上方に向かうに従い次第に広くな
る中空部１２を形成する場合に適している。

【００３７】

【発明の効果】請求項１記載の発明は、基板の上に第一
の材料を第一層として積層し、前記第一層の一部をエッ
チャントにより除去して所望の微小構造物の形状に形成
し、前記第一層の上に前記エッチャントによってはエッ
チングされない第二の材料による第二層を積層し、この
第二層に穴を形成し、この穴から前記エッチャントを浸
透させることにより前記第一層を除去して中空部を形成
し、この中空部を型として電鋳を施した後に前記第二層
を除去するようにしたので、第一層の成膜とエッチング
とにより最終製造品と同一形状の膜が形成し、この膜を
第二層で覆った後に第一層をエッチングすることにより
中空部が形成し、この中空部を型として電鋳を施してか
ら第二層を除去することにより、断面形状が一定で二次
元的形状の金属製の微小構造物を、高さの精度を保ちな
がらバッチプロセスで大量に製造することができる効果
を有する。

【００３８】請求項２記載の発明は、中空部を型として
射出成形を行った後に第二層を除去するようにしたの
で、断面形状が一定で二次元的形状のプラスチックス製
の微小構造物を、高さの精度を保ちながらバッチプロセ
スで大量に製造することができる効果を有する。

【００３９】請求項３記載の発明は、中空部を型とする
成形前に中空部と大気とを連通する貫通穴を基板に形成
するようにしたので、中空部を型として電鋳又は射出成
形する場合に、中空部内の空気を外部に放出させること
ができるため、微小構造物に空気溜りが発生することを
防止することができる効果を有する。

【００４０】請求項４記載の発明は、所望の微小構造物
の形状に対応する部分がエッチャントによってエッチン
グされるように変質された第一の材料を第一層として基
板の上に積層するようにしたので、第一層の変質された
部分がエッチングされるために中空部が形成され、第一
層の変質されない部分により中空部の側壁の幅が確保さ
れるため、型としての構造を強化するとともに、型とし
ての側壁の寸法形状の精度を高めることができ、また、
第一層の変質された部分及び変質されない部分との平坦
な全平面に第二層を形成することが可能であるため、第
二層の成膜を容易にすることができる効果を有する。

【００４１】請求項５記載の発明は、所望の微小構造物
の形状に対応する部分がエッチャントによってエッチン
グされないように変質された第一の材料を第一層として
基板の上に積層するようにしたので、第一層の変質され
ない部分がエッチングされるために中空部が形成され、
第一層の変質された部分により中空部の側壁の幅が確保
されるため、型としての構造を強化するとともに、型と
しての側壁の寸法形状の精度を高めることができ、ま
た、第一層の変質された部分及び変質されない部分との
平坦な全平面に第二層を形成することが可能であるた
め、第二層の成膜を容易にすることができる効果を有す
る。

【００４２】請求項６記載の発明は、請求項４記載の発
明における第一層の形成工程を複数回繰り返すようにし
たので、第一層の形成工程を複数回繰り返す度に、変質
させる部分のパターンを変えることにより、中空部の側
壁の形状を三次元的に変化させることができ、特に、基
板側の下層に向かうに従い断面が大きくなる形状の微小
構造物を得る方法に適する等の効果を有する。

【００４３】請求項７記載の発明は、請求項５記載の発
明における第一層の形成工程を複数回繰り返すようにし
たので、第一層の形成工程を複数回繰り返す度に、変質
させる部分のパターンを変えることにより、中空部の側
壁の形状を三次元的に変化させることができ、特に、基
板側の下層に向かうに従い断面が小さくなる形状の微小
構造物を得る方法に適する等の効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１記載の発明の一実施例を工程順に示す
縦断側面図である。

【図２】請求項２記載の発明の一実施例を工程順に示す
縦断側面図である。

【図３】請求項３記載の発明の一実施例を工程順に示す
縦断側面図である。

【図４】請求項４記載の発明の一実施例を工程順に示す
縦断側面図である。

【図５】請求項５記載の発明の一実施例を工程順に示す
縦断側面図である。

【図６】請求項６記載の発明の一実施例を工程順に示す
縦断側面図である。

【図７】請求項７記載の発明の一実施例を工程順に示す
縦断側面図である。

【図８】従来例を示す縦断側面図である。

【符号の説明】

８基板９第一層１０第二層１１穴１２中空部１４，１６微小構造物１７貫通穴

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の上に第一の材料を第一層として積
層し、前記第一層の一部をエッチャントにより除去して
所望の微小構造物の形状に形成し、前記第一層の上に前
記エッチャントによってはエッチングされない第二の材
料による第二層を積層し、この第二層に穴を形成し、こ
の穴から前記エッチャントを浸透させることにより前記
第一層を除去して中空部を形成し、この中空部を型とし
て電鋳を施した後に前記第二層を除去するようにしたこ
とを特徴とする微小構造物製造方法。
【請求項２】中空部を型として射出成形を行った後に
第二層を除去するようにしたことを特徴とする請求項１
記載の微小構造物製造方法。
【請求項３】中空部を型とする成形前に中空部と大気
とを連通する貫通穴を基板に形成するようにしたことを
特徴とする請求項１又は２記載の微小構造物製造方法。
【請求項４】所望の微小構造物の形状に対応する部分
がエッチャントによってエッチングされるように変質さ
れた第一の材料を第一層として基板の上に積層すること
を特徴とする請求項１，２又は３記載の微小物構造物製
造方法。
【請求項５】所望の微小構造物の形状に対応する部分
がエッチャントによってエッチングされないように変質
された第一の材料を第一層として基板の上に積層するこ
とを特徴とする請求項１，２又は３記載の微小物構造物
製造方法。
【請求項６】第一層の形成工程を複数回繰り返すこと
を特徴とする請求項４記載の微小構造物製造方法。
【請求項７】第一層の形成工程を複数回繰り返すこと
を特徴とする請求項５記載の微小構造物製造方法。