JPH06212426A - Method and device for supplying substrate to tray for sputtering - Google Patents
Method and device for supplying substrate to tray for sputteringInfo
- Publication number
- JPH06212426A JPH06212426A JP2463593A JP2463593A JPH06212426A JP H06212426 A JPH06212426 A JP H06212426A JP 2463593 A JP2463593 A JP 2463593A JP 2463593 A JP2463593 A JP 2463593A JP H06212426 A JPH06212426 A JP H06212426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tray
- substrate
- sputtering
- chamber
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリングのトレ
ーに対する基板供給方法及び装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate feeding method and apparatus for a sputtering tray.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、金属や半導体等の薄膜形成に際
しては基板を冷却処理されたトレーの板面上に載置し、
高電圧をトレーの板面と対向するターゲットに印加する
ことにより、真空チャンバーの内部でスパッタリングを
行う低温基板に対するスパッタリング方法が適用されて
いる。2. Description of the Related Art Generally, when forming a thin film of metal or semiconductor, a substrate is placed on a plate surface of a cooled tray,
A sputtering method is applied to a low temperature substrate in which sputtering is performed inside a vacuum chamber by applying a high voltage to a target facing a plate surface of a tray.
【０００３】従来、その低温基板に対するスパッタリン
グ方法においては、微少な凹凸が存在する基板とトレー
との接触面積を増大させて基板の冷却効果を高めるべ
く、インジウムガリウムを介して基板をトレーの板面上
に載置することが行なわれている。このインジウムガリ
ウムは常温で液状のものであり、人手に頼ってトレーの
板面上に注入するようにされている。また、トレーの板
面上に注入されたインジウムガリウムが飛散するのを防
止するべく、基板も人手でトレーの板面上に載置されて
いる。Conventionally, in the sputtering method for a low temperature substrate, the substrate is mounted on the tray through indium gallium in order to increase the cooling effect of the substrate by increasing the contact area between the substrate and the tray having minute irregularities. It is placed on top. This indium gallium is a liquid at room temperature, and is manually injected into the plate surface of the tray. Further, in order to prevent the indium gallium injected on the plate surface of the tray from scattering, the substrate is also manually placed on the plate surface of the tray.
【０００４】然し、そのインジウムガリウム並びに基板
を人手に頼って注入，載置するのでは段取り時間が長く
掛って非能率的であるばかりでなく、真空チャンバーを
長時間開放させたままで段取りを行なわなければならな
いから、塵俟が真空チャンバーの内部に入り込んでしま
う。また、このインジウムガリウムを用いると液状のも
のであるから、それが基板に付着するのも避けられな
い。However, if the indium gallium and the substrate are manually implanted and placed, it takes a long setup time and is inefficient, and the setup must be performed with the vacuum chamber left open for a long time. Since it must be done, dust will get inside the vacuum chamber. Further, since this indium gallium is in a liquid state, it is inevitable that it adheres to the substrate.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、トレーに対
する基板の供給を自動化できるよう改良し、また、その
基板の供給を真空チャンバーの内部で連続的に行えるよ
う改良したスパッタリングのトレーに対する基板の供給
方法及び装置を提供することを目的とする。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been improved so that the supply of a substrate to a tray can be automated, and the supply of a substrate to a sputtering tray improved so that the supply of the substrate can be continuously performed inside a vacuum chamber. It is an object to provide a supply method and device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
スパッタリングのトレーに対する基板の供給方法におい
ては、トレーに対する基板の接触面積を確保する手段と
してインジウム箔を基板が搭載されるトレーの板面上に
備え付け、そのインジウム箔を介して基板をトレーの板
面上に自動的に送り込むようにされている。In a method of supplying a substrate to a tray for sputtering according to claim 1 of the present invention, a plate of a tray on which an indium foil is mounted as a means for ensuring a contact area of the substrate with the tray. It is provided on the surface, and the substrate is automatically fed onto the surface of the tray through the indium foil.
【０００７】本発明の請求項２に係るスパッタリングの
トレーに対する基板の供給装置においては、トレーに対
する基板の接触面積を確保する手段としてインジウム箔
を真空チャンバーのスパッタ室に配置されたトレーの板
面上に備え付け、そのスパッタ室のトレーに対して基板
を自動的に送り込み乃至は取り出すキャリア手段を当該
真空チャンバーの仕込み室に装備することにより構成さ
れている。In the apparatus for supplying the substrate to the sputtering tray according to the second aspect of the present invention, as a means for ensuring the contact area of the substrate with the tray, indium foil is placed on the plate surface of the tray arranged in the sputtering chamber of the vacuum chamber. And a carrier means for automatically feeding or taking out the substrate to or from the tray of the sputtering chamber is provided in the charging chamber of the vacuum chamber.
【０００８】[0008]
【作用】本発明の請求項１に係るスパッタリングのトレ
ーに対する基板の供給方法では、トレーに対する基板の
接触面積を確保する手段としてインジウム箔をトレーの
板面上に備え付けるから、そのインジウム箔は基板をト
レーの板面上に載置するのに伴って飛散し或いは付着す
ることがない。そのため、基板をトレーの板面上に自動
的に送り込み乃至は取り出すようにできると共に、基板
とトレーとを密着させて両者の接触面積を増大できるこ
とにより基板の冷却効果を高めるようにできる。In the method for supplying a substrate to the tray for sputtering according to the first aspect of the present invention, the indium foil is provided on the plate surface of the tray as a means for ensuring the contact area of the substrate with the tray. It does not scatter or adhere as it is placed on the plate surface of the tray. Therefore, the substrate can be automatically fed into or taken out from the plate surface of the tray, and the substrate and the tray can be brought into close contact with each other to increase the contact area between them, thereby enhancing the cooling effect of the substrate.
【０００９】本発明の請求項２に係るスパッタリングの
トレーに対する基板の供給装置では、トレーに対する基
板の接触面積を確保する手段としてインジウム箔を真空
チャンバーのスパッタ室に配置されたトレーの板面上に
備え付け、そのスパッタ室のトレーに対して基板を自動
的に送り込み乃至は取り出すキャリア手段を当該真空チ
ャンバーの仕込み室に装備することから、複数枚の基板
を真空チャンバーの仕込み室にストックすれば全てをチ
ャンバーの真空内でスパッタリング処理することができ
る。従って、段取り時間を短縮できるばかりでなく、塵
俟が真空チャンバーの内部に入り込むのも極力抑えるこ
とができる。In the apparatus for supplying a substrate for a sputtering tray according to claim 2 of the present invention, indium foil is placed on the plate surface of the tray arranged in the sputtering chamber of the vacuum chamber as a means for ensuring the contact area of the substrate with the tray. Since the charging chamber of the vacuum chamber is equipped with a carrier means for automatically loading and unloading the substrate to and from the tray of the sputtering chamber, if all the substrates are stocked in the charging chamber of the vacuum chamber The sputtering process can be performed in the vacuum of the chamber. Therefore, not only the setup time can be shortened, but also dust can be prevented from entering the inside of the vacuum chamber as much as possible.
【００１０】[0010]
【実施例】図１はスパッタリング装置の一例として金属
や半導体等の薄膜形成に適用される直流２極型のものを
示すものであり、内部が１０0 〜１０-2Ｔｏｒｒ程度の
低圧下に保たれる真空チャンバー１を基体に構成されて
いる。その真空チャンバー１の内部はスパッタ室１ａと
仕込み室１ｂとに区画され、両者間にはスパッタ室１ａ
を開閉するゲートバルブ１ｃが装備されている。EXAMPLE FIG. 1 shows an example of a direct current bipolar type applied to the formation of a thin film of a metal, a semiconductor or the like as an example of a sputtering apparatus, in which the inside is kept under a low pressure of about 10 0 to 10 -2 Torr. The dripping vacuum chamber 1 is used as a substrate. The interior of the vacuum chamber 1 is divided into a sputter chamber 1a and a preparation chamber 1b, and the sputter chamber 1a is located between the two.
It is equipped with a gate valve 1c for opening and closing.
【００１１】そのスパッタ室１ａの内部には、図２で示
すように冷却水の循環係２で冷却処理されるトレー３が
配置されている。このトレー３は基板Ｂを載置する凹状
の窪み部３ａ，３ｂ…を複数個板面に有するもので、そ
の各窪み部３ａ，３ｂ…の内部には基板Ｂとの接触面積
を確保する手段として常温で固体のインジウム箔Ｉが備
え付けられている。このインジウム箔Ｉは、直流二極型
スパッタリング装置のトレー３に対しては導電性接着剤
で点接着することによりトレー３の窪み部３ａ，３ｂ…
内に位置決め固定すればよい。Inside the sputtering chamber 1a, as shown in FIG. 2, a tray 3 to be cooled by a circulating member 2 for cooling water is arranged. The tray 3 has a plurality of concave recesses 3a, 3b ... On which the substrate B is placed, and means for ensuring a contact area with the substrate B inside each of the recesses 3a, 3b. The indium foil I, which is solid at room temperature, is provided as. This indium foil I is spot-bonded to the tray 3 of the DC bipolar sputtering device with a conductive adhesive to form the recesses 3a, 3b ...
It may be positioned and fixed inside.
【００１２】また、スパッタ室１ａの内部にはターゲッ
トＴがトレー３と対向させて装備されている。そのター
ゲットＴも冷却水の循環系４で冷却処理するとよく、こ
のターゲットＴ側とトレー３側とは電源５から数１００
Ｖ以上の直流高電圧を印加するよう回路接続されてい
る。その他、真空チャンバー１にはスパッタガスを導入
するガス導入系６やガス圧を一定に保つ真空排気系７が
接続されている。A target T is provided inside the sputtering chamber 1a so as to face the tray 3. The target T may be cooled by the cooling water circulation system 4, and the target T side and the tray 3 side are connected to the power source 5 to several hundreds.
The circuit is connected to apply a DC high voltage of V or more. In addition, a gas introduction system 6 for introducing a sputtering gas and a vacuum exhaust system 7 for keeping a gas pressure constant are connected to the vacuum chamber 1.
【００１３】仕込み室１ｂの内部には、基板Ｂをトレー
３の凹部３ａ，３ｂに自動的に送り込み乃至は取り出す
基板のキャリア手段８が装備されている。そのキャリア
手段８はスパッタ処理前後の基板を複数枚ストック可能
な載置テーブル８ａを有し、ゲートバルブ１ｃの開放時
に基板を先端側のチャックで挟持することによりトレー
３との間を伸縮或いは屈伸動するキャリアアーム８ｂを
備える自動ロボットとして構成されている。このキャリ
アアーム８ｂのチャックで基板Ｂを挟持することにより
トレー３の窪み部３ａ，３ｂ…に出入れ可能にするべ
く、トレー３の板面にはトレー３の周縁から窪み部３
ａ，３ｂの縁部まで連続する凹溝９を設けてチャックの
片側を基板Ｂの下側に挿入できるようにされている。Inside the charging chamber 1b, there is provided a substrate carrier means 8 for automatically feeding or taking out the substrate B into the concave portions 3a and 3b of the tray 3. The carrier means 8 has a mounting table 8a capable of stocking a plurality of substrates before and after the sputtering process, and when the gate valve 1c is opened, the substrates are clamped by a chuck on the tip side to expand or contract with the tray 3. It is configured as an automatic robot having a moving carrier arm 8b. In order to allow the substrate B to be held in and out of the recessed portions 3a, 3b of the tray 3 by sandwiching the substrate B with the chuck of the carrier arm 8b, the recessed portion 3 is formed on the plate surface of the tray 3 from the peripheral edge of the tray 3.
A concave groove 9 continuous to the edges of a and 3b is provided so that one side of the chuck can be inserted into the lower side of the substrate B.
【００１４】そのスパッタリング装置においては、基板
との面接触を確保する固体のインジウム箔Ｉをトレー３
の板面に備え付けているから、如何る条件による基板の
供給に伴ってもインジウム箔Ｉが飛散し或いは基板に付
着することはない。従って、このスパッタリング装置に
おける基板の供給には基板Ｂをトレー３の板面に自動的
に載置しまたは取り出すキャリア手段８を適用すること
ができるから、能率のよいスパッタリング処理が行え
る。In the sputtering device, the solid indium foil I for ensuring surface contact with the substrate is placed in the tray 3.
The indium foil I is not scattered or adhered to the substrate due to the supply of the substrate under any condition, since the indium foil I is attached to the substrate surface. Therefore, the carrier means 8 for automatically placing or picking up the substrate B on the plate surface of the tray 3 can be applied to supply the substrate in this sputtering apparatus, so that an efficient sputtering process can be performed.
【００１５】また、基板のキャリア手段８は真空チャン
バー１の仕込み室１ｂに装備されて基板Ｂをスパッタ室
１ａのトレー３に自動的に送り込みまたは取り出すこと
によりチャンバー１の真空内で動作するものであるか
ら、複数枚の基板を仕込み室１ｂの内部にストックすれ
ば全てをチャンバー１の真空内で連続的に処理できると
共に、真空チャンバー１を開放する回数，時間を削減で
きて塵俟が真空チャンバー１の内部に入り込むのを抑え
ることができる。The substrate carrier means 8 is installed in the preparation chamber 1b of the vacuum chamber 1 and operates in the vacuum of the chamber 1 by automatically feeding or taking out the substrate B to or from the tray 3 of the sputtering chamber 1a. Therefore, if a plurality of substrates are stocked in the charging chamber 1b, all of them can be continuously processed in the vacuum of the chamber 1, and the number of times and time for opening the vacuum chamber 1 can be reduced, and dust can be generated in the vacuum chamber. The inside of 1 can be suppressed.
【００１６】なお、上述した実施例は直流２極型スパッ
タリング装置において説明したが、基板のキャリア手段
８については高周波スパッタリング装置においても適用
することができる。Although the above-described embodiment has been described with respect to the DC bipolar sputtering apparatus, the carrier means 8 for the substrate can be applied to a high frequency sputtering apparatus.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上の如く、本発明に係るスパッタリン
グのトレーに対する基板の供給方法及び装置に依れば、
基板との接触面積を確保する手段としてインジウム箔を
トレーの板面上に備え付けるから、基板の冷却効果を高
め得ることは勿論、基板をトレーに自動的に送り込めて
段取り時間を短縮することができる。また、その基板を
スパッタ室のトレーに自動的に送り込み乃至は取り出す
キャリア手段を真空チャンバーの仕込み室に装備するこ
とから能率のよいスパッタリング処理が行え、塵俟が真
空チャンバーの内部に入り込むのも抑えることができ
る。As described above, according to the method and apparatus for supplying the substrate to the sputtering tray according to the present invention,
Since the indium foil is provided on the plate surface of the tray as a means for ensuring the contact area with the substrate, not only the cooling effect of the substrate can be improved but also the substrate can be automatically sent to the tray to shorten the setup time. it can. In addition, since the carrier means for automatically sending or taking out the substrate to or from the tray of the sputtering chamber is equipped in the charging chamber of the vacuum chamber, efficient sputtering processing can be performed and dust is prevented from entering the inside of the vacuum chamber. be able to.
【図１】本発明のトレーに対する基板の供給装置を装備
したスパッタリング装置の全体を概略的に示す説明図で
ある。FIG. 1 is an explanatory view schematically showing an entire sputtering apparatus equipped with a substrate supply device for a tray of the present invention.
【図２】同装置のトレーを部分側断面で示す説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory view showing a tray of the apparatus in a partial side cross section.
Ｂ 基板 Ｉ インジウム箔 １ 真空チャンバー １ａ スパッタ室 １ｂ 仕込み室 ３ トレー ８ キャリア手段 B substrate I indium foil 1 vacuum chamber 1a sputtering chamber 1b preparation chamber 3 tray 8 carrier means
Claims (2)
載置すると共に、電圧をターゲットに印加することによ
り、真空チャンバーの内部でスパッタリングを行うべ
く、トレーに対する基板の接触面積を確保する手段とし
てインジウム箔を基板が搭載されるトレーの板面上に備
え付け、そのインジウム箔を介して基板をトレーの板面
上に自動的に送り込むようにしたことを特徴とするスパ
ッタリングのトレーに対する基板供給方法。1. A contact area of the substrate with respect to the tray is ensured so that the substrate is placed on the plate surface of the cooled tray and a voltage is applied to the target so that sputtering is performed inside the vacuum chamber. As a means, an indium foil is provided on the plate surface of the tray on which the substrate is mounted, and the substrate is automatically fed to the plate surface of the tray through the indium foil. Method.
載置すると共に、電圧をターゲットに印加することによ
り、真空チャンバーの内部でスパッタリングを行うべ
く、トレーに対する基板の接触面積を確保する手段とし
てインジウム箔を真空チャンバーのスパッタ室に配置さ
れたトレーの板面上に備え付け、そのスパッタ室のトレ
ーに対して基板を自動的に送り込み乃至は取り出すキャ
リア手段を当該真空チャンバーの仕込み室に装備したこ
とを特徴とするスパッタリングのトレーに対する基板供
給装置。2. The contact area of the substrate with respect to the tray is ensured so that the substrate is placed on the plate surface of the tray which has been subjected to the cooling treatment and a voltage is applied to the target so that sputtering is performed inside the vacuum chamber. As a means, an indium foil is provided on the plate surface of a tray arranged in the sputtering chamber of the vacuum chamber, and carrier means for automatically feeding or taking out the substrate from the tray of the sputtering chamber is provided in the preparation chamber of the vacuum chamber. A substrate supply device for a sputtering tray, characterized in that
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02463593A JP3427304B2 (en) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | Sputtering equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02463593A JP3427304B2 (en) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | Sputtering equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06212426A true JPH06212426A (en) | 1994-08-02 |
| JP3427304B2 JP3427304B2 (en) | 2003-07-14 |
Family
ID=12143595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02463593A Expired - Fee Related JP3427304B2 (en) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | Sputtering equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3427304B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104209491A (en) * | 2014-09-26 | 2014-12-17 | 东莞台一盈拓科技股份有限公司 | Product taking-out device and method of vacuum die casting machine and vacuum die casting machine |
| CN107475690A (en) * | 2017-08-30 | 2017-12-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | The method of glass base-board load-bearing device, processing auxiliary body and secondary process |
-
1993
- 1993-01-20 JP JP02463593A patent/JP3427304B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104209491A (en) * | 2014-09-26 | 2014-12-17 | 东莞台一盈拓科技股份有限公司 | Product taking-out device and method of vacuum die casting machine and vacuum die casting machine |
| CN107475690A (en) * | 2017-08-30 | 2017-12-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | The method of glass base-board load-bearing device, processing auxiliary body and secondary process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3427304B2 (en) | 2003-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101216790B1 (en) | Plasma processing apparatus and method for manufacturing electronic device | |
| JP2927452B2 (en) | Disk holding device and method of using the same | |
| KR102677010B1 (en) | Workpiece holding body and film forming apparatus | |
| JPH10150096A (en) | Apparatus for shielding fringe of work piece | |
| US5942041A (en) | Non-sticking semi-conductor wafer clamp and method of making same | |
| TW201724341A (en) | Manufacturing method of electronic component and handling system | |
| JPH06212426A (en) | Method and device for supplying substrate to tray for sputtering | |
| JPS6454733A (en) | Production device for semiconductor | |
| KR20190055743A (en) | Film formation apparatus and embedding processing apparatus | |
| JPH0925570A (en) | Sputtering-type film coating station, method for coating by sputtering and vacuum treatment apparatus | |
| CN212451614U (en) | Novel slide plate and film coating device | |
| JP2009068063A (en) | Film deposition system | |
| JP7503363B2 (en) | Method and device for cutting workpiece | |
| JPH0329863B2 (en) | ||
| JPS61192334A (en) | Vacuum treatment apparatus | |
| JPH05152425A (en) | Treatment apparatus and sputtering apparatus | |
| US10254693B2 (en) | Fixing unit of plate-shaped member, PVD processing apparatus and fixing method of plate-shaped member | |
| KR102191323B1 (en) | Automated substrate side deposition method | |
| JPH11236663A (en) | Sputtering target, sputtering system and sputtering method | |
| JP3520191B2 (en) | Equipment for manufacturing sputtered films | |
| JPH0995783A (en) | Sputtering device | |
| JP5185678B2 (en) | Sputtering apparatus and method | |
| JPH09190899A (en) | Plasma processing method and device for it | |
| JPH04350159A (en) | Sputtering cathode | |
| JPS6015929A (en) | Processor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030415 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |