JPH11236663A - Sputtering target, sputtering system and sputtering method - Google Patents
Sputtering target, sputtering system and sputtering methodInfo
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- JPH11236663A JPH11236663A JP4407398A JP4407398A JPH11236663A JP H11236663 A JPH11236663 A JP H11236663A JP 4407398 A JP4407398 A JP 4407398A JP 4407398 A JP4407398 A JP 4407398A JP H11236663 A JPH11236663 A JP H11236663A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラス基板、半
導体ウエハ等の被処理対象の表面に金属膜等を成膜する
際に使用するスパッタリングターゲット、スパッタリン
グ装置およびスパッタリング方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a sputtering target, a sputtering apparatus, and a sputtering method used for forming a metal film or the like on a surface of an object to be processed such as a glass substrate or a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】質の良い金属膜等を形成し得る成膜装置
の１つとしてスパッタリング装置が知られている。図５
はこの種のスパッタリング装置の一般的な構成例を示す
ものである。図５において、１は成膜のための材料であ
る金属等の原子を放出するスパッタリングターゲットで
あり、２はこのスパッタリングターゲット１を支持する
バッキングプレートである。これらのスパッタリングタ
ーゲット１およびバッキングプレート２はチャンバ３の
内部に置かれる。また、チャンバ３内の空間はシールド
４によって覆われており、この空間内にガラス基板等の
被処理対象物５が配置される。2. Description of the Related Art A sputtering apparatus is known as one of film forming apparatuses capable of forming a high quality metal film or the like. FIG.
Shows a general configuration example of this type of sputtering apparatus. In FIG. 5, reference numeral 1 denotes a sputtering target that emits atoms of a metal or the like, which is a material for forming a film, and 2 denotes a backing plate that supports the sputtering target 1. These sputtering target 1 and backing plate 2 are placed inside chamber 3. Further, a space in the chamber 3 is covered with a shield 4, and an object 5 to be processed such as a glass substrate is arranged in this space.
【０００３】このような構成において、チャンバ３内に
は、ある程度の真空度に保った状態でアルゴンガスが導
入される。そして、スパッタリングターゲット１とシー
ルド４との間には高電圧が印加される。この高電圧印加
によりチャンバ３内のアルゴンガスがプラズマ化し、ス
パッタリングターゲット１に衝突する。この衝突によ
り、スパッタリングターゲット１から叩き出された原子
がチャンバ３内を飛び、被処理対象物５の表面に付着
し、ターゲット１を構成していた原子からなる膜を形成
することとなる。以上が一般的なスパッタリング装置の
構成および原理である。In such a configuration, an argon gas is introduced into the chamber 3 while maintaining a certain degree of vacuum. Then, a high voltage is applied between the sputtering target 1 and the shield 4. The argon gas in the chamber 3 is turned into plasma by the application of the high voltage, and collides with the sputtering target 1. Due to this collision, atoms struck out of the sputtering target 1 fly in the chamber 3 and adhere to the surface of the object 5 to be processed, thereby forming a film made of atoms constituting the target 1. The above is the configuration and principle of a general sputtering apparatus.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のスパッタリング装置においては、スパッタリングタ
ーゲット１から叩き出された原子の一部が被処理対象物
５の成膜に使用されることなくチャンバ３内を漂い、ス
パッタリングターゲット１の側面等に付着し、膜を形成
する。ここで、スパッタリングターゲット１の側面は、
通常は鏡面仕上がなされている。従って、上記のように
してスパッタリングターゲット１の側面に形成された膜
は剥がれやすく、これが剥がれると、チャンバ３内を浮
遊して被処理対象物５に付着するおそれがある。また、
スパッタリングターゲット１から叩き出された原子は、
バッキングプレート２にも膜として付着し、この膜が剥
がれることもある。このような不具合を防止するために
は、スパッタリングターゲット１の取り替え等を頻繁に
行うこと等が考えられるが、これでは生産性を低下させ
ることになる。In the above-described conventional sputtering apparatus, some of the atoms struck out of the sputtering target 1 are not used for forming a film of the object 5 to be processed. And adhere to the side surfaces of the sputtering target 1 to form a film. Here, the side surface of the sputtering target 1
Usually, it is mirror-finished. Therefore, the film formed on the side surface of the sputtering target 1 as described above is easily peeled off. If the film is peeled off, the film may float in the chamber 3 and adhere to the object 5 to be processed. Also,
The atoms struck out of the sputtering target 1 are
The film adheres to the backing plate 2 as a film, and the film may peel off. In order to prevent such a problem, it is conceivable to frequently replace the sputtering target 1 or the like, but this will reduce productivity.
【０００５】この発明は以上説明した事情に鑑みてなさ
れたものであり、上述のようなスパッタリングターゲッ
トへの膜の付着あるいは付着した膜の剥がれを抑制する
ことができるスパッタリングターゲット、スパッタリン
グ装置およびスパッタリング方法を提供することを目的
としている。The present invention has been made in view of the circumstances described above, and has a sputtering target, a sputtering apparatus, and a sputtering method capable of suppressing the adhesion of the film to the sputtering target or the peeling of the adhered film as described above. It is intended to provide.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ブラスト処理がなされた側面を有することを特徴とする
スパッタリングターゲットを要旨とする。The invention according to claim 1 is
The gist of the present invention is a sputtering target having a blasted side surface.
【０００７】かかる発明によれば、スパッタリングの際
に、スパッタリングターゲットから叩き出された原子の
一部が、このスパッタリングターゲットの側面に付着し
て膜を形成したとしても、スパッタリングターゲットの
側面はブラスト処理が施されているため、この付着した
膜の剥がれを防止することができる。According to this invention, even if some of the atoms struck out of the sputtering target adhere to the side surface of the sputtering target to form a film during sputtering, the side surface of the sputtering target is subjected to the blast treatment. Is applied, peeling of the adhered film can be prevented.
【０００８】請求項２に係る発明は、底面に対して側面
が傾斜した形状を有することを特徴とするスパッタリン
グターゲットを要旨とする。According to a second aspect of the invention, there is provided a sputtering target having a shape in which a side surface is inclined with respect to a bottom surface.
【０００９】かかる発明によれば、スパッタリングター
ゲットの側面が傾斜しているため、スパッタリングター
ゲットから叩き出された原子がこの側面に付着するのを
防止することができる。According to this invention, since the side surface of the sputtering target is inclined, it is possible to prevent atoms struck out of the sputtering target from adhering to this side surface.
【００１０】請求項３に係る発明は、請求項１または２
に記載のスパッタリングターゲットを使用してスパッタ
リングを行うことを特徴とするスパッタリング装置を要
旨とする。[0010] The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2.
The gist of the present invention is a sputtering apparatus characterized by performing sputtering using the sputtering target described in (1).
【００１１】かかる発明によれば、上記請求項１または
２に係る発明と同じ作用が得られる。According to this invention, the same operation as that of the first or second invention can be obtained.
【００１２】請求項４に係る発明は、スタッパリングタ
ーゲットの側面と、前記スパッタリングターゲットを支
持するバッキングプレートのうち該スパッタリングター
ゲットの載せられていない余地の部分とに金属膜を形成
してなることを特徴とするスパッタリング装置を要旨と
する。According to a fourth aspect of the present invention, a metal film is formed on a side surface of the sputtering target and a portion of the backing plate supporting the sputtering target where the sputtering target is not mounted. The gist is a characteristic sputtering apparatus.
【００１３】かかる発明によれば、スパッタリングター
ゲットから叩き出された原子が付着し易い部分を金属膜
により覆っているため、スパッタリングターゲットやバ
ッキングプレートに対する膜の付着を抑制することがで
きる。[0013] According to the invention, since the metal film covers the portion to which the atoms struck out of the sputtering target are apt to adhere, it is possible to suppress the film from adhering to the sputtering target and the backing plate.
【００１４】請求項５に係る発明は、少なくともバッキ
ングプレートを覆い隠す広さの底面を有するスパッタリ
ングターゲットを前記バッキングプレートの上に載せ、
スパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング
方法を要旨とする。According to a fifth aspect of the present invention, a sputtering target having a bottom surface large enough to cover at least the backing plate is placed on the backing plate.
The gist of the present invention is a sputtering method characterized by performing sputtering.
【００１５】かかる発明によれば、スパッタリングター
ゲットから叩き出された原子が付着し易いバッキングプ
レートをスパッタリングターゲットにより覆っているた
め、バッキングプレートに対する膜の付着を抑制するこ
とができる。According to the invention, since the backing plate to which the atoms struck out of the sputtering target are apt to adhere is covered by the sputtering target, it is possible to suppress the film from adhering to the backing plate.
【００１６】請求項６に係る発明は、前記スパッタリン
グターゲットは、その側面が底面に対して傾斜した形状
を有するものであり、該スパッタリングターゲットを、
その側面が逆テーパ状をなし、かつ、その底面で当該バ
ッキングプレートを覆い隠すように当該バッキングプレ
ートに載せ、スパッタリングを行うことを特徴とする請
求項５に記載のスパッタリング方法を要旨とする。According to a sixth aspect of the present invention, the sputtering target has a shape in which a side surface is inclined with respect to a bottom surface.
The sputtering method according to claim 5, wherein the side surface has an inverted tapered shape, and the backing plate is placed on the backing plate so as to cover the backing plate with its bottom surface, and sputtering is performed.
【００１７】かかる発明によれば、上記請求項５に係る
発明が奏する作用の他、さらにスタッパリングターゲッ
トの側面への膜の付着が防止されるという作用が得られ
る。According to this invention, in addition to the effect of the invention according to the fifth aspect, an effect of further preventing the film from adhering to the side surface of the stapling target can be obtained.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照し、本発明の実
施の形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１９】Ａ．第１の実施形態 図１はこの発明の第１の実施形態であるスパッタリング
装置におけるスパッタリングターゲット１およびバッキ
ングプレート２を示したものである。本実施形態では、
スパッタリングターゲット１の側面にブラスト処理が施
されており、その表面が粗い状態となっている。このた
め、スパッタリングターゲット１から叩き出された原子
の一部が、このスパッタリングターゲット１の側面に付
着して膜を形成したとしても、この膜は剥がれにくく、
上述した従来の技術における問題は生じない。A. First Embodiment FIG. 1 shows a sputtering target 1 and a backing plate 2 in a sputtering apparatus according to a first embodiment of the present invention. In this embodiment,
The side surface of the sputtering target 1 has been blasted, and its surface is in a rough state. For this reason, even if a part of the atoms struck out of the sputtering target 1 adheres to the side surface of the sputtering target 1 to form a film, the film is hard to peel off,
The above-described problem in the conventional technique does not occur.
【００２０】Ｂ．第２の実施形態 図２はこの発明の第２の実施形態であるスパッタリング
装置におけるスパッタリングターゲット１およびバッキ
ングプレート２を示したものである。本実施形態におけ
るスパッタリングターゲット１は、底面に対して側面が
傾斜した形状を有している。本実施形態では、このスパ
ッタリングターゲット１をその側面が逆テーパ状をなす
ようにバッキングプレート２に載せ、スパッタリングを
行う。このため、スパッタリングターゲット１から叩き
出された原子は、このスパッタリングターゲット１の側
面には付着し難く、上述した従来の技術における問題は
生じない。B. Second Embodiment FIG. 2 shows a sputtering target 1 and a backing plate 2 in a sputtering apparatus according to a second embodiment of the present invention. The sputtering target 1 in the present embodiment has a shape in which the side surface is inclined with respect to the bottom surface. In the present embodiment, the sputtering target 1 is mounted on the backing plate 2 so that the side surface thereof has an inverted tapered shape, and sputtering is performed. For this reason, the atoms struck out of the sputtering target 1 hardly adhere to the side surface of the sputtering target 1, and the problem in the conventional technique described above does not occur.
【００２１】Ｃ．第３の実施形態 図３はこの発明の第３の実施形態であるスパッタリング
装置の構成を示すものである。本実施形態では、図示の
ように、スタッパリングターゲット１の側面と、このス
パッタリングターゲット１を支持するバッキングプレー
ト２のうちスパッタリングプレートの載せられていない
余地の部分とを覆うように、金属膜６が形成されてい
る。この金属膜６は、スパッタリングターゲット１と同
じ材料か性質の近い材料が好適である。本実施形態によ
れば、スパッタリングターゲット１から叩き出された原
子が付着し易い部分を金属膜６により覆っているため、
スパッタリングターゲット１やバッキングプレート２に
対する膜の付着を抑制することができる。C. Third Embodiment FIG. 3 shows a configuration of a sputtering apparatus according to a third embodiment of the present invention. In the present embodiment, as shown in the figure, the metal film 6 covers the side surface of the sputtering target 1 and a part of the backing plate 2 supporting the sputtering target 1 where there is no room for the sputtering plate. Is formed. The metal film 6 is preferably made of the same material as the sputtering target 1 or a material having similar properties. According to the present embodiment, since the portion to which the atoms struck out of the sputtering target 1 are likely to adhere is covered with the metal film 6,
Adhesion of a film to the sputtering target 1 and the backing plate 2 can be suppressed.
【００２２】Ｄ．第４の実施形態 図４はこの発明の第４の実施形態であるスパッタリング
装置の構成を示すものである。本実施形態において、ス
パッタリングターゲット１は、上記第２の実施形態と同
様、底面に対して側面が傾斜した形状を有している。ま
た、このスパッタリングターゲット１の底面は、バッキ
ングプレート２を覆い隠すだけの広さを有している。本
実施形態では、このスパッタリングターゲット１をその
側面が逆テーパ状をなすように、かつ、その底面でバッ
キングプレート２を覆い隠すようにバッキングプレート
２に載せ、スパッタリングを行う。本実施形態によれ
ば、スパッタリングターゲット１の側面は逆テーパ状を
なしているので、スパッタリングターゲット１から叩き
出された原子がこの側面に膜として付着する事態は起こ
り難い。また、バッキングプレート２がスパッタリング
ターゲット１によって覆われているため、バッキングプ
レート２への膜の付着も生じ難い。D. Fourth Embodiment FIG. 4 shows a configuration of a sputtering apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. In the present embodiment, the sputtering target 1 has a shape in which the side surface is inclined with respect to the bottom surface, as in the second embodiment. Further, the bottom surface of the sputtering target 1 has a size enough to cover and hide the backing plate 2. In the present embodiment, sputtering is performed by placing the sputtering target 1 on the backing plate 2 such that the side surface thereof has an inverted tapered shape and the bottom surface covers the backing plate 2. According to the present embodiment, since the side surface of the sputtering target 1 has an inverted tapered shape, it is unlikely that atoms struck out of the sputtering target 1 will adhere to this side surface as a film. Further, since the backing plate 2 is covered with the sputtering target 1, the film is hardly adhered to the backing plate 2.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、スパッタリングターゲットから叩き出された原子が
スパッタリングターゲットへの膜として付着したり、あ
るいはこの付着した膜が剥がれるといった事態を抑制す
ることができ、良好な環境で成膜を行うことができると
いう効果がある。As described above, according to the present invention, it is possible to prevent a situation in which atoms struck out of a sputtering target adhere to the sputtering target as a film or the adhered film peels. Thus, there is an effect that film formation can be performed in a favorable environment.
【図１】 この発明の第１の実施形態であるスパッタリ
ング装置におけるスパッタリングターゲット１およびバ
ッキングプレート２を示した図である。FIG. 1 is a view showing a sputtering target 1 and a backing plate 2 in a sputtering apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 この発明の第２の実施形態であるスパッタリ
ング装置におけるスパッタリングターゲット１およびバ
ッキングプレート２を示した図である。FIG. 2 is a view showing a sputtering target 1 and a backing plate 2 in a sputtering apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図３】 この発明の第３の実施形態であるスパッタリ
ング装置の構成を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a sputtering apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図４】 この発明の第４の実施形態であるスパッタリ
ング装置におけるスパッタリングターゲット１およびバ
ッキングプレート２を示した図である。FIG. 4 is a view showing a sputtering target 1 and a backing plate 2 in a sputtering apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】 従来のスパッタリング装置の構成例を示した
図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of a conventional sputtering apparatus.
１ スパッタリングターゲット ２ バッキングプレート ６ 金属膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sputtering target 2 Backing plate 6 Metal film
Claims (6)
とを特徴とするスパッタリングターゲット。1. A sputtering target having a blasted side surface.
ることを特徴とするスパッタリングターゲット。2. A sputtering target having a shape in which a side surface is inclined with respect to a bottom surface.
グターゲットを使用してスパッタリングを行うことを特
徴とするスパッタリング装置。3. A sputtering apparatus for performing sputtering using the sputtering target according to claim 1.
記スパッタリングターゲットを支持するバッキングプレ
ートのうち該スパッタリングターゲットの載せられてい
ない余地の部分とに金属膜を形成してなることを特徴と
するスパッタリング装置。4. A sputtering apparatus, wherein a metal film is formed on a side surface of a stacker target and a portion of a backing plate supporting the sputtering target where the sputtering target is not mounted.
す広さの底面を有するスパッタリングターゲットを前記
バッキングプレートの上に載せ、スパッタリングを行う
ことを特徴とするスパッタリング方法。5. A sputtering method, wherein a sputtering target having a bottom surface large enough to cover at least the backing plate is placed on the backing plate and sputtering is performed.
側面が底面に対して傾斜した形状を有するものであり、
該スパッタリングターゲットを、その側面が逆テーパ状
をなし、かつ、その底面で当該バッキングプレートを覆
い隠すように当該バッキングプレートに載せ、スパッタ
リングを行うことを特徴とする請求項５に記載のスパッ
タリング方法。6. The sputtering target has a shape in which a side surface is inclined with respect to a bottom surface,
6. The sputtering method according to claim 5, wherein the sputtering target is placed on the backing plate such that the side surface has an inverted tapered shape and the bottom surface covers the backing plate, and sputtering is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4407398A JPH11236663A (en) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | Sputtering target, sputtering system and sputtering method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4407398A JPH11236663A (en) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | Sputtering target, sputtering system and sputtering method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11236663A true JPH11236663A (en) | 1999-08-31 |
Family
ID=12681460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4407398A Withdrawn JPH11236663A (en) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | Sputtering target, sputtering system and sputtering method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11236663A (en) |
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-
1998
- 1998-02-25 JP JP4407398A patent/JPH11236663A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |