JPH08325719A - Sputtering device - Google Patents
Sputtering deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板等に金属薄
膜等を被着させるためのスパッタ装置に関する。 より
詳しくは、そのターゲット形状の改良に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus for depositing a metal thin film or the like on a semiconductor substrate or the like. More specifically, it relates to improvement of the target shape.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩやトランジスタの製造工程におい
て、金属薄膜層等を形成するために、スパッタ装置が使
われている。 スパッタ装置とは、真空中に放電ガス
（Ａｒ等）を導入し、電極間に電圧を印加してグロー放
電を発生させ、この状態でプラズマ中の正イオンを陰極
上のターゲット表面に衝突させてターゲット原子をはじ
き出すものである。 このターゲットはスパッタ装置に
おいて陰極表面に設置され、イオン衝撃されて膜となる
物質であって、例えばＴｉ，Ａｌ，Ｗ−Ｓｉ等が使われ
る。 スパッタ装置は、このスパッタ現象を利用しター
ゲット材から薄膜をウエハ上に形成する成膜装置であ
る。 このときマグネットによって電場と直交する磁場
が作られると、さらにスパッタ効率が高められる。 Ｔ
ｉＮ（またはＴｉＯＮ）を成膜するには、放電ガスとし
てＡｒの他にＮ2（またはＮ2＋Ｏ2）ガスが使われ、タ
ーゲットとして金属Ｔｉが用いられる。半導体装置の配
線層は、シリコン基板（ウエハ）上に金属チタン（Ｔ
ｉ）とチタンナイトライド（ＴｉＮまたはＴｉＯＮ）か
らなるバリヤ層を形成し，その上にＳｉＯ2 等の絶縁膜
を介してアルミ合金（例えばＡｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ
等）またはタングステン合金（Ｗ−Ｓｉシリサイド等）
からなる金属配線層を形成したものである。 このよう
な配線層はスパッタリングによる成膜手段を用いて形成
される。 Ｔｉ層はＡｒガスとＴｉターゲットのチャン
バで、ＴｉＮ層はＮ2ガスとＴｉターゲットのチャンバ
で、Ａｌ−Ｓｉ層はＡｒガスとＡｌ−Ｓｉターゲットの
チャンバで形成される。 またＷ−Ｓｉ層はＡｒガスと
Ｗ−Ｓｉターゲットのチャンバで形成される。2. Description of the Related Art A sputtering apparatus is used for forming a metal thin film layer in the manufacturing process of LSIs and transistors. A sputtering device is a device in which a discharge gas (Ar, etc.) is introduced into a vacuum and a voltage is applied between the electrodes to generate glow discharge. In this state, positive ions in plasma are made to collide with the target surface on the cathode. It ejects target atoms. This target is a substance which is placed on the surface of the cathode in the sputtering apparatus and is ion bombarded to form a film. For example, Ti, Al, W-Si or the like is used. The sputtering apparatus is a film forming apparatus that utilizes this sputtering phenomenon to form a thin film on a wafer from a target material. At this time, if the magnet creates a magnetic field orthogonal to the electric field, the sputtering efficiency is further enhanced. T
To form iN (or TiON), N2 (or N2 + O2) gas is used as a discharge gas in addition to Ar, and metallic Ti is used as a target. The wiring layer of the semiconductor device is formed of titanium metal (T) on a silicon substrate (wafer).
i) and a titanium nitride (TiN or TiON) barrier layer is formed, and an aluminum alloy (for example, Al-Si, Al-Cu) is formed on the barrier layer via an insulating film such as SiO2.
Etc.) or tungsten alloy (W-Si silicide etc.)
A metal wiring layer made of is formed. Such a wiring layer is formed by using a film forming means by sputtering. The Ti layer is formed in the chamber of Ar gas and Ti target, the TiN layer is formed in the chamber of N2 gas and Ti target, and the Al-Si layer is formed in the chamber of Ar gas and Al-Si target. The W-Si layer is formed in the chamber of Ar gas and W-Si target.
【０００３】従来のスパッタ装置のターゲット保持部の
断面を図３に示す。A cross section of a target holding portion of a conventional sputtering apparatus is shown in FIG.
【０００４】上記配線層成膜プロセスにおいて、Ｔｉや
Ａｌ−Ｓｉ等からなる半径ｒ，厚さｈの円板状ターゲッ
ト１０はチャンバ内のバッキングプレート１１に、スズ
−鉛合金あるいはインジウム等からなる接着剤により接
合され保持される。それぞれのターゲット１０の大きさ
はバッキングプレート１１の接合面（ターゲット搭載
面）１１ａの大きさより大きい。即ち、ターゲット１０
の外周部は長さｄだけバッキングプレート接合面１１ａ
より外側に突出している。また、ターゲット１０の厚さ
ｈは一定である。バッキングプレート１１の下面（接合
面１１ａの下側）にマグネット１２が設けられる。この
ようなターゲットに対向してシヤッターを間に介してウ
エハがセットされ、前述のように放電ガス中でスパッタ
させウエハ上に被膜を形成する。In the wiring layer forming process, a disk-shaped target 10 made of Ti, Al-Si or the like having a radius r and a thickness h is bonded to a backing plate 11 in the chamber by a tin-lead alloy or indium. It is bonded and held by the agent. The size of each target 10 is larger than the size of the joint surface (target mounting surface) 11 a of the backing plate 11. That is, the target 10
The outer peripheral portion of the backing plate has a length d, which is the backing plate joint surface 11a.
It projects further outward. Further, the thickness h of the target 10 is constant. The magnet 12 is provided on the lower surface of the backing plate 11 (below the joining surface 11a). A wafer is set facing such a target via a shutter, and is sputtered in a discharge gas to form a film on the wafer as described above.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のスパッタ装置においては、例えば、Ｔｉターゲット
を用いたＡｒガスとＮ2（またはＯ2＋Ｎ2）ガス中での
ＴｉＮ膜（またはＴｉＯＮ膜）の成膜プロセスにおいて
は、図４に示すように、スパッタされない非エロージョ
ン領域がターゲット１０の中心部１３ａおよび周縁部１
３ｂに発生する。このような非エロージョン領域発生の
原因は、磁界が弱いためにスパッタ放出される原子が少
なく、再付着する原子がスパッタ放出原子より多くなっ
て、ターゲットがスパッタされずに、逆に再付着膜がタ
ーゲット上の磁界の弱い領域に形成されるものと考えら
れる。However, in the above-mentioned conventional sputtering apparatus, for example, in the process of forming a TiN film (or TiON film) in Ar gas and N2 (or O2 + N2) gas using a Ti target. As shown in FIG. 4, the non-erosion regions which are not sputtered are the central portion 13a and the peripheral portion 1 of the target 10.
It occurs in 3b. The cause of such a non-erosion region is that the number of atoms sputter-emitted due to the weak magnetic field is large, and the number of re-attached atoms is larger than the number of sputter-emitted atoms. It is considered to be formed in a region where the magnetic field is weak on the target.
【０００６】さらに詳しくいうと、円板状マグネツト表
面側の磁極は中心がＳでその周囲にＮが形成される。従
って磁力線は周囲から中心に向い中心部に落ちるループ
と、周縁部を外側に廻って下側のＳ極に向うループとが
形成される。磁力線はターゲット面に平行な部分がスパ
ッタを活発にさせる。従って中心部と周縁部の磁力線は
ターゲット面と平行でなくなるためスパッタ放出原子が
少なくなる。これが非エロージョン領域発生の原因とな
る。More specifically, the magnetic pole on the surface side of the disk-shaped magnet has S at the center and N is formed around it. Therefore, a line of magnetic force is formed from the periphery toward the center and falls to the central portion, and a loop is formed around the peripheral portion to the outside and toward the lower S pole. The magnetic lines of force activate the sputter in a portion parallel to the target surface. Therefore, the lines of magnetic force at the central portion and the peripheral portion are not parallel to the target surface, and the number of sputter emission atoms is reduced. This causes the non-erosion area.
【０００７】従来この非エロージョン領域にＴｉＮ，Ｔ
ｉＯＮ等が再付着して、これが剥がれ落ちてチャンバ内
のパーティクル（ダスト）発生の原因となって、ウエハ
の品質低下を招き、歩留まりに影響していた。Conventionally, TiN, T has been formed in this non-erosion region.
The iON or the like is reattached and peeled off to cause the generation of particles (dust) in the chamber, resulting in deterioration of the quality of the wafer and affecting the yield.
【０００８】また、このような再付着膜によるダスト問
題に対処するためターゲットのクリーニングが定期的に
必要になっていた。このクリーニング作業は、Ａｒガス
中でシヤッターを閉じてターゲット表面をスパッタし再
付着している膜を除去するものであり、このようなター
ゲットクリーニング等のためのチャンバのメンテナンス
作業が定期的に必要となり、スループットの低下を来し
ていた。Further, it has been necessary to regularly clean the target in order to deal with the dust problem caused by the redeposition film. In this cleaning work, the shutter is closed in Ar gas to sputter the target surface to remove the redeposited film, and maintenance work of the chamber for such target cleaning is regularly required. , Was coming down in throughput.
【０００９】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、ターゲットへのスパッタ粒子の再付着
を防止しダスト発生を抑制したスパッタ装置の提供を目
的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an object of the present invention is to provide a sputtering apparatus capable of preventing reattachment of sputtered particles to a target and suppressing dust generation.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、バッキングプレート上にターゲットを
保持したスパッタ装置において、上記バッキングプレー
トのターゲット保持部の外形がターゲットの外形と同じ
かまたはそれより大きいことを特徴とするスパッタ装置
を提供する。In order to achieve the above object, in the present invention, in a sputtering apparatus in which a target is held on a backing plate, the outer shape of the target holding portion of the backing plate is the same as or smaller than the outer shape of the target. Provided is a sputtering device having a larger size.
【００１１】本発明ではさらに、ターゲットの表面が凹
面状であることを特徴とするスパッタ装置を提供する。The present invention further provides a sputtering apparatus in which the surface of the target is concave.
【００１２】好ましい実施例においては、前記凹面の曲
率半径Ｒは、ターゲットの半径をｒ、外周部の厚さをｈ
とするとき Ｒ＞（ｈ2＋ｒ2）／（２ｈ） を満たすこと
を特徴としている。In a preferred embodiment, the radius of curvature R of the concave surface is r, the radius of the target, and h, the thickness of the outer peripheral portion.
In this case, R> (h 2 + r 2 ) / (2h) is satisfied.
【００１３】[0013]
【作用】バッキングプレート保持部の接合面とターゲッ
トの外周が一致している（またはターゲットがその保持
部（接合部）より小さい）ため、ターゲットの出っ張り
ｄ（図３）がなくなり、ターゲットの外縁部に非エロー
ジョン領域は形成されない。また、ターゲット表面を凹
面状に形成したため、中心部の磁界が強くなり、ターゲ
ット中心部に非エロージョン領域は形成されない。Since the bonding surface of the backing plate holding part and the outer periphery of the target are the same (or the target is smaller than the holding part (bonding part)), the protrusion d (FIG. 3) of the target disappears and the outer edge of the target is eliminated. No non-erosion region is formed. Further, since the target surface is formed in a concave shape, the magnetic field in the central portion becomes strong, and the non-erosion region is not formed in the central portion of the target.
【００１４】即ち、ターゲット中心部は磁力線が廻りこ
んで入り込む部分であって磁力線方向がターゲット表面
と平行にならずスパッタ放出力が弱い部分であるが、こ
の中心部のターゲットを薄くすることにより、磁界が強
くなって実質上スパッタ放出力を高めることになる。That is, the center of the target is the part where the magnetic force lines wrap around and enter, and the direction of the magnetic force lines is not parallel to the target surface and the sputter emission output is weak, but by thinning the target in this center part, The magnetic field is strengthened and the spatter emission output is substantially increased.
【００１５】また、ターゲット周縁部においては、磁力
線の廻り込み部分がバッキングプレート外縁のさらに外
側になるため、バッキングプレート上のこのバッキング
プレートより外形が小さいターゲット上面の磁力線はこ
のターゲット面（ターゲット接合面）とほぼ平行にな
る。従って、ターゲット周縁部におけるスパッタ放出力
が高められる。Further, in the peripheral portion of the target, the wrap-around portion of the magnetic force lines is further outside the outer edge of the backing plate, so that the magnetic force lines on the upper surface of the target having a smaller outer shape than the backing plate on the backing plate are the target surface (target bonding surface). ) Is almost parallel to. Therefore, the spatter discharge power at the peripheral portion of the target is increased.
【００１６】[0016]
【実施例】図１は本発明の実施例に係わるスパッタ装置
のターゲット保持部分の断面図である。1 is a sectional view of a target holding portion of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.
【００１７】ターゲット１はチャンバ（図示しない）内
のバッキングプレート２にスズ−鉛合金あるいはインジ
ウム等からなる接着剤により接合され保持される。バッ
キングプレート２の背面側にはマグネット５が設けられ
る。ターゲット１はバッキングプレート２のターゲット
保持部３の接合面４と同じ大きさ（形状）に形成され
る。このため、従来のようなターゲット保持部が突出し
た形状に基づく磁界の弱い部分がなくなりスパッタ原子
が外周部からも放出されるようになりターゲット外周部
の非エロージョン領域がなくなる。The target 1 is held by being bonded to a backing plate 2 in a chamber (not shown) with an adhesive made of a tin-lead alloy or indium. A magnet 5 is provided on the back side of the backing plate 2. The target 1 is formed in the same size (shape) as the bonding surface 4 of the target holding portion 3 of the backing plate 2. For this reason, there is no conventional weak portion of the magnetic field due to the protruding shape of the target holding portion, sputter atoms are also emitted from the outer peripheral portion, and the non-erosion region on the outer peripheral portion of the target is eliminated.
【００１８】また、ターゲット１の表面６は半径Ｒ（図
２参照）の凹面状に形成される。従って、ターゲット中
心部の厚さが周縁部に比べ薄くなり、中心部の磁界強度
が高まる。これにより従来ターゲット中心部に形成され
ていた非エロージョン領域は形成されなくなる。The surface 6 of the target 1 is formed in a concave shape having a radius R (see FIG. 2). Therefore, the thickness of the central portion of the target is smaller than that of the peripheral portion, and the magnetic field strength of the central portion is increased. As a result, the non-erosion region that was conventionally formed in the center of the target is no longer formed.
【００１９】図２は本発明の実施例に係わるスパッタ装
置におけるターゲット凹面形状の説明図である。ターゲ
ット凹面の曲率半径をＲ、ターゲットの半径をｒ、ター
ゲットの外周部の厚さをｈとすると、ターゲットの凹面
半径Ｒは、Ｒ＞（ｈ2＋ｒ2）／（２ｈ） を満たすよう
に凹面が形成される。FIG. 2 is an explanatory view of the concave shape of the target in the sputtering apparatus according to the embodiment of the present invention. Assuming that the radius of curvature of the concave surface of the target is R, the radius of the target is r, and the thickness of the outer peripheral portion of the target is h, the concave surface radius R of the target is a concave surface so as to satisfy R> (h 2 + r 2 ) / (2h). Is formed.
【００２０】マグネット５は円盤状であり、その上面で
の磁極は中心がＳでその周囲にＮが形成される。従っ
て、磁力線はマグネット内の外縁部から中心に向かい中
心に入り込むループと、外縁部からマグネットの外側を
廻ってマグネット下側に向かうループの２種類が形成さ
れる。ターゲットのスパッタ放出作用は、この磁力線が
ターゲット表面と平行な場所（スパッタ方向と垂直にな
る部分）で大きくなる。従って、磁力線が廻り込む部分
となる、マグネット中心部と周縁部での磁力線はターゲ
ット面と平行にならずスパッタ作用が弱くなって非エロ
ージョン領域が形成される。The magnet 5 is disk-shaped, and the magnetic pole on the upper surface thereof has a center S and an N formed around it. Therefore, two types of magnetic field lines are formed: a loop that goes toward the center from the outer edge of the magnet and enters the center, and a loop that goes around the outer edge of the magnet and goes to the lower side of the magnet. The sputter emission action of the target becomes large at the place where this magnetic line of force is parallel to the target surface (portion perpendicular to the sputtering direction). Therefore, the lines of magnetic force at the center and the peripheral edge of the magnet, which are the parts around which the lines of magnetic force wrap, are not parallel to the target surface and the sputtering action is weakened to form a non-erosion region.
【００２１】しかしながら、本発明では、ターゲットの
中心部を薄く形成することにより、この部分の磁界を強
め、これによってスパッタ放出作用の低下を補って非エ
ロージョン領域の形成を防止したものである。However, in the present invention, by forming the center portion of the target thin, the magnetic field in this portion is strengthened, thereby compensating for the decrease in sputter emission action and preventing the formation of the non-erosion region.
【００２２】またターゲット周縁部については、バッキ
ングプレートからの突出部をなくすことにより、ターゲ
ットがマグネット外形より突出する部分が非常に小さく
なり、実質上ターゲットがマグネットとが同じ外形寸法
またはそれ以下の寸法となって、ターゲット周縁部を通
る磁力線がこのターゲット面（バッキングプレート接合
面）に対しほぼ平行になる。従って、ターゲット周縁部
におけるスパッタ放出作用が高められ非エロージョン領
域がなくなる。Regarding the peripheral portion of the target, by eliminating the protruding portion from the backing plate, the portion where the target projects from the outer shape of the magnet becomes very small, and the target has substantially the same outer dimension as the magnet or a dimension less than that. Then, the magnetic force lines passing through the peripheral portion of the target are substantially parallel to the target surface (backing plate bonding surface). Therefore, the spatter emission action at the peripheral portion of the target is enhanced and the non-erosion region is eliminated.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるス
パッタ装置においては、ターゲット材（Ｔｉ，Ａｌ，Ｗ
ーＳｉ等）の形状をバッキングプレートの接合面と同じ
（又はそれより小さい）形状にしているため、外周部の
非エロージョン領域がなくなる。さらにターゲット表面
を凹面状に形成することにより、中央部の非エロージョ
ン領域がなくなる。このためターゲット外周部や中央部
へのスパッタ粒子の再付着はなくなり、再付着膜の剥が
れによるチャンバ内のパーティクルが減少する。これに
より、従来行ってきたターゲットクリーニング等のメン
テナンスの回数を減少させることができるため、使用効
率が向上し、生産性と歩留まりが改善できる。As described above, in the sputtering apparatus according to the present invention, the target materials (Ti, Al, W
Since the shape of (-Si etc.) is the same as (or smaller than) the bonding surface of the backing plate, the non-erosion region at the outer peripheral portion is eliminated. Further, by forming the target surface in a concave shape, the non-erosion region in the central portion is eliminated. Therefore, the reattachment of sputtered particles to the outer peripheral portion and the central portion of the target is eliminated, and the particles in the chamber due to the detachment of the reattached film are reduced. As a result, the number of times of maintenance such as target cleaning that has been conventionally performed can be reduced, so that the use efficiency is improved, and the productivity and the yield can be improved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】 本発明の実施例に係わるスパッタ装置のター
ゲット保持部分の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a target holding portion of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の実施例に係わるスパッタ装置におけ
るターゲット凹面形状の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a target concave surface shape in the sputtering apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図３】 従来のスパッタ装置のターゲット保持部分の
断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a target holding portion of a conventional sputtering device.
【図４】 ターゲットの非エロージョン領域の説明図で
ある。FIG. 4 is an explanatory diagram of a non-erosion region of a target.
１：ターゲット、２：バッキングプレート、３：ターゲ
ット保持部、４：接合面、５：マグネット、６：ターゲ
ット表面、１０：ターゲット、１１：バッキングプレー
ト、１１ａ：接合面、１２：マグネット、１３ａ：ター
ゲット中心部の非エロージョン領域、１３ｂ：ターゲッ
ト外縁部の非エロージョン領域。1: target, 2: backing plate, 3: target holding part, 4: bonding surface, 5: magnet, 6: target surface, 10: target, 11: backing plate, 11a: bonding surface, 12: magnet, 13a: target Non-erosion region at the center, 13b: Non-erosion region at the outer edge of the target.
Claims (4)
持したスパッタ装置において、上記バッキングプレート
のターゲット保持部の外形がターゲットの外形と同じか
またはそれより大きいことを特徴とするスパッタ装置。1. A sputtering apparatus in which a target is held on a backing plate, wherein the outer shape of a target holding portion of the backing plate is the same as or larger than the outer shape of the target.
特徴とするスパッタ装置。2. A sputtering apparatus, wherein the target has a concave surface.
半径をｒ、外周部の厚さをｈとするとき、Ｒ＞（ｈ2＋
ｒ2）／（２ｈ） を満たすことを特徴とする請求項２に
記載のスパッタ装置。3. The radius of curvature R of the concave surface is R> (h 2 + when the radius of the target is r and the thickness of the outer peripheral portion is h.
The sputtering apparatus according to claim 2, wherein r 2 ) / (2h) is satisfied.
く形成するとともに、ターゲット周縁部での磁力線方向
がターゲット接合面とほぼ平行となるようにマグネット
に対するターゲットの形状および配置を定めたことを特
徴とするスパッタ装置。4. The shape and arrangement of the target with respect to the magnet are determined such that the thickness of the center of the target is made thinner than that of the peripheral edge and the direction of magnetic force lines at the peripheral edge of the target is substantially parallel to the target bonding surface. Characteristic sputtering equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7153986A JPH08325719A (en) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7153986A JPH08325719A (en) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | Sputtering device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325719A true JPH08325719A (en) | 1996-12-10 |
Family
ID=15574417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7153986A Pending JPH08325719A (en) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | Sputtering device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08325719A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002016667A3 (en) * | 2000-08-21 | 2002-06-06 | Honeywell Int Inc | Sputtering targets |
| US6497797B1 (en) | 2000-08-21 | 2002-12-24 | Honeywell International Inc. | Methods of forming sputtering targets, and sputtering targets formed thereby |
| WO2008080002A2 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Praxair Technology, Inc. | Method of diffusion-bond powder metallurgy sputtering target |
| JP2009046735A (en) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Ulvac Japan Ltd | Sputtering device and plasma processing apparatus |
| JPWO2015111576A1 (en) * | 2014-01-21 | 2017-03-23 | 住友化学株式会社 | Sputtering target |
| WO2018195054A1 (en) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
| CN113637947A (en) * | 2021-08-13 | 2021-11-12 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | Target assembly for improving deep hole filling uniformity, sputtering equipment and design method |
-
1995
- 1995-05-29 JP JP7153986A patent/JPH08325719A/en active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002016667A3 (en) * | 2000-08-21 | 2002-06-06 | Honeywell Int Inc | Sputtering targets |
| US6497797B1 (en) | 2000-08-21 | 2002-12-24 | Honeywell International Inc. | Methods of forming sputtering targets, and sputtering targets formed thereby |
| WO2008080002A2 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Praxair Technology, Inc. | Method of diffusion-bond powder metallurgy sputtering target |
| WO2008080002A3 (en) * | 2006-12-22 | 2008-09-18 | Praxair Technology Inc | Method of diffusion-bond powder metallurgy sputtering target |
| US8206646B2 (en) | 2006-12-22 | 2012-06-26 | Praxair Tecnology, Inc. | Method for consolidating and diffusion-bonding powder metallurgy sputtering target |
| JP2009046735A (en) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Ulvac Japan Ltd | Sputtering device and plasma processing apparatus |
| JPWO2015111576A1 (en) * | 2014-01-21 | 2017-03-23 | 住友化学株式会社 | Sputtering target |
| JP2017179609A (en) * | 2014-01-21 | 2017-10-05 | 住友化学株式会社 | Sputtering target |
| US11532468B2 (en) | 2014-01-21 | 2022-12-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Sputtering target |
| WO2018195054A1 (en) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
| CN110546298A (en) * | 2017-04-20 | 2019-12-06 | 霍尼韦尔国际公司 | Special-shaped sputtering target and preparation method thereof |
| US11244815B2 (en) | 2017-04-20 | 2022-02-08 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
| CN110546298B (en) * | 2017-04-20 | 2022-03-01 | 霍尼韦尔国际公司 | Special-shaped sputtering target and preparation method thereof |
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