JPH0620959A - Photo chemical vapor growth apparatus - Google Patents
Photo chemical vapor growth apparatusInfo
- Publication number
- JPH0620959A JPH0620959A JP8413691A JP8413691A JPH0620959A JP H0620959 A JPH0620959 A JP H0620959A JP 8413691 A JP8413691 A JP 8413691A JP 8413691 A JP8413691 A JP 8413691A JP H0620959 A JPH0620959 A JP H0620959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reaction
- light source
- shutter
- reaction tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、紫外光または真空紫外
光を反応槽内に照射することにより反応槽内に導入され
た反応ガスを励起し化学反応を促進させて膜形成を行う
光化学気相成長装置(以下、単に光CVD装置と記載す
る)に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photochemical gas for irradiating a reaction tank with ultraviolet light or vacuum ultraviolet light to excite a reaction gas introduced into the reaction tank to accelerate a chemical reaction to form a film. The present invention relates to a phase growth apparatus (hereinafter simply referred to as a photo CVD apparatus).
【0002】[0002]
【従来の技術】この種の光CVD装置として同日出願の
特願平3−84043号において、添付図面の図4に示
すように、反応槽A内に温度可変のサセプタBを配置
し、このサセプタBに成膜すべき基板Cを装着し、反応
槽Aの側壁部には基板C上に反応ガスを導入する薄いス
リット状の開口Dを備えたノズルEを設け、反応槽Aの
底壁部の端部分には反応ガスを排出させる排気口Fを設
け、また反応槽Aの上部には紫外光または真空紫外光を
放射する光源Gと光源Gから放射された光の損失を防ぐ
ため反射板Hとを収容した光源室Iを設け、この光源室
Iと反応槽Aとの間を合成石英から成る光透過窓Jで仕
切り、さらに、反応槽A内においてサセプタBの上方に
は多数の小孔を備えた合成石英製の不活性ガス噴出板K
及びフローガード枠体Lに合成石英製の多数のフローガ
ードプレートMを一定間隔に配列したフローガード部材
が反応槽Aの上壁部に固定したものを提案した。そして
この装置では、反応槽Aの上壁部を通して設けられた導
管Nから導入されるパージガスを光透過窓Jと不活性ガ
ス噴出板Kとの間の隙間、不活性ガス噴出板Kの各小
孔、及びフローガード部材の各フローガードプレートM
間を通って噴出させることにより、ノズルEから導入さ
れる反応ガスを基板の近傍に集中させると共に光源室I
と反応槽Aとを仕切っている光透過窓Jに膜が付着して
光強度が低下しないようにしている。2. Description of the Related Art As an optical CVD apparatus of this type, in Japanese Patent Application No. 3-84043 filed on the same day, as shown in FIG. 4 of the accompanying drawings, a susceptor B having a variable temperature is arranged in a reaction tank A. A substrate C to be formed into a film is attached to B, a nozzle E having a thin slit-shaped opening D for introducing a reaction gas is provided on the side wall of the reaction tank A, and the bottom wall of the reaction tank A is provided. An exhaust port F for discharging a reaction gas is provided at an end portion of the reaction vessel, and a light source G for emitting ultraviolet light or vacuum ultraviolet light and a reflection plate for preventing loss of light emitted from the light source G are provided above the reaction tank A. A light source chamber I accommodating H is provided, and the light source chamber I and the reaction tank A are partitioned by a light transmission window J made of synthetic quartz. Further, in the reaction tank A, a large number of small chambers are provided above the susceptor B. Synthetic quartz inert gas ejection plate K with holes
In addition, there is proposed a flow guard frame in which a large number of synthetic quartz flow guard plates M are arranged at regular intervals in a flow guard frame L and fixed to the upper wall of the reaction tank A. In this apparatus, the purge gas introduced from the conduit N provided through the upper wall of the reaction tank A is filled with a gap between the light transmission window J and the inert gas ejection plate K, and the inert gas ejection plate K is small. Each hole and flow guard plate M of the flow guard member
By ejecting the gas through the space, the reaction gas introduced from the nozzle E is concentrated near the substrate and the light source chamber I
The film is attached to the light transmission window J that separates the reaction chamber A and the reaction tank A so that the light intensity is not reduced.
【0003】このような光CVD装置を用いて膜を形成
する際、まず、流量調節した不活性ガスを不活性ガス噴
出板Kを通して、また流量調節した反応ガスをノズルE
から反応槽A内に導入する。一方サセプタB上に装着し
た成膜すべき基板Cは予め所望の温度まで加熱され、反
応ガス及び不活性ガスの流れが定常状態となったところ
で、導入された反応ガスを分解させるため光源Gを点灯
して光透過窓J及び光透過性の不活性ガス噴出板Kを通
して反応槽A内に紫外光または真空紫外光を照射させ
る。また同一の基板上に幾つかの種類の膜を形成する場
合には第1の膜の形成後、一旦光源Gを消灯し、反応ガ
スを入れ替え、再びガスの流れが定常状態となった段階
で光照射を行い、この操作を繰返すことにより所望の膜
構造が形成される。When forming a film using such an optical CVD apparatus, first, an inert gas whose flow rate is adjusted is passed through an inert gas jet plate K, and a reaction gas whose flow rate is adjusted is supplied to a nozzle E.
Is introduced into the reaction tank A. On the other hand, the substrate C to be deposited on the susceptor B is heated to a desired temperature in advance, and when the flow of the reaction gas and the inert gas reaches a steady state, the light source G is used to decompose the introduced reaction gas. When turned on, the reaction tank A is irradiated with ultraviolet light or vacuum ultraviolet light through the light transmitting window J and the light transmitting inert gas jetting plate K. When several kinds of films are formed on the same substrate, after forming the first film, the light source G is once turned off, the reaction gas is replaced, and the gas flow is again in a steady state. A desired film structure is formed by performing light irradiation and repeating this operation.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで上記の光CV
D装置を含めて従来の光CVD装置では光源から照射さ
れる光の強度が一定になるまでに時間がかり、そのため
膜厚の精密な制御が困難となる問題がある。すなわち、
添付図面の図5に示すように、一般に光CVD装置にお
いては光源の点灯後光の強度は直ぐには一定とならず、
一定となるまでには約10分の時間が経過していることが
認められる。このような点灯から光の強度が一定となる
までの10分の間にどの程度の膜が堆積したかは全く不明
である。一般に長時間の成膜に関しては、このような点
灯初期における光の強度の不安定性はそれ程大きな影響
を与えないが、太陽電池や薄膜トランジスタ(TF
T)、或いは超格子等のデバイスにおける薄膜を形成す
る場合には、光強度の初期不安定性は膜厚の見積もりに
対して大きな誤差となる。放電が安定するまでに一定の
時間が必要であることがこの不安定性の最大の原因であ
るが、光源装置がこのような光強度特性を持つ以上、薄
膜の膜厚を制御することは非常に困難であり、設計通り
のデバイスを製作することができない等の問題を引き起
こすことになる。By the way, the above-mentioned optical CV is used.
In the conventional photo-CVD apparatus including the D apparatus, it takes time until the intensity of the light emitted from the light source becomes constant, which makes it difficult to precisely control the film thickness. That is,
As shown in FIG. 5 of the accompanying drawings, generally, in a photo CVD apparatus, the intensity of light after the light source is turned on does not become constant immediately,
It can be seen that about 10 minutes have passed before it becomes constant. It is completely unknown how much film is deposited within 10 minutes from such lighting until the light intensity becomes constant. Generally, for long-time film formation, such instability of light intensity in the initial stage of lighting does not have a great influence, but a solar cell or a thin film transistor (TF) is used.
T), or when forming a thin film in a device such as a superlattice, the initial instability of light intensity causes a large error in the estimation of the film thickness. The largest cause of this instability is that it takes a certain amount of time for the discharge to stabilize, but as long as the light source device has such light intensity characteristics, controlling the thickness of the thin film is extremely difficult. It is difficult and causes a problem that a device as designed cannot be manufactured.
【0005】そこで、本発明は、このような光源特性に
伴う問題点を解決して、反応槽内における反応のキレを
良くし、膜厚や界面を制御できるようにした光CVD装
置を提供することを目的としている。Therefore, the present invention solves the problems associated with such light source characteristics, improves the sharpness of the reaction in the reaction tank, and provides a photo-CVD apparatus capable of controlling the film thickness and the interface. Is intended.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明による光CVD装置は、反応ガスを導入す
る反応ガス導入口及び光透過窓を備えた反応槽と、光透
過窓を通して紫外光または真空紫外光を反応槽内へ照射
し導入された反応ガスを分解させて基板上に膜を堆積さ
せる光源と、光源と反応槽とを光学的に隔離するシャッ
タ機構とを有することを特徴としている。In order to achieve the above object, a photo-CVD apparatus according to the present invention is provided with a reaction tank having a reaction gas introduction port for introducing a reaction gas and a light transmission window, and a light transmission window. It has a light source that irradiates ultraviolet light or vacuum ultraviolet light into the reaction tank to decompose the introduced reaction gas to deposit a film on the substrate, and a shutter mechanism that optically isolates the light source from the reaction tank. It has a feature.
【0007】[0007]
【作用】このように構成した本発明の光CVD装置にお
いては、シャッタ機構は光源から反応槽内への光の照射
を制御し、閉の状態では光源が点灯していても光源から
放射された光が光透過窓を通って反応槽内へ入り込むの
が防止され、シャッタ機構を開の状態にすることにより
反応を開始させることができる。すなわち、成膜開始の
充分前に光源を点灯し、光源からの光強度が安定するま
でシャッタ機構により反応槽内への光の照射を阻止する
ようにされる。従って単にシャッタ機構の開閉動作のみ
によって反応の開始、終了を制御することができると共
に、常に一定の光強度で反応槽内への光の照射を行うこ
とができるようになる。その結果、他の条件を一定にし
てさえおけば、所望の材料の所望の膜厚を成膜時間のみ
で制御することができ、多層膜や超格子等のデバイスを
製作することが可能となる。In the photo-CVD apparatus of the present invention thus constructed, the shutter mechanism controls the irradiation of light from the light source into the reaction tank, and in the closed state the light is emitted from the light source even when the light source is on. Light is prevented from entering the reaction tank through the light transmission window, and the reaction can be started by opening the shutter mechanism. That is, the light source is turned on sufficiently before the start of film formation, and the irradiation of light into the reaction tank is blocked by the shutter mechanism until the light intensity from the light source stabilizes. Therefore, the start and end of the reaction can be controlled only by the opening / closing operation of the shutter mechanism, and the light can be always radiated into the reaction tank with a constant light intensity. As a result, if the other conditions are kept constant, the desired film thickness of the desired material can be controlled only by the film formation time, and it becomes possible to manufacture a device such as a multilayer film or a superlattice. .
【0008】[0008]
【実施例】以下、添付図面の図1〜図3を参照して本発
明の実施例について説明する。図1には、本発明を光C
VD装置に適用した実施例が示されている。図示光CV
D装置において、1は真空槽すなわち反応槽で、その内
部には温度可変のサセプタ2が設けられ、このサセプタ
2上に膜成長の行われる基板3が装着されている。真空
槽1の側壁には反応性ガスを導入するための薄いスリッ
ト状の開口4をもつノズル5が設けられ、このノズル5
は外部導管6を介して図示してない反応ガス供給源に結
合されている。ノズル5はAl合金から成り、そしてサセ
プタ2上の基板3の表面上にほぼ平行に反応ガスを導入
できるように位置決めされている。尚、光CVD法でし
ばしば用いられる水銀増感法の場合には、ノズル5を構
成しているAl合金が水銀と反応してダストを生じさせる
可能性があるので、このような反応を防止するためにノ
ズル5には陽極酸化被膜処理が施され得る。また真空槽
1の上壁には、基板3に対向した位置に合成石英から成
る光透過窓7が設けられ、その外側には紫外光または真
空紫外光を放射する光源8と光源8からの紫外光または
真空紫外光を反射させて光透過窓7を介して基板3上へ
指向させ、光の損失を防ぐ反射板9とを収容した光源室
10が取付けられている。光透過窓7の内側表面上には、
この光透過窓7の内側表面との間に若干隙間をあけて、
合成石英から成り、多数の小さなガス噴出孔を備えた不
活性ガス導入用の噴出部11が設けられ、この噴出部11と
光透過窓7の内側表面との間の隙間は真空槽1の上壁の
外側に取付けられた導管12を介して不活性ガス供給源
(図示してない)に結合されている。不活性ガス噴出部
11の下側にはフローガード部材13が取付けられている。
このフローガード部材13はフローガード枠体14内に薄い
合成石英板から成るフローガードプレート15を一定の間
隔をおいて取付けて構成されており、各フローガードプ
レート15はノズル5からの反応ガスの流れ方向を横切る
方向にのびしかも不活性ガス噴出部11から噴出される不
活性ガスをサセプタ2上の基板3に向って下向きに指向
させるように方向決めされている。従ってフローガード
部材13における各フローガードプレート15の高さは真空
槽1の内寸等に応じて任意に設定することができる。フ
ローガード部材13は不活性ガス噴出部11と共に真空槽1
の上壁の内側に固定されている。尚、真空槽1の底壁の
一端近くには図示したように排気口16が設けられてい
る。さらに、光透過窓7と光源室10との間にはシャッタ
機構17が設けられ、このシャッタ機構17はシャッタガイ
ド18に開閉自在に支持されたシャッタ19を備え、このシ
ャッタ19は図2に示すように空気シリンダ20により開閉
できるように構成されている。またシャッタ機構17は、
シャッタ19の閉時に光源8からの光が真空槽1内へ漏れ
て界面のダレのない多層膜を形成できなくなるのを防ぐ
ために、シャッタガイド18とシャッタ19との隙間はでき
るだけ狭く、例えば、1.0mm 以下にされ、またシャッタ
ガイド18及びシャッタ19の表面には紫外光または真空紫
外光の反射率の低いコーティングが施されている。通常
の光CVD装置の場合のように光源8が大気側に設けら
れているため、光源8から放射される紫外光や真空紫外
光の酸素による吸収を防止する目的で、図示装置では光
源室10内の空気は窒素ガスによって常時パージされるよ
うに構成されており、そしてシャッタ19の閉時にはシャ
ッタガイド18とシャッタ19と光透過窓7とに囲まれる空
間の空気の窒素ガスによるパージが不十分となるため、
シャッタガイド18の下部には窒素ガス導入部21及び排出
部22が設けられ、光の透過する空間内に空気が残らない
ようにしている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3 of the accompanying drawings. FIG. 1 illustrates the present invention as a light C
An embodiment applied to a VD device is shown. Illustrated light CV
In the apparatus D, 1 is a vacuum tank, that is, a reaction tank, in which a susceptor 2 having a variable temperature is provided, and a substrate 3 on which a film is grown is mounted on the susceptor 2. A nozzle 5 having a thin slit-shaped opening 4 for introducing a reactive gas is provided on the side wall of the vacuum chamber 1.
Is connected via an external conduit 6 to a reaction gas supply source (not shown). The nozzle 5 is made of Al alloy and is positioned so that the reaction gas can be introduced almost parallel to the surface of the substrate 3 on the susceptor 2. In the case of the mercury sensitization method which is often used in the photo CVD method, the Al alloy forming the nozzle 5 may react with mercury to generate dust, so that such a reaction is prevented. Therefore, the nozzle 5 may be anodized. A light transmission window 7 made of synthetic quartz is provided on the upper wall of the vacuum chamber 1 at a position facing the substrate 3, and a light source 8 for emitting ultraviolet light or vacuum ultraviolet light and an ultraviolet light from the light source 8 are provided outside the light transmission window 7. A light source chamber containing a reflection plate 9 that reflects light or vacuum ultraviolet light and directs it onto the substrate 3 through the light transmission window 7 to prevent light loss.
10 is installed. On the inner surface of the light transmitting window 7,
Leave a slight gap between the inner surface of the light transmitting window 7 and
A spout 11 for introducing an inert gas, which is made of synthetic quartz and has a large number of small gas spout holes, is provided. The gap between the spout 11 and the inner surface of the light transmission window 7 is above the vacuum chamber 1. It is connected to an inert gas source (not shown) via a conduit 12 mounted on the outside of the wall. Inert gas spouting part
A flow guard member 13 is attached to the lower side of 11.
The flow guard member 13 is configured by mounting a flow guard plate 15 made of a thin synthetic quartz plate in a flow guard frame body 14 at regular intervals, and each flow guard plate 15 is provided with a reaction gas from the nozzle 5. It is oriented so as to extend in a direction transverse to the flow direction and further direct the inert gas ejected from the inert gas ejection portion 11 downward toward the substrate 3 on the susceptor 2. Therefore, the height of each flow guard plate 15 in the flow guard member 13 can be arbitrarily set according to the inner size of the vacuum chamber 1 and the like. The flow guard member 13 together with the inert gas ejection part 11 is the vacuum chamber 1.
It is fixed inside the upper wall. An exhaust port 16 is provided near one end of the bottom wall of the vacuum chamber 1 as shown in the figure. Further, a shutter mechanism 17 is provided between the light transmission window 7 and the light source chamber 10, and this shutter mechanism 17 is provided with a shutter 19 which is supported by a shutter guide 18 so as to be openable and closable, and this shutter 19 is shown in FIG. As described above, it can be opened and closed by the air cylinder 20. Further, the shutter mechanism 17 is
In order to prevent light from the light source 8 from leaking into the vacuum chamber 1 when the shutter 19 is closed to prevent the formation of a multilayer film without sagging at the interface, the gap between the shutter guide 18 and the shutter 19 is as narrow as possible, for example, 1.0 Further, the surfaces of the shutter guide 18 and the shutter 19 are coated with a low reflectance of ultraviolet light or vacuum ultraviolet light. Since the light source 8 is provided on the atmosphere side as in the case of a normal photo-CVD apparatus, in the illustrated apparatus, the light source chamber 10 is provided for the purpose of preventing absorption of ultraviolet light or vacuum ultraviolet light emitted from the light source 8 by oxygen. The air inside is configured to be constantly purged with nitrogen gas, and when the shutter 19 is closed, the air in the space surrounded by the shutter guide 18, the shutter 19 and the light transmission window 7 is not sufficiently purged with nitrogen gas. Therefore,
A nitrogen gas introduction part 21 and a discharge part 22 are provided below the shutter guide 18 to prevent air from remaining in the space through which light passes.
【0009】このように構成した図示装置の動作につい
て以下説明する。装置を作動して基板上に膜を形成する
場合、例えば成膜開始20分以上前に予め光源8を点灯し
ておき、シャッタ19は閉状態に保持される。反応ガスは
流量調節して外部導管6からノズル5の薄いスリット状
の開口4を介して基板3の表面にほぼ平行にシート状に
導入される。このシート状の反応ガスの流れに対して不
活性ガス噴出部11から流量調節した不活性ガスが下向き
に導入される。またサセプタ2に組み込まれたヒータを
予め作動させて基板3を所望の温度まで加熱しておき、
反応ガス及び不活性ガスの流れが定常状態となった時点
で、シャッタ機構17の空気シリンダ20を作動してシャッ
タ18を開放し、光源8からの紫外光または真空紫外光を
反応槽1内へ照射して反応を開始させる。これにより反
応ガスは分解され、基板上に反応生成物が堆積され、こ
うして膜形成が行われる。The operation of the illustrated apparatus thus configured will be described below. When the apparatus is operated to form a film on the substrate, the light source 8 is turned on in advance, for example, 20 minutes or more before the start of film formation, and the shutter 19 is kept closed. The flow rate of the reaction gas is adjusted and introduced from the external conduit 6 through the thin slit-shaped opening 4 of the nozzle 5 into a sheet shape substantially parallel to the surface of the substrate 3. The inert gas whose flow rate is adjusted is introduced downward from the inert gas jetting portion 11 with respect to the flow of the sheet-like reaction gas. In addition, the heater incorporated in the susceptor 2 is operated in advance to heat the substrate 3 to a desired temperature,
When the flow of the reaction gas and the inert gas reaches a steady state, the air cylinder 20 of the shutter mechanism 17 is operated to open the shutter 18, and the ultraviolet light or vacuum ultraviolet light from the light source 8 is introduced into the reaction tank 1. Irradiate to start the reaction. As a result, the reaction gas is decomposed and the reaction product is deposited on the substrate, thus forming a film.
【0010】図3には、シャッタ19の開閉に対して基板
3上の光強度がどのように対応するかの基本特性が示さ
れている。図3(A)に示すようにシャッタ19を一分間
隔で開閉した場合、基板3上の光強度はシャッタ閉の時
には0、シャッタ開のときには1.0 (相対強度)とな
り、また図3(B)に拡大して示すように光の強度は、
シャッタの開閉時間(約0.5 秒)の間だけ変化している
ことが認められる。しかも、光源8は予め点灯されて安
定した状態にあるため、シャッタ19を開いた時には極め
て安定した光強度を与えることができる。従って、シャ
ッタ19の開閉のみで反応槽1内の反応の開始、終了を制
御することが可能となり、その場合、反応の不確定な要
素はあくまでもシャッタ19の開閉に要する時間(約0.5
秒)のみとなる。例えば、仮に50オングストローム/mi
n の成膜速度で50オングストロームの薄膜を堆積させる
場合に、全体の成膜時間に対してシャッタ19の開閉に要
する時間は僅かに1.7 %に過ぎない。従ってきわてめ鋭
い反応開始、終了が可能となる。その結果、光の強度の
変化の実質的な影響なしにガスの切り替えとシャッタ19
の開閉のみで界面にダレがなくしかも膜厚の制御された
多層膜や超格子のようなデバイスを製作することが可能
となる。FIG. 3 shows basic characteristics of how the light intensity on the substrate 3 corresponds to the opening / closing of the shutter 19. When the shutter 19 is opened and closed at one-minute intervals as shown in FIG. 3A, the light intensity on the substrate 3 is 0 when the shutter is closed and 1.0 (relative intensity) when the shutter is open, and FIG. The intensity of the light is
It can be seen that it changes only during the opening and closing time of the shutter (about 0.5 seconds). Moreover, since the light source 8 is turned on in advance and is in a stable state, when the shutter 19 is opened, extremely stable light intensity can be given. Therefore, it becomes possible to control the start and end of the reaction in the reaction tank 1 only by opening and closing the shutter 19, and in that case, the uncertain factor of the reaction is the time required for opening and closing the shutter 19 (about 0.5
Seconds) only. For example, let's say 50 angstroms / mi
When depositing a thin film of 50 Å at a film forming rate of n 2, the time required to open and close the shutter 19 is only 1.7% of the entire film forming time. Therefore, it is possible to start and end the reaction very sharply. As a result, gas switching and shutters 19 are substantially unaffected by changes in light intensity.
It is possible to manufacture a device such as a multilayer film or a superlattice in which the interface is not sagging and the film thickness is controlled only by opening and closing.
【0011】ところで、図示実施例では、シャッタガイ
ド18、シャッタ19及び光源室10は、光源8のパワーが強
い場合には直接光源8からの光及び熱の放射を受けて10
0 ℃を越える温度まで加熱される。そのため必要ならば
シャッタガイド18及びシャッタ19は冷却できるように内
部に水路を設けることもできる。また例示した装置では
光源は大気中に設置されているが、光源を真空槽内に設
けた構造でも本発明を実施することができる。In the illustrated embodiment, the shutter guide 18, the shutter 19 and the light source chamber 10 receive light and heat radiation from the light source 8 directly when the power of the light source 8 is strong.
It is heated to a temperature above 0 ° C. Therefore, if necessary, the shutter guide 18 and the shutter 19 may be provided with water channels inside so that they can be cooled. Further, in the illustrated apparatus, the light source is installed in the atmosphere, but the present invention can be implemented with a structure in which the light source is installed in the vacuum chamber.
【0012】[0012]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
光CVD装置においては、光源と反応槽との間に光学的
に隔離するシャッタ機構を設けているので、反応槽内へ
成膜開始と同時に安定した光強度をもつ紫外光または真
空紫外光を照射でき、それにより安定した再現性のある
膜厚制御を行うことができしかも界面のダレのない多層
膜や超格子等のデバイを製作することができる。また反
応槽における光化学反応をシャッタの開閉操作のみで制
御できるため、反応の切り替え時間を短縮でき、装置の
稼動率を大幅に向上させることが可能となる。As described above, in the photo-CVD apparatus according to the present invention, since the shutter mechanism is provided between the light source and the reaction tank to optically isolate it, it is possible to start film formation in the reaction tank. At the same time, it is possible to irradiate ultraviolet light or vacuum ultraviolet light with stable light intensity, which enables stable and reproducible film thickness control, and manufactures a debye such as a multilayer film or superlattice without sagging at the interface. be able to. Further, since the photochemical reaction in the reaction tank can be controlled only by opening and closing the shutter, the reaction switching time can be shortened and the operating rate of the apparatus can be significantly improved.
【図1】 本発明の一実施例を示す概略断面図。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図2】 図1の装置におけるシャッタ機構を示す概略
斜視図。FIG. 2 is a schematic perspective view showing a shutter mechanism in the apparatus of FIG.
【図3】 シャッタ機構の開閉による基板上における光
強度の変化の特性を示すグラフ。FIG. 3 is a graph showing characteristics of changes in light intensity on a substrate due to opening and closing of a shutter mechanism.
【図4】 先行技術の一例として別個出願中の光CVD
装置を示す概略断面図。FIG. 4 Separately filed photo-CVD as an example of the prior art
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the device.
【図5】 従来の光CVD装置における光源の基本特性
を示すグラフ。FIG. 5 is a graph showing basic characteristics of a light source in a conventional photo CVD apparatus.
1:反応槽 3:基板 5:反応ガス導入用ノズル 7:光透過窓 8:光源 17:シャッタ機構 1: Reaction tank 3: Substrate 5: Reactive gas introduction nozzle 7: Light transmission window 8: Light source 17: Shutter mechanism
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 章敏 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 中山 泉 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内Front page continuation (72) Inventor Akitoshi Suzuki, Hagien 2500, Chigasaki, Kanagawa Prefecture, Japan Vacuum Technology Co., Ltd. (72) Izumi Nakayama 2500, Hagien, Chigasaki City, Kanagawa Prefecture, Japan Vacuum Technology Co., Ltd.
Claims (1)
透過窓を備えた反応槽と、光透過窓を通して紫外光また
は真空紫外光を反応槽内へ照射し導入された反応ガスを
分解させて基板上に膜を堆積させる光源と、光源と反応
槽とを光学的に隔離するシャッタ機構とを有することを
特徴とする光化学気相成長装置。1. A reaction tank equipped with a reaction gas inlet for introducing a reaction gas and a light transmitting window, and irradiating the reaction tank with ultraviolet light or vacuum ultraviolet light through the light transmitting window to decompose the introduced reaction gas. A photochemical vapor deposition apparatus comprising: a light source for depositing a film on a substrate by means of a substrate; and a shutter mechanism for optically separating the light source and the reaction tank.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8413691A JPH0620959A (en) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | Photo chemical vapor growth apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8413691A JPH0620959A (en) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | Photo chemical vapor growth apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0620959A true JPH0620959A (en) | 1994-01-28 |
Family
ID=13822083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8413691A Pending JPH0620959A (en) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | Photo chemical vapor growth apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0620959A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11353792B2 (en) * | 2018-05-22 | 2022-06-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
-
1991
- 1991-04-16 JP JP8413691A patent/JPH0620959A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11353792B2 (en) * | 2018-05-22 | 2022-06-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5443646A (en) | Method and apparatus for forming thin film and multilayer film | |
EP0254654B1 (en) | Method of chemical vapor deposition | |
US4643799A (en) | Method of dry etching | |
US6136096A (en) | Method and apparatus for correcting defects in photomask | |
EP0208966A1 (en) | Apparatus for, and methods of, depositing a substance on a substrate | |
JPH0620959A (en) | Photo chemical vapor growth apparatus | |
US4874634A (en) | Vapor phase deposition of cadmium and mercury telluride for electronic device manufacture | |
KR100538865B1 (en) | Single-substrate-heat-processing apparatus and method for performing reformation and crystallization | |
JPH01183809A (en) | Photo assisted cvd system | |
JP3224238B2 (en) | Thin film forming equipment | |
EP0319021B1 (en) | Apparatus for laser chemical vapour deposition | |
JP3112521B2 (en) | Optical excitation process equipment | |
JP4737760B2 (en) | Vacuum deposition equipment | |
JPS63317675A (en) | Plasma vapor growth device | |
JP3112492B2 (en) | Thin film forming equipment | |
JPS59208065A (en) | Depositing method of metal by laser | |
JP3258121B2 (en) | CVD equipment | |
JPS63312978A (en) | Thin film forming device | |
JPS63114972A (en) | Photochemical reaction utilizing device | |
JPS61196526A (en) | Photochemical vapor deposition process and apparatus thereof | |
JPH01223723A (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
JPH01172574A (en) | Optical cvd device | |
JPH0551950U (en) | Optical CVD device | |
JP2634119B2 (en) | Metal organic chemical vapor deposition equipment | |
JPH0442820B2 (en) |