JPH06208941A - X-ray aligner - Google Patents
X-ray alignerInfo
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- JPH06208941A JPH06208941A JP5003055A JP305593A JPH06208941A JP H06208941 A JPH06208941 A JP H06208941A JP 5003055 A JP5003055 A JP 5003055A JP 305593 A JP305593 A JP 305593A JP H06208941 A JPH06208941 A JP H06208941A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はＸ線露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray exposure apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５を参照してＸ線露光装置を概略的に
説明する。周知の電子蓄積リング５０から真空状態にさ
れたビームダクト（図示せず）にビーム状のＸ線５１を
取り出し、ビームダクト中に配置されたミラー５２でＸ
線５１を縦方向に振らせて拡幅されたＸ線をつくる。ビ
ームダクトにおけるＸ線の出口にはベリリウム（Ｂｅ）
による窓５３が設けられており、この窓５３を透過した
Ｘ線はヘリウム（Ｈｅ）の雰囲気中におかれたマスク５
４を透過してウェハ５５のパターン形成領域に照射され
ることにより、ウェハ５５にはマスク５４で規定された
パターンが形成される。2. Description of the Related Art An X-ray exposure apparatus will be schematically described with reference to FIG. Beam-shaped X-rays 51 are extracted from a well-known electron storage ring 50 to a vacuumed beam duct (not shown), and X-rays are taken out by a mirror 52 arranged in the beam duct.
The line 51 is swung in the vertical direction to form a widened X-ray. Beryllium (Be) is used for the X-ray exit in the beam duct.
Window 53 is provided, and the X-rays transmitted through this window 53 are masks 5 placed in an atmosphere of helium (He).
The pattern defined by the mask 54 is formed on the wafer 55 by irradiating the pattern forming region of the wafer 55 through the light beam passing through No.
【０００３】ところで、この種のＸ線露光装置では、ウ
ェハ５５に照射するＸ線量を所定値に維持するように制
御する必要がある。これまでの制御方法は、電子蓄積リ
ング５０内における電子ビームの電流値とビームダクト
に取り出されるＸ線５１のＸ線量との相関関係をあらか
じめ計測しておき、電子ビームの電流値を計測して前記
相関関係からＸ線量を推定する。そして、ウェハ５５に
対する１回当たりのＸ線照射量が所定値に達すると、ビ
ームダクト内に配置したシャッタ５６を閉じるようにし
てＸ線照射量を所定値に維持するようにしている。By the way, in this type of X-ray exposure apparatus, it is necessary to control the X-ray dose with which the wafer 55 is irradiated to maintain a predetermined value. The conventional control method is to measure the correlation between the electron beam current value in the electron storage ring 50 and the X-ray dose of the X-ray 51 extracted to the beam duct in advance, and measure the electron beam current value. The X-ray dose is estimated from the correlation. Then, when the X-ray irradiation amount per one time for the wafer 55 reaches a predetermined value, the shutter 56 arranged in the beam duct is closed to maintain the X-ray irradiation amount at the predetermined value.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記方法で
推定されるＸ線量には下記の理由でかなりの誤差を生ず
る。However, the X-ray dose estimated by the above method has a considerable error for the following reasons.
【０００５】（１）Ｘ線５１はミラー５２での反射で減
衰する。減衰の程度は、ミラー５２の表面の粗さや汚れ
の程度により異なる。加えて、ミラー５２にＸ線５１が
当たると、ミラー５２にカーボンが付着してゆき、ミラ
ー５２の汚れが進行する。カーボンの付着は、ビームダ
クト中の真空度と相関関係がある。(1) The X-ray 51 is attenuated by reflection on the mirror 52. The degree of attenuation depends on the surface roughness of the mirror 52 and the degree of dirt. In addition, when the X-ray 51 hits the mirror 52, carbon adheres to the mirror 52 and the mirror 52 becomes dirty. The deposition of carbon correlates with the degree of vacuum in the beam duct.
【０００６】（２）ミラー５２で拡幅されたＸ線は、窓
５３の透過に際しても減衰する。(2) The X-ray broadened by the mirror 52 is attenuated even when transmitted through the window 53.
【０００７】（３）窓５３を透過したＸ線は、今度は、
マスク５４に達するまでにヘリウムにより吸収されて減
衰する。(3) The X-ray transmitted through the window 53 is
By the time it reaches the mask 54, it is absorbed and attenuated by helium.
【０００８】以上のように、Ｘ線は発生源からマスク５
４に達するまでに多くの減衰を受け、しかも減衰量は時
間と共に増大する傾向にある。このため、電子蓄積リン
グ５０における電子ビームの電流値とＸ線量との相関関
係だけでは、Ｘ線量を正確に把握できず、したがってウ
ェハ５５に照射するＸ線量を所定値に維持することが困
難であった。As described above, X-rays are emitted from the source to the mask 5
There is a lot of attenuation before reaching 4, and the amount of attenuation tends to increase with time. Therefore, the X-ray dose cannot be accurately grasped only by the correlation between the electron beam current value in the electron storage ring 50 and the X-ray dose, and thus it is difficult to maintain the X-ray dose with which the wafer 55 is irradiated at a predetermined value. there were.
【０００９】以上のような問題点に鑑み、本発明の課題
はウェハに照射されるＸ線量を正確に検出して所定値に
維持することのできるＸ線露光装置を提供することにあ
る。In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide an X-ray exposure apparatus capable of accurately detecting the X-ray dose applied to a wafer and maintaining it at a predetermined value.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明によるＸ線露光装
置は、ウェハのパターン形成領域に対応したパターン領
域を有するマスクを備え、該マスクの前記パターン領域
よりも広い所定領域にＸ線を照射するようにしたＸ線露
光装置において、前記マスクの上方であって前記パター
ン領域から外れた前記所定領域内に、前記Ｘ線の照射に
より蛍光を発生する発光部と前記蛍光を受光するフォト
ダイオードとを含むＸ線量検出器を配置したことを特徴
とする。An X-ray exposure apparatus according to the present invention includes a mask having a pattern area corresponding to a pattern forming area of a wafer, and irradiates a predetermined area wider than the pattern area of the mask with X-rays. In the X-ray exposure apparatus configured to do so, a light emitting unit that emits fluorescence by the irradiation of the X-rays and a photodiode that receives the fluorescence are provided in the predetermined region above the mask and outside the pattern region. It is characterized in that an X-ray dose detector including is arranged.
【００１１】本発明によればまた、前記Ｘ線量検出器に
加えて、前記Ｘ線の発生源と前記マスクとの間のＸ線ビ
ームダクト中にＸ線を遮断するシャッタを備え、前記Ｘ
線量検出器には検出されたＸ線量を積算する積算手段を
接続し、前記ウェハに照射すべきＸ線量を設定する照射
量設定手段と、前記積算手段におけるＸ線量の積算値と
前記照射量設定手段で設定された設定値とを比較して、
前記積算値が前記設定値に達した時に前記シャッタを閉
とするシャッタ制御手段とを備えたことを特徴とするＸ
線露光装置が得られる。According to the invention, in addition to the X-ray dose detector, a shutter for blocking X-rays is provided in an X-ray beam duct between the X-ray generation source and the mask, and the X-ray detector is provided.
The dose detector is connected to an integrating means for integrating the detected X-ray dose, and an irradiation amount setting means for setting the X-ray dose to be applied to the wafer, an integrated value of the X-ray dose in the integrating means and the irradiation dose setting. Compare with the set value set by the means,
A shutter control means for closing the shutter when the integrated value reaches the set value.
A line exposure apparatus is obtained.
【００１２】[0012]
【作用】通常、Ｘ線露光装置におけるＸ線は、マスクの
パターン領域全域を均一に照射する必要上、パターン領
域よりも広い領域に照射される。パターン領域外に照射
されるＸ線量は、パターン領域に照射されるＸ線量と実
質上同一であり、このことを利用して、本発明ではパタ
ーン領域外でＸ線量検出器によりＸ線量を検出する。特
に、本発明で使用されるＸ線量検出器は小型であり、露
光に支障を来たさずにＸ線量を検出することができる。In general, X-rays in the X-ray exposure apparatus are required to be uniformly irradiated over the entire pattern area of the mask, and therefore, an area wider than the pattern area is irradiated. The X-ray dose irradiated to the outside of the pattern region is substantially the same as the X-ray dose irradiated to the pattern region. Utilizing this fact, in the present invention, the X-ray dose is detected by the X-ray dose detector outside the pattern region. . In particular, the X-ray dose detector used in the present invention is small and can detect the X-ray dose without disturbing the exposure.
【００１３】[0013]
【実施例】図１は本発明の実施例の概略構成を示す。ウ
ェハテーブル（図示せず）に搭載されたウェハ１１と、
マスクテーブル（図示せず）に搭載されたマスク１２と
が数１０μｍ程度のプロキシミティギャップＰｇをおい
て配置されている。マスク１２の上方であってマスク１
２に設定されたパターン領域の外側領域にＸ線量検出器
１３が配置されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a schematic configuration of an embodiment of the present invention. A wafer 11 mounted on a wafer table (not shown),
The mask 12 mounted on a mask table (not shown) is arranged with a proximity gap Pg of about several tens of μm. Above the mask 12 and the mask 1
The X-ray dose detector 13 is arranged in an area outside the pattern area set to 2.
【００１４】図２はマスク１２を上方から見た図であ
り、マスク１２は、その中央部に厚さ１〜２μｍ程度の
メンブレン１２−１を有し、このメンブレン１２−１内
にパターン領域１２−２が設定されている。Ｘ線のビー
ム断面積は、図中Ｂ１で示すように、メンブレン１２−
１の縦方向寸法よりは小さいが、横方向寸法より大きく
した長四角形であり、これが図中上下方向に振られるこ
とにより、メンブレン１２−１の全領域を照射すること
ができる。そして、Ｘ線量検出器１３は、パターン領域
１２−２よりも外側のＸ線照射領域内に配置される。こ
のためには、Ｘ線量検出器１３は小型である必要があ
る。FIG. 2 is a view of the mask 12 seen from above. The mask 12 has a membrane 12-1 having a thickness of about 1 to 2 μm in the center thereof, and the pattern region 12 is provided in the membrane 12-1. -2 is set. The beam cross-sectional area of the X-ray is, as shown by B1 in the figure, the membrane 12-
The rectangular shape is smaller than the vertical dimension of 1 but larger than the horizontal dimension, and by swaying in the vertical direction in the figure, the entire area of the membrane 12-1 can be irradiated. Then, the X-ray dose detector 13 is arranged in the X-ray irradiation area outside the pattern area 12-2. For this purpose, the X-ray dose detector 13 needs to be small.
【００１５】図３はＸ線量検出器１３の一例を示す。こ
のＸ線量検出器１３は、ケース１３−１の開口部にタン
グステン材によるアパーチャ部１３−２を設け、ケース
１３−１内にはベリリウム材によるＸ線の入射窓１３−
３と、フッ化カルシウムによる発光部１３−４と、フォ
トダイオード１３−５とを内蔵して成り、直径１０ｍ
ｍ、高さ１０ｍｍ程度の大きさの円柱状体に構成されて
いる。FIG. 3 shows an example of the X-ray dose detector 13. This X-ray dose detector 13 is provided with an aperture 13-2 made of a tungsten material in an opening of a case 13-1, and an X-ray entrance window 13-made of a beryllium material is provided in the case 13-1.
3, a light emitting portion 13-4 made of calcium fluoride, and a photodiode 13-5 are built in, and the diameter is 10 m.
m, and the height is about 10 mm.
【００１６】このＸ線量検出器１３では、図３中左方か
ら入射するＸ線を所定大の開口を有するアパーチャ部１
３−２を通すことにより、単位面積当たりのＸ線入射量
を規格化するようにしている。入射窓１３−３は、周囲
の照明光等の可視光による外乱を除去するためのもの
で、Ｘ線のみを発光部１３−４に導入する。発光部１３
−４は、Ｘ線が当たるとその量に応じて蛍光を発する。
フォトダイオード１３−５は、この蛍光を電気信号に変
換しＸ線量検出信号として出力する。なお、発光部１３
−４とフォトダイオード１３−５との間は、フッ化カル
シウムに近い屈折率を有する材料から成る、例えばエポ
キシ系接着剤１３−６で接着されている。In the X-ray dose detector 13, the aperture section 1 having an opening of a predetermined size for the X-ray incident from the left side in FIG.
By passing through 3-2, the X-ray incidence amount per unit area is standardized. The incident window 13-3 is for removing disturbance caused by visible light such as ambient illumination light, and introduces only X-rays into the light emitting section 13-4. Light emitting part 13
-4 emits fluorescence depending on the amount of X-rays hit.
The photodiode 13-5 converts this fluorescence into an electric signal and outputs it as an X-ray dose detection signal. The light emitting unit 13
-4 and the photodiode 13-5 are adhered with, for example, an epoxy adhesive 13-6 made of a material having a refractive index close to that of calcium fluoride.
【００１７】図４は、電子蓄積リング内の電子ビームの
電流検出値と、Ｘ線量検出器１３の検出値との関係を示
した図で、互いに比例関係にあることがわかる。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the detected current value of the electron beam in the electron storage ring and the detected value of the X-ray dose detector 13, and it can be seen that they are proportional to each other.
【００１８】このように、Ｘ線量検出器１３は、非常に
小さいものであるので、図２で説明した狭い領域にも配
置することができる。As described above, since the X-ray dose detector 13 is very small, it can be arranged in the narrow area described with reference to FIG.
【００１９】図１に戻って、Ｘ線量検出器１３には増幅
器１４を介してＸ線量積算装置１５が接続されている。
このＸ線量積算装置１５は、１回当たりの露光処理に際
してＸ線量検出器１３で検出されたＸ線量を積算する。
一方、照射量設定器１６には、１回当たりの露光処理に
必要なＸ線量があらかじめ設定される。差分検出器１７
は、Ｘ線量積算装置１５における積算値が、照射量設定
器１６で設定された設定値に達したかどうかを検出し、
積算値が設定値に達したことを検出すると、シャッタ騒
動部１８にシャッタ閉信号を送出する。シャッタ騒動部
１８は、図５で説明したシャッタ５６を騒動するもの
で、シャッタ閉信号を受けるとシャッタ５６を閉とす
る。勿論、次の露光処理の開始に先立って、Ｘ線量積算
装置１５の積算値はリセットされる。Returning to FIG. 1, an X-ray dose integrating device 15 is connected to the X-ray dose detector 13 via an amplifier 14.
The X-ray dose integration device 15 integrates the X-ray dose detected by the X-ray dose detector 13 in each exposure process.
On the other hand, the dose setting device 16 is preset with the X-ray dose required for each exposure process. Difference detector 17
Detects whether the integrated value in the X-ray dose integrating device 15 has reached the set value set by the dose setting device 16,
When it is detected that the integrated value has reached the set value, a shutter close signal is sent to the shutter disturbance unit 18. The shutter disturbing unit 18 disturbs the shutter 56 described with reference to FIG. 5, and closes the shutter 56 when receiving a shutter closing signal. Of course, the integrated value of the X-ray dose integrating device 15 is reset prior to the start of the next exposure process.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明ではマ
スクに照射されるＸ線量を直接検出しているので、ビー
ムダクト中のミラーにおけるＸ線反射率の経時変化（ミ
ラーへのカーボン付着による）の影響を受けることが無
い。また、マスク部におけるヘリウム濃度変動の影響を
受けることも無いので、ウェハへのＸ線照射量を常に設
定値に維持することができる。As described above, according to the present invention, since the X-ray dose applied to the mask is directly detected, the change over time in the X-ray reflectance of the mirror in the beam duct (due to carbon adhering to the mirror). ) Is not affected. Further, since it is not affected by the helium concentration fluctuation in the mask portion, the X-ray irradiation amount on the wafer can be always maintained at the set value.
【図１】本発明の一実施例の概略構成を示した図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示されたマスク領域を上方から見た図で
ある。FIG. 2 is a view of the mask region shown in FIG. 1 viewed from above.
【図３】本発明に使用されるＸ線量検出器を一部破断し
て示した図である。FIG. 3 is a partially cutaway view of an X-ray dose detector used in the present invention.
【図４】本発明によるＸ線量検出器の検出値とＸ線の発
生源である電子蓄積リングにおける電子ビームの電流検
出値との関係を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a detection value of an X-ray dose detector according to the present invention and a current detection value of an electron beam in an electron storage ring which is an X-ray generation source.
【図５】周知のＸ線露光装置の概略構成を示した図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a known X-ray exposure apparatus.
１１ ウェハ １２ マスク １２−１ メンブレン １２−２ パターン領域 １３ Ｘ線量検出器 １３−１ ケース １３−２ アパーチャ部 １３−３ 入射窓 １３−４ 発光部 １３−５ フォトダイオード 11 Wafer 12 Mask 12-1 Membrane 12-2 Pattern Area 13 X-ray Dose Detector 13-1 Case 13-2 Aperture Section 13-3 Incident Window 13-4 Light Emitting Section 13-5 Photodiode
Claims (2)
ターン領域を有するマスクを備え、該マスクの前記パタ
ーン領域よりも広い所定領域にＸ線を照射するようにし
たＸ線露光装置において、前記マスクの上方であって前
記パターン領域から外れた前記所定領域内に、前記Ｘ線
の照射により蛍光を発生する発光部と前記蛍光を受光す
るフォトダイオードとを含むＸ線量検出器を配置したこ
とを特徴とするＸ線露光装置。1. An X-ray exposure apparatus, comprising: a mask having a pattern area corresponding to a pattern formation area of a wafer, and irradiating an X-ray to a predetermined area wider than the pattern area of the mask. An X-ray dose detector including a light emitting unit that emits fluorescence by the irradiation of the X-rays and a photodiode that receives the fluorescence is arranged in the predetermined region above the pattern region. X-ray exposure device.
前記Ｘ線の発生源と前記マスクとの間のＸ線ビームダク
ト中にＸ線を遮断するシャッタを備え、前記Ｘ線量検出
器には検出されたＸ線量を積算する積算手段を接続し、
前記ウェハに照射すべきＸ線量を設定する照射量設定手
段と、前記積算手段におけるＸ線量の積算値と前記照射
量設定手段で設定された設定値とを比較して、前記積算
値が前記設定値に達した時に前記シャッタを閉とするシ
ャッタ制御手段とを備えたことを特徴とするＸ線露光装
置。2. The X-ray exposure apparatus according to claim 1, wherein
A shutter for blocking X-rays is provided in an X-ray beam duct between the X-ray generation source and the mask, and the X-ray dose detector is connected to an integrating unit for integrating the detected X-ray dose,
The integrated value is set by comparing the irradiation amount setting means for setting the X-ray dose to be applied to the wafer with the integrated value of the X-ray dose in the integrating means and the set value set by the irradiation amount setting means. An X-ray exposure apparatus comprising: a shutter control unit that closes the shutter when the value reaches a value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5003055A JPH06208941A (en) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | X-ray aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5003055A JPH06208941A (en) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | X-ray aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208941A true JPH06208941A (en) | 1994-07-26 |
Family
ID=11546644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5003055A Pending JPH06208941A (en) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | X-ray aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06208941A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141280A (en) * | 2000-08-25 | 2002-05-17 | Asm Lithography Bv | Flat projector, manufacturing method for element and element manufactured thereby |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP5003055A patent/JPH06208941A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141280A (en) * | 2000-08-25 | 2002-05-17 | Asm Lithography Bv | Flat projector, manufacturing method for element and element manufactured thereby |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990224 |