JPH06208133A - Manufacture of liquid crystal display substrate - Google Patents
Manufacture of liquid crystal display substrateInfo
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- JPH06208133A JPH06208133A JP33007392A JP33007392A JPH06208133A JP H06208133 A JPH06208133 A JP H06208133A JP 33007392 A JP33007392 A JP 33007392A JP 33007392 A JP33007392 A JP 33007392A JP H06208133 A JPH06208133 A JP H06208133A
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- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイ基板
の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】TFT(薄膜トランジスタ)を用いたL
CD(液晶ディスプレイ)は非常に優れた高画質を提供
してくれるものとして注目されている。この種のLCD
基板は、図8に示すようにガラス基板1a上にTFT1
bを形成すると共に、例えばそのドレイン電極に電気的
に接続した画素電極1cを、当該TFT1bと隙間を介
して配置し、このように組み合わされた画素ユニットU
を多数配列してなるものであり、例えば一辺が数百μm
程度の角形の画素ユニットUが数十万個配列されてい
る。2. Description of the Related Art L using a TFT (thin film transistor)
CDs (Liquid Crystal Displays) have been attracting attention as they provide extremely high image quality. LCD of this kind
As shown in FIG. 8, the substrate is a TFT 1 on a glass substrate 1a.
The pixel unit 1c which is formed with b and is electrically connected to, for example, the drain electrode thereof is arranged with the TFT 1b via a gap, and the pixel unit U combined in this way
Are arranged in a large number, and for example, one side is several hundred μm.
Hundreds of thousands of rectangular pixel units U are arranged.
【0003】そして画素ユニットUが形成されたガラス
基板上に間隙を介して各画素ユニットUに共通な透明電
極1dを対向して配列し、前記間隙に液晶1eを封入す
ることによって図9の模式図に示すように画素部10が
形成される。更にこの画素部10の外側のガラス基板1
a上に、パッケージ化された駆動回路部をなすICチッ
プ11を画素部10の周縁に沿って複数配列されると共
に、各ICチップ11の端子が画素部10の各画素ユニ
ットUに対応する走査電極配線であるゲート配線及びド
レイン配線に接続されることによりLCD基板が構成さ
れる。The transparent electrodes 1d common to each pixel unit U are arranged facing each other through a gap on the glass substrate on which the pixel unit U is formed, and the liquid crystal 1e is sealed in the gap to form the pattern shown in FIG. The pixel portion 10 is formed as shown in the figure. Further, the glass substrate 1 outside the pixel portion 10
A plurality of IC chips 11 forming a packaged drive circuit unit are arranged on the surface of a along the periphery of the pixel unit 10, and the terminals of each IC chip 11 are scanned corresponding to each pixel unit U of the pixel unit 10. The LCD substrate is configured by being connected to the gate wiring and the drain wiring which are electrode wirings.
【0004】このようなLCD基板の従来の製造方法に
ついては、先ずガラス基板1a上に例えばプラズマCV
Dにより水素化非晶質(アモルファス)シリコン膜を形
成した後この膜上に成膜やエッチングなどの処理を行っ
てTFTを形成し、次いで画素電極とTFTとの接続な
どを行って画素ユニットUを構成した後、パッケージ化
されたICチップ11をガラス基板1aに取り付け、更
にICチップ11と走査電極配線との接続を行った後液
晶1eの封入を行うようにしている。Regarding the conventional method of manufacturing such an LCD substrate, first, for example, plasma CV is formed on the glass substrate 1a.
After forming a hydrogenated amorphous silicon film by D, a film forming or etching process is performed on the film to form a TFT, and then a pixel electrode and a TFT are connected to form a pixel unit U. After the above, the packaged IC chip 11 is attached to the glass substrate 1a, the IC chip 11 and the scanning electrode wiring are connected, and then the liquid crystal 1e is sealed.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで上述のような
TFT−LCDは大面積化、高カラー表示品質が強く望
まれており、ゲート駆動回路部(ゲートドライバ)から
の配線、ソース駆動回路部(ソースドライバ)からの配
線が例えば夫々400本、1920本に及ぶものもあ
り、このため駆動回路部11とTFT液晶画素部の各走
査電極とを電気的に接続するための配線作業が非常に工
数を要し、LCDの高価格化の要因の一つになってい
る。The TFT-LCD as described above is strongly desired to have a large area and high color display quality, and wiring from the gate drive circuit section (gate driver) and source drive circuit section ( The number of wirings from the source driver) is, for example, 400 and 1920, respectively. For this reason, the wiring work for electrically connecting the drive circuit portion 11 and each scanning electrode of the TFT liquid crystal pixel portion is extremely man-hours. This is one of the factors that increase the price of LCDs.
【0006】そこで同一のガラス基板上に成膜処理を行
って駆動回路部の半導体素子を形成すると共に駆動回路
部と画素部との配線も同時に行うことが技術的に解決さ
れれば、駆動回路部を形成する工程にて同時に駆動回路
部と走査電極配線との接続を行うことができるので、I
Cチップをガラス基板上に貼り付ける場合のような煩わ
しい配線作業が不要になり、非常に有効な方法である。Therefore, if it is technically possible to perform film formation processing on the same glass substrate to form the semiconductor element of the drive circuit section and simultaneously perform the wiring between the drive circuit section and the pixel section, the drive circuit will be solved. Since the drive circuit portion and the scan electrode wiring can be simultaneously connected in the step of forming the portion,
This is a very effective method because it eliminates the need for troublesome wiring work such as when a C chip is attached on a glass substrate.
【0007】ここで画素ユニットのTFTについては、
その画素を映像として表示するという機能上から、それ
程高速性が要求されないので、半導体層として非晶質シ
リコンを用いることができるが、駆動回路部について
は、高速スイッチング動作を要求される回路を搭載する
という必要上から動作速度が前記TFTよりも可なり早
くなければならないので、即ちICチップと同等の性能
を有するものでなければならないので、半導体層として
は非晶質シリコンよりも電界効果移動度(mobili
ty)の大きい多結晶シリコンを用いることが必要であ
る。Here, regarding the TFT of the pixel unit,
Due to the function of displaying the pixels as an image, high speed is not required so much, so amorphous silicon can be used as the semiconductor layer, but the drive circuit part is equipped with a circuit that requires high-speed switching operation. Since the operating speed must be considerably faster than that of the TFT, that is, it must have a performance equivalent to that of an IC chip, the semiconductor layer has a field effect mobility higher than that of amorphous silicon. (Mobile
It is necessary to use polycrystalline silicon having a large ty).
【0008】一方多結晶シリコン(ポリシリコン)を得
るためには例えば減圧CVDにより600℃程度以上に
加熱して成膜処理を行わなければならないが、低価格の
ガラス基板は熱歪点が600℃程度であって、600℃
もの高温に耐え得るガラス基板は高価格であることか
ら、結局LCD価格が高くなってしまう。On the other hand, in order to obtain polycrystalline silicon (polysilicon), it is necessary to heat the film to a temperature of about 600 ° C. or more by low pressure CVD to perform the film forming process, but a low cost glass substrate has a thermal strain point of 600 ° C. About 600 ℃
Since the glass substrate that can withstand a high temperature is expensive, the LCD price will eventually increase.
【0009】このようなことから先ず例えばプラズマC
VDにより温度約300℃の雰囲気でガラス基板上に大
面積の水素化非晶質シリコン膜(以下「a−Si:H
膜」という)を形成し、次いでこのa−Si:H膜に対
してレーザ光を照射して局部的に例えば表面積温度が1
200℃程度となるように加熱し、これによりa−S
i:H膜を多結晶化して多結晶シリコン膜を生成し、こ
れを半導体層として駆動回路部を形成する方法が検討さ
れている。From the above, first, for example, plasma C
A large area hydrogenated amorphous silicon film (hereinafter referred to as "a-Si: H") is formed on a glass substrate in an atmosphere at a temperature of about 300 ° C. by VD.
Film) and then irradiating the a-Si: H film with laser light to locally e.g.
It is heated to about 200 ° C, which gives aS
A method of forming a polycrystalline silicon film by polycrystallizing an i: H film and using this as a semiconductor layer to form a drive circuit section has been studied.
【0010】この方法によればa−Si:H膜の形成工
程時の加熱温度が低いので低温による品質の良い膜が大
型ガラス基板上に得られ、またレーザ光による加熱処
理、即ちレーザアニールは瞬間的に(例えばKrFの場
合23nsec)非晶質シリコン膜を加熱して多結晶化
するので、ガラス基板まで熱が伝わらず、従ってガラス
基板としては大きな耐熱性が要求されないので安価な材
質を使用することができ、大面積透過形液晶ディスプレ
イの製造が可能となる。According to this method, since the heating temperature at the time of forming the a-Si: H film is low, a good quality film can be obtained at a low temperature on a large glass substrate, and the heat treatment by laser light, that is, laser annealing is performed. Since the amorphous silicon film is instantaneously heated (for example, 23 nsec in the case of KrF) to be polycrystallized, heat is not transmitted to the glass substrate, and therefore, a large heat resistance is not required for the glass substrate, so an inexpensive material is used. Therefore, a large-area transmissive liquid crystal display can be manufactured.
【0011】ところでa−Si:H膜をレーザ光により
多結晶化する方法は、レーザ光の照射時にa−Si:H
膜中から水素が放出されるので、水素放出に伴う膜の損
傷を避ける必要があり、このためレーザ光の照射エネル
ギーの大きさや照射方法などについて種々の研究がされ
ている。ここで本発明者は、画素領域の周囲に沿ってレ
ーザ光を照射するにあたり、レーザ光をa−Si:H膜
の表面にパルス状に照射して、多結晶化された駆動回路
部領域を画素領域の周囲に沿って帯状に形成し、当該駆
動回路部領域に駆動回路部を配列して形成する方法を検
討している。By the way, a method of polycrystallizing an a-Si: H film by laser light is a-Si: H at the time of laser light irradiation.
Since hydrogen is released from the film, it is necessary to avoid damage to the film due to hydrogen release. For this reason, various studies have been conducted on the amount of laser beam irradiation energy and the irradiation method. Here, the present inventor, when irradiating the laser light along the periphery of the pixel region, irradiates the surface of the a-Si: H film with the laser light in a pulsed manner to form the polycrystallized drive circuit portion region. A method of forming a strip shape along the periphery of the pixel area and arranging the drive circuit portions in the drive circuit portion area is being studied.
【0012】しかしながらこの方法は次のような問題が
ある。即ち図10は、レ−ザ光のパルスの移動とその照
射領域における電界効果移動度との関係を示す図であ
り、レ−ザ光の強度分布は照射面方向に対しては均一で
あり、それと直交する方向に対しては台形状である。図
10(a)に示すようにレーザ光のパルス同士(パルス
照射領域同士)の重なり部分が無い場合には、パルス境
界部分において、a−Si:H膜に与えられたレーザ光
の照射エネルギーが無い部分が存在するので多結晶シリ
コン領域とa−Si:H領域とが存在する。ここで多結
晶シリコン及びa−Si:Hの電界効果移動度(mob
ility)は夫々例えば30〜300cm2 /V・
s、0.3〜1cm2 /V・sであり、多結晶シリコン
の電界効果移動度はa−Si:Hよりも2桁以上大きい
ので、駆動回路部を構成する半導体素子のばらつきが大
きい。However, this method has the following problems. That is, FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the movement of the pulse of the laser light and the field effect mobility in the irradiation region, and the intensity distribution of the laser light is uniform in the irradiation surface direction, It is trapezoidal in the direction orthogonal to it. As shown in FIG. 10A, when there is no overlapping portion of the laser light pulses (pulse irradiation regions), the irradiation energy of the laser light given to the a-Si: H film is at the pulse boundary portion. Since there is no portion, a polycrystalline silicon region and an a-Si: H region are present. Here, the field effect mobility (mob) of polycrystalline silicon and a-Si: H
ilities) are, for example, 30 to 300 cm 2 / V.
s, 0.3 to 1 cm 2 / V · s, and the field-effect mobility of polycrystalline silicon is larger than that of a-Si: H by two digits or more, so that the semiconductor elements included in the driver circuit portion have large variations.
【0013】また図10(b)に示すようにレーザ光の
パルスの重なる部分が存在する場合にも以下の理由で電
界効果移動度がばらつく。即ち図10(b)のように第
1照射領域にてa−Si:H膜が多結晶化された後第2
照射領域に移る場合、第2照射領域では多結晶シリコン
の領域とa−Si:Hの領域とが混在しているため、レ
−ザ光の横モ−ド(レ−ザパワ−断面)が均一であって
も、多結晶シリコン及びa−Si:Hの融点が夫々14
14℃であり、これらの融点が異なるため、図10
(b)の電界効果移動度の図からわかるように、レ−ザ
光の照射領域の継目で電界効果移動度を均一にすること
が困難だからである。Also, as shown in FIG. 10B, the field effect mobility varies due to the following reasons even when there are overlapping portions of laser light pulses. That is, as shown in FIG. 10B, after the a-Si: H film is polycrystallized in the first irradiation region, the second
When moving to the irradiation region, since the polycrystalline silicon region and the a-Si: H region are mixed in the second irradiation region, the lateral mode of laser light (laser power section) is uniform. However, the melting points of polycrystalline silicon and a-Si: H are 14
Since it is 14 ° C. and these melting points are different,
This is because it is difficult to make the field-effect mobility uniform at the joint of the laser light irradiation region, as can be seen from the field-effect mobility diagram in (b).
【0014】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、駆動回路部の性能が低下す
ることのないLCD基板の製造方法を提供することにあ
る。The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an LCD substrate in which the performance of the drive circuit section is not deteriorated.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、光透
過性の基板上に、画素領域内に配置されたスイッチング
素子と、このスイッチング素子を駆動する駆動回路部と
を備えた液晶ディスプレイ基板を製造する方法におい
て、前記光透過性の基板上に、非晶質半導体膜を成膜す
る工程と、前記非晶質半導体膜に島状にレーザ光のパル
スを照射して非晶質半導体膜を多結晶化する工程と、前
記レーザ光のパルスの照射領域内に半導体素子よりなる
駆動回路部を生成する工程と、この駆動回路部とスイッ
チング素子とを電気的に接続するための配線層を形成す
る工程と、を含むことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising a light-transmissive substrate, a switching element arranged in a pixel region, and a drive circuit section for driving the switching element. In the method of manufacturing a substrate, a step of forming an amorphous semiconductor film on the light-transmissive substrate, and the amorphous semiconductor film is irradiated with a pulse of laser light in an island shape. A step of polycrystallizing the film, a step of generating a drive circuit section made of a semiconductor element in the irradiation region of the pulse of the laser light, and a wiring layer for electrically connecting the drive circuit section and the switching element. And a step of forming.
【0016】請求項2の発明は、光透過性の基板上に、
画素領域内に配置されたスイッチング素子と、このスイ
ッチング素子を駆動するシフトレジスタとを備えた液晶
ディスプレイ基板を製造する方法において、前記光透過
性の基板上に、非晶質半導体膜を成膜する工程と、前記
非晶質半導体膜に複数の島状にレーザ光のパルスを照射
して非晶質半導体膜を多結晶化する工程と、前記レーザ
光のパルスの照射領域内に前記シフトレジスタを分割し
て生成する工程と、これら分割されたシフトレジスタ
間、及びシフトレジスタとスイッチング素子とを電気的
に接続するための配線層を形成する工程と、を含み、前
記シフトレジスタの少なくともトランジスタは、レ−ザ
光のパルスの照射領域内に配置されていることを特徴と
するAccording to a second aspect of the present invention, a light-transmitting substrate is provided,
In a method of manufacturing a liquid crystal display substrate including a switching element arranged in a pixel region and a shift register for driving the switching element, an amorphous semiconductor film is formed on the light transmissive substrate. A step of irradiating the amorphous semiconductor film with a pulse of laser light in a plurality of islands to polycrystallize the amorphous semiconductor film; and a step of forming the shift register in a region irradiated with the pulse of the laser light. A step of forming by dividing, and a step of forming a wiring layer for electrically connecting between the divided shift registers and between the shift register and the switching element, at least a transistor of the shift register, It is characterized in that it is arranged in the irradiation area of the laser light pulse.
【0017】[0017]
【作用】例えばガラス基板の表面全体に減圧CVDある
いはプラズマCVDにより非晶質半導体膜を形成し、例
えば画素領域の周囲における非晶質半導体膜に島状にレ
ーザ光のパルスを照射する。これによりレーザ光の照射
された領域では非晶質半導体膜が多結晶化するがレーザ
光の照射エネルギーが均一であるから、非晶質半導体膜
に与えられるレーザ光の照射エネルギーを適切な大きさ
にすれば、照射領域の全体が均一に良好に多結晶化さ
れ、このため当該多結晶半導体膜の上に成膜処理、エッ
チングを繰り返して駆動回路部の半導体素子を形成すれ
ば良好な性能の駆動回路部が得られる。For example, an amorphous semiconductor film is formed on the entire surface of the glass substrate by low pressure CVD or plasma CVD, and the amorphous semiconductor film around the pixel region is irradiated with a pulse of laser light in an island shape. As a result, the amorphous semiconductor film is polycrystallized in the region irradiated with the laser light, but the irradiation energy of the laser light is uniform. If so, the entire irradiation region is uniformly and favorably polycrystallized. Therefore, if the semiconductor device of the drive circuit unit is formed by repeating the film formation process and etching on the polycrystal semiconductor film, good performance can be obtained. A drive circuit unit is obtained.
【0018】[0018]
【実施例】以下本発明の実施例について説明すると、本
発明の実施例では先ず図1(a)に示すように光透過性
の基板例えばガラス基板1上に減圧CVDにより非晶質
半導体膜である非晶質シリコン膜2を成膜する。この工
程を減圧CVD法で行う場合には、例えばモノシラン
(SiH4 )ガスやジシランガス(Si2 H6 )を反応
ガスとして用い、例えば基板温度450℃〜520℃、
圧力数Torrの反応条件で非晶質半導体膜が成膜され
る。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. In the examples of the present invention, first, as shown in FIG. 1A, an amorphous semiconductor film is formed on a transparent substrate such as a glass substrate 1 by low pressure CVD. A certain amorphous silicon film 2 is formed. When this step is performed by the low pressure CVD method, for example, monosilane (SiH 4 ) gas or disilane gas (Si 2 H 6 ) is used as a reaction gas, and the substrate temperature is 450 ° C. to 520 ° C., for example.
An amorphous semiconductor film is formed under the reaction condition of pressure Torr.
【0019】次いで図1(b)に示すようにレーザ光照
射部3により例えば一辺が数ミリの角形のビーム断面形
状を有するレーザ光を、前記非晶質シリコン膜2におけ
る周縁部に縦の一辺及び横の一辺に沿って、照射領域2
1の相互離間間隔dが例えば数ミリ程度となるように島
状に照射し、これにより非晶質シリコン膜2のレーザ光
照射領域21例えば多数の島領域が多結晶化(ポリ化)
されて多結晶シリコン(ポリシリコン)に変わる。Next, as shown in FIG. 1 (b), laser light having a rectangular beam cross-sectional shape, for example, one side of which is several millimeters, is irradiated by the laser light irradiating unit 3 to the peripheral edge of the amorphous silicon film 2 along one vertical side. And the irradiation area 2 along one side
Irradiation is performed in an island shape so that the distance d between the two is, for example, about several millimeters, so that the laser light irradiation area 21 of the amorphous silicon film 2, for example, a large number of island areas is polycrystallized.
It is changed to polycrystalline silicon (polysilicon).
【0020】レーザ光の照射については、例えばエキシ
マレーザにより非晶質シリコン膜が多結晶化するに十分
なパワー密度(単位面積当りの照射エネルギー)のレー
ザ光のパルスを例えば1パルスずつ当てるようにすれば
よいが、その前に前記パワー密度よりも小さなパワー密
度のパルスを1パルスあるいは複数パルス照射ようにし
てもよい。なおエキシマレーザとしてはKrF(パルス
幅23nsec)やXeCl(パルス幅25nsec)
などを用いることができる。Regarding the irradiation of laser light, for example, one pulse of laser light having a power density (irradiation energy per unit area) sufficient to polycrystallize an amorphous silicon film by an excimer laser is applied. However, before that, one pulse or a plurality of pulses having a power density smaller than the power density may be irradiated. As the excimer laser, KrF (pulse width 23 nsec) or XeCl (pulse width 25 nsec) is used.
Etc. can be used.
【0021】その後図1(c)及び図2Aに示すように
基板のレーザ光照射領域21内(多結晶シリコン領域
内)に所定の成膜処理、エッチング工程を繰り返して半
導体素子例えばLSIよりなる駆動回路部4が生成され
る。この駆動回路部4は、後述のTFTのゲート電極を
駆動するように図2中縦に並ぶゲート用駆動回路部41
とTFTのソース電極を駆動するように横に並ぶソース
用駆動回路部42とからなる。Thereafter, as shown in FIGS. 1C and 2A, a predetermined film forming process and an etching process are repeated in the laser light irradiation region 21 (in the polycrystalline silicon region) of the substrate to drive a semiconductor device such as an LSI. The circuit unit 4 is generated. The drive circuit unit 4 includes a gate drive circuit unit 41 arranged vertically in FIG. 2 so as to drive a gate electrode of a TFT described later.
And a source drive circuit portion 42 arranged side by side so as to drive the source electrode of the TFT.
【0022】この実施例では、縦に一列に並ぶゲ−ト用
駆動回路部41の群によってゲ−ト用のシフトレジスタ
が構成され、横に一列に並ぶソ−ス用駆動回路部42の
群によってソ−ス用のシフトレジスタが構成されてい
る。即ち図2Bに示すようにゲ−ト用のシフトレジスタ
及びソ−ス用のシフトレジスタはいずれも島状に分割さ
れ、各島領域(照射領域21)内にトランジスタを含む
駆動回路部4(駆動回路部41または駆動回路部42)
が形成され、各島領域の間は配線層40のみ形成し、駆
動回路部4が存在しないように構成されている。なお5
1は後述のゲ−トバスラインやソ−スバスラインなどの
配線層である。また本発明では、シフトレジスタの少な
くともトランジスタが島領域のエッジ部分にかからない
ように島領域の中に形成されていればよい。In this embodiment, a group of gate drive circuit units 41 arranged vertically in a row constitutes a gate shift register, and a group of source drive circuit units 42 arranged horizontally in a line. The source shift register is constituted by the above. That is, as shown in FIG. 2B, both the gate shift register and the source shift register are divided into islands, and a drive circuit unit 4 (driving circuit) including a transistor in each island region (irradiation region 21) is provided. Circuit part 41 or drive circuit part 42)
Is formed, and only the wiring layer 40 is formed between the island regions, and the drive circuit section 4 is not present. 5
Reference numeral 1 is a wiring layer such as a gate bus line and a source bus line described later. Further, in the present invention, at least the transistor of the shift register may be formed in the island region so as not to cover the edge portion of the island region.
【0023】更に非晶質シリコン膜2の画素領域50内
に所定の成膜処理、エッチングを繰り返して行うことに
より、スイッチング素子であるTFT(Thin Fi
lmTransistor)5が画素数に対応する数だ
け縦横に配列して形成される。そして駆動回路部4同士
を電気的に接続するための配線、及びTFT5と駆動回
路部4とを電気的に接続するための配線を行うことが必
要であるが、この配線工程は、例えばTFT5を生成す
る工程において、成膜処理、リングラフィー、及びエッ
チングを繰り返してゲート電極、ソース電極の形成と同
時にゲートバスラインやソースバスラインなどの例えば
アルミニウムからなる配線層51(図1(d)参照)を
形成することによって行うことができる。また配線層5
1は駆動回路部4の半導体素子の電極の形成と同時に形
成してもよいし、駆動回路部4及びTFT5の電極を同
時に形成しかつこの電極形成時に同時に形成してもよ
く、あるいはTFT5及び駆動回路部4を生成した後に
形成してもよい。Further, a predetermined film forming process and etching are repeatedly performed in the pixel region 50 of the amorphous silicon film 2 to thereby perform a TFT (Thin Fi) functioning as a switching element.
lmTransistors) 5 are formed by arranging them in the vertical and horizontal directions by the number corresponding to the number of pixels. Then, it is necessary to perform wiring for electrically connecting the drive circuit portions 4 to each other and wiring for electrically connecting the TFT 5 and the drive circuit portion 4. In this wiring step, for example, the TFT 5 is connected. In the step of forming, a wiring layer 51 made of, for example, aluminum such as a gate bus line and a source bus line is formed at the same time when the gate electrode and the source electrode are formed by repeating film formation processing, linography, and etching (see FIG. 1D). It can be performed by forming. Wiring layer 5
1 may be formed at the same time as the electrodes of the semiconductor element of the drive circuit section 4 are formed, or the electrodes of the drive circuit section 4 and the TFT 5 may be formed at the same time and at the same time when the electrodes are formed. It may be formed after the circuit unit 4 is generated.
【0024】また駆動回路部4をなす半導体素子及びT
FT5はプレナー型や逆スタッガ型など種々のデバイス
のタイプを選択することができ、従って非晶質シリコン
膜2の上に駆動回路部4及びTFT5を生成するといっ
てもデバイスのタイプによっては電極などが非晶質シリ
コン膜2の下に位置する場合もある。そしてまた上述の
例では駆動回路部4を生成した後にTFT5を生成して
いるが、TFT5を先に生成してもよいし、あるいは駆
動回路部4とTFT5の一部を同時に生成してもよい。
このようにしてLCD基板10が製造され、このLCD
基板10に透明基板が貼り合わされた後液晶を封入して
LCDパネルが構成されることとなる。Further, the semiconductor element and the T forming the drive circuit unit 4
Various device types such as a planar type and an inverted stagger type can be selected for the FT5. Therefore, even if the drive circuit section 4 and the TFT 5 are formed on the amorphous silicon film 2, depending on the type of device, electrodes, etc. May be located under the amorphous silicon film 2. Further, in the above example, the TFT 5 is generated after the drive circuit unit 4 is generated, but the TFT 5 may be generated first, or the drive circuit unit 4 and a part of the TFT 5 may be generated at the same time. .
In this way, the LCD substrate 10 is manufactured, and the LCD
After the transparent substrate is attached to the substrate 10, the liquid crystal is enclosed to form the LCD panel.
【0025】上述の実施例では、基板の周縁に沿って非
晶質シリコン膜2に島状にレーザ光のパルスを照射して
多数のレーザ光照射領域21(島領域)を形成し、これ
により各島領域を多結晶化しているため、そのレーザ光
の照射領域21内はレーザ光の照射エネルギーが均一で
あり、従ってレーザ光の照射エネルギーを適切な大きさ
にすることによりいずれの島領域についてもその領域内
は均一に良好に多結晶化される。このためその領域の上
につまり多結晶シリコン膜の上に成膜処理、エッチング
を繰り返して形成した駆動回路部4をなす半導体素子は
いずれも良好な性能を有するものになり、この結果LC
D基板の製造にあたり非晶質シリコン膜を利用した駆動
回路部の生成と駆動回路部及びTFTの成膜処理による
配線とを実現できるので、LCD基板の製造が容易にな
る。In the above embodiment, the amorphous silicon film 2 is irradiated with a pulse of laser light in an island shape along the periphery of the substrate to form a large number of laser light irradiation areas 21 (island areas). Since each island region is polycrystallized, the irradiation energy of the laser light is uniform in the irradiation region 21 of the laser light. Therefore, by adjusting the irradiation energy of the laser light to an appropriate size, which island region is In that region, too, polycrystallization is uniformly and favorably performed. Therefore, the semiconductor element forming the drive circuit section 4 formed by repeating the film forming process and the etching on the region, that is, on the polycrystalline silicon film, has good performance.
In the manufacture of the D substrate, it is possible to realize the generation of the drive circuit unit using the amorphous silicon film and the wiring by the film formation process of the drive circuit unit and the TFT, so that the LCD substrate is easily manufactured.
【0026】以上において非晶質シリコン膜2の成膜方
法については、減圧CVDに限らずプラズマCVDによ
り成膜してもよく、この場合例えばモノシランガスと水
素ガスとを用い、例えば反応温度180℃〜300℃、
圧力0.8Torrの条件で成膜することができる。こ
こでプラズマCVDを利用する場合には非晶質シリコン
膜中に水素が取り込まれてa−Si:H膜(水素化非晶
質シリコン膜)が成膜されることになるので、レーザ光
照射工程では、レーザアニール時における水素の急激な
放出に伴う膜の損傷を抑えるために例えば次のようにし
てレーザ光を照射することが望ましい。In the above, the method for forming the amorphous silicon film 2 is not limited to the low pressure CVD, but may be formed by plasma CVD. In this case, for example, monosilane gas and hydrogen gas are used, and the reaction temperature is 180 ° C. 300 ° C,
The film can be formed under the condition of a pressure of 0.8 Torr. Here, when plasma CVD is used, hydrogen is taken into the amorphous silicon film to form an a-Si: H film (hydrogenated amorphous silicon film). In the process, it is desirable to irradiate the laser light in the following manner, for example, in order to suppress damage to the film due to rapid release of hydrogen during laser annealing.
【0027】即ちレーザ光の出力エネルギーをa−S
i:H膜が多結晶化するに必要なエネルギー以下のエネ
ルギーではじめは小さくしておいて1パルスあるいは複
数パルス照射し、次いでネルギーを順次大きくして夫々
例えば1パルスあるいは複数パルス照射し、このように
してa−Si:H膜中の水素を除々に放出した後最後に
多結晶化するに必要なエネルギー以上のエネルギーで例
えば1パルス照射することにより当該照射領域を多結晶
化する。続いて別の領域に対して同様にしてレーザ光を
照射して、こうして多結晶シリコン領域を島状に形成す
る。なお各エネルギー毎にレーザ光のパルスを複数パル
ス照射する場合には、水素の放出量を監視してその量が
各パルス毎にあまり変わらなくなってから、エネルギー
を次の大きな値に設定して同様の工程を行うことが望ま
しい。That is, the output energy of the laser beam is aS
i: H energy is lower than the energy required for polycrystallizing, and is first made small and irradiated with one pulse or a plurality of pulses, and then the energy is increased successively, for example, with one pulse or a plurality of pulses, respectively. As described above, the hydrogen in the a-Si: H film is gradually released, and then the irradiation region is polycrystallized by irradiating, for example, one pulse with an energy equal to or higher than the energy required for the polycrystallization at the end. Subsequently, another region is similarly irradiated with laser light to form a polycrystalline silicon region in an island shape. When multiple pulses of laser light are emitted for each energy, the amount of hydrogen released is monitored, and after that amount does not change much for each pulse, the energy is set to the next large value and the same applies. It is desirable to perform the process of.
【0028】このような方法によれば、小さいエネルギ
ーに対応した水素から大きいエネルギーに対応した水素
へと順次放出されていくので、a−Si:H膜中の水素
が段階的に放出され、a−Si:H膜を多結晶化するた
めに必要な大きなエネルギーを加えたときには既に膜中
の水素の含有量は少ないので、これら水素が一気に放出
されても膜を損傷させることがない。According to such a method, since hydrogen corresponding to a small energy is sequentially released to hydrogen corresponding to a large energy, the hydrogen in the a-Si: H film is released stepwise, and a Since the hydrogen content in the film is already small when a large amount of energy required to polycrystallize the —Si: H film is applied, the film is not damaged even if the hydrogen is released all at once.
【0029】次に前記非晶質シリコン膜2にレーザ光を
照射して多結晶化するために用いるレーザアニール装置
及びその方法に関して詳述する。この装置は、図3及び
図4に示すように空気圧を利用した空気支持機構6を装
置の基台として用いており、この空気支持機構6は、剛
性のある材質例えば金属よりなる支持プレート61が空
気圧により浮上した状態ででエアーサスペンションによ
り支持され、常に水平になるように空気圧が制御されて
いる。前記支持プレート61上には、支持台62を介し
て、処理室例えばアルミニウム製の気密な円筒状の真空
チャンバ63が載置して固定されており、この真空チャ
ンバ63内には、上述のようにガラス基板上に非晶質シ
リコン膜をつけた基板20を、被処理面が下向きになる
ように保持するための、載置台64が配置されている。
更にこの真空チャンバ63には、例えば図示しない真空
ポンプに接続された排気管65が連結されると共に、前
記基板20上の非晶質シリコン膜から発生した水素の発
生量を測定するための質量分析計66が設置されてお
り、更に基板20を真空チャンバと外部(大気雰囲気)
との間で搬出入するためのゲートバルブG(図4では図
示せず)が設けられている。そして前記真空チャンバ6
3の底壁には後述のレーザ光が透過できるように例えば
合成石英ガラス製の窓67が形成されている。Next, a laser annealing apparatus and method for irradiating the amorphous silicon film 2 with laser light to polycrystallize it will be described in detail. This apparatus uses an air support mechanism 6 utilizing air pressure as a base of the apparatus as shown in FIGS. 3 and 4, and the air support mechanism 6 includes a support plate 61 made of a rigid material such as metal. It is supported by an air suspension in a state of being floated by air pressure, and the air pressure is controlled so that it is always horizontal. A processing chamber, for example, an airtight cylindrical vacuum chamber 63 made of aluminum is placed and fixed on the support plate 61 via a support base 62. In the vacuum chamber 63, as described above, Further, a mounting table 64 is arranged to hold the substrate 20 having the amorphous silicon film on the glass substrate so that the surface to be processed faces downward.
Further, an exhaust pipe 65 connected to, for example, a vacuum pump (not shown) is connected to the vacuum chamber 63, and mass spectrometry for measuring the amount of hydrogen generated from the amorphous silicon film on the substrate 20. A total of 66 are installed, and the substrate 20 is further connected to the vacuum chamber and the outside (atmosphere atmosphere).
A gate valve G (not shown in FIG. 4) for carrying in and out is provided between and. And the vacuum chamber 6
A window 67 made of, for example, synthetic quartz glass is formed in the bottom wall of the glass 3 so that a laser beam described later can be transmitted therethrough.
【0030】前記真空チャンバ63の下方側における支
持プレート61上には、レーザ光照射部7及びこのレー
ザ光照射部7を水平方向例えばX方向、Y方向に移動さ
せるための移動機構70が配置されている。この移動機
構70は、例えば支持プレート61にX方向に設置され
たレール71に沿って移動するX移動部72と、このX
移動部72上にY方向に設置されたレール73に沿って
移動するY移動部74とから構成され、Y移動部74上
に前記レーザ光照射部7が搭載されている。On the support plate 61 below the vacuum chamber 63, a laser beam irradiation unit 7 and a moving mechanism 70 for moving the laser beam irradiation unit 7 in the horizontal direction, for example, the X direction and the Y direction, are arranged. ing. The moving mechanism 70 includes, for example, an X moving unit 72 that moves along a rail 71 installed on the support plate 61 in the X direction, and an X moving unit 72.
The laser beam irradiation unit 7 is mounted on the Y moving unit 74. The Y moving unit 74 is configured to move along a rail 73 installed on the moving unit 72 in the Y direction.
【0031】前記レーザ光照射部7は、図示しない例え
ばエキシマレーザ光発振源より光学系ビームホモナイザ
ーを介して伝送された波長248nmのレーザ光をZ方
向に即ち真空チャンバ63の底面に向けて照射するため
のものであり、移動機構70によりX方向、Y方向に移
動して例えば前記基板20の被処理面を走査照射する。
前記工学系ビームホモナイザーを経由したレーザ光は、
レーザビーム内の強度分布を照射面方向に対しては均一
に、かつそれと直行する方向に対しては台形状とし、こ
のレーザ光を用いて前記被処理面を走査しながらレーザ
照射することができる。The laser light irradiation unit 7 irradiates a laser light having a wavelength of 248 nm transmitted from an excimer laser light oscillation source (not shown) through an optical system beam homogenizer in the Z direction, that is, toward the bottom surface of the vacuum chamber 63. The moving mechanism 70 moves in the X and Y directions to scan and irradiate the surface to be processed of the substrate 20, for example.
Laser light passed through the engineering beam homogenizer,
The intensity distribution in the laser beam is uniform with respect to the irradiation surface direction and has a trapezoidal shape in a direction orthogonal to the irradiation surface direction, and laser irradiation can be performed while scanning the surface to be processed using this laser light. .
【0032】次に上述の装置を用いて非晶質シリコン膜
2を多結晶化する方法について述べる。先ずゲートバル
ブGを開いて図示しない搬送機構により、前記基板20
を真空チャンバ63内の載置台64に、被処理面を下側
に向けて載置し、その後ゲートバルブGを閉じてから図
示しない真空ポンプにより排気管65を介して真空チャ
ンバ63内を例えば圧力2.5×10−7Torrの真
空雰囲気まで真空引きする。しかる後移動機構70によ
りレーザ光照射部7を間欠的に移動させ、エキシマレー
ザ光発振源より伝送されたレーザ光をレーザ光照射部7
を介して、前記基板20の非晶質シリコン膜に照射す
る。Next, a method of polycrystallizing the amorphous silicon film 2 using the above-mentioned apparatus will be described. First, the gate valve G is opened and the substrate 20 is moved by a transfer mechanism (not shown).
Is placed on a mounting table 64 in the vacuum chamber 63 with the surface to be processed facing downward, and then the gate valve G is closed, and then the inside of the vacuum chamber 63 is pressurized via the exhaust pipe 65 by a vacuum pump (not shown). Evacuate to a vacuum atmosphere of 2.5 × 10 −7 Torr. After that, the laser light irradiation unit 7 is intermittently moved by the moving mechanism 70, and the laser light transmitted from the excimer laser light oscillation source is irradiated with the laser light irradiation unit 7.
The amorphous silicon film on the substrate 20 is irradiated via
【0033】レーザ光を非晶質シリコン膜に照射する方
法については、例えばパルス幅が23nsecのレーザ
光パルスを1パルス照射し、次いで移動機構70を駆動
してその照射領域(図1、図2中の21)から所定間隔
離れた領域に同様に照射し、こうして移動機構70を制
御することによりレーザ光を基板20の周縁部に沿って
縦及び横に島状に照射する。Regarding the method of irradiating the amorphous silicon film with laser light, for example, one pulse of laser light pulse having a pulse width of 23 nsec is irradiated, and then the moving mechanism 70 is driven to irradiate the irradiation region (FIGS. 1 and 2). Similarly, a region distant from the inside 21) is irradiated with a predetermined distance, and by controlling the moving mechanism 70 in this manner, the laser light is irradiated vertically and horizontally in an island shape along the peripheral edge of the substrate 20.
【0034】ここでプラズマCVDによりガラス基板上
にa−Si:H膜を成膜した場合、このa−Si:H膜
にレーザ光を照射するにあたって照射エネルギーを段階
的に大きくしていくことが望ましいことを既に述べた
が、その方法の利点を確認するために行った実験結果を
図5、図6に示す。図中縦軸は質量分析計の出力電流
(水素放出量に対応する)、横軸はレーザ光の照射エネ
ルギーであり、この実験ではa−Si:H膜を6個の領
域に分割し、各領域1〜6毎に表1に示すようにレーザ
光の照射エネルギー(発振側)を段階的に大きくして水
素放出量を調べている。When an a-Si: H film is formed on the glass substrate by plasma CVD, the irradiation energy may be increased stepwise when the a-Si: H film is irradiated with laser light. As mentioned above, the results of experiments performed to confirm the advantages of the method are shown in FIGS. In the figure, the vertical axis represents the output current of the mass spectrometer (corresponding to the amount of hydrogen released), and the horizontal axis represents the irradiation energy of the laser beam. In this experiment, the a-Si: H film was divided into 6 regions, and As shown in Table 1, the irradiation energy of the laser beam (oscillation side) is increased stepwise for each of the regions 1 to 6, and the hydrogen release amount is examined.
【0035】[0035]
【表1】 ただし図5、図6はa−Si:H膜の膜厚が夫々500
オングストローム、300オングストロームであり、2
0Hz、10Hzとはレ−ザのパルスの周波数である。
またレ−ザ発振源から基板までの光路長は230mm、
ビ−ムサイズは0.65cm×0.65cm、真空チャ
ンバ内の圧力は図5の場合1.0×10 −7Torr、
図6の場合2.0×10−7Torrである。この実験
結果からわかるように段階的に照射エネルギーを大きく
することにより水素放出量が急激に増えないので、水素
放出に伴う膜の損傷が抑えられる。[Table 1]However, in FIGS. 5 and 6, the film thickness of the a-Si: H film is 500, respectively.
Angstrom, 300 Angstrom, 2
0 Hz and 10 Hz are laser pulse frequencies.
Also, the optical path length from the laser oscillation source to the substrate is 230 mm,
Beam size is 0.65 cm x 0.65 cm, vacuum chamber
In the case of Fig. 5, the pressure in the chamber is 1.0 x 10 -7Torr,
In the case of FIG. 6, 2.0 × 10-7Torr. This experiment
As you can see from the results, increase the irradiation energy stepwise
By doing so, the amount of hydrogen released does not increase sharply.
Damage to the membrane due to release is suppressed.
【0036】以上において本発明では、レーザ光の照射
方法が上述の実施例に限定されるものではなく、例えば
ある照射エネルギーで1パルスずつ島状に照射した後、
これら照射領域に対してより大きな照射エネルギーで同
様に順次照射するなどの方法を用いてもよい。In the above, in the present invention, the irradiation method of the laser beam is not limited to the above-mentioned embodiment, and for example, after irradiating one pulse at a certain irradiation energy in an island shape,
A method of sequentially irradiating these irradiation regions with a larger irradiation energy may be used.
【0037】またレーザ光の照射方法は、例えば多数の
レーザ光ビームが間隔をおいて一列に並ぶように光学系
を構成してこれらレーザ光ビームを同時に非晶質シリコ
ン膜に照射し、これにより島状の多数の多結晶領域を同
時に形成するようにしてもよい。更にはまた図7(a)
に示すように断面形状が例えば数ミリ×100ミリ程度
の帯状のレーザ光をレーザ光照射部3から非晶質半導体
膜2に照射してもよいし、あるいはまた図7(b)に示
すように断面形状がL時形のレーザ光を照射してもよ
い。即ち本発明においてレーザ光のパルスを島状に照射
するとは、複数の島状の照射領域を形成する場合及び1
個の島状の照射領域を形成する場合のいずれも相当する
ものであり、その形状、大きさは適宜光学系を設計する
ことにより選定すればよい。The laser light irradiation method is, for example, an optical system in which a large number of laser light beams are arranged in a line at intervals and the laser light beams are simultaneously irradiated to the amorphous silicon film. A large number of island-shaped polycrystalline regions may be formed simultaneously. Furthermore, FIG. 7 (a)
As shown in FIG. 7, the amorphous semiconductor film 2 may be irradiated with a band-shaped laser beam having a cross-sectional shape of, for example, about several millimeters × 100 millimeters, or as shown in FIG. A laser beam having a L-shaped cross-section may be irradiated on. That is, in the present invention, irradiation with a pulse of laser light in an island shape means that a plurality of island-shaped irradiation areas are formed.
The case of forming individual island-shaped irradiation regions is equivalent, and the shape and size thereof may be selected by appropriately designing the optical system.
【0038】そして図7(a)、(b)に示すように広
い照射領域51を形成してそこに複数の駆動回路部例え
ばゲートドライバ、あるいはソースドライバの全部を形
成すれば、光学系の設計が容易であり、またレーザ光の
照射領域の位置とリソグラフィーのマスクマスクパター
ンとの対応がとりやすいし、更にスループットが高くな
るなどの利点があるので好ましい。Then, as shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b), if a wide irradiation area 51 is formed and a plurality of driving circuit portions such as gate drivers or source drivers are formed therein, the optical system is designed. This is preferable because it is easy, and the position of the irradiation region of the laser beam and the mask mask pattern of lithography can be easily matched, and the throughput is increased.
【0039】なお本発明では、画素電極への電圧のオン
オフ制御を行うスイッチング素子としてはTFTに限ら
れるものではないし、非晶質半導体膜を多結晶化して多
結晶化された膜の上にスイッチング素子を生成してもよ
い。In the present invention, the switching element for controlling the on / off of the voltage to the pixel electrode is not limited to the TFT, and the amorphous semiconductor film is polycrystallized to perform switching on the polycrystallized film. Elements may be created.
【0040】[0040]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、非
晶質半導体膜に島状にレーザ光のパルスを照射して多結
晶化し、その照射領域内に駆動回路部の少なくとも半導
体素子を形成しているため、照射領域の全体が均一に良
好に多結晶化されており、従っていずれの駆動回路部も
ばらつきが生じず良好な性能が得られる。この結果LC
D基板の製造にあたり非晶質半導体膜を利用した駆動回
路部の生成と駆動回路部及び画素領域内のスイッチング
素子の成膜処理による配線とを実現できるので、画素領
域と駆動領域とを同一プロセスで実現し、LCD基板の
製造が容易かつ低コストになる。As described above, according to the present invention, the amorphous semiconductor film is irradiated with a pulse of laser light in an island shape to be polycrystallized, and at least the semiconductor element of the drive circuit portion is provided in the irradiation region. Since it is formed, the entire irradiation area is uniformly and favorably polycrystallized, and therefore, good performance can be obtained without variation in any driving circuit section. This results in LC
In manufacturing the D substrate, since it is possible to realize the generation of the drive circuit unit using the amorphous semiconductor film and the wiring by the film formation process of the switching circuit in the drive circuit unit and the pixel region, the pixel region and the drive region can be processed in the same process. And the LCD substrate can be manufactured easily and at low cost.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】本発明の実施例を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2A】レーザ光照射領域と駆動回路部形成領域との
関係を示す平面図である。FIG. 2A is a plan view showing a relationship between a laser light irradiation region and a drive circuit portion formation region.
【図2B】駆動回路部及び配線を示す平面図である。FIG. 2B is a plan view showing a drive circuit unit and wiring.
【図3】本発明の実施例に用いられるレーザアニール装
置の一例を示す縦断側面図である。FIG. 3 is a vertical cross-sectional side view showing an example of a laser annealing apparatus used in an example of the present invention.
【図4】本発明の実施例に用いられるレーザアニール装
置を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a laser annealing apparatus used in an example of the present invention.
【図5】水素化非晶質シリコン成膜処理におけるレーザ
光照射エネルギー密度と水素放出量との関係を示す特性
図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing a relationship between a laser beam irradiation energy density and a hydrogen release amount in a hydrogenated amorphous silicon film forming process.
【図6】水素化非晶質シリコン成膜処理におけるレーザ
光照射エネルギー密度と水素放出量との関係を示す特性
図であるFIG. 6 is a characteristic diagram showing a relationship between a laser beam irradiation energy density and a hydrogen release amount in a hydrogenated amorphous silicon film forming process.
【図7】本発明の他の実施例に係るレーザ光の照射領域
を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a laser light irradiation region according to another embodiment of the present invention.
【図8】液晶ディスプレイ基板の構造を模式的に示す構
成図である。FIG. 8 is a configuration diagram schematically showing a structure of a liquid crystal display substrate.
【図9】液晶パネルを示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a liquid crystal panel.
【図10】従来方法におけるレ−ザ光のパルスの重なり
の状態と電界効率移動度との関係を示す説明図であるFIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between the overlapping state of laser light pulses and the electric field efficiency mobility in the conventional method.
1 ガラス基板 2 非晶質シリコン膜 3 レーザ光照射部 4、41、42 駆動回路部 5 TFT 50 画素領域 63 真空チャンバ 7 レーザ光照射部 70 移動機構 1 Glass Substrate 2 Amorphous Silicon Film 3 Laser Light Irradiation Sections 4, 41, 42 Drive Circuit Section 5 TFT 50 Pixel Region 63 Vacuum Chamber 7 Laser Light Irradiation Section 70 Moving Mechanism
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成6年1月7日[Submission date] January 7, 1994
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】全図[Correction target item name] All drawings
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図1】 [Figure 1]
【図2】 [Fig. 2]
【図3】 [Figure 3]
【図4】 [Figure 4]
【図5】 [Figure 5]
【図6】 [Figure 6]
【図8】 [Figure 8]
【図9】 [Figure 9]
【図10】 [Figure 10]
【図7】 [Figure 7]
【手続補正2】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】本発明の実施例を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2】駆動回路部形成領域を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a drive circuit portion formation region.
【図3】本発明の実施例に用いられるレーザアニール装
置の一例を示す縦断側面図である。FIG. 3 is a vertical cross-sectional side view showing an example of a laser annealing apparatus used in an example of the present invention.
【図4】本発明の実施例に用いられるレーザアニール装
置を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a laser annealing apparatus used in an example of the present invention.
【図5】水素化非晶質シリコン成膜処理におけるレーザ
光照射エネルギー密度と水素放出量との関係を示す特性
図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing a relationship between a laser beam irradiation energy density and a hydrogen release amount in a hydrogenated amorphous silicon film forming process.
【図6】水素化非晶質シリコン成膜処理におけるレーザ
光照射エネルギー密度と水素放出量との関係を示す特性
図である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing a relationship between laser beam irradiation energy density and hydrogen release amount in a hydrogenated amorphous silicon film forming process.
【図7】本発明の他の実施例に係るレーザ光の照射領域
を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a laser light irradiation region according to another embodiment of the present invention.
【図8】液晶ディスプレイ基板の構造を模式的に示す構
成図である。FIG. 8 is a configuration diagram schematically showing a structure of a liquid crystal display substrate.
【図9】液晶パネルを示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a liquid crystal panel.
【図10】従来方法におけるレーザ光のパルスの重なり
の状態と電界効率移動度との関係を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between the overlapping state of laser light pulses and the electric field efficiency mobility in the conventional method.
Claims (2)
されたスイッチング素子と、このスイッチング素子を駆
動する駆動回路部とを備えた液晶ディスプレイ基板を製
造する方法において、 前記光透過性の基板上に、非晶質半導体膜を成膜する工
程と、 前記非晶質半導体膜に島状にレーザ光のパルスを照射し
て非晶質半導体膜を多結晶化する工程と、 前記レーザ光のパルスの照射領域内に駆動回路部の少な
くとも半導体素子を生成する工程と、 この駆動回路部とスイッチング素子とを電気的に接続す
るための配線層を形成する工程と、 を含むことを特徴とする液晶ディスプレイ基板の製造方
法。1. A method of manufacturing a liquid crystal display substrate comprising a switching element arranged in a pixel region and a drive circuit section for driving the switching element on a light-transmissive substrate. A step of forming an amorphous semiconductor film on the substrate, and a step of irradiating the amorphous semiconductor film with a pulse of laser light in an island shape to polycrystallize the amorphous semiconductor film; And a step of forming at least a semiconductor element of the drive circuit section in a light pulse irradiation region, and a step of forming a wiring layer for electrically connecting the drive circuit section and the switching element. And a method for manufacturing a liquid crystal display substrate.
されたスイッチング素子と、このスイッチング素子を駆
動するシフトレジスタとを備えた液晶ディスプレイ基板
を製造する方法において、 前記光透過性の基板上に、非晶質半導体膜を成膜する工
程と、 前記非晶質半導体膜に複数の島状にレーザ光のパルスを
照射して非晶質半導体膜を多結晶化する工程と、 前記レーザ光のパルスの照射領域内に前記シフトレジス
タを分割して生成する工程と、 これら分割されたシフトレジスタ間、及びシフトレジス
タとスイッチング素子とを電気的に接続するための配線
層を形成する工程と、 を含み、 前記シフトレジスタの少なくともトランジスタは、レ−
ザ光のパルスの照射領域内に配置されていることを特徴
とする液晶ディスプレイ基板の製造方法。2. A method of manufacturing a liquid crystal display substrate comprising a switching element arranged in a pixel region and a shift register for driving the switching element on a light transmissive substrate, the method comprising: Forming an amorphous semiconductor film on a substrate; irradiating the amorphous semiconductor film with a plurality of island-shaped pulses of laser light to polycrystallize the amorphous semiconductor film; A step of dividing and generating the shift register within an irradiation region of a pulse of laser light, and a step of forming a wiring layer for electrically connecting the divided shift registers and between the shift register and the switching element And at least a transistor of the shift register is
A method for manufacturing a liquid crystal display substrate, characterized in that the liquid crystal display substrate is arranged in an irradiation region of a pulse of the light.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33007392A JPH06208133A (en) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | Manufacture of liquid crystal display substrate |
CN93114676A CN1088002A (en) | 1992-11-16 | 1993-11-16 | Make the method and apparatus of liquid crystal display substrate and evaluating semiconductor crystals |
JP31113893A JP3196132B2 (en) | 1992-11-16 | 1993-11-16 | Method for manufacturing liquid crystal display substrate, method for evaluating semiconductor crystal, method for manufacturing semiconductor crystal thin film, and apparatus for manufacturing semiconductor crystal thin film |
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1992
- 1992-11-16 JP JP33007392A patent/JPH06208133A/en active Pending
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