JPH06197041A - High frequency switch - Google Patents
High frequency switchInfo
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- JPH06197041A JPH06197041A JP4358138A JP35813892A JPH06197041A JP H06197041 A JPH06197041 A JP H06197041A JP 4358138 A JP4358138 A JP 4358138A JP 35813892 A JP35813892 A JP 35813892A JP H06197041 A JPH06197041 A JP H06197041A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は高周波スイッチに関
し、特にたとえば、デジタル携帯電話などの高周波回路
において信号の経路の切り換えを行うための高周波スイ
ッチに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency switch, and more particularly to a high frequency switch for switching a signal path in a high frequency circuit such as a digital mobile phone.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高周波スイッチは、図４に示すように、
デジタル携帯電話などにおいて、送信回路ＴＸとアンテ
ナＡＮＴとの接続および受信回路ＲＸとアンテナＡＮＴ
との接続を切り換えるために用いられる。高周波スイッ
チ１は、図５に示すように、アンテナＡＮＴ，送信回路
ＴＸおよび受信回路ＲＸに接続される。送信回路ＴＸに
は、コンデンサ２ａを介して第１のダイオード３のアノ
ードが接続される。第１のダイオード３のアノードは、
第１のストリップライン４およびコンデンサ２ｂの直列
回路を介して接地される。さらに、第１のストリップラ
イン４とコンデンサ２ｂとの中間点には、抵抗５を介し
て、コントロール端子６が接続される。コントロール端
子６には、高周波スイッチ１の切り換えを行うためのコ
ントロール回路が接続される。また、第１のダイオード
３のカソードは、コンデンサ２ｃを介して、アンテナＡ
ＮＴに接続される。2. Description of the Related Art A high frequency switch, as shown in FIG.
In digital mobile phones, etc., the connection between the transmission circuit TX and the antenna ANT and the reception circuit RX and the antenna ANT
Used to switch the connection with. The high frequency switch 1 is connected to the antenna ANT, the transmission circuit TX, and the reception circuit RX, as shown in FIG. The anode of the first diode 3 is connected to the transmission circuit TX via the capacitor 2a. The anode of the first diode 3 is
It is grounded through the series circuit of the first strip line 4 and the capacitor 2b. Further, a control terminal 6 is connected via a resistor 5 to an intermediate point between the first strip line 4 and the capacitor 2b. A control circuit for switching the high frequency switch 1 is connected to the control terminal 6. The cathode of the first diode 3 is connected to the antenna A via the capacitor 2c.
Connected to NT.
【０００３】アンテナＡＮＴに接続されたコンデンサ２
ｃには、さらに第２のストリップライン７とコンデンサ
２ｄとの直列回路を介して、受信回路ＲＸが接続され
る。また、第２のストリップライン７とコンデンサ２ｄ
との中間点には、第２のダイオード８のアノードが接続
される。そして、第２のダイオード８のカソードは接地
される。A capacitor 2 connected to the antenna ANT
The receiving circuit RX is further connected to c via a series circuit of the second strip line 7 and the capacitor 2d. In addition, the second strip line 7 and the capacitor 2d
The anode of the second diode 8 is connected to the intermediate point between the and. The cathode of the second diode 8 is grounded.
【０００４】この高周波スイッチ１を用いて送信する場
合、コントロール端子６に正の電圧が与えられる。この
電圧によって、第１のダイオード３および第２のダイオ
ード８がＯＮとなる。このとき、コンデンサ２ａ，２
ｂ，２ｃ，２ｄによって直流分がカットされ、ダイオー
ド３，８を含む回路にのみコントロール端子６に加えら
れた電圧が印加されるようにしている。ダイオード３，
８がＯＮとなることにより、送信回路ＴＸからの信号が
アンテナＡＮＴに送られ、信号がアンテナＡＮＴから送
信される。なお、送信回路ＴＸの送信信号は、第２のス
トリップライン７が第２のダイオード８により接地され
ることよって共振してそのインピーダンスが無限大とな
るため、受信回路ＲＸには伝達されない。また、受信時
には、コントロール端子６に電圧を印加しないことによ
って、第１のダイオード３および第２のダイオード８は
ＯＦＦとなる。そのため、受信信号は受信回路ＲＸに伝
達され、送信回路ＴＸ側には伝達されない。このよう
に、コントロール端子６に印加される電圧をコントロー
ルすることによって、送受信を切り換えることができ
る。When transmitting using the high frequency switch 1, a positive voltage is applied to the control terminal 6. This voltage turns on the first diode 3 and the second diode 8. At this time, the capacitors 2a, 2
The direct current component is cut by b, 2c, and 2d, and the voltage applied to the control terminal 6 is applied only to the circuit including the diodes 3 and 8. Diode 3,
When 8 is turned on, the signal from the transmission circuit TX is sent to the antenna ANT, and the signal is sent from the antenna ANT. The transmission signal of the transmission circuit TX is not transmitted to the reception circuit RX because the second stripline 7 resonates due to being grounded by the second diode 8 and its impedance becomes infinite. Further, at the time of reception, the first diode 3 and the second diode 8 are turned off by not applying a voltage to the control terminal 6. Therefore, the reception signal is transmitted to the reception circuit RX and is not transmitted to the transmission circuit TX side. In this way, by controlling the voltage applied to the control terminal 6, transmission / reception can be switched.
【０００５】ところが、ダイオードがＯＮ時には、完全
に導通状態にならず、インダクタンス分が存在する。ま
た、ダイオードがＯＦＦ時には、キャパシタンス分が存
在する。これらのインダクタンス分やキャパシタンス分
の影響を除去するために、図６のような高周波スイッチ
が用いられる。この高周波スイッチ１では、第１のダイ
オード３に並列にインダクタ９と直流分をカットするた
めのコンデンサ１０とが接続されている。そして、第１
のダイオード３のキャパシタンス分とインダクタ９とで
並列共振回路が形成され、受信時における送信回路ＲＸ
とアンテナＡＮＴとの間のアイソレーションを確保して
いる。However, when the diode is ON, it does not become a complete conduction state, and there is an inductance component. When the diode is off, there is a capacitance component. A high-frequency switch as shown in FIG. 6 is used to eliminate the influence of these inductance and capacitance components. In the high frequency switch 1, an inductor 9 and a capacitor 10 for cutting a direct current component are connected in parallel with the first diode 3. And the first
A parallel resonance circuit is formed by the capacitance of the diode 3 and the inductor 9, and the transmission circuit RX at the time of reception is formed.
Isolation between the antenna and the antenna ANT is secured.
【０００６】また、第２のダイオード８に直列にコンデ
ンサ１１が接続され、第２のダイオード８のインダクタ
ンス分とコンデンサ１１とで直列共振回路が形成され
る。この直列共振回路によって、アンテナＡＮＴと第２
のストリップライン７との接続点Ａから受信回路ＲＸ側
をみたときのインピーダンスを無限大にできる。したが
って、受信回路ＲＸ側に漏れた送信信号が、確実に接地
される。なお、この高周波スイッチ１では、第１のダイ
オード３に並列に抵抗１２が接続され、第２のダイオー
ド８に並列に抵抗１３が接続される。この抵抗１３は、
別の抵抗１４を介して、第２のコントロール端子１５に
接続される。第２のコントロール端子１５に正の電圧を
加えると、抵抗１２，１３などで分圧されてダイオード
３，８に逆バイアス電圧が印加され、これらのダイオー
ド３，８を確実にＯＦＦにすることができる。Further, a capacitor 11 is connected in series with the second diode 8, and the inductance component of the second diode 8 and the capacitor 11 form a series resonance circuit. By this series resonance circuit, the antenna ANT and the second
The impedance when the receiving circuit RX side is viewed from the connection point A with the strip line 7 can be made infinite. Therefore, the transmission signal leaked to the receiving circuit RX side is reliably grounded. In the high frequency switch 1, the resistor 12 is connected in parallel with the first diode 3 and the resistor 13 is connected in parallel with the second diode 8. This resistor 13
It is connected to the second control terminal 15 via another resistor 14. When a positive voltage is applied to the second control terminal 15, the voltage is divided by the resistors 12 and 13 and the reverse bias voltage is applied to the diodes 3 and 8, so that these diodes 3 and 8 can be reliably turned off. it can.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイオ
ードのインダクタンス分やキャパシタンス分には、個々
のダイオードでばらつきがある。そのため、インダクタ
やコンデンサなどと共振回路を形成しても、ダイオード
のばらつきのために安定した性能を有する高周波スイッ
チを作製することが困難である。特に、ダイオードのキ
ャパシタンス分のばらつきが、高周波スイッチの性能に
大きく影響する。However, there are variations in the inductance and capacitance of the diodes among the individual diodes. Therefore, even if a resonance circuit is formed with an inductor, a capacitor, etc., it is difficult to manufacture a high-frequency switch having stable performance due to variations in diodes. In particular, variations in the capacitance of the diode greatly affect the performance of the high frequency switch.
【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、特
にダイオードのキャパシタンス分のばらつきによる影響
を低減した高周波スイッチを提供することである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a high-frequency switch in which the influence of variations in the capacitance of the diode is reduced.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明は、送信回路，
受信回路およびアンテナに接続され、送信回路とアンテ
ナとの接続および受信回路とアンテナとの接続を切り換
えるための高周波スイッチであって、送信回路側にアノ
ードが接続されアンテナ側にカソードが接続される第１
のダイオードと、アンテナと受信回路との間に接続され
るストリップラインと、受信回路側にアノードが接続さ
れアース側にカソードが接続される第２のダイオード
と、第１のダイオードに並列に接続されるインダクタ
と、第１のダイオードおよびインダクタに並列に接続さ
れるコンデンサとを含む、高周波スイッチである。The present invention is directed to a transmitter circuit,
A high frequency switch connected to a receiving circuit and an antenna for switching between a transmitting circuit and an antenna and a receiving circuit and an antenna, the anode being connected to the transmitting circuit side and the cathode being connected to the antenna side. 1
, A strip line connected between the antenna and the receiving circuit, a second diode whose anode is connected to the receiving circuit side and whose cathode is connected to the ground side, and a strip line which is connected in parallel to the first diode. And a capacitor connected in parallel with the first diode and the inductor, and a high frequency switch.
【００１０】[0010]
【作用】第１のダイオードとコンデンサとインダクタと
を並列に接続することにより、並列共振回路が形成され
る。第１のダイオードに並列にコンデンサを接続するこ
とにより、共振回路の合成キャパシタンスが大きくな
る。したがって、全キャパシタンスに対する第１のダイ
オードのキャパシタンス分のばらつきの割合が、コンデ
ンサが接続されていない場合に比べて小さくなる。A parallel resonant circuit is formed by connecting the first diode, the capacitor and the inductor in parallel. Connecting the capacitor in parallel with the first diode increases the combined capacitance of the resonant circuit. Therefore, the ratio of the variation of the capacitance of the first diode to the total capacitance is smaller than that in the case where the capacitor is not connected.
【００１１】[0011]
【発明の効果】この発明によれば、第１のダイオードと
コンデンサとインダクタとを並列に接続することによ
り、並列共振回路が形成されるため、受信時に送信回路
とアンテナとの間のアイソレーションを十分にとること
ができる。したがって、アンテナと受信回路との間の挿
入損失を小さくすることができる。このとき、全キャパ
シタンスに対する第１のダイオードのキャパシタンス分
のばらつきの割合が小さいため、並列共振回路の共振周
波数の変動などの影響が小さい。そのため、安定した性
能の高周波スイッチを得ることができる。According to the present invention, since the parallel resonant circuit is formed by connecting the first diode, the capacitor and the inductor in parallel, the isolation between the transmitting circuit and the antenna during reception is achieved. You can get enough. Therefore, the insertion loss between the antenna and the receiving circuit can be reduced. At this time, since the ratio of the variation of the capacitance of the first diode to the total capacitance is small, the influence such as the fluctuation of the resonance frequency of the parallel resonant circuit is small. Therefore, a high-frequency switch with stable performance can be obtained.
【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description of the embodiments below with reference to the drawings.
【００１３】[0013]
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す回路図であ
る。この高周波スイッチ２０は、デジタル携帯電話など
の送受信の切り換えのために使用される。したがって、
高周波スイッチ２０は、アンテナＡＮＴ，送信回路ＴＸ
および受信回路ＲＸに接続される。送信回路ＴＸは、コ
ンデンサ２２を介して、第１のダイオード２４のアノー
ドに接続される。また、第１のダイオード２４のアノー
ドは、チョークコイルとして働く第１のストリップライ
ン２６およびコンデンサ２８を介して接地される。さら
に、第１のストリップライン２６とコンデンサ２８との
中間点は、抵抗３０を介して第１のコントロール端子３
２に接続される。第１のダイオード２４のカソードは、
コンデンサ３４を介してアンテナＡＮＴに接続される。
また、第１のダイオード２４に並列に、インダクタ３６
とコンデンサ３８との直列回路が接続される。さらに、
第１のダイオード２４に並列に、コンデンサ４０および
抵抗４２が接続される。なお、図１の回路例の第１のス
トリップライン２６とコンデンサ２８に代えて、抵抗を
接続するようにしても同様の結果が得られる。1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. The high frequency switch 20 is used for switching transmission / reception of a digital mobile phone or the like. Therefore,
The high frequency switch 20 includes an antenna ANT and a transmission circuit TX.
And the receiving circuit RX. The transmission circuit TX is connected to the anode of the first diode 24 via the capacitor 22. Further, the anode of the first diode 24 is grounded via the first strip line 26 that functions as a choke coil and the capacitor 28. Further, the intermediate point between the first strip line 26 and the capacitor 28 is connected via the resistor 30 to the first control terminal 3
Connected to 2. The cathode of the first diode 24 is
It is connected to the antenna ANT via the capacitor 34.
In addition, the inductor 36 is connected in parallel with the first diode 24.
And a capacitor 38 are connected in series. further,
A capacitor 40 and a resistor 42 are connected in parallel with the first diode 24. The same result can be obtained by connecting a resistor instead of the first strip line 26 and the capacitor 28 in the circuit example of FIG.
【００１４】また、アンテナＡＮＴには、第２のストリ
ップライン４４が接続される。第２のストリップライン
４４は、コンデンサ４６を介して、受信回路ＲＸに接続
される。また、第２のストリップライン４４とコンデン
サ４６との中間点は、第２のダイオード４８とコンデン
サ５０との直列回路を介して接地される。さらに、第２
のダイオード４８に並列に、抵抗５２が接続される。こ
の抵抗５２は、別の抵抗５４を介して、第２のコントロ
ール端子５６に接続される。A second strip line 44 is connected to the antenna ANT. The second strip line 44 is connected to the receiving circuit RX via the capacitor 46. Further, the intermediate point between the second strip line 44 and the capacitor 46 is grounded via the series circuit of the second diode 48 and the capacitor 50. Furthermore, the second
A resistor 52 is connected in parallel with the diode 48 of. The resistor 52 is connected to the second control terminal 56 via another resistor 54.
【００１５】この高周波スイッチ２０を用いて送信を行
う場合、第１のコントロール端子３２に正の電圧が印加
される。第１のコントロール端子３２に加えられた電圧
は、第１のダイオード２４および第２のダイオード４８
に順方向のバイアス電圧として印加され、これらのダイ
オード２４，４８がＯＮ状態となる。したがって、送信
回路ＴＸからの送信信号は、アンテナＡＮＴから送信さ
れるとともに、第２のストリップライン４４が第２のダ
イオード４８により接地されて共振してそのインピーダ
ンスが無限大となるため、受信回路ＲＸ側には伝達され
ない。When transmitting using the high frequency switch 20, a positive voltage is applied to the first control terminal 32. The voltage applied to the first control terminal 32 is applied to the first diode 24 and the second diode 48.
Is applied as a forward bias voltage to the diodes 24 and 48 to turn them on. Therefore, the transmission signal from the transmission circuit TX is transmitted from the antenna ANT, and the second strip line 44 is grounded by the second diode 48 to resonate and its impedance becomes infinite, so that the reception circuit RX is infinite. Not transmitted to the side.
【００１６】送信時においては、第１のダイオード２４
および第２のダイオード４８がＯＮとなるが、これらの
ダイオードにはインダクタンス分が存在する。このよう
なインダクタンス分が存在すると、アンテナＡＮＴと第
２のストリップライン４４との接続点Ａからみた受信回
路ＲＸ側をみたときのインピーダンスが無限大とならな
い。このようなインダクタンス分による影響を除去する
ために、第２のダイオード４８のインダクタンス分とコ
ンデンサ５０とで、直列共振回路が形成される。したが
って、コンデンサ５０のキャパシタンスＣは、第２のダ
イオード４８のインダクタンス分をＬD ，使用周波数を
ｆとすると、次式で表される。 Ｃ＝１／｛（２πｆ）2 ・ＬD ｝At the time of transmission, the first diode 24
And the second diode 48 is turned on, but there is an inductance component in these diodes. When such an inductance component is present, the impedance does not become infinite when the receiving circuit RX side is viewed from the connection point A between the antenna ANT and the second strip line 44. In order to eliminate the influence of such an inductance component, the inductance component of the second diode 48 and the capacitor 50 form a series resonance circuit. Therefore, the capacitance C of the capacitor 50 is expressed by the following equation, where L D is the inductance of the second diode 48 and f is the operating frequency. C = 1 / {(2πf) 2 · L D }
【００１７】コンデンサ５０のキャパシタンスＣを上式
の条件に設定することによって、第２のダイオード４８
がＯＮ時に、直列共振回路が形成され、アンテナＡＮＴ
と第２のストリップライン４４との接続点Ａから受信回
路ＲＸ側をみたときのインピーダンスを無限大にでき
る。したがって、送信回路ＴＸからの信号は受信回路Ｒ
Ｘに伝達されず、送信回路ＴＸとアンテナＡＮＴとの間
の挿入損失を小さくすることができる。さらに、アンテ
ナＡＮＴと受信回路ＲＸとの間において、良好なアイソ
レーションを得ることができる。なお、第１のコントロ
ール端子３２に電圧を加えると、電流はコンデンサ２
２，２８，３４，４６，５０でカットされて、第１のダ
イオード２４および第２のダイオード４８を含む回路に
のみ流れることになって、他の部分に影響を及ぼさな
い。By setting the capacitance C of the capacitor 50 to the condition of the above equation, the second diode 48 is
When ON, a series resonance circuit is formed and the antenna ANT
The impedance when the receiving circuit RX side is viewed from the connection point A between the second strip line 44 and the second strip line 44 can be made infinite. Therefore, the signal from the transmission circuit TX is the same as the reception circuit R.
Since it is not transmitted to X, the insertion loss between the transmission circuit TX and the antenna ANT can be reduced. Furthermore, good isolation can be obtained between the antenna ANT and the receiving circuit RX. When a voltage is applied to the first control terminal 32, the current is
It is cut at 2, 28, 34, 46, 50 and flows only to the circuit including the first diode 24 and the second diode 48, and does not affect other parts.
【００１８】また、この高周波スイッチ２０を用いて受
信を行う場合、第１のコントロール端子３２の電圧印加
が停止されるとともに、第２のコントロール端子５６に
正の電圧が加えられる。第２のコントロール端子５６に
加えられた電圧は、抵抗４２，５２などで分圧され、ダ
イオード２４，４８に逆方向のバイアス電圧として印加
される。それによって、第１のダイオード２４および第
２のダイオード４８は確実にＯＦＦとなり、受信信号が
受信回路ＲＸに伝達される。このとき、ダイオードには
キャパシタンス分が存在するため、受信信号が送信回路
ＴＸ側に漏れる場合がある。このような受信信号の漏れ
を防ぐために、図２に示すように、第１のダイオード２
４のキャパシタンス分とインダクタ３６とコンデンサ４
０とで、並列共振回路が形成される。したがって、イン
ダクタ３６のインダクタンスＬは、第１のダイオード２
４とコンデンサ４０との合成キャパシタンスをＣ，使用
周波数をｆとすると、次式で表される。 Ｌ＝１／｛（２πｆ）2 ・Ｃ｝Further, when receiving is performed using this high frequency switch 20, the voltage application to the first control terminal 32 is stopped and a positive voltage is applied to the second control terminal 56. The voltage applied to the second control terminal 56 is divided by the resistors 42 and 52 and applied to the diodes 24 and 48 as a reverse bias voltage. Thereby, the first diode 24 and the second diode 48 are surely turned off, and the reception signal is transmitted to the reception circuit RX. At this time, since the diode has a capacitance component, the reception signal may leak to the transmission circuit TX side. In order to prevent such a leakage of the received signal, as shown in FIG.
4 capacitance, inductor 36 and capacitor 4
With 0, a parallel resonant circuit is formed. Therefore, the inductance L of the inductor 36 is equal to that of the first diode 2
If the combined capacitance of the capacitor 4 and the capacitor 40 is C and the frequency used is f, then the following equation is used. L = 1 / {(2πf) 2 · C}
【００１９】インダクタ３６のインダクタンスＬを上式
の条件に設定することによって、送信回路ＴＸとアンテ
ナＡＮＴとの間のアイソレーションを良好にすることが
できる。したがって、受信信号は送信回路ＴＸ側に漏れ
ず、アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの間の挿入損失を
小さくすることができる。なお、インダクタ３６のかわ
りに、高インピーダンスの伝送線路を使用しても、同様
の効果を得ることができる。この実施例では、第１およ
び第２のコントロール端子に電圧を加えたときに、イン
ダクタ３６を介して電流が流れることを防ぐために、イ
ンダクタ３６に直列にコンデンサ３８が接続されてい
る。このコンデンサ３８を接続する場合、そのキャパシ
タンスに応じて必要により上式が補正されることはいう
までもない。By setting the inductance L of the inductor 36 to the condition of the above equation, the isolation between the transmitter circuit TX and the antenna ANT can be improved. Therefore, the received signal does not leak to the transmitting circuit TX side, and the insertion loss between the antenna ANT and the receiving circuit RX can be reduced. The same effect can be obtained by using a high-impedance transmission line instead of the inductor 36. In this embodiment, a capacitor 38 is connected in series with the inductor 36 in order to prevent a current from flowing through the inductor 36 when a voltage is applied to the first and second control terminals. When the capacitor 38 is connected, it goes without saying that the above equation is corrected according to the capacitance thereof.
【００２０】ダイオードのインダクタンス分およびキャ
パシタンス分には、個々のダイオードでばらつきがあ
る。特に、キャパシタンス分のばらつきによって、イン
ダクタ３６とで形成される並列共振回路の共振周波数が
変化するなどの不都合がおこる。しかしながら、この発
明の高周波スイッチ２０では、第１のダイオード２４と
コンデンサ４０とが並列接続されているため、その合成
キャパシタンスは大きくなる。たとえば、コンデンサの
キャパシタンスをＣ１，第１のダイオード２４のキャパ
シタンスをＣD とすると、その合成キャパシタンスＣ
は、Ｃ＝Ｃ１＋ＣDとなる。第１のダイオード２４のキ
ャパシタンス分のばらつきをＣDSとすると、全キャパシ
タンスに対するばらつきは、ＣDS／（Ｃ１＋ＣD ）とな
る。コンデンサ４０が接続されていない場合、全キャパ
シタンスに対するばらつきの割合は、ＣDS／ＣD である
から、コンデンサ４０を接続したほうがキャパシタンス
のばらつきの影響を小さくすることができる。したがっ
て、この発明の高周波スイッチ２０では、安定した性能
を得ることができる。The inductance component and the capacitance component of the diode vary among the individual diodes. In particular, there is a problem that the resonance frequency of the parallel resonance circuit formed with the inductor 36 changes due to the variation in capacitance. However, in the high frequency switch 20 of the present invention, since the first diode 24 and the capacitor 40 are connected in parallel, the combined capacitance thereof becomes large. For example, when the capacitance of the capacitor is C1 and the capacitance of the first diode 24 is C D , the combined capacitance C
Becomes C = C1 + C D. When the variation of the capacitance of the first diode 24 is C DS , the variation with respect to the total capacitance is C DS / (C1 + C D ). If the capacitor 40 is not connected, the proportion of the variation to the total capacitance, since a C DS / C D, can be better to connect the capacitor 40 to reduce the influence of variations in capacitance. Therefore, the high frequency switch 20 of the present invention can obtain stable performance.
【００２１】この高周波スイッチ２０は、図３に示すよ
うに、積層型のチップ部品とすることができる。この場
合、多くの受動素子は内蔵されるが、チップ部品の上面
には、第１のダイオード２４や第２のダイオード４８な
どが取り付けられる。また、並列共振回路を形成するコ
ンデンサ４０や直列共振回路を形成するコンデンサ５０
などは、チップ部品の誘電体層をはさんで電極を形成す
ることにより構成することができる。したがって、コン
デンサ４０やコンデンサ５０を構成する電極をトリミン
グすることによって、最適なキャパシタンスを得ること
ができる。このようなトリミングは、ダイオードのキャ
パシタンスや高周波スイッチの特性を測定して、レーザ
ーまたはサンドブラストなどにより、表面側の電極を削
ることにより行われる。The high frequency switch 20 may be a laminated type chip component as shown in FIG. In this case, many passive elements are built in, but the first diode 24, the second diode 48, etc. are attached to the upper surface of the chip component. In addition, a capacitor 40 forming a parallel resonance circuit and a capacitor 50 forming a series resonance circuit
And the like can be configured by forming electrodes by sandwiching the dielectric layer of the chip component. Therefore, the optimum capacitance can be obtained by trimming the electrodes forming the capacitors 40 and 50. Such trimming is performed by measuring the capacitance of the diode and the characteristics of the high frequency switch, and shaving the electrode on the front surface side by laser or sandblasting.
【００２２】なお、図３に示す高周波スイッチでは、ト
リミングする電極をチップ部品の表面に形成したが、チ
ップ部品の内部において、削ることが可能な程度の表層
近傍に形成することも可能である。In the high frequency switch shown in FIG. 3, the electrode to be trimmed is formed on the surface of the chip component, but it can be formed inside the chip component in the vicinity of the surface layer that can be shaved.
【００２３】このように、ダイオードのばらつきの影響
を低減することによって、トリミングの必要性を減ら
し、安価で、特性の安定した高周波スイッチを得ること
ができる。また、ダイオードの特性ばらつきを補正する
ためのトリミングパターンを形成すれば、さらに特性の
安定した高周波スイッチを得ることができる。さらに、
高周波で安定した特性が要求される高周波スイッチを表
面実装タイプの部品とすることができ、携帯電話などの
小型化、信頼性向上に寄与することができる。As described above, by reducing the influence of variations in the diodes, it is possible to reduce the need for trimming and obtain a high-frequency switch that is inexpensive and has stable characteristics. Further, by forming a trimming pattern for correcting variations in the characteristics of the diodes, it is possible to obtain a high frequency switch with more stable characteristics. further,
A high frequency switch, which requires stable characteristics at high frequencies, can be used as a surface mount type component, which can contribute to downsizing of a mobile phone or the like and improvement of reliability.
【図１】この発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す高周波スイッチの要部を示す回路図
である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a main part of the high frequency switch shown in FIG.
【図３】図１に示す高周波スイッチをチップ部品にした
状態を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a state in which the high frequency switch shown in FIG. 1 is used as a chip component.
【図４】高周波スイッチの働きを示す概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram showing the operation of a high frequency switch.
【図５】この発明の背景となる従来の高周波スイッチの
一例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a conventional high frequency switch which is the background of the present invention.
【図６】この発明の背景となる従来の高周波スイッチの
他の例を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing another example of a conventional high-frequency switch which is the background of the present invention.
２０ 高周波スイッチ ２４ 第１のダイオード ２６ 第１のストリップライン ３２ 第１のコントロール端子 ３６ インダクタ ４０ コンデンサ ４４ 第２のストリップライン ４８ 第２のダイオード ＴＸ 送信回路 ＲＸ 受信回路 ＡＮＴ アンテナ 20 high-frequency switch 24 first diode 26 first strip line 32 first control terminal 36 inductor 40 capacitor 44 second strip line 48 second diode TX transmitter circuit RX receiver circuit ANT antenna
Claims (1)
続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続および前
記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、 前記送信回路側にアノードが接続され前記アンテナ側に
カソードが接続される第１のダイオード、 前記アンテナと前記受信回路との間に接続されるストリ
ップライン、 前記受信回路側にアノードが接続されアース側にカソー
ドが接続される第２のダイオード、 前記第１のダイオードに並列に接続されるインダクタ、
および前記第１のダイオードおよび前記インダクタに並
列に接続されるコンデンサを含む、高周波スイッチ。1. A high-frequency switch connected to a transmission circuit, a reception circuit, and an antenna, for switching connection between the transmission circuit and the antenna and connection between the reception circuit and the antenna. A first diode having an anode connected to the antenna and a cathode connected to the antenna, a stripline connected between the antenna and the receiving circuit, an anode connected to the receiving circuit side and a cathode connected to the ground side A second diode, an inductor connected in parallel with the first diode,
And a high frequency switch including a capacitor connected in parallel with the first diode and the inductor.
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP4358138A JP2874497B2 (en) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | High frequency switch |
| DE4343719A DE4343719C2 (en) | 1992-12-22 | 1993-12-21 | High frequency switch |
| US08/172,123 US5507011A (en) | 1992-12-22 | 1993-12-21 | High-frequency switch including strip line and two switching diodes |
| GB9326183A GB2273820B (en) | 1992-12-22 | 1993-12-22 | High-frequency switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4358138A JP2874497B2 (en) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | High frequency switch |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06197041A true JPH06197041A (en) | 1994-07-15 |
| JP2874497B2 JP2874497B2 (en) | 1999-03-24 |
Family
ID=18457743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2874497B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990061185A (en) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 유기범 | Mobile terminal with power saving function when transmitting and receiving data |
| CN113746465A (en) * | 2021-11-04 | 2021-12-03 | 南京正銮电子科技有限公司 | Passive high-power TR switch and TR assembly |
Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH04339422A (en) * | 1991-02-12 | 1992-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Antenna change-over switch |
-
1992
- 1992-12-26 JP JP4358138A patent/JP2874497B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN113746465B (en) * | 2021-11-04 | 2022-03-11 | 南京正銮电子科技有限公司 | Passive high-power TR switch and TR assembly |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2874497B2 (en) | 1999-03-24 |
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