JP2001016130A - High frequency switch - Google Patents

High frequency switch

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JP2001016130A
JP2001016130A JP11185826A JP18582699A JP2001016130A JP 2001016130 A JP2001016130 A JP 2001016130A JP 11185826 A JP11185826 A JP 11185826A JP 18582699 A JP18582699 A JP 18582699A JP 2001016130 A JP2001016130 A JP 2001016130A
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diode
circuit
capacitor
transmission
frequency switch
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Yasuhiro Maeda
泰宏 前田
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Kyocera Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency switch, which can be miniaturized, by improving isolation between an antenna and a transmission circuit and minimizing the number of parts. SOLUTION: Concerning this high frequency switch, a parallel circuit is formed by connecting an inductor 11 and a capacitor 4, which is connected to the cathode of a first diode 1 for limitation from an antenna ANT to the transmission circuit to the said first diode and a transmission/reception switching signal to be the forward bias voltage of first and second diodes 1 and 3 is supplied to the node of the inductor 11 and the capacitor 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は高周波スイッチに関
し、特にたとえば、デジタル携帯電話などの高周波回路
において信号の経路の切り換えを行うための高周波スイ
ッチに関する。
The present invention relates to a high-frequency switch, and more particularly to a high-frequency switch for switching a signal path in a high-frequency circuit such as a digital portable telephone.

【0002】[0002]

【従来の技術】高周波スイッチは、携帯電話や移動体通
信機などにおいて、送信回路TXとアンテナANTとの
接続および受信回路RXとアンテナANTとの接続を切
り換えるために用いられる。
2. Description of the Related Art A high-frequency switch is used for switching the connection between a transmission circuit TX and an antenna ANT and the connection between a reception circuit RX and an antenna ANT in a portable telephone or a mobile communication device.

【0003】従来高周波スイッチ20は、図3に示すよ
うに、送信回路TXはコンデンサ25、第1のダイオー
ド21を介してアンテナANTに接続されている。同時
に、アンテナANTは、ストリップライン22、コンデ
ンサ28を介して受信回路RXに接続されている。
In a conventional high-frequency switch 20, as shown in FIG. 3, a transmission circuit TX is connected to an antenna ANT via a capacitor 25 and a first diode 21. At the same time, the antenna ANT is connected to the receiving circuit RX via the strip line 22 and the capacitor 28.

【0004】また、送信回路TX側において、コンデン
サ25と第1のダイオード21のアノードとの中間点に
は、インダクタ素子24、抵抗29を介して制御端子V
Tが接続されている。尚、インダクタ素子24、抵抗2
9との中間点は、コンデンサ26を介して接地されてい
る。
On the transmitting circuit TX side, a control terminal V is connected to a midpoint between the capacitor 25 and the anode of the first diode 21 via an inductor element 24 and a resistor 29.
T is connected. Incidentally, the inductor element 24, the resistor 2
9 is grounded via a capacitor 26.

【0005】また、受信回路RX側において、ストリッ
プライン22とコンデンサ28との中間点には、第2の
ダイオード23が接続されている。尚、アノードは、ス
トリップライン22とコンデンサ28との間に接続さ
れ、カソードが接地されている。
On the receiving circuit RX side, a second diode 23 is connected to an intermediate point between the strip line 22 and the capacitor 28. The anode is connected between the strip line 22 and the capacitor 28, and the cathode is grounded.

【0006】ここで、コンデンサ25、26、27、2
8は、直流成分カットのバイパスコンデンサであり、例
えば、制御端子VTから供給された制御電流(送受信切
り換え信号)が、送信回路TX、受信回路RX、アンテ
ナ回路ANT、及び接地に漏れることを防止するもので
ある。
Here, capacitors 25, 26, 27, 2
Reference numeral 8 denotes a bypass capacitor for cutting a DC component, for example, preventing a control current (transmission / reception switching signal) supplied from the control terminal VT from leaking to the transmission circuit TX, the reception circuit RX, the antenna circuit ANT, and the ground. Things.

【0007】上述の高周波スイッチ20において、送信
動作する場合、制御端子VTに正の電圧が与えられる。
この電圧によって、第1のダイオード21、ストリップ
ライン22、および第2のダイオード23に順バイアス
がかかり、第1のダイオード21、および第2のダイオ
ード23がON状態となる。
In the above-described high-frequency switch 20, when performing a transmission operation, a positive voltage is applied to the control terminal VT.
This voltage applies a forward bias to the first diode 21, the strip line 22, and the second diode 23, and the first diode 21 and the second diode 23 are turned on.

【0008】第1のダイオード21がON状態となるこ
とにより、送信回路TXからの送信信号がアンテナAN
Tに送信される。また、ストリップライン22の一端
は、第2のダイオード23を介して接地され、送信信号
に対して1/4波長の長さに設定しておくことにより、
共振して、送信信号の周波数に対してインピーダンスが
無限大となるため、受信回路RXには伝達されない。
When the first diode 21 is turned on, the transmission signal from the transmission circuit TX is transmitted to the antenna AN.
Sent to T. Also, one end of the strip line 22 is grounded via the second diode 23, and is set to have a length of 1/4 wavelength with respect to the transmission signal,
Since the impedance resonates and the impedance becomes infinite with respect to the frequency of the transmission signal, the impedance is not transmitted to the reception circuit RX.

【0009】また、高周波スイッチ20において、受信
動作する場合、制御端子VTに電圧を印加しない。これ
により、第1のダイオード21および第2のダイオード
23はOFF状態となる。そのため、アンテナANTか
ら受信信号は受信回路RXに伝達され、送信回路TX側
には伝達されない。
In the high-frequency switch 20, when receiving, no voltage is applied to the control terminal VT. As a result, the first diode 21 and the second diode 23 are turned off. Therefore, the reception signal is transmitted from the antenna ANT to the reception circuit RX, and is not transmitted to the transmission circuit TX.

【0010】このように、制御端子VTに印加される電
圧を制御することによって、送受信を切り換えることが
できる。
As described above, transmission and reception can be switched by controlling the voltage applied to the control terminal VT.

【0011】しかしながら、高周波スイッチに使用され
るダイオードにおいては、OFF時には、第1及び第2
のダイオード21、23にキャパシタンス分が存在し完
全に絶縁状態とならない。第1及び第2のダイオード2
1、23がOFF状態では、アンテナANTと受信回路
RXとの間が導通状態となる。この時、第1のダイオー
ド21には上述のようにキャパシタンス分が存在する。
そして、アンテナANTから送信回路TXを見た時に
は、アイソレーションがとれない。このため、受信信号
は送信回路TX側に漏れてしまい、アンテナANTと受
信回路RXとの間の挿入損失が大きくなる。このよう
に、ダイオードに存在するキャパシタンス分のために、
高周波スイッチの性能が低下する。
However, in a diode used for a high-frequency switch, the first and second diodes are turned off when the diode is turned off.
Are present in the diodes 21 and 23, and are not completely insulated. First and second diodes 2
When the switches 1 and 23 are in the OFF state, the conduction between the antenna ANT and the receiving circuit RX is established. At this time, the first diode 21 has a capacitance component as described above.
When the transmission circuit TX is viewed from the antenna ANT, isolation cannot be obtained. For this reason, the received signal leaks to the transmitting circuit TX side, and the insertion loss between the antenna ANT and the receiving circuit RX increases. Thus, because of the capacitance that exists in the diode,
The performance of the high frequency switch is reduced.

【0012】このような送信回路TXとアンテナANT
との間のアイソレーションを改善する構造として、図4
に示す高周波スイッチが提案されていた。
Such a transmitting circuit TX and an antenna ANT
As a structure for improving the isolation between
Has been proposed.

【0013】図4において、第1のダイオード21に並
列に、インダクタ素子31とコンデンサ32とから成る
直列回路を設けていた。
In FIG. 4, a series circuit including an inductor element 31 and a capacitor 32 is provided in parallel with the first diode 21.

【0014】そして、OFF状態の第1のダイオード2
1のキャパシタンス成分と、インダクタ素子31とコン
デンサ32とにより、共振回路を構成し、受信信号の受
信周波数に対してインピーダンス無限大となるようにイ
ンダクタ素子31とコンデンサ32との定数を決定して
いた。
Then, the first diode 2 in the OFF state
A resonance circuit is formed by the capacitance component of No. 1 and the inductor element 31 and the capacitor 32, and the constants of the inductor element 31 and the capacitor 32 are determined so that the impedance becomes infinite with respect to the reception frequency of the reception signal. .

【0015】尚、上述の図3、図4において、コンデン
サ25と第1のダイオード21との中間に接続したイン
ダクタンス素子24は、交流成分をカットするものであ
り、送信回路TXからアンテナANTに流れる送信信号
が、制御端子VT側にながれ込むことを防止し、挿入損
失を低減するものである。また、図4においてコンデン
サ32は、制御端子VTから供給される制御電流が、第
1のダイオード21に安定して流れるようにした直流成
分遮断用のコンデンサである。
In FIGS. 3 and 4, the inductance element 24 connected between the capacitor 25 and the first diode 21 cuts an AC component, and flows from the transmission circuit TX to the antenna ANT. The transmission signal is prevented from flowing to the control terminal VT side, and the insertion loss is reduced. In FIG. 4, the capacitor 32 is a DC component blocking capacitor that allows a control current supplied from the control terminal VT to flow stably through the first diode 21.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の問題点
には、制御端子VTはインダクタンス素子24を介し
て、送信回路TXとアンテナANT間に接続されてい
る。即ち、図3の高周波スイッチ20から図4の高周波
スイッチ30に特性の改良を行なった結果、端に、L−
Cの共振回路が付加されただけであり、高周波スイッチ
回路を構成する部品点数が増加しただけに過ぎない。
However, the above problem is that the control terminal VT is connected between the transmission circuit TX and the antenna ANT via the inductance element 24. That is, as a result of improving the characteristics from the high-frequency switch 20 of FIG. 3 to the high-frequency switch 30 of FIG.
Only the resonance circuit of C is added, and the number of components constituting the high-frequency switch circuit is merely increased.

【0017】このため、特性の向上のために、回路構成
する部品の増加に伴い、小型化が困難であった。
[0017] For this reason, it has been difficult to reduce the size with an increase in the number of components constituting the circuit in order to improve the characteristics.

【0018】本発明は、上述の課題に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、送信回路とアンテナとの間の
アイソレーションを改善するとともに、部品点数を少な
くして、小型化可能な高周波スイッチを提供することに
ある。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and has as its object to improve the isolation between a transmitting circuit and an antenna, and to reduce the number of parts and to reduce the size. To provide a simple high-frequency switch.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明は、アノードが送
信回路に接続され、カソードがアンテナに接続される第
1のダイオードと、前記アンテナと受信回路との間に接
続されるストリップラインと、アノードが前記ストリッ
プラインと前記受信回路との間に接続され、カソードが
アースに接続される第2のダイオードと、インダクタと
コンデンサとを直列接続して成り、前記インダクタが前
記第1のダイオードのアノードに、前記コンデンサが第
1のダイオードのカソードに接続される共振回路とを有
し、前記インダクタとコンデンサとの接続点に、前記第
1及び第2のダイオードの順バイアス電圧となる送受信
切り換え信号が供給されるようになしたことを特徴とす
る高周波スイッチである。
According to the present invention, there is provided a first diode having an anode connected to a transmission circuit and a cathode connected to an antenna, a strip line connected between the antenna and the reception circuit, An anode is connected between the strip line and the receiving circuit, a second diode having a cathode connected to the ground, an inductor and a capacitor connected in series, and the inductor is an anode of the first diode; A resonance circuit in which the capacitor is connected to a cathode of a first diode, and a transmission / reception switching signal serving as a forward bias voltage of the first and second diodes is provided at a connection point between the inductor and the capacitor. A high-frequency switch characterized by being supplied.

【0020】尚、このインダクタは、30nH以上のイ
ンダクタンス値とすることが好ましい。
It is preferable that the inductor has an inductance value of 30 nH or more.

【0021】[0021]

【作用】本発明では、第1のダイオードに並列にインダ
クタとコンデンサからなる直列列回路が接続されてい
る。即ち、第1のダイオードのOFF状態時のキャパシ
タンス分とインダクタ、コンデンサとで並列共振回路を
形成している。
According to the present invention, a series circuit comprising an inductor and a capacitor is connected in parallel with the first diode. That is, a parallel resonance circuit is formed by the capacitance of the first diode in the OFF state, the inductor, and the capacitor.

【0022】この並列共振回路を、受信信号の周波数に
対してインピーダンス無限大に設定することにより、送
信回路とアンテナとの間のアイソレーションを改善で
き、その結果、受信信号が送信回路TX側に流れること
を完全に防止し、受信信号の挿入損失の低下を防止でき
る。
By setting the impedance of the parallel resonance circuit to infinity with respect to the frequency of the reception signal, the isolation between the transmission circuit and the antenna can be improved. As a result, the reception signal is transmitted to the transmission circuit TX. It is possible to completely prevent the signal from flowing and reduce the insertion loss of the received signal.

【0023】また、第1のダイオードと第2のダイオー
ドのON、OFFを制御する制御電流が、インダクタと
コンデンサとの間に供給される。
A control current for controlling ON and OFF of the first diode and the second diode is supplied between the inductor and the capacitor.

【0024】従って、送受信切り換え信号(制御電流)
が供給された場合には、制御電流は、インダクタ素子を
介して、第1のダイオードのアノード側から供給され
て、第1のダイオード及び第2のダイオードの順方向バ
イアスとなる。
Therefore, the transmission / reception switching signal (control current)
Is supplied from the anode side of the first diode via the inductor element, and becomes a forward bias of the first diode and the second diode.

【0025】そして、送信信号がアンテナに供給される
際に、送信信号は、交流遮断の機能を有するインダクタ
素子の存在により、制御端子側に流れ込むことがない。
これにより、送信信号の挿入損失の低減を行なってい
る。
Then, when the transmission signal is supplied to the antenna, the transmission signal does not flow into the control terminal due to the presence of the inductor element having an AC blocking function.
Thereby, the insertion loss of the transmission signal is reduced.

【0026】尚、この送信信号が制御端子側に流れ込む
ことがないようにするためには、インダクタ素子のイン
ダクタンス値を30nH以上の値に設定している。
In order to prevent the transmission signal from flowing into the control terminal, the inductance value of the inductor element is set to a value of 30 nH or more.

【0027】そして、同時に、受信信号に対してインピ
ーダンス無限大とするために、受信信号の周波数、OF
F状態の第1のダイオードのキャパシタンス成分を考慮
して、インダクタンス値及びコンデンサの値を選定す
る。
At the same time, the frequency of the received signal, OF
The inductance value and the value of the capacitor are selected in consideration of the capacitance component of the first diode in the F state.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波スイッチを
図面に基づいて詳説する。図1は本発明の高周波スイッ
チの一実施例を示す回路図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a high-frequency switch according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the high-frequency switch of the present invention.

【0029】この高周波スイッチ10は、デジタル携帯
電話、移動体通信機を構成するアンテナ、受信回路、送
信回路に接続されるものである。図において、端子TX
に送信回路が接続され、端子ANTにアンテナが接続さ
れ、端子RXに受信回路が接続される。尚、便宜上、ア
ンテナについてはアンテナANTを、受信回路について
受信回路RX、送信回路については受信回路TXと付
す。
This high-frequency switch 10 is connected to an antenna, a receiving circuit, and a transmitting circuit that constitute a digital cellular phone and a mobile communication device. In the figure, terminal TX
Is connected to the terminal ANT, the antenna is connected to the terminal ANT, and the receiving circuit is connected to the terminal RX. For convenience, an antenna is referred to as an antenna ANT, a receiving circuit as a receiving circuit RX, and a transmitting circuit as a receiving circuit TX.

【0030】送信回路TXは、コンデンサ5を介して、
第1のダイオード1のアノードに接続され、また、第1
のダイオード1のカソードからアンテナANTに接続さ
れている。アンテナANTは、ストリップライン2、コ
ンデンサ8を介して受信回路RXに接続されている。
The transmission circuit TX is connected via a capacitor 5
Connected to the anode of the first diode 1 and
Of the diode 1 is connected to the antenna ANT. The antenna ANT is connected to the receiving circuit RX via the strip line 2 and the capacitor 8.

【0031】以上が所定周波数の送信信号、所定周波数
の受信信号の経路となる。尚、GSM通信方式では、送
信信号、所定周波数の受信信号の経路となる。尚、GS
M通信方式では、送信信号の周波数帯域は880〜91
5MHzであり、受信信号の周波数帯域は920〜96
0MHzである。
The above is the path of the transmission signal of the predetermined frequency and the reception signal of the predetermined frequency. In the GSM communication system, the path is for a transmission signal and a reception signal of a predetermined frequency. GS
In the M communication system, the frequency band of the transmission signal is 880 to 91
5 MHz, and the frequency band of the received signal is 920 to 96
0 MHz.

【0032】また、第1のダイオード1のアノードは、
インダクタ素子11の一端に接続され、このインダクタ
素子11の他端は、コンデンサ4の一端に接続されてい
る。
The anode of the first diode 1 is
One end of the inductor element 11 is connected, and the other end of the inductor element 11 is connected to one end of the capacitor 4.

【0033】そして、コンデンサ4の他端は、第1のダ
イオード1のカソードに接続されている。即ち、インダ
クタ素子11とコンデンサ4とが接続する直列回路は、
第1のダイオード1と並列接続されることになる。
The other end of the capacitor 4 is connected to the cathode of the first diode 1. That is, a series circuit connecting the inductor element 11 and the capacitor 4 is:
The first diode 1 is connected in parallel.

【0034】さらに、インダクタ素子11とコンデンサ
4との接続点には、抵抗12、コンデンサ6を介してア
ースに接地される。同時に、抵抗12とコンデンサ6と
の接続点に送受信切り換え信号(以下、制御電流)が供
給される制御端子VTを有している。
Further, a connection point between the inductor element 11 and the capacitor 4 is grounded via a resistor 12 and a capacitor 6 to ground. At the same time, a connection point between the resistor 12 and the capacitor 6 has a control terminal VT to which a transmission / reception switching signal (hereinafter, control current) is supplied.

【0035】また、ストリップライン2とコンデンサ8
との接続点は、第2のダイオード3のアノードが接続さ
れ、第2のダイオード3のカソードはアース電位に接地
されている。
The strip line 2 and the capacitor 8
Is connected to the anode of the second diode 3, and the cathode of the second diode 3 is grounded to the ground potential.

【0036】上述の構成におけるコンデンサ4〜5は主
に直流成分遮断用のバイパスコンデンサであり、インダ
クタ素子11は、第1のダイオード1とともに所定周波
数の受信信号を遮断する並列共振回路を構成するインダ
クタ成分であり、同時に、送信回路TXからの送られる
送信信号を、制御端子VT側に漏れることを防止するた
めの交流遮断用のインダクタンス成分となる。
The capacitors 4 and 5 in the above-described configuration are mainly bypass capacitors for blocking a DC component, and the inductor element 11 is an inductor which forms a parallel resonance circuit together with the first diode 1 to block a reception signal of a predetermined frequency. Component, and at the same time, an inductance component for alternating-current cutoff for preventing a transmission signal transmitted from the transmission circuit TX from leaking to the control terminal VT side.

【0037】また、抵抗12は、制御端子VTから制御
電流を制限する抵抗である。
The resistor 12 is a resistor for limiting a control current from the control terminal VT.

【0038】特に、上述のインダクタ素子11とコンデ
ンサ4とからなる直列回路において、インダクタ素子1
1は、2つの機能、即ち、並列回路のインダクタンス成
分及び交流遮断用インダクタンス成分から、30nH以
上の値が必要となる。尚、インダクタ素子11が30n
H未満であると、送信回路TXから送られた送信信号が
抵抗12を介して、制御端子VTやコンデンサ6を介し
てアース電位に漏れてしまう。このような場合、送信信
号の挿入損失が大きくなってしまう。
In particular, in the series circuit including the inductor element 11 and the capacitor 4 described above, the inductor element 1
1 requires a value of 30 nH or more from two functions, namely, an inductance component of a parallel circuit and an inductance component for AC cutoff. Note that the inductor element 11 is 30 n
If it is less than H, the transmission signal sent from the transmission circuit TX leaks to the ground potential via the resistor 12, the control terminal VT and the capacitor 6. In such a case, the insertion loss of the transmission signal increases.

【0039】また、インダクタ素子11は、上述の30
nH以上の値で、且つOFF状態の第1のダイオード1
のキャパシタンス成分及びコンデンサ4を考慮して、そ
の共振回路が、受信信号の周波数(例えば、GSMで周
波数帯域は920〜960MHzに対してインピーダン
ス無限大となるような設定する。例えば、OFF状態の
第1のダイオード1のキャパシタンス成分が、例えば
0.5pFとした場合、インダクタ素子11を50nH
以上、コンデンサ4を0.2〜0.5pFと設定すれ
ば、920〜960MHzの周波数に対してインピーダ
ンスを無限大とすることができる。
Further, the inductor element 11 has the above-mentioned 30
The first diode 1 having a value of nH or more and in an OFF state
In consideration of the capacitance component of the capacitor 4 and the capacitor 4, the resonance circuit is set so that the frequency of the received signal (for example, the frequency band in GSM becomes infinite with respect to 920 to 960 MHz. When the capacitance component of the first diode 1 is, for example, 0.5 pF, the inductor element 11 is set to 50 nH.
As described above, if the capacitor 4 is set to 0.2 to 0.5 pF, the impedance can be made infinite for frequencies of 920 to 960 MHz.

【0040】このような構成の高周波スイッチ10にお
いて、送信回路TXからアンテナANTに送信信号を送
る場合には、制御端子VTに正の電圧を印加する。直流
制限用コンデンサ4〜8が存在するために、制御端子V
Tから供給された電圧は、抵抗12、インダクタ素子1
1、第1のダイオード1、ストリップライン2、第2の
ダイオード3、アース電位間に印加される。即ち、その
電圧は、第1のダイオード1、第2のダイオード3に対
して順バイアスとなり、第1のダイオード1及び第2の
ダイオード3は、ON状態となる。
In the high-frequency switch 10 having such a configuration, when transmitting a transmission signal from the transmission circuit TX to the antenna ANT, a positive voltage is applied to the control terminal VT. Since the DC limiting capacitors 4 to 8 exist, the control terminal V
The voltage supplied from T is a resistor 12 and an inductor element 1
1, the first diode 1, the strip line 2, the second diode 3, and a voltage applied between the ground potential. That is, the voltage is forward-biased with respect to the first diode 1 and the second diode 3, and the first diode 1 and the second diode 3 are turned on.

【0041】ここで、第2のダイオード3がON状態と
なるため、ストリップライン2の受信回路側の端部はア
ース電位に接地されることになる。そして、ストリップ
ライン2を、送信信号(周波数880〜915MHz)
に対して、ショートスタブ(インピーダンス無限大)と
なるように設定しておくことにより、送信信号がストリ
ップライン2で遮断され、受信回路RXに漏れることは
ない。従って、送信回路TXからの送信信号は、挿入損
失なく、アンテナANTに導出されることになる。
Here, since the second diode 3 is turned on, the end of the strip line 2 on the receiving circuit side is grounded to the ground potential. Then, the strip line 2 is transmitted to a transmission signal (frequency 880 to 915 MHz).
In contrast, by setting a short stub (infinite impedance), the transmission signal is cut off by the strip line 2 and does not leak to the reception circuit RX. Therefore, the transmission signal from the transmission circuit TX is guided to the antenna ANT without insertion loss.

【0042】また、アンテナANTで受信した受信信号
を受信回路RXに送る場合には、制御端子VTに電圧を
印加しない。これより、第1のダイオード1及び第2の
ダイオード3は、順バイアス電圧が印加されないことか
ら、OFF状態となる。 ここで、第1のダイオード1
がOFF状態では、第1のダイオード1自身にキャパシ
タンス成分を有することになる。そして、上述したよう
に、このキャパシンタス成分、インダクタ素子11のイ
ンダクタンス成分、コンデンサ4の容量成分とで、LC
共振回路を構成することになる。そして、このLC共振
回路の反共振周波数が受信信号の周波数となるように設
定されているため、アンテナANTと送信回路TXとの
間のアイソレーションが向上し、受信信号は送信回路T
X側に漏れないことになる。そして、ストリップライン
2は単なる伝送線路として動作することから、受信信号
は挿入損失なく、受信回路RXに送られる。
When transmitting a reception signal received by the antenna ANT to the reception circuit RX, no voltage is applied to the control terminal VT. Thus, the first diode 1 and the second diode 3 are turned off since no forward bias voltage is applied. Here, the first diode 1
In the OFF state, the first diode 1 itself has a capacitance component. Then, as described above, the capacitance component, the inductance component of the inductor element 11, and the capacitance component of the capacitor 4 make LC
Thus, a resonance circuit is formed. Since the anti-resonance frequency of the LC resonance circuit is set to be equal to the frequency of the reception signal, the isolation between the antenna ANT and the transmission circuit TX is improved, and the reception signal is transmitted to the transmission circuit Tx.
It will not leak to the X side. Since the strip line 2 operates simply as a transmission line, the received signal is sent to the receiving circuit RX without insertion loss.

【0043】本発明者は、図3に示す受信信号が送信回
路TX側に漏れないようにするための第1のダイオード
21と、図1に示す第1のダイオード1とインダクタ素
子11、コンデンサ4とを接続した並列共振回路を想定
して、受信状態(VT=0V)にした場合のANTから
送信端子への通過損失特性をF1 (例えば880〜91
5MHz)付近において調べた。
The present inventor has designed a first diode 21 for preventing the reception signal shown in FIG. 3 from leaking to the transmission circuit TX side, a first diode 1, an inductor element 11, and a capacitor 4 shown in FIG. Assuming a parallel resonance circuit in which ANT is connected, the transmission loss characteristic from the ANT to the transmission terminal in the receiving state (VT = 0 V) is represented by F 1 (for example, 880 to 91).
5 MHz).

【0044】例えば、図2(a)は、本発明の高周波ス
イッチを想定した測定回路を示し、図2(b)特性図を
示し、図5(a)は従来の図3に示す高周波スイッチ2
0を想定した測定回路を示し、図5(b)特性図を示
す。尚、受信回路側は、測定器に接続されることを想定
して50Ωを接続している。
For example, FIG. 2A shows a measuring circuit assuming the high-frequency switch of the present invention, FIG. 2B shows a characteristic diagram, and FIG. 5A shows a conventional high-frequency switch 2 shown in FIG.
FIG. 5B shows a measurement circuit assuming 0, and shows a characteristic diagram of FIG. The receiving circuit is connected to 50Ω on the assumption that it is connected to a measuring instrument.

【0045】即ち、従来の高周波スイッチでは、−18
db程度の通過損失に対して、本発明の高周波スイッチ
では、−28db程度の通過損失となる。即ち、そのア
イソレーションが従来に比較して非常に向上することに
なる。
That is, in the conventional high-frequency switch, -18
With respect to the pass loss of about db, the high-frequency switch of the present invention has a pass loss of about -28 db. That is, the isolation is greatly improved as compared with the related art.

【0046】また、本発明では、制御端子VTからなる
制御電流が、インダクタ素子11とコンデンサ4との接
続部分に供給されている。そして、インダクタンス値が
30nH以上となっているインダクタ素子11は、送信
回路TX側から制御端子VTを見た時に、送信信号が制
御端子VT側に流れることを防止している。これによっ
て送信信号の挿入損失の向上を図ることができる。
In the present invention, the control current from the control terminal VT is supplied to the connection between the inductor element 11 and the capacitor 4. The inductor element 11 having the inductance value of 30 nH or more prevents the transmission signal from flowing to the control terminal VT when the control terminal VT is viewed from the transmission circuit TX side. Thereby, the insertion loss of the transmission signal can be improved.

【0047】以上のように、第1のダイオード1ととも
に、共振回路を構成するインダクタ素子11及びコンデ
ンサ4は、送信時には、送信信号が制御端子VT側に漏
れることを防止している。受信時には、全体の共振回路
で受信信号が、送信回路TX側及び制御端子VT側に漏
れることを防止している。また、制御端子VTからの制
御電流が、第1のダイオード1に対して順方向にバイア
スが係るように制御している。
As described above, the inductor element 11 and the capacitor 4 constituting the resonance circuit together with the first diode 1 prevent the transmission signal from leaking to the control terminal VT during transmission. At the time of reception, the whole resonance circuit prevents the reception signal from leaking to the transmission circuit TX side and the control terminal VT side. The control current from the control terminal VT is controlled so that the first diode 1 is biased in the forward direction.

【0048】以上のように、本発明では、受信時、アン
テナANTから送信回路TXを見たときのアイソレーシ
ョンを向上させるインダクタ素子11及びコンデンサ4
を、送信時、制御電流を第1及び第2のダイオード1、
3に安定的に供給する素子に兼用している。
As described above, according to the present invention, at the time of reception, the inductor element 11 and the capacitor 4 improve the isolation when the transmission circuit TX is viewed from the antenna ANT.
When transmitting, the control current is changed to the first and second diodes 1,
3 also serves as a stable supply element.

【0049】このため、従来のように、第1のダイオー
ド21とともに並列回路を構成したインダクタ素子31
と、送信信号が制御端子に流れることを防止するインダ
クタ素子24を兼用することができ、回路構成部品を低
減することができる。しかも、低減できる素子が、通
常、回路基板上に比較的大きな面積を必要とするインダ
クタ素子であることから、高周波スイッチ自身の小型化
に寄与することができる。
For this reason, as in the prior art, the inductor element 31 forming a parallel circuit with the first diode 21
In addition, the inductor element 24 for preventing the transmission signal from flowing to the control terminal can be shared, and the number of circuit components can be reduced. Moreover, since the element that can be reduced is usually an inductor element requiring a relatively large area on the circuit board, it can contribute to downsizing of the high-frequency switch itself.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上のように、本発明では送信回路とア
ンテナとの間のアイソレーションを改善でき、その結
果、受信信号が送信回路TX側に流れることを完全に防
止でき、受信信号の挿入損失の低下を防止できる。ま
た、電子部品素子の部品点数を減少させて、且つ安定的
に第1のダイオード及び第2のダイオードの順方向バイ
アスとして供給できる。
As described above, according to the present invention, the isolation between the transmission circuit and the antenna can be improved. As a result, the reception signal can be completely prevented from flowing to the transmission circuit TX, and the reception signal can be inserted. Loss reduction can be prevented. Further, the number of components of the electronic component element can be reduced and can be stably supplied as a forward bias of the first diode and the second diode.

【0051】これより、アイソレーション特性が安定
し、且つダイオードのスイッチ動作が安定した小型な高
周波スイッチとなる。
Thus, a small high-frequency switch with stable isolation characteristics and stable diode switching operation can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の高周波スイッチの一実施例を示す回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a high-frequency switch according to the present invention.

【図2】図1に示す高周波スイッチの第1のダイオード
の受信信号の通過損失を示すものであり、(a)は測定
回路図であり、(b)は特性図である。
FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a passage loss of a reception signal of a first diode of the high-frequency switch shown in FIG. 1, wherein FIG. 2A is a measurement circuit diagram and FIG. 2B is a characteristic diagram.

【図3】従来の高周波スイッチの一実施例を示す回路図
である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing one embodiment of a conventional high-frequency switch.

【図4】 従来の高周波スイッチの別の実施例を示す回
路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing another embodiment of the conventional high-frequency switch.

【図5】 図3に示す高周波スイッチの第1のダイオー
ドの受信信号の通過損失を示すものであり、(a)は測
定回路図であり、(b)は特性図である。
FIGS. 5A and 5B are diagrams showing a passage loss of a reception signal of a first diode of the high-frequency switch shown in FIG. 3, wherein FIG. 5A is a measurement circuit diagram and FIG. 5B is a characteristic diagram.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、20、30・・・高周波スイッチ 1、21・・・第1のダイオード 3、23・・・第2のダイオード 2、22・・・ストリップライン 11、31・・・インダクタ素子 32、4・・・・コンデンサ VT・・・・・・制御端子 TX・・送信回路 RX・・受信回路 ANT・・アンテナ 10, 20, 30 ... high frequency switch 1, 21 ... first diode 3, 23 ... second diode 2, 22 ... strip line 11, 31, ... inductor element 32, 4, ... ... Capacitor VT ... Control terminal TX ... Transmit circuit RX ... Receive circuit ANT ... Antenna

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アノードが送信回路に接続され、カソー
ドがアンテナに接続される第1のダイオードと、前記ア
ンテナと受信回路との間に接続されるストリップライン
と、アノードが前記ストリップラインと前記受信回路と
の間に接続され、カソードがアースに接続される第2の
ダイオードと、インダクタとコンデンサとを直列接続し
て成り、前記インダクタが前記第1のダイオードのアノ
ードに、前記コンデンサが第1のダイオードのカソード
に接続される共振回路とを有し、前記インダクタとコン
デンサとの接続点に、前記第1及び第2のダイオードの
順バイアス電圧となる送受信切り換え信号が供給される
ようになしたことを特徴とする高周波スイッチ。
1. A first diode having an anode connected to a transmission circuit and a cathode connected to an antenna, a stripline connected between the antenna and a reception circuit, and an anode connected to the stripline and the reception circuit. A second diode connected between the first diode and a circuit; a cathode connected to ground; and an inductor and a capacitor connected in series, the inductor being connected to the anode of the first diode, and the capacitor being connected to the first diode. A resonance circuit connected to the cathode of the diode, wherein a transmission / reception switching signal serving as a forward bias voltage of the first and second diodes is supplied to a connection point between the inductor and the capacitor. A high frequency switch characterized by the above.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113193367A (en) * 2021-04-16 2021-07-30 常熟市泓博通讯技术股份有限公司 Common-substrate adjustable antenna module with phase-shift switch diode
CN113765530A (en) * 2021-08-03 2021-12-07 惠州Tcl云创科技有限公司 Circuit structure for avoiding radio frequency signal reflection

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113193367A (en) * 2021-04-16 2021-07-30 常熟市泓博通讯技术股份有限公司 Common-substrate adjustable antenna module with phase-shift switch diode
CN113193367B (en) * 2021-04-16 2023-08-25 常熟市泓博通讯技术股份有限公司 Common-substrate adjustable antenna module with phase-shifting switch diode
CN113765530A (en) * 2021-08-03 2021-12-07 惠州Tcl云创科技有限公司 Circuit structure for avoiding radio frequency signal reflection
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