JPH06177313A - Semiconductor device and its manufacture and lead frame used in the same - Google Patents
Semiconductor device and its manufacture and lead frame used in the sameInfo
- Publication number
- JPH06177313A JPH06177313A JP4352052A JP35205292A JPH06177313A JP H06177313 A JPH06177313 A JP H06177313A JP 4352052 A JP4352052 A JP 4352052A JP 35205292 A JP35205292 A JP 35205292A JP H06177313 A JPH06177313 A JP H06177313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- resin
- cut
- sealed package
- pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に、樹
脂封止パッケージにおけるクラックの発生防止技術に関
し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備えてい
る半導体集積回路装置(以下、ICという。)に利用し
て有効な技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a technique for preventing cracks in a resin-sealed package. For example, a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as IC) equipped with a surface-mounted resin-sealed package. () Related to effective technology.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、高密度実装を実現するための表
面実装形樹脂封止パッケージを備えているICにおいて
は、樹脂封止パッケージが高温度に晒された後、冷却さ
れると、樹脂封止パッケージにタブの裏面を起点とする
クラックが発生するという問題点があることが知られて
いる。そして、クラックが発生する理由は次のように考
えられている。2. Description of the Related Art Generally, in an IC provided with a surface mount type resin-sealed package for realizing high-density mounting, when the resin-sealed package is exposed to a high temperature and then cooled, the resin-sealed package is sealed. It is known that there is a problem that a crack is generated in the stationary package from the back surface of the tab. The reason why cracking occurs is considered as follows.
【0003】すなわち、シリコン等のペレットを形成し
ている材料と、リードフレームを形成している42アロ
イや銅と、パッケージを形成している樹脂との熱膨張係
数は大きく異なる。そこで、表面実装形樹脂封止パッケ
ージICが温度サイクル試験や熱衝撃試験等で、また、
実装時におけるはんだディップ工程やリフローはんだ工
程等で加熱されることにより、樹脂封止パッケージの樹
脂とペレットおよびタブとの接着界面に剥がれが発生す
るとともに、樹脂パッケージにタブの裏面を起点とする
クラックが発生する。That is, the material forming the pellets such as silicon, the 42 alloy or copper forming the lead frame, and the resin forming the package have greatly different thermal expansion coefficients. Therefore, the surface mount type resin encapsulation package IC can be used for temperature cycle tests, thermal shock tests, etc.
When heated in the solder dipping process or reflow soldering process during mounting, peeling occurs at the adhesive interface between the resin of the resin-sealed package and the pellets and tabs, and the resin package cracks starting from the back surface of the tabs. Occurs.
【0004】そこで、従来、この問題点を解決するため
の表面実装形樹脂封止パッケージを備えているICとし
て、タブに円形の小孔を多数個開設したICや、タブに
4本の直線状のスリットを十字形状に開設したICが提
案されている。Therefore, conventionally, as an IC provided with a surface mount type resin-sealed package for solving this problem, an IC having a large number of circular small holes formed in the tab or four linear shapes in the tab is used. An IC having a slit formed in a cross shape has been proposed.
【0005】このようにタブに小孔やスリットが開設さ
れたICにおいては、熱ストレスによる繰り返し応力に
より、タブ下面とパッケージの樹脂との界面や、タブと
ペレットとの界面に対してこれらを剥離させようとする
力が作用したとしても、小孔やスリット内に充填されて
いるパッケージの樹脂が投錨効果を発揮することによ
り、その剥離力に対して充分に抗することができるた
め、これら界面における剥離を防止することができる。
そして、剥離が発生しない場合には、樹脂封止パッケー
ジ内部において、タブの裏面における外縁付近に応力が
集中したとしても、そこを起点とするクラックは発生し
ない。In the IC having the small holes or slits formed in the tabs as described above, due to repeated stress due to thermal stress, these are separated from the interface between the lower surface of the tab and the resin of the package or the interface between the tab and the pellet. Even if the force that tries to act is applied, the resin of the package filled in the small holes or slits exerts the anchoring effect, so that the peeling force can be sufficiently resisted. Peeling can be prevented.
If peeling does not occur, even if stress concentrates near the outer edge of the back surface of the tab inside the resin-sealed package, cracks originating from that point do not occur.
【0006】さらに、タブにスリットが十字形状に開設
されている場合には、タブの横断面積が4ブロックに分
割されることによって各ブロックの横断面積が減少され
ているため、タブの熱膨張による伸び量が縮小されるこ
とになる。その結果、タブの外側縁辺においてタブの金
属とパッケージの樹脂との熱膨張差によって発生する集
中応力の大きさ自体が小さく抑制されるため、万一、剥
離が発生したとしても、樹脂封止パッケージ内部におい
て応力集中箇所を起点とするクラックの発生は防止され
ることになる。Further, when the slit is formed in a cross shape in the tab, the cross-sectional area of each tab is reduced by dividing the cross-sectional area of the tab into four blocks. The amount of growth will be reduced. As a result, the magnitude of the concentrated stress generated by the difference in thermal expansion between the metal of the tab and the resin of the package on the outer edge of the tab is suppressed to a small level, so that even if peeling occurs, the resin-sealed package The generation of cracks starting from the stress concentration point inside is prevented.
【0007】なお、タブに小孔やスリットが開設されて
いる表面実装形樹脂封止パッケージを備えているICを
述べてある例としては、特開昭59−16357号公
報、特開昭62−115752号公報や、特願昭62−
12833号明細書および図面、がある。An example of an IC having a surface mount type resin-sealed package in which tabs are provided with small holes and slits is disclosed in JP-A-59-16357 and JP-A-62-62. No. 115752 and Japanese Patent Application No. 62-
12833 and drawings.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】最近、高密度実装を実
現し、かつ、アウタリードの本数を増加するための表面
実装形樹脂封止パッケージを備えているICとして、Q
uad Flat Package・IC(以下、QF
P・ICという。)が使用されて来ている。Recently, as an IC having a surface mount type resin-sealed package for realizing high density mounting and increasing the number of outer leads,
uad Flat Package IC (hereinafter QF
It is called PIC. ) Has been used.
【0009】このQFP・ICは、半導体ペレット(以
下、ペレットという。)と、ペレットがボンディングさ
れているタブと、ペレットの各ボンディングパッドにボ
ンディングワイヤを介して電気的に接続されている複数
本のリードと、ペレット、タブおよび各リードの一部を
樹脂封止するパッケージとを備えている。また、各リー
ドにおけるアウタ部は樹脂封止パッケージの4辺から水
平面内で直角にそれぞれ突出されているとともに、ガル
・ウイング形状に屈曲されて樹脂封止パッケージの下側
主面の高さ位置に略揃えられている。This QFP / IC includes a semiconductor pellet (hereinafter referred to as a pellet), a tab to which the pellet is bonded, and a plurality of pads electrically connected to each bonding pad of the pellet via a bonding wire. It is provided with a lead, a pellet, a tab, and a package for sealing a part of each lead with a resin. The outer part of each lead projects from the four sides of the resin-sealed package at right angles in the horizontal plane, and is bent into a gull wing shape to be located at the height position of the lower main surface of the resin-sealed package. It is almost aligned.
【0010】しかしながら、このQFP・ICにおいて
は、前述した従来技術のようにタブに小孔やスリットを
開設しただけでは、樹脂封止パッケージに湿気が吸収さ
れた状況において水蒸気爆発が引き起こされると、樹脂
封止パッケージにおけるクラックの発生を防止すること
ができない場合があるという問題点があることが、本発
明者によって明らかにされた。However, in this QFP / IC, if a small hole or slit is formed in the tab as in the prior art described above, a vapor explosion is caused when moisture is absorbed in the resin-sealed package, The present inventor has revealed that there is a problem that it may not be possible to prevent the occurrence of cracks in the resin-sealed package.
【0011】本発明の目的は、樹脂封止パッケージにお
けるクラックの発生を確実に防止することができる半導
体装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of reliably preventing the occurrence of cracks in a resin-sealed package.
【0012】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.
【0014】すなわち、半導体ペレットと、半導体ペレ
ットがボンディングされているタブと、半導体ペレット
の各ボンディングパッドに電気的に接続されている複数
本のリードと、半導体ペレット、タブおよび各リードの
一部を樹脂封止するパッケージとを備えている半導体装
置において、前記タブおよびタブを吊るためのタブ吊り
リードの少なくともいずれか一方に切り起こし部が形成
されているとともに、この切り起こし部の切り抜き孔お
よび切り起こし片が前記樹脂封止パッケージの樹脂によ
って包囲されていることを特徴とする。That is, the semiconductor pellet, the tab to which the semiconductor pellet is bonded, the plurality of leads electrically connected to each bonding pad of the semiconductor pellet, the semiconductor pellet, the tab, and part of each lead are In a semiconductor device including a resin-sealed package, a cut-and-raised portion is formed in at least one of the tab and a tab suspension lead for suspending the tab, and a cut-out hole and a cut-and-raised portion of the cut-and-raised portion are formed. The raised piece is surrounded by the resin of the resin-sealed package.
【0015】[0015]
【作用】前記した手段によれば、熱ストレスによる繰り
返し応力により、タブ下面と樹脂封止パッケージと樹脂
との界面、または、タブとペレットとの界面に対してこ
れらを剥離させようとする力が作用したとしても、切り
起こし部の切り抜き孔の内部に充填されているパッケー
ジの樹脂と、切り起こし部の切り起こし片を包囲してい
るパッケージの樹脂とが投錨効果を発揮することによ
り、その剥離力に対して充分に抗することができるた
め、剥離は確実に防止される。そして、剥離が発生しな
い場合には、パッケージ内部においてタブの裏面におけ
る外縁付近に応力が集中したとしても、そこを起点とす
るクラックは発生しない。According to the above-mentioned means, due to the repeated stress due to the thermal stress, the force for peeling off the interface between the lower surface of the tab and the resin-sealed package and the resin or the interface between the tab and the pellet is removed. Even if it works, the resin of the package filled in the cutout hole of the cut-and-raised part and the resin of the package surrounding the cut-and-raised piece of the cut-and-raised part exert the anchoring effect, so that the peeling occurs. Since it can sufficiently resist the force, peeling is surely prevented. If peeling does not occur, even if stress concentrates near the outer edge of the back surface of the tab inside the package, cracks originating there will not occur.
【0016】また、タブに切り起こし部の切り抜き孔が
開設されていることにより、タブの横断面積は切り抜き
孔によって複数ブロックに分割されているため、各ブロ
ックの横断面積は減少されることになる。その結果、タ
ブの熱膨張による伸び量が縮小されることになり、タブ
の外側縁辺においてタブとパッケージ樹脂との熱膨張差
によって発生する集中応力の大きさ自体が小さく抑制さ
れることになる。万一、剥離が発生したとしても、パッ
ケージ内部において応力集中箇所を起点とするクラック
の発生は防止されることになる。Further, since the cut-out hole of the cut-and-raised portion is formed in the tab, the cross-sectional area of the tab is divided into a plurality of blocks by the cut-out hole, so that the cross-sectional area of each block is reduced. . As a result, the amount of expansion of the tab due to thermal expansion is reduced, and the magnitude of the concentrated stress generated due to the difference in thermal expansion between the tab and the package resin on the outer edge of the tab itself is suppressed to be small. Even if peeling occurs, it is possible to prevent the occurrence of cracks originating from the stress concentration points inside the package.
【0017】[0017]
【実施例】図1は本発明の一実施例であるQFP・IC
を示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は一部切
断底面図である。図2以降はその製造方法における各工
程を示す各説明図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a QFP / IC which is an embodiment of the present invention.
FIG. 4A is a front cross-sectional view, and FIG. FIG. 2 and subsequent drawings are explanatory views showing each step in the manufacturing method.
【0018】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、QFP・ICとして構成されている。このQFP
・IC29は、ペレット24と、ペレット24がボンデ
ィングされているタブ18と、ペレット24の各ボンデ
ィングパッド24aにボンディングワイヤ25を介して
電気的に接続されている複数本のリード19と、ペレッ
ト24、タブ18および各リード19の一部を樹脂封止
する樹脂封止パッケージ27とを備えている。そして、
タブ18には切り起こし部20が形成されているととも
に、この切り起こし部20の切り抜き孔21および切り
起こし片22が樹脂封止パッケージ27の樹脂によって
包囲されており、さらに、この切り起こし片22の先端
が樹脂封止パッケージ27におけるペレット24と反対
側に向けて切り起こされている。In this embodiment, the semiconductor device according to the present invention is constructed as a QFP IC. This QFP
The IC 29 includes a pellet 24, a tab 18 to which the pellet 24 is bonded, a plurality of leads 19 electrically connected to each bonding pad 24 a of the pellet 24 via a bonding wire 25, a pellet 24, A tab 18 and a resin-sealed package 27 for sealing a part of each lead 19 with a resin are provided. And
A cut-and-raised portion 20 is formed on the tab 18, and the cut-out hole 21 and the cut-and-raised piece 22 of the cut-and-raised portion 20 are surrounded by the resin of the resin-sealed package 27. Is cut and raised toward the side opposite to the pellet 24 in the resin-sealed package 27.
【0019】以下、本発明の一実施例であるこのQFP
・ICの製造方法を説明する。この説明によって、QF
P・ICについての前記した構成の詳細が共に明らかに
される。This QFP which is one embodiment of the present invention will be described below.
-Explain the method of manufacturing an IC. By this explanation, QF
Details of the above-mentioned configuration of the PIC will be disclosed together.
【0020】本実施例において、QFP・ICの製造方
法には、図2に示されている多連リードフレーム11が
使用されており、この多連リードフレーム11は多連リ
ードフレーム成形工程によって製作されて準備されてい
る。この多連リードフレーム11は、鉄−ニッケル合金
や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を有するば
ね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工
またはエッチング加工等のような適当な手段により一体
成形されている。多連リードフレーム11の表面には銀
(Ag)等を用いためっき処理が、後述するワイヤボン
ディングが適正に実施されるように部分的または全体的
に施されている(図示せず)。この多連リードフレーム
11には複数の単位リードフレーム12が横方向に1列
に並設されている。但し、一単位のみが図示されてい
る。In the present embodiment, the multiple lead frame 11 shown in FIG. 2 is used in the manufacturing method of the QFP IC, and this multiple lead frame 11 is manufactured by the multiple lead frame molding process. Has been prepared. The multiple lead frame 11 is made of a thin plate made of a spring material having a relatively large mechanical strength, such as an iron-nickel alloy or phosphor bronze, and is suitable for punching or etching. Are integrally molded by. A plating process using silver (Ag) or the like is partially or entirely applied to the surface of the multiple lead frame 11 so as to appropriately perform the wire bonding described later (not shown). A plurality of unit lead frames 12 are arranged side by side in a row in the multiple lead frame 11. However, only one unit is shown.
【0021】単位リードフレーム12は位置決め孔13
aが開設されている外枠13を一対備えており、両外枠
13は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそ
れぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム1
2、12間には一対のセクション枠14が両外枠13、
13間に互いに平行に配されて一体的に架設されてお
り、これら外枠、セクション枠により形成される略正方
形の枠体(フレーム)内に単位リードフレーム12が構
成されている。The unit lead frame 12 has a positioning hole 13
There is provided a pair of outer frames 13 in which a is provided, and both outer frames 13 are arranged in parallel at a predetermined interval and extend in series. Adjacent unit lead frame 1
A pair of section frames 14 are provided between the outer frame 13 and the outer frame 13,
The unit lead frames 12 are arranged in parallel with each other between the 13 and are integrally installed. The unit lead frame 12 is formed in a substantially square frame body (frame) formed by the outer frame and the section frame.
【0022】各単位リードフレーム12において、外枠
13およびセクション枠14の接続部にはダム吊り部材
15が略直角方向にそれぞれ配されて一体的に突設され
ており、ダム吊り部材15には4本のダム部材16が略
正方形の枠形状になるように配されて、一体的に吊持さ
れている。In each unit lead frame 12, a dam suspension member 15 is disposed at a connection portion of the outer frame 13 and the section frame 14 in a substantially right angle direction and integrally provided so as to project integrally. The four dam members 16 are arranged so as to have a substantially square frame shape and are integrally suspended.
【0023】セクション枠14側の各ダム部材16には
タブ吊りリード17がそれぞれの一端に配されて、略4
5度方向に対向して一体的に突設されており、各タブ吊
りリード17の先端には略正方形の平板形状に形成され
たタブ18が、ダム部材16群の枠形状と略同心的に配
されて、これらタブ吊りリード17により吊持されるよ
うに一体的に連設されている。A tab suspension lead 17 is provided at one end of each dam member 16 on the side of the section frame 14, and the tab suspension lead 17 is provided at approximately 4
The tabs 18, which are integrally provided so as to face each other in the direction of 5 degrees and are formed in a substantially square flat plate shape at the tips of the tab suspension leads 17, are substantially concentric with the frame shape of the dam member 16 group. The tab suspension leads 17 are integrally arranged so as to be suspended by the tab suspension leads 17.
【0024】各タブ吊りリード17はタブ18付近にお
いてそれぞれ屈曲されており、このタブ吊りリード17
の屈曲によって、タブ18は後記するリード群の面より
も、後記するペレットの厚さ分程度下げられている(所
謂タブ下げ。)。The tab suspension leads 17 are bent near the tabs 18, respectively.
Due to the bending, the tab 18 is lowered from the surface of the lead group described later by the thickness of the pellet described later (so-called tab lowering).
【0025】また、ダム部材16には電気配線としての
リード19が複数本、長手方向に等間隔に配されて、互
いに平行で、ダム部材16と直交するように一体的に突
設されている。各リード19の内側端部は先端がタブ1
8を取り囲むように配されることにより、インナ部19
aをそれぞれ構成している。他方、各リード19の外側
延長部分は、その先端が外枠13およびセクション枠1
4に接続されており、アウタ部19bをそれぞれ構成し
ている。そして、ダム部材16における隣り合うリード
19、19間の部分は、後述するパッケージ成形時にレ
ジンの流れをせき止めるダム16aを実質的に構成して
いる。Further, a plurality of leads 19 as electric wiring are arranged on the dam member 16 at equal intervals in the longitudinal direction, and are integrally projected so as to be parallel to each other and orthogonal to the dam member 16. . The inner end of each lead 19 has a tab 1 at the tip.
The inner portion 19 is arranged by surrounding 8
a respectively. On the other hand, the outer extension of each lead 19 has its tip at the outer frame 13 and the section frame 1.
4 and each constitute an outer portion 19b. The portion between the adjacent leads 19 of the dam member 16 substantially constitutes a dam 16a that blocks the flow of the resin during the later-described package molding.
【0026】本実施例において、前記タブ18には各切
り起こし部20が、タブ18の前後方向の中心線上およ
び左右方向の中心線上においてタブ18の周辺位置にそ
れぞれ配されて形成されている。各切り起こし部20は
切り抜き孔21と切り起こし片22とを備えており、切
り起こし片22は切り抜き孔21が切り抜かれて成る実
体部片によって実質的に構成されている。In the present embodiment, each cut-and-raised portion 20 is formed on the tab 18 at a peripheral position of the tab 18 on the center line of the tab 18 in the front-rear direction and on the center line of the left-right direction. Each of the cut-and-raised parts 20 has a cutout hole 21 and a cut-and-raised piece 22, and the cut-and-raised piece 22 is substantially constituted by a substantial piece formed by cutting out the cutout hole 21.
【0027】各切り抜き孔21は長方形にそれぞれ形成
されており、中心線上に沿って長く延在するようにそれ
ぞれ配置されている。したがって、4個の切り抜き孔2
1は互いに短辺側を対向されて十字形状に開設された状
態になっている。Each cutout hole 21 is formed in a rectangular shape, and is arranged so as to extend long along the center line. Therefore, the four cutout holes 2
1 are in a state of being opened in a cross shape with their short sides facing each other.
【0028】各切り起こし片22は幅が切り抜き孔21
の幅よりも狭く、かつ、長さが切り抜き孔21の全長よ
りも若干短い長方形の板形状にそれぞれ形成されてお
り、一方の短辺側が切り抜き孔21の外側短辺に接続さ
れた状態で、各切り抜き孔21と中心線を揃えられて長
く延在するようにそれぞれ配置されている。また、各切
り起こし片22は切り抜き孔21との接続部分におい
て、前記タブ下げの方向に斜めに屈曲され、さらに、そ
の屈曲した下端部がタブ18と平行の同一平面内に可及
的に含まれるようにそれぞれ屈曲されている。そして、
切り起こし片22の先端群が含まれているタブ18と平
行なこの平面は、後述する樹脂封止パッケージにおける
ペレットと反対側に位置するように設定されている。Each cut-and-raised piece 22 has a width of the cut-out hole 21.
Is formed into a rectangular plate shape whose width is narrower than that of the cutout hole 21 and whose length is slightly shorter than the entire length of the cutout hole 21, and one short side is connected to the outer short side of the cutout hole 21, The respective cutout holes 21 are arranged so that their center lines are aligned and extend long. Further, each cut-and-raised piece 22 is bent obliquely in the tab lowering direction at the connecting portion with the cut-out hole 21, and the bent lower end portion is included in the same plane parallel to the tab 18 as much as possible. Each is bent as shown. And
This plane parallel to the tab 18 including the tip group of the cut-and-raised pieces 22 is set to be located on the opposite side of the pellet in the resin-sealed package described later.
【0029】ちなみに、多連リードフレームがプレス加
工によって製作される場合には、切り起こし部20の切
り抜き孔21および切り起こし片22もプレス加工によ
って成形することができる。多連リードフレームがエッ
チング加工によって製作される場合には、切り起こし部
20の切り抜き孔21がエッチング加工によって凹字形
のスリット形状に開設された後、凹部形のスリットによ
って三方が取り囲まれて成る舌片がプレス加工によって
前記した通りに屈曲されることにより、切り起こし片2
2が形成されることになる。この場合、切り起こし片2
2に対するプレス加工は前述したタブ下げ加工と同時に
実施することができる。Incidentally, when the multiple lead frame is manufactured by press working, the cut-out hole 21 and the cut-and-raised piece 22 of the cut and raised portion 20 can also be formed by press working. When the multiple lead frame is manufactured by etching, the tongue is formed by forming the cut-out hole 21 of the cut-and-raised portion 20 into a concave slit shape by etching, and then enclosing it on three sides by the concave slit. The cut and raised piece 2 is obtained by bending the piece by pressing as described above.
2 will be formed. In this case, cut and raised piece 2
The press working for 2 can be performed simultaneously with the tab lowering work described above.
【0030】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム11には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。The multiple lead frame 11 having the above-mentioned structure prepared in the multiple lead frame molding step is
In the pellet bonding process and the wire bonding process, the pellet bonding work and then the wire bonding work are performed. These bonding operations are sequentially performed for each unit lead frame by laterally pitching multiple lead frames.
【0031】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、半導体装置の製造工程における所謂前工程において
集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物としての
ペレット24が、図3および図4に示されているよう
に、各単位リードフレーム12におけるタブ18上の略
中央部に配されて、タブ18とペレット24との間に形
成されたボンディング層23によって機械的に固着され
ることによりボンディングされる。ペレットボンディン
グ層23の形成手段としては、金−シリコン共晶層、は
んだ付け層および銀ペースト接着層等々によるボンディ
ング法を用いることが可能である。但し、必要に応じ
て、ペレットからタブへの熱伝達の障壁とならないよう
に、ボンディング層23を形成することが望ましい。First, as shown in FIGS. 3 and 4, a pellet 24 as a semiconductor integrated circuit structure in which an integrated circuit is formed in a so-called pre-process in a semiconductor device manufacturing process by a pellet bonding operation is shown. In addition, the unit lead frame 12 is disposed at a substantially central portion on the tab 18 and is mechanically fixed by a bonding layer 23 formed between the tab 18 and the pellet 24 for bonding. As a method for forming the pellet bonding layer 23, a bonding method using a gold-silicon eutectic layer, a soldering layer, a silver paste adhesive layer, etc. can be used. However, it is desirable to form the bonding layer 23 so that it does not become a barrier to heat transfer from the pellet to the tub, if necessary.
【0032】続いて、ワイヤボンディング作業により、
図3および図4に示されているように、タブ18上にボ
ンディングされたペレット24のボンディングパッド2
4aと、各単位リードフレーム12におけるリード19
のインナ部19aとの間に、ボンディングワイヤ25が
超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のような適当
なワイヤボンディング装置(図示せず)が使用されるこ
とにより、その両端部をそれぞれボンディングされて橋
絡される。これにより、ペレット24に作り込まれてい
る集積回路は、ボンディングパッド24a、ボンディン
グワイヤ25、リード19のインナ部19aおよびアウ
タ部19bを介して電気的に外部に引き出されることに
なる。Then, by wire bonding work,
Bonding pad 2 of pellet 24 bonded onto tab 18 as shown in FIGS. 3 and 4.
4a and the leads 19 in each unit lead frame 12
The both ends of the bonding wire 25 are bonded to the inner part 19a of the same by using a suitable wire bonding device (not shown) such as an ultrasonic thermocompression bonding wire bonding device. Bridged. As a result, the integrated circuit built in the pellet 24 is electrically pulled out to the outside through the bonding pad 24a, the bonding wire 25, the inner portion 19a and the outer portion 19b of the lead 19.
【0033】このようにしてペレットおよびワイヤ・ボ
ンディングされた組立体26には、各単位リードフレー
ム毎に樹脂封止するパッケージ27群が、図5に示され
ているようなトランスファ成形装置30が使用されて、
単位リードフレーム群について同時成形される。In the assembly 26 thus pelletized and wire-bonded, a package 27 group for resin-sealing each unit lead frame is used, and a transfer molding device 30 as shown in FIG. 5 is used. Has been
Simultaneous molding is performed for a unit lead frame group.
【0034】図5に示されているトランスファ成形装置
30は、シリンダ装置等(図示せず)によって互いに型
締めされる一対の上型31と下型32とを備えており、
上型31と下型32との合わせ面には上型キャビティー
凹部33aと下型キャビティー凹部33bとが互いに協
働してキャビティー33を形成するようにそれぞれ複数
組没設されている。The transfer molding apparatus 30 shown in FIG. 5 comprises a pair of upper mold 31 and lower mold 32 which are clamped together by a cylinder device or the like (not shown).
On the mating surface of the upper mold 31 and the lower mold 32, a plurality of upper mold cavity recesses 33a and a plurality of lower mold cavity recesses 33b are provided so as to cooperate with each other to form the cavity 33.
【0035】上型31の合わせ面にはポット34が開設
されており、ポット34にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ35が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入さ
れている。A pot 34 is opened on the mating surface of the upper mold 31, and a cylinder device (not shown) is provided in the pot 34.
A plunger 35 that is advanced and retracted by is inserted so that a resin (hereinafter, referred to as a resin) as a molding material can be fed.
【0036】下型32の合わせ面にはカル36がポット
34との対向位置に配されて没設されているとともに、
複数条のランナ37がポット34にそれぞれ接続するよ
うに放射状に配されて没設されている。各ランナ37の
他端部は下側キャビティー凹部33bにそれぞれ接続さ
れており、その接続部にはゲート38がレジンをキャビ
ティー33内に注入し得るように形成されている。ま
た、下型32の合わせ面には逃げ凹所39がリードフレ
ームの厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム11
の外形よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等し
い寸法の一定深さに没設されている。On the mating surface of the lower mold 32, a cull 36 is disposed so as to face the pot 34 and is recessed.
A plurality of runners 37 are radially arranged so as to be respectively connected to the pots 34 and are recessed. The other end of each runner 37 is connected to the lower cavity recess 33b, and a gate 38 is formed at that connection so that the resin can be injected into the cavity 33. Further, the multiple lead frame 11 is provided so that an escape recess 39 can escape the thickness of the lead frame on the mating surface of the lower die 32.
It has a rectangular shape slightly larger than the outer shape, and is submerged at a constant depth of a size approximately equal to its thickness.
【0037】前記構成にかかる組立体26が用いられて
樹脂封止形パッケージがトランスファ成形される場合、
上型31および下型32における各キャビティー33は
各単位リードフレーム12における一対のダム16a、
16a間の空間にそれぞれ対応される。When the resin-sealed package is transfer-molded by using the assembly 26 having the above structure,
Each cavity 33 in the upper mold 31 and the lower mold 32 is a pair of dams 16a in each unit lead frame 12,
It corresponds to the space between 16a.
【0038】トランスファ成形時において、前記構成に
かかる組立体26は、多連リードフレーム11が下型3
2に没設されている逃げ凹所39内に収容され、各単位
リードフレーム12におけるペレット24が各キャビテ
ィー33内にそれぞれ収容されるように配されてセット
される。このとき、本実施例においては、タブ18に下
方斜めに屈曲された4個の切り起こし片22が下型キャ
ビティー凹所33bの底面からそれぞれ離間した状態に
なっている。At the time of transfer molding, in the assembly 26 having the above-mentioned structure, the multiple lead frame 11 has the lower die 3
It is housed in the escape recess 39 that is buried in the unit 2, and the pellets 24 of each unit lead frame 12 are arranged and set so as to be housed in each cavity 33. At this time, in this embodiment, the four cut-and-raised pieces 22 that are bent obliquely downward to the tab 18 are separated from the bottom surface of the lower mold cavity recess 33b.
【0039】続いて、上型31と下型32とが型締めさ
れ、ポット34からプランジャ35によりレジン40が
ランナ37およびゲート38を通じて各キャビティー3
3に送給されて圧入される。キャビティー33に圧入さ
れたレジン40はキャビティー33に隙間なく充填され
るため、レジン40はタブ18に開設された各切り起こ
し部20の切り起こし孔21の内部にも隙間なく充填さ
れる。Subsequently, the upper mold 31 and the lower mold 32 are clamped, and the resin 40 is moved from the pot 34 by the plunger 35 through the runner 37 and the gate 38 to each cavity 3.
It is sent to 3 and press-fitted. Since the resin 40 press-fitted into the cavity 33 is filled in the cavity 33 without any gap, the resin 40 is also filled in the inside of the cut-and-raised holes 21 of the cut-and-raised portions 20 formed in the tab 18 without any gap.
【0040】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形
パッケージ27が成形されると、上型31および下型3
2は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン(図示せ
ず)により樹脂封止パッケージ27群が離型される。こ
のようにして、図6および図7に示されているように、
樹脂封止パッケージ27群が成形された組立体28はト
ランスファ成形装置30から脱装される。そして、この
ように樹脂成形された樹脂封止パッケージ27の内部に
は、タブ18、ペレット24、リード19のインナ部1
9aおよびワイヤ25が樹脂封止されることになる。After the injection, when the resin is thermoset to form the resin-sealed package 27, the upper mold 31 and the lower mold 3 are formed.
The mold 2 is opened, and the resin-sealed package 27 group is released from the mold by ejector pins (not shown). Thus, as shown in FIGS. 6 and 7,
The assembly 28 in which the group of resin-sealed packages 27 is molded is removed from the transfer molding device 30. The inner portion 1 of the tab 18, the pellet 24, and the lead 19 is placed inside the resin-sealed package 27 resin-molded as described above.
9a and the wire 25 are resin-sealed.
【0041】本実施例においては、タブ18に形成され
た4個の切り起こし部20の切り抜き孔21および切り
起こし片22が樹脂封止パッケージ27の樹脂によって
包囲された状態になっている。In this embodiment, the cut-out holes 21 and the cut-and-raised pieces 22 of the four cut-and-raised parts 20 formed on the tab 18 are surrounded by the resin of the resin-sealed package 27.
【0042】樹脂封止パッケージを成形された半完成品
としての組立体28は、図示しないが、リード切断成形
工程において各単位リードフレーム毎に順次、外枠13
およびダム16aを切り落とされるとともに、各リード
19のアウタ部19bをガル・ウイング形状に屈曲形成
される。Although not shown, the assembly 28, which is a semi-finished product in which the resin-sealed package is molded, is not shown in the drawing, but in the lead cutting step, the outer frame 13 is sequentially arranged for each unit lead frame.
The dam 16a is cut off, and the outer portion 19b of each lead 19 is bent and formed into a gull wing shape.
【0043】以上のようにして製造された樹脂封止形Q
FP・IC29は図8に示されているようにプリント配
線基板に実装される。Resin-encapsulated type Q manufactured as described above
The FP / IC 29 is mounted on the printed wiring board as shown in FIG.
【0044】プリント配線基板41にはランド42が複
数個、実装対象物となる樹脂封止形QFP・IC29に
おける各リード19に対応するように配されて、はんだ
材料を用いられて略長方形の薄板形状に形成されてお
り、このランド42群にこのIC29のリード19群が
それぞれ整合されて当接されているとともに、各リード
19とランド42とがリフローはんだ処理により形成さ
れたはんだ盛り層(図示せず)によって電気的かつ機械
的に接続されている。A plurality of lands 42 are arranged on the printed wiring board 41 so as to correspond to the leads 19 of the resin-sealed QFP / IC 29 to be mounted, and a substantially rectangular thin plate made of a solder material is used. The leads 42 of the IC 29 are aligned and abutted on the lands 42, and the leads 19 and the lands 42 are formed by a reflow soldering process. (Not shown) electrically and mechanically connected.
【0045】次に作用を説明する。前記構成にかかるQ
FP・ICは出荷前に抜き取り検査を実施される。抜き
取り検査としては温度サイクル試験や熱衝撃試験を含む
環境試験が実施される。また、このQFP・ICがプリ
ント配線基板等に実装される際、はんだディップ処理や
リフローはんだ処理によってQFP・ICは加熱され
る。Next, the operation will be described. Q related to the above configuration
The FP / IC is inspected before shipment. Environmental tests including temperature cycle tests and thermal shock tests are carried out as sampling inspections. Further, when this QFP / IC is mounted on a printed wiring board or the like, the QFP / IC is heated by solder dip processing or reflow soldering processing.
【0046】このような環境試験または実装時に熱スト
レスが前記構成に係るQFP・IC29に加えられた場
合、構成材料の熱膨張係数差により樹脂封止パッケージ
27の内部に応力が発生する。When a thermal stress is applied to the QFP / IC 29 having the above-mentioned structure during such an environmental test or mounting, a stress is generated inside the resin-sealed package 27 due to the difference in the thermal expansion coefficient of the constituent materials.
【0047】ところで、タブの外周縁が鋭い直角に形成
されている場合、樹脂封止パッケージの内部応力はタブ
の裏面における外縁付近に集中する。但し、樹脂封止パ
ッケージのクラックはこの程度の応力集中では発生しな
い。しかし、度重なる熱ストレスによる繰り返し応力に
より、タブ下面とパッケージの樹脂との界面や、タブと
ペレットとの界面に剥離が発生すると、前記応力集中箇
所に過大な応力が作用するため、そこを起点にしてクラ
ックが発生する。By the way, when the outer peripheral edge of the tab is formed in a sharp right angle, the internal stress of the resin-sealed package is concentrated near the outer edge on the back surface of the tab. However, cracks in the resin-sealed package do not occur with such stress concentration. However, if peeling occurs at the interface between the bottom surface of the tab and the resin of the package or the interface between the tab and the pellet due to repeated stress due to repeated thermal stress, excessive stress acts on the stress concentration point, and so there is a starting point there. Then cracks occur.
【0048】さらに、樹脂封止パッケージ完成後の保管
過程において樹脂封止パッケージの内部に吸湿された湿
気が、万一、タブ下面とパッケージとの間に剥離によっ
て発生した隙間に侵入すると、QFP・ICが加熱され
た際に、加熱によって当該湿気が膨張することによって
所謂水蒸気爆発が発生するため、一層過大な応力が発生
される。このため、前記応力集中箇所を起点とするクラ
ックは一層発生され易くなるという問題点があること
が、本発明者によって明らかにされている。Furthermore, if the moisture absorbed inside the resin-sealed package in the storage process after the completion of the resin-sealed package intrudes into the gap generated by peeling between the lower surface of the tab and the package, QFP. When the IC is heated, the moisture expands due to the heating, so-called steam explosion occurs, so that even more stress is generated. Therefore, the present inventor has clarified that there is a problem that cracks starting from the stress concentration portion are more likely to be generated.
【0049】この解析と同様な研究が、財団法人日本科
学技術連盟発行「第14回信頼性シンポジウム発表報文
集」1984年5月29日発行P303〜P306、に
発表されている。A study similar to this analysis is published in "14th Reliability Symposium Announcement Bulletin" published by The Japan Science and Technology Federation, May 29, 1984, P303-P306.
【0050】そして、42アロイから成るリードフレー
ムが使用されている場合にはタブ下面とパッケージの樹
脂との界面における剥離が発生した時に、また、銅から
成るリードフレームが使用されている場合にはペレット
とタブとの界面における剥離が発生した時に、タブ下端
部の応力は大幅に増加し、樹脂封止パッケージにクラッ
クが発生する。特に、熱膨張係数がパッケージに使用さ
れている樹脂と略同一の銅からなるリードフレームが使
用されている場合でも、ペレットとタブとの界面におけ
る剥離が発生すると、タブ側面に接するパッケージの樹
脂部分が開口し、過大な応力が作用してクラックが発生
する。When a lead frame made of 42 alloy is used, peeling occurs at the interface between the lower surface of the tab and the resin of the package, and when a lead frame made of copper is used. When peeling occurs at the interface between the pellet and the tab, the stress at the lower end of the tab increases significantly, causing cracks in the resin-sealed package. In particular, even when a lead frame made of copper, whose coefficient of thermal expansion is almost the same as that of the resin used in the package, is used, if peeling occurs at the interface between the pellet and the tab, the resin portion of the package that contacts the side surface of the tab Opens, and excessive stress acts to cause cracks.
【0051】そして、QFP・IC29においてこのよ
うなクラックが発生すると、樹脂封止パッケージ27が
薄く形成されているため、クラックが樹脂封止パッケー
ジ27の表面に達し易い。そして、表面に達したクラッ
クの開口からの樹脂封止パッケージ27内部への湿気の
侵入のため、QFP・IC29の耐湿性が急激に低下す
ることになる。When such a crack occurs in the QFP / IC 29, the crack is likely to reach the surface of the resin-sealed package 27 because the resin-sealed package 27 is thinly formed. Moisture resistance of the QFP / IC 29 is drastically reduced due to the intrusion of moisture into the inside of the resin-sealed package 27 from the opening of the crack reaching the surface.
【0052】しかし、本実施例においては、タブ18に
切り起こし部20が4箇所に形成されているため、樹脂
封止パッケージ27にクラックが発生することはない。However, in this embodiment, since the cut-and-raised parts 20 are formed at four positions on the tab 18, the resin-sealed package 27 does not crack.
【0053】すなわち、前述したような熱ストレスによ
る繰り返し応力により、タブ18下面と樹脂封止パッケ
ージ27の樹脂との界面、または、タブ18とペレット
24との界面に対してこれを剥離させようとする力が作
用したとしても、切り起こし部20の切り抜き孔21内
に充填されている樹脂、および、樹脂封止パッケージ2
7の樹脂の内部に埋め込まれた状態になっている切り起
こし片22が投錨効果を発揮するため、その剥離力に対
して充分に抗することができる。これらの投錨効果によ
って、タブ18下面と樹脂封止パッケージ27の樹脂と
の界面、または、タブ18とペレット24との界面にお
ける剥離は確実に防止される。そして、剥離が発生しな
い場合には、タブ18の裏面における外縁付近に応力が
集中したとしても、そこを起点とするクラックが発生し
ないのは前述した通りである。ちなみに、切り抜き孔2
1をペレット付け面側が大口径になるテーパ孔に形成し
ておくと、切り抜き孔21における投錨効果は一層高く
なる。That is, it is attempted to peel off the interface between the lower surface of the tab 18 and the resin of the resin-sealed package 27 or the interface between the tab 18 and the pellet 24 by the repeated stress due to the thermal stress as described above. Even if a force to act is applied, the resin filled in the cutout hole 21 of the cut-and-raised portion 20 and the resin-sealed package 2
Since the cut-and-raised pieces 22 embedded in the resin of No. 7 exert the anchoring effect, the peeling force can be sufficiently resisted. Due to these anchoring effects, peeling at the interface between the lower surface of the tab 18 and the resin of the resin-sealed package 27 or the interface between the tab 18 and the pellet 24 is reliably prevented. As described above, when the peeling does not occur, even if the stress is concentrated near the outer edge of the back surface of the tab 18, the crack originating from the stress does not occur. By the way, cutout hole 2
If 1 is formed as a tapered hole having a large diameter on the pellet mounting surface side, the anchoring effect in the cutout hole 21 is further enhanced.
【0054】また、タブ18に切り起こし部20の切り
抜き孔21が4箇所に十字形状に配されて開設されてい
ることにより、タブ18の横断面積が4ブロックに分割
されて、各ブロック毎に横断面積が減少されているた
め、タブ18の熱膨張による伸び量がその分、縮小され
ることになる。その結果、タブ18の外側縁辺において
タブ18とパッケージ27の樹脂との熱膨張差によって
発生する集中応力の大きさ自体が小さく抑制されるた
め、万一、樹脂封止パッケージ27内部において前記の
ような剥離が発生したとしても、応力集中箇所を起点と
するクラックの発生は防止されることになる。Further, since the cut-out holes 21 of the cut-and-raised portion 20 are formed in the tabs 18 at four positions in a cross shape, the cross-sectional area of the tabs 18 is divided into four blocks, and each block is divided into four blocks. Since the cross-sectional area is reduced, the amount of expansion due to the thermal expansion of the tab 18 is reduced accordingly. As a result, the magnitude of the concentrated stress generated due to the difference in thermal expansion between the tab 18 and the resin of the package 27 on the outer edge of the tab 18 is suppressed to a small level, so that the inside of the resin-sealed package 27 should be as described above. Even if such peeling occurs, the occurrence of cracks originating from the stress concentration point is prevented.
【0055】以上のようにして、本実施例においては、
切り起こし部20の投錨効果および横断面積の分割効果
によって剥離の発生が確実に防止されているため、樹脂
封止パッケージ27の温度上昇に伴って引き起こされる
所謂水蒸気爆発による樹脂封止パッケージ27のクラッ
クをも防止することができる。すなわち、樹脂封止パッ
ケージ27に吸湿された水分が、タブ18下面と樹脂封
止パッケージ27の樹脂との界面に形成された隙間に溜
まって、前述した加熱時における樹脂封止パッケージ2
7の温度上昇に伴って所謂水蒸気爆発を引起されるので
あるが、本実施例においては剥離による隙間が発生しな
いのであるから、樹脂封止パッケージに吸湿された水分
が隙間に溜まる現象は発生しない。つまり、水蒸気爆発
が樹脂封止パッケージ27の内部で発生する現象を未然
に回避することができるため、それによるクラックの発
生は防止されることになる。As described above, in this embodiment,
Since the peeling is surely prevented by the anchoring effect of the cut-and-raised portion 20 and the dividing effect of the cross-sectional area, cracks in the resin-sealed package 27 due to so-called steam explosion caused by the temperature rise of the resin-sealed package 27. Can also be prevented. That is, the moisture absorbed by the resin-sealed package 27 collects in the gap formed at the interface between the lower surface of the tab 18 and the resin of the resin-sealed package 27, and the resin-sealed package 2 at the time of heating described above.
Although a so-called steam explosion is caused as the temperature of No. 7 rises, a gap due to peeling does not occur in the present embodiment, so that the moisture absorbed by the resin-sealed package does not accumulate in the gap. . In other words, it is possible to avoid the phenomenon that the steam explosion occurs inside the resin-sealed package 27, so that the occurrence of cracks is prevented.
【0056】前記実施例によれば次の効果が得られる。 タブに切り起こし部を形成することにより、熱スト
レスに伴って発生する応力によってタブと樹脂封止パッ
ケージの樹脂とが剥離されるのを防止することができる
ため、タブの外周縁を起点とする樹脂封止パッケージに
おけるクラックの発生を防止することができる。According to the above embodiment, the following effects can be obtained. By forming the cut-and-raised portion on the tab, it is possible to prevent the tab and the resin of the resin-encapsulated package from being separated from each other due to the stress generated due to the thermal stress. Therefore, the outer peripheral edge of the tab is used as a starting point. It is possible to prevent the occurrence of cracks in the resin-sealed package.
【0057】 タブと樹脂封止パッケージの樹脂との
剥離を防止することにより、樹脂封止パッケージに吸湿
された水分が剥離による隙間に溜まるのを未然に防止す
ることができるため、種々の加熱時における樹脂封止パ
ッケージの温度上昇に伴って引き起こされる所謂水蒸気
爆発を未然に回避することができ、その結果、水蒸気爆
発による樹脂封止パッケージのクラックをも防止するこ
とができる。By preventing peeling between the tab and the resin of the resin-sealed package, it is possible to prevent water absorbed by the resin-sealed package from accumulating in the gap due to peeling, and therefore, when various heating is performed. The so-called steam explosion caused by the temperature rise of the resin-sealed package can be avoided in advance, and as a result, the resin-sealed package can be prevented from cracking due to the steam explosion.
【0058】 前記およびにより、樹脂封止パッ
ケージにおけるクラックの発生を確実に防止することが
できるので、表面実装形パッケージをさらに薄形で、か
つ小形化させることができ、表面実装形パッケージを備
えているICの集積密度および実装密度をさらに一層高
めることができる。With the above, since it is possible to reliably prevent the occurrence of cracks in the resin-sealed package, it is possible to make the surface mount type package thinner and more compact, and to provide the surface mount type package. The integration density and packaging density of existing ICs can be further increased.
【0059】 切り起こし部は多連リードフレームの
成形時にタブと同時に成形することができるため、生産
性の低下を抑制することができる。Since the cut-and-raised portion can be formed simultaneously with the tab when forming the multiple lead frame, it is possible to suppress a decrease in productivity.
【0060】図9は本発明の実施例2であるQFP・I
Cを示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は一部
切断底面図である。FIG. 9 shows a second embodiment of the present invention, QFP.I.
It is a figure which shows C, (a) is front sectional drawing, (b) is a partially cut bottom view.
【0061】本実施例2が前記実施例1と異なる点は切
り起こし部20Aにおける切り抜き孔21Aが一連の十
字形状に開設されているとともに、切り起こし片22A
が十字形状に一体的に連結されている点にある。The difference of the second embodiment from the first embodiment is that the cut-out hole 21A in the cut-and-raised portion 20A is opened in a series of cross shapes and the cut-and-raised piece 22A is formed.
Is that they are integrally connected in a cross shape.
【0062】本実施例2においては、切り起こし片22
Aがタブ18下面の樹脂部を抱え込んだ状態になってい
るため、投錨効果が一層高くなる。In the second embodiment, the cut and raised piece 22 is used.
Since A is holding the resin portion on the lower surface of the tab 18, the anchoring effect is further enhanced.
【0063】図10は本発明の実施例3であるQFP・
ICを示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は一
部切断底面図である。FIG. 10 shows QFP, which is Embodiment 3 of the present invention.
It is a figure which shows IC, (a) is front sectional drawing, (b) is a partially cut bottom view.
【0064】本実施例3が前記実施例1と異なる点は、
切り起こし部20Bにおける切り抜き孔21Bが一連の
一文字形状に開設されているとともに、切り起こし片2
2Bが一文字形状に一体的に連結されている点にある。The difference of the third embodiment from the first embodiment is that
The cut-out hole 21B in the cut-and-raised portion 20B is opened in a series of one-letter shapes, and the cut-and-raised piece 2 is formed.
The point is that 2B is integrally connected in a one-letter shape.
【0065】本実施例3においては、切り起こし部20
Bの面積が減少されているが、切り起こし片22Bがタ
ブ18下面の樹脂部を抱え込んだ状態になっていること
により、投錨効果が高められているため、タブ18と樹
脂封止パッケージ27の樹脂との剥離を確実に防止する
ことができる。In the third embodiment, the cut and raised portion 20
Although the area of B is reduced, since the cut-and-raised piece 22B is in a state of holding the resin portion on the lower surface of the tab 18, the anchoring effect is enhanced, so that the tab 18 and the resin-sealed package 27 are separated. It is possible to reliably prevent peeling from the resin.
【0066】図11は本発明の実施例4である放熱フィ
ンを有するQFP・ICを示す図であり、(a)は一部
切断底面図、(b)はb−b線に沿う拡大した部分断面
図である。FIG. 11 is a view showing a QFP / IC having a radiation fin according to a fourth embodiment of the present invention. (A) is a partially cut bottom view, and (b) is an enlarged portion taken along line bb. FIG.
【0067】本実施例4が前記実施例1と異なる点は、
フィン17aが樹脂封止パッケージ27の4隅から外部
に突出されている各フィン付きタブ吊りリード17C
に、各切り起こし部20Cがそれぞれ形成されており、
かつ、各切り起こし孔21Cが一直線形状に開設されて
いるとともに、各切り起こし片22Cが上下に切り起こ
されている点にある。The difference of the fourth embodiment from the first embodiment is that
The tab suspension leads 17C with fins in which the fins 17a are projected to the outside from the four corners of the resin-sealed package 27.
In addition, each cut-and-raised portion 20C is formed,
In addition, each cut-and-raised hole 21C is opened in a straight line shape, and each cut-and-raised piece 22C is cut and raised vertically.
【0068】本実施例4においては、タブ18の4隅に
突設された各タブ吊りリード17Cに切り起こし部20
Cがそれぞれ形成されているため、各タブ吊りリード1
7Cが切り起こし部20Cによる投錨効果によって樹脂
封止パッケージ27に固定される結果、タブ18が樹脂
封止パッケージ27に強力に固定され、タブ18と樹脂
封止パッケージ27の樹脂との剥離が防止されることに
なる。In the fourth embodiment, the cut-and-raised portions 20 are formed on the tab suspension leads 17C projecting from the four corners of the tab 18.
Since each C is formed, each tab suspension lead 1
7C is fixed to the resin-sealed package 27 by the anchoring effect of the cut-and-raised portion 20C, and as a result, the tab 18 is strongly fixed to the resin-sealed package 27 and the tab 18 and the resin of the resin-sealed package 27 are prevented from peeling off. Will be done.
【0069】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【0070】例えば、切り起こし部における切り抜き孔
および切り起こし片の形状は、長方形に限らず、正方形
や三角形、楕円形、曲線あるいは直線と曲線の組合せ等
であってもよく、特に、その形状は問わない。さらに、
切り起こし部の数は、4個に限らず、3個以上とするこ
ともできる。For example, the shape of the cut-out hole and the cut-and-raised piece in the cut-and-raised portion is not limited to a rectangle, but may be a square, a triangle, an ellipse, a curve, or a combination of straight lines and curves. It doesn't matter. further,
The number of cut-and-raised parts is not limited to four and may be three or more.
【0071】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるQFP
・ICに適用した場合について主に説明したが、それに
限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備えて
いる半導体装置全般に適用することができる。特に、本
発明は、厚さが薄い表面実装形樹脂封止パッケージを備
えている半導体装置の製造技術に利用して優れた効果が
得られる。In the above description, the invention made mainly by the present inventor is a field of application which is the background of the invention.
The case of application to an IC has been mainly described, but the present invention is not limited to this and can be applied to all semiconductor devices including a resin-sealed package. In particular, the present invention can be applied to a manufacturing technique of a semiconductor device having a thin surface-mounting resin-sealed package to obtain excellent effects.
【0072】[0072]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【0073】タブおよびタブ吊りリードの少なくともい
ずれか一方に切り起こし部を形成することにより、樹脂
封止パッケージにタブのコーナーを起点とするクラック
が発生するのを確実に防止することができる。By forming the cut-and-raised portion on at least one of the tab and the tab suspension lead, it is possible to reliably prevent the occurrence of cracks originating from the corners of the tab in the resin-sealed package.
【図1】本発明の一実施例であるQFP・ICを示す図
であり、(a)は正面断面図、(b)は一部切断底面図
である。FIG. 1 is a diagram showing a QFP / IC according to an embodiment of the present invention, in which (a) is a front sectional view and (b) is a partially cut bottom view.
【図2】そのQFP・ICの製造方法に使用される多連
リードフレームを示す一部省略平面図である。FIG. 2 is a partially omitted plan view showing a multiple lead frame used in the method for manufacturing the QFP / IC.
【図3】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示す一部省略平面図である。FIG. 3 is a partially omitted plan view showing a state after a pellet and wire bonding step.
【図4】図3のIV-IV 線に沿う正面断面図である。FIG. 4 is a front sectional view taken along line IV-IV in FIG.
【図5】樹脂封止形パッケージの成形工程を示す一部省
略縦断面図である。FIG. 5 is a partially omitted vertical sectional view showing a molding step of a resin-sealed package.
【図6】樹脂封止形パッケージ成形後の組立体を示す一
部切断平面図である。FIG. 6 is a partially cutaway plan view showing the assembly after molding the resin-sealed package.
【図7】同じく縦断面図である。FIG. 7 is a vertical sectional view of the same.
【図8】QFP・ICの実装状態を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a mounted state of a QFP / IC.
【図9】本発明の実施例2であるQFP・ICを示す図
であり、(a)は正面断面図、(b)は一部切断底面図
である。9A and 9B are diagrams showing a QFP / IC that is Embodiment 2 of the present invention, in which FIG. 9A is a front sectional view and FIG.
【図10】本発明の実施例3であるQFP・ICを示す
図であり、(a)は正面断面図、(b)は一部切断底面
図である。10A and 10B are views showing a QFP / IC that is Embodiment 3 of the present invention, in which FIG. 10A is a front sectional view and FIG.
【図11】本発明の実施例4である放熱フィンを有する
QFP・ICを示す図であり、(a)は一部切断底面
図、(b)はb−b線に沿う拡大した部分断面図であ
る。11A and 11B are views showing a QFP / IC having a radiation fin according to a fourth embodiment of the present invention, in which FIG. 11A is a partially cutaway bottom view and FIG. 11B is an enlarged partial sectional view taken along line bb. Is.
11…多連リードフレーム、12…単位リードフレー
ム、13…外枠、14…セクション枠、15…ダム吊り
部材、16…ダム部材、16a…ダム、17…タブ吊り
リード、17C…フィン付きタブ吊りリード、18…タ
ブ、19…リード、19a…インナ部、19b…アウタ
部、20、20A、20B、20C…切り起こし部、2
1、21A、21B、21C…切り抜き孔、22、22
A、22B、22C…切り起こし片、23…ボンディン
グ層、24…ペレット、24a…ボンディングパッド、
25…ワイヤ、26…組立体、27…樹脂封止パッケー
ジ、28…樹脂封止パッケージ成形後の組立体、29…
QFP・IC(半導体装置)、30…トランスファ成形
装置、31…上型、32…下型、33…キャビティー、
33a…上型キャビティー凹部、33b…下型キャビテ
ィー凹部、34…ポット、35…プランジャ、36…カ
ル、37…ランナ、38…ゲート、39…逃げ凹所、4
0…レジン、41…プリント配線基板、42…ランド。11 ... Multiple lead frame, 12 ... Unit lead frame, 13 ... Outer frame, 14 ... Section frame, 15 ... Dam suspension member, 16 ... Dam member, 16a ... Dam, 17 ... Tab suspension lead, 17C ... Fin tab suspension Lead, 18 ... Tab, 19 ... Lead, 19a ... Inner portion, 19b ... Outer portion, 20, 20A, 20B, 20C ... Cut and raised portion, 2
1, 21A, 21B, 21C ... Cutout holes, 22, 22
A, 22B, 22C ... Cut and raised piece, 23 ... Bonding layer, 24 ... Pellet, 24a ... Bonding pad,
25 ... Wire, 26 ... Assembly, 27 ... Resin-sealed package, 28 ... Assembly after resin-sealed package molding, 29 ...
QFP / IC (semiconductor device), 30 ... Transfer molding device, 31 ... Upper mold, 32 ... Lower mold, 33 ... Cavity,
33a ... upper mold cavity recess, 33b ... lower mold cavity recess, 34 ... pot, 35 ... plunger, 36 ... cull, 37 ... runner, 38 ... gate, 39 ... escape recess, 4
0 ... Resin, 41 ... Printed wiring board, 42 ... Land.
Claims (3)
ンディングされているタブと、半導体ペレットの各ボン
ディングパッドに電気的に接続されている複数本のリー
ドと、半導体ペレット、タブおよび各リードの一部を樹
脂封止するパッケージとを備えている半導体装置におい
て、 前記タブおよびタブを吊るためのタブ吊りリードの少な
くともいずれか一方に切り起こし部が形成されていると
ともに、この切り起こし部の切り抜き孔および切り起こ
し片が前記樹脂封止パッケージの樹脂によって包囲され
ていることを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor pellet, a tab to which the semiconductor pellet is bonded, a plurality of leads electrically connected to each bonding pad of the semiconductor pellet, a semiconductor pellet, a tab, and a part of each lead. In a semiconductor device including a resin-sealed package, a cut-and-raised portion is formed on at least one of the tab and a tab suspension lead for suspending the tab, and a cut-out hole and a cut-and-raised portion of the cut-and-raised portion are formed. A semiconductor device, wherein the raised piece is surrounded by the resin of the resin-sealed package.
ンディングされているタブと、半導体ペレットの各ボン
ディングパッドに電気的に接続されている複数本のリー
ドと、半導体ペレット、タブおよび各リードの一部を樹
脂封止するパッケージとを備えている半導体装置の製造
方法において、 前記タブおよびタブを吊るためのタブ吊りリードの少な
くともいずれか一方に切り起こし部が形成されているリ
ードフレームを製作するリードフレーム成形工程と、 このリードフレームにおける前記タブに前記半導体ペレ
ットがボンディングされるペレットボンディング工程
と、 この半導体ペレットの各ボンディングパッドと、前記リ
ードフレームの各リードとがそれぞれ電気的に接続され
るリード接続工程と、 このリードフレームが成形型に、前記タブおよび切り起
こし片がキャビティー内に配置されて収容され、キャビ
ティー内に樹脂が注入されることにより、前記半導体ペ
レット、タブおよび各リードの一部を樹脂封止するパッ
ケージが成形されるとともに、前記切り起こし部の切り
抜き孔および切り起こし片が樹脂封止パッケージの樹脂
によって包囲される樹脂封止パッケージ成形工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。2. A semiconductor pellet, a tab to which the semiconductor pellet is bonded, a plurality of leads electrically connected to each bonding pad of the semiconductor pellet, a part of each of the semiconductor pellet, the tab and each lead. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a resin-sealed package; and a lead frame molding for manufacturing a lead frame in which a cut-and-raised portion is formed in at least one of the tab and a tab suspension lead for suspending the tab. A step, a pellet bonding step in which the semiconductor pellet is bonded to the tab in the lead frame, and a lead connecting step in which each bonding pad of the semiconductor pellet and each lead of the lead frame are electrically connected. , This lead frame is The tab and the cut-and-raised piece are arranged and housed in the cavity, and a resin is injected into the cavity to form a package for resin-sealing the semiconductor pellet, the tab, and a part of each lead. A method of manufacturing a semiconductor device, further comprising: a resin-sealed package molding step in which the cutout hole and the cut-and-raised piece of the cut-and-raised portion are surrounded by a resin of a resin-sealed package.
ブと、タブにボンディングされた半導体ペレットのボン
ディングパッドに電気的に接続されるリードとを備えて
いるリードフレームにおいて、 前記タブおよびタブを吊るためのタブ吊りリードの少な
くともいずれか一方に切り起こし部が形成されているこ
とを特徴とするリードフレーム。3. A lead frame comprising a tab to which a semiconductor pellet is bonded and a lead electrically connected to a bonding pad of the semiconductor pellet bonded to the tab, wherein the tab and the tab for suspending the tab are provided. A lead frame, wherein a cut-and-raised part is formed on at least one of the suspension leads.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4352052A JPH06177313A (en) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | Semiconductor device and its manufacture and lead frame used in the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4352052A JPH06177313A (en) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | Semiconductor device and its manufacture and lead frame used in the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06177313A true JPH06177313A (en) | 1994-06-24 |
Family
ID=18421459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4352052A Pending JPH06177313A (en) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | Semiconductor device and its manufacture and lead frame used in the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06177313A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007053450A (en) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Nec Access Technica Ltd | Mobile communication terminal |
WO2008147857A1 (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device package leadframe |
-
1992
- 1992-12-09 JP JP4352052A patent/JPH06177313A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007053450A (en) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Nec Access Technica Ltd | Mobile communication terminal |
WO2008147857A1 (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device package leadframe |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100390094B1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method | |
US7410834B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
JP3871486B2 (en) | Semiconductor device | |
US7879653B2 (en) | Leadless semiconductor package with electroplated layer embedded in encapsulant and the method for manufacturing the same | |
US7033866B2 (en) | Method for making dual gauge leadframe | |
JP5078930B2 (en) | Semiconductor device | |
US20180122731A1 (en) | Plated ditch pre-mold lead frame, semiconductor package, and method of making same | |
JP2003282809A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JPH06177313A (en) | Semiconductor device and its manufacture and lead frame used in the same | |
US6122822A (en) | Method for balancing mold flow in encapsulating devices | |
JP2000003981A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
JPH05114688A (en) | Semiconductor device, its manufacture, and lead frame used therefor | |
JP2002100722A (en) | Semiconductor device | |
JPH06140550A (en) | Semiconductor device, manufacture thereof and lead frame used therein | |
JP4450800B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
KR20200001803U (en) | Preformed lead frame and lead frame package made from the same | |
JPH098210A (en) | Semiconductor device, its manufacture, and lead frame used therefor | |
JPH07142645A (en) | Semiconductor and manufacture thereof | |
JP2000012756A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method, and mounting structure using the device | |
JPH06244349A (en) | Semiconductor device, manufacturing method for it, and lead frame | |
JP3747991B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPH10125851A (en) | Semiconductor device, manufacturing method thereof and lead frame therefor | |
JPH1154685A (en) | Semiconductor device and lead frame used in the same | |
JPS5986251A (en) | Leadframe for resin-sealed semiconductor device | |
JPH088285A (en) | Semiconductor device |