JPH06176416A - 光磁気記録媒体及び記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び記録方法Info
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- JPH06176416A JPH06176416A JP4324185A JP32418592A JPH06176416A JP H06176416 A JPH06176416 A JP H06176416A JP 4324185 A JP4324185 A JP 4324185A JP 32418592 A JP32418592 A JP 32418592A JP H06176416 A JPH06176416 A JP H06176416A
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- magneto
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Abstract
(57)【要約】
【目的】波長５００ｎｍ以下のレーザーでＣ／Ｎ比の高
い信号を安定的に記録することができ、飛躍的な高密度
化が可能となる光磁気記録媒体及び情報記録方法を提供
することを目的とする。 【構成】同心円状もしくは渦巻き状の溝を有する基板上
に記録膜を形成し、波長５００ｎｍ以下のレーザー光を
開口数０．５５以上の対物レンズを用いて基板側から記
録膜上に照射して情報の記録再生を行う光磁気記録媒体
であって、トラックピッチが０．５μｍ〜０．９μｍ
で、情報を記録する記録部分が溝部の底部平坦部であ
り、上記レーザー光波長をλ、基板の屈折率をｎとした
場合の溝と溝の間のランド部の高さがλ／１０ｎ〜λ／
４ｎでかつランド部の底部の幅が０．１μｍ〜０．３μ
ｍである光磁気記録媒体。
い信号を安定的に記録することができ、飛躍的な高密度
化が可能となる光磁気記録媒体及び情報記録方法を提供
することを目的とする。 【構成】同心円状もしくは渦巻き状の溝を有する基板上
に記録膜を形成し、波長５００ｎｍ以下のレーザー光を
開口数０．５５以上の対物レンズを用いて基板側から記
録膜上に照射して情報の記録再生を行う光磁気記録媒体
であって、トラックピッチが０．５μｍ〜０．９μｍ
で、情報を記録する記録部分が溝部の底部平坦部であ
り、上記レーザー光波長をλ、基板の屈折率をｎとした
場合の溝と溝の間のランド部の高さがλ／１０ｎ〜λ／
４ｎでかつランド部の底部の幅が０．１μｍ〜０．３μ
ｍである光磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体及び記録
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の飛躍的な増加にともな
い、情報記録媒体に対する高密度化・大容量化の要求は
高まるばかりである。光ディスクは、記録密度が高く、
大容量であり、ランダムアクセスに優れるという特長を
有する。更に、ヘッドと非接触で記録再生が行われるた
めに記録媒体の損傷も少なく、塵埃やディスク表面の傷
にも強く、記録データの長期保存安定性に優れている。
これらの特長を有する光ディスクは、まさに社会の要請
に答える記録媒体であり、今後ますますその需要が広が
ると期待される。光ディスクには、再生専用型（ＲＯＭ
型）、追記型（ＷＯ型）、リライタブル型の３種類があ
る。ここで、ユーザー自らが情報の記録が可能なディス
クは追記型とリライタブル型の２つである。追記型は、
必要に応じて情報の記録再生は可能であるが消去再書込
みはできない。一方、リライタブル型は、情報の記録再
生はもとよりすでに記録されている情報を消去して書き
換えることが可能であることから、コンピュータ用の外
部メモリーとしての用途に適している。
い、情報記録媒体に対する高密度化・大容量化の要求は
高まるばかりである。光ディスクは、記録密度が高く、
大容量であり、ランダムアクセスに優れるという特長を
有する。更に、ヘッドと非接触で記録再生が行われるた
めに記録媒体の損傷も少なく、塵埃やディスク表面の傷
にも強く、記録データの長期保存安定性に優れている。
これらの特長を有する光ディスクは、まさに社会の要請
に答える記録媒体であり、今後ますますその需要が広が
ると期待される。光ディスクには、再生専用型（ＲＯＭ
型）、追記型（ＷＯ型）、リライタブル型の３種類があ
る。ここで、ユーザー自らが情報の記録が可能なディス
クは追記型とリライタブル型の２つである。追記型は、
必要に応じて情報の記録再生は可能であるが消去再書込
みはできない。一方、リライタブル型は、情報の記録再
生はもとよりすでに記録されている情報を消去して書き
換えることが可能であることから、コンピュータ用の外
部メモリーとしての用途に適している。
【０００３】リライタブル型光ディスクの記録方式（原
理）には、光磁気型、相変化型、フォトクロミック型、
ＰＨＢ型などがあるが、現状では光磁気型、相変化型の
特性が優れており、既に実用化されている。相変化型の
記録原理は、記録膜が結晶状態と非晶質状態とで異なる
光学定数を有し、反射率に差が生ずることを利用したも
のである。記録層材料としては、カルコゲン薄膜を用い
ることが多い。
理）には、光磁気型、相変化型、フォトクロミック型、
ＰＨＢ型などがあるが、現状では光磁気型、相変化型の
特性が優れており、既に実用化されている。相変化型の
記録原理は、記録膜が結晶状態と非晶質状態とで異なる
光学定数を有し、反射率に差が生ずることを利用したも
のである。記録層材料としては、カルコゲン薄膜を用い
ることが多い。
【０００４】一方、光磁気型の記録原理は、カー効果ま
たはファラデー効果を持つ記録膜がその磁化の方向に応
じて直線偏光の偏光面を回転させる性質を利用したもの
である。光磁気型の特長は、記録膜を融点まで加熱する
必要がないためレーザー光強度が小さくてよいことや、
繰り返し特性がよいことなどである。反面、偏光面の微
小な回転を検出するために、ドライブの光学系が、反射
率変化を検出するだけでよい相変化型に比べて非常に複
雑なものとなり、再生光の利用効率が悪くなる。このた
め光磁気型においては信号振幅が小さくなり、いわゆる
キャリアレベルが低いために、比較的小さなノイズでも
信号が劣化しやすい。従来、このことは高密度記録のた
めにトラックピッチの狭小化を図る際に問題となってい
た。
たはファラデー効果を持つ記録膜がその磁化の方向に応
じて直線偏光の偏光面を回転させる性質を利用したもの
である。光磁気型の特長は、記録膜を融点まで加熱する
必要がないためレーザー光強度が小さくてよいことや、
繰り返し特性がよいことなどである。反面、偏光面の微
小な回転を検出するために、ドライブの光学系が、反射
率変化を検出するだけでよい相変化型に比べて非常に複
雑なものとなり、再生光の利用効率が悪くなる。このた
め光磁気型においては信号振幅が小さくなり、いわゆる
キャリアレベルが低いために、比較的小さなノイズでも
信号が劣化しやすい。従来、このことは高密度記録のた
めにトラックピッチの狭小化を図る際に問題となってい
た。
【０００５】一般に、光ディスクの記録再生には、対物
レンズで微小サイズに集束させた半導体レーザー光を使
用する。レーザービームの最小スポット径ｄminは、使
用するレーザー光の波長λと対物レンズの開口数ＮＡに
より次式で表される。（ｋは、レンズの開口形状、入射
光束の強度分布によって決まる定数である。） ｄmin＝ｋ・λ／ＮＡ ・・・（１） 現在、光ディスクシステムに実用化されている半導体レ
ーザーは、波長８２５ｎｍ帯域と７８０ｎｍ帯域の２種
類である。また、対物レンズは、開口数０．５５以下の
ものが通常使用されている。
レンズで微小サイズに集束させた半導体レーザー光を使
用する。レーザービームの最小スポット径ｄminは、使
用するレーザー光の波長λと対物レンズの開口数ＮＡに
より次式で表される。（ｋは、レンズの開口形状、入射
光束の強度分布によって決まる定数である。） ｄmin＝ｋ・λ／ＮＡ ・・・（１） 現在、光ディスクシステムに実用化されている半導体レ
ーザーは、波長８２５ｎｍ帯域と７８０ｎｍ帯域の２種
類である。また、対物レンズは、開口数０．５５以下の
ものが通常使用されている。
【０００６】光ディスクの記録密度は、レーザービーム
径ｄminで大きく制限される。光ディスクシステムの記
録密度を現行のものより向上させるためには、まず開口
数の大きなレンズを使用することが考えられる。しかし
ながら、ＮＡを大きくすると（２）式及び（３）式に示
したように焦点深度が浅くなったり、ディスクの傾きに
対する許容度が急激に低下してしまい、この方策は実際
のシステムには採用しにくい。
径ｄminで大きく制限される。光ディスクシステムの記
録密度を現行のものより向上させるためには、まず開口
数の大きなレンズを使用することが考えられる。しかし
ながら、ＮＡを大きくすると（２）式及び（３）式に示
したように焦点深度が浅くなったり、ディスクの傾きに
対する許容度が急激に低下してしまい、この方策は実際
のシステムには採用しにくい。
【０００７】 焦点深度＝λ／ＮＡ2 ・・・（２） ディスクの傾きに対する許容度＝Ｋ・λ／ＮＡ3 ・・・（３） （Ｋは比例定数とする） また、基板側入射タイプのディスクの場合、ＮＡを大き
くすると対物レンズがディスクに接触するおそれがあ
り、例えば１．２ｍｍ厚の基板ではＮＡは０．６０程度
が限界である。
くすると対物レンズがディスクに接触するおそれがあ
り、例えば１．２ｍｍ厚の基板ではＮＡは０．６０程度
が限界である。
【０００８】そこで、波長のより短いレーザーを光源と
することが、高密度記録実現には有効である。波長５０
０ｎｍ以下のレーザー光を用いることで線記録密度があ
がるとともに、トラックピッチが狭小化できるためディ
スクの半径方向の記録密度も同様にあがる。すなわち、
理論的にはレーザー波長にほぼ比例してトラックピッチ
も狭めることができる。さらにＭＣＡＶ（Modified Con
stant Angular Velocity）方式、マーク長記録方式（Ｐ
ＷＭ方式）等を採用することで記録容量を現行光ディス
クの１０倍以上にすることが可能である。
することが、高密度記録実現には有効である。波長５０
０ｎｍ以下のレーザー光を用いることで線記録密度があ
がるとともに、トラックピッチが狭小化できるためディ
スクの半径方向の記録密度も同様にあがる。すなわち、
理論的にはレーザー波長にほぼ比例してトラックピッチ
も狭めることができる。さらにＭＣＡＶ（Modified Con
stant Angular Velocity）方式、マーク長記録方式（Ｐ
ＷＭ方式）等を採用することで記録容量を現行光ディス
クの１０倍以上にすることが可能である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
レーザー波長をある程度以上短くした場合、トラックピ
ッチをレーザー波長に比例して狭めることは困難であっ
た。光ディスクのトラックはデータの記録を行う平坦部
（ランド部）とトラッキングのための溝部とからなる
が、従来の光ディスク製造工程では溝幅の狭小化には限
界があるためである。
レーザー波長をある程度以上短くした場合、トラックピ
ッチをレーザー波長に比例して狭めることは困難であっ
た。光ディスクのトラックはデータの記録を行う平坦部
（ランド部）とトラッキングのための溝部とからなる
が、従来の光ディスク製造工程では溝幅の狭小化には限
界があるためである。
【００１０】光ディスク製造工程では、フォトレジスト
層を設けたガラス原盤をレーザー露光して溝を形成し、
これをもとに光ディスク原盤を作成している。一般に、
レーザー光源はＡｒレーザーの４５８ｎｍ波長を使用
し、ＮＡ０．９０程度の対物レンズを用いており、
（１）式でｋ＝０．８として計算すると最小ビーム径ｄ
min＝０．４１μｍである。従って、製造可能な最小溝
幅としては０．４μｍ程度が限界なのである。
層を設けたガラス原盤をレーザー露光して溝を形成し、
これをもとに光ディスク原盤を作成している。一般に、
レーザー光源はＡｒレーザーの４５８ｎｍ波長を使用
し、ＮＡ０．９０程度の対物レンズを用いており、
（１）式でｋ＝０．８として計算すると最小ビーム径ｄ
min＝０．４１μｍである。従って、製造可能な最小溝
幅としては０．４μｍ程度が限界なのである。
【００１１】例えばＮＡが０．５５、波長７８０ｎｍで
のトラックピッチの限界は１．３５μｍであるから、Ｎ
Ａが同じ場合の波長５００ｎｍでのトラックピッチの限
界は、理論的には１．３５（μｍ）×５００（ｎｍ）／
７８０（ｎｍ）＝０．８７（μｍ）である。また、ラン
ド幅の限界も同様に（１．３５−０．４０）×５００／
７８０＝０．６１（μｍ）である。しかし実際は、溝幅
が０．４μｍを占めるため、トラックピッチ０．９μｍ
では０．５μｍの不十分なランド幅しかとれず、ノイズ
に敏感な光磁気記録を行うのは非常に困難であった。
のトラックピッチの限界は１．３５μｍであるから、Ｎ
Ａが同じ場合の波長５００ｎｍでのトラックピッチの限
界は、理論的には１．３５（μｍ）×５００（ｎｍ）／
７８０（ｎｍ）＝０．８７（μｍ）である。また、ラン
ド幅の限界も同様に（１．３５−０．４０）×５００／
７８０＝０．６１（μｍ）である。しかし実際は、溝幅
が０．４μｍを占めるため、トラックピッチ０．９μｍ
では０．５μｍの不十分なランド幅しかとれず、ノイズ
に敏感な光磁気記録を行うのは非常に困難であった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、同心円状もし
くは渦巻き状の溝を有する基板上に記録膜を形成し、波
長５００ｎｍ以下のレーザー光を開口数０．５５以上の
対物レンズを用いて基板側から記録膜上に照射して情報
の記録再生を行う光磁気記録媒体であって、トラックピ
ッチが０．５μｍ〜０．９μｍで、情報を記録する記録
部分が溝部の底部平坦部であり、上記レーザー光波長を
λ、基板の屈折率をｎとした場合の溝と溝の間のランド
部の高さがλ／１０ｎ〜λ／４ｎでかつランド部の底部
の幅が０．１μｍ〜０．３μｍであることを特徴とする
光磁気記録媒体。及び、同心円状もしくは渦巻き状の溝
がトラックピッチ０．５μｍ〜０．９μｍで設けられて
おり、記録再生に使用するレーザー光波長をλ、基板の
屈折率をｎとした場合の溝と溝の間のランド部の高さを
λ／１０ｎ〜λ／４ｎ、ランド部の底部の幅を０．１μ
ｍ〜０．３μｍとした光磁気記録媒体の溝部の底部平坦
部に波長５００ｎｍ以下のレーザー光を開口数０．５５
以上の対物レンズを用いて基板側から照射して光磁気的
記録を行うことを特徴とする記録方法である。
くは渦巻き状の溝を有する基板上に記録膜を形成し、波
長５００ｎｍ以下のレーザー光を開口数０．５５以上の
対物レンズを用いて基板側から記録膜上に照射して情報
の記録再生を行う光磁気記録媒体であって、トラックピ
ッチが０．５μｍ〜０．９μｍで、情報を記録する記録
部分が溝部の底部平坦部であり、上記レーザー光波長を
λ、基板の屈折率をｎとした場合の溝と溝の間のランド
部の高さがλ／１０ｎ〜λ／４ｎでかつランド部の底部
の幅が０．１μｍ〜０．３μｍであることを特徴とする
光磁気記録媒体。及び、同心円状もしくは渦巻き状の溝
がトラックピッチ０．５μｍ〜０．９μｍで設けられて
おり、記録再生に使用するレーザー光波長をλ、基板の
屈折率をｎとした場合の溝と溝の間のランド部の高さを
λ／１０ｎ〜λ／４ｎ、ランド部の底部の幅を０．１μ
ｍ〜０．３μｍとした光磁気記録媒体の溝部の底部平坦
部に波長５００ｎｍ以下のレーザー光を開口数０．５５
以上の対物レンズを用いて基板側から照射して光磁気的
記録を行うことを特徴とする記録方法である。
【００１３】すなわち、本発明は、情報を記録する平坦
部をランド部ではなく同心円状もしくは渦巻き状の溝の
底面に形成し、かつランド部分をトラッキングに使用す
ることにより、０．９μｍ以下の狭いトラックピッチに
おいても充分な幅の記録部が形成できるため、波長５０
０ｎｍ以下のレーザーを使用した場合の高密度化効果を
著しく高めることができる。
部をランド部ではなく同心円状もしくは渦巻き状の溝の
底面に形成し、かつランド部分をトラッキングに使用す
ることにより、０．９μｍ以下の狭いトラックピッチに
おいても充分な幅の記録部が形成できるため、波長５０
０ｎｍ以下のレーザーを使用した場合の高密度化効果を
著しく高めることができる。
【００１４】本発明において、溝とは基板の表面より凹
んだ部分を指し、ランドとは溝と溝との間の畝状の部分
を指す、また、ランド部の底部の幅とは畝状のランドの
根本の部分の幅をいい、根本部分にアールがある場合は
畝の側壁の接線と溝の底面の接線の延長線の交点間の距
離をいう。溝の幅も同様に測る。本発明においては、基
板は透明であり基板を通して光で記録・再生を行うもの
であるので、この光の照射側から見れば、溝の底部がラ
ンドの頂部より手前にあることとなる。
んだ部分を指し、ランドとは溝と溝との間の畝状の部分
を指す、また、ランド部の底部の幅とは畝状のランドの
根本の部分の幅をいい、根本部分にアールがある場合は
畝の側壁の接線と溝の底面の接線の延長線の交点間の距
離をいう。溝の幅も同様に測る。本発明においては、基
板は透明であり基板を通して光で記録・再生を行うもの
であるので、この光の照射側から見れば、溝の底部がラ
ンドの頂部より手前にあることとなる。
【００１５】本発明における溝は底部に平坦部を有する
溝、所謂Ｕ溝が用いられ、底部が傾斜面とされた、所謂
Ｖ溝は不適当である。本発明の光磁気記録媒体を作るた
めの原型となるガラス原盤は、例えば以下のようなカッ
ティング工程を経て作成される。フォトレジスト層を設
けたガラス原盤の溝を形成すべき部分に波長４５８ｎｍ
のＡｒレーザーをＮＡ０．９０の対物レンズを用いて照
射し、現像して、矩形溝を形成する。このとき未露光部
として残るランド部の幅は、レーザービーム径によって
は制限されないため、０．３μｍ以下の底部幅を有する
ランド部が形成できる。
溝、所謂Ｕ溝が用いられ、底部が傾斜面とされた、所謂
Ｖ溝は不適当である。本発明の光磁気記録媒体を作るた
めの原型となるガラス原盤は、例えば以下のようなカッ
ティング工程を経て作成される。フォトレジスト層を設
けたガラス原盤の溝を形成すべき部分に波長４５８ｎｍ
のＡｒレーザーをＮＡ０．９０の対物レンズを用いて照
射し、現像して、矩形溝を形成する。このとき未露光部
として残るランド部の幅は、レーザービーム径によって
は制限されないため、０．３μｍ以下の底部幅を有する
ランド部が形成できる。
【００１６】ただし、光磁気記録媒体として安定なトラ
ッキング特性を得るため、最低でも０．１μｍの底部幅
を有するランド部が必要である。ランド部の底部幅を
０．３μｍ以上とすることは高密度記録という初期の目
的を達成出来ない。好ましくはランド部の底部の幅が
０．１５μｍ（波長３００ｎｍの場合）〜０．２５μｍ
（波長５００ｎｍの場合）である。
ッキング特性を得るため、最低でも０．１μｍの底部幅
を有するランド部が必要である。ランド部の底部幅を
０．３μｍ以上とすることは高密度記録という初期の目
的を達成出来ない。好ましくはランド部の底部の幅が
０．１５μｍ（波長３００ｎｍの場合）〜０．２５μｍ
（波長５００ｎｍの場合）である。
【００１７】また、このように形成された矩形（Ｕ型）
の溝の底部は、従来法で形成したランド部よりも平滑性
が高い。すなわち、ランド部は、一度現像液に曝された
フォトレジスト表面をもとにして作られている。従って
多少の表面荒れが生じるのは避けられず、平滑性が損な
われる原因となる。これに対して矩形溝の底面部は、精
密研磨されたガラス原盤の表面をもとにしているため、
平滑性が非常に高いという特長がある。このことは、当
然ながら、再生信号のノイズ低減につながり、光磁気記
録を行う上で有効である。
の溝の底部は、従来法で形成したランド部よりも平滑性
が高い。すなわち、ランド部は、一度現像液に曝された
フォトレジスト表面をもとにして作られている。従って
多少の表面荒れが生じるのは避けられず、平滑性が損な
われる原因となる。これに対して矩形溝の底面部は、精
密研磨されたガラス原盤の表面をもとにしているため、
平滑性が非常に高いという特長がある。このことは、当
然ながら、再生信号のノイズ低減につながり、光磁気記
録を行う上で有効である。
【００１８】溝は同心円状もしくは渦巻き状を呈し、溝
の底部の幅はトラックピッチとランド部の底部幅との関
係から０．２〜０．８μｍとなるが、カッティング工程
で波長４５８ｎｍのＡｒレーザーとＮＡ０．９０の対物
レンズを用いた場合、底部幅は０．４μｍ程度が限界と
なる。また、記録・再生に用いるレーザーの波長が５０
０ｎｍの場合は溝の底部の幅は０．６μｍ程度、３００
ｎｍの場合は溝の底部の幅は０．３５μｍ程度が限界と
なる。
の底部の幅はトラックピッチとランド部の底部幅との関
係から０．２〜０．８μｍとなるが、カッティング工程
で波長４５８ｎｍのＡｒレーザーとＮＡ０．９０の対物
レンズを用いた場合、底部幅は０．４μｍ程度が限界と
なる。また、記録・再生に用いるレーザーの波長が５０
０ｎｍの場合は溝の底部の幅は０．６μｍ程度、３００
ｎｍの場合は溝の底部の幅は０．３５μｍ程度が限界と
なる。
【００１９】ランド部の高さは、トラッキング特性に大
きな影響を与えるが、λ／１０ｎ未満ではＲＦ信号、プ
ッシュプル信号とも十分に得られず、またλ／４ｎでは
プッシュプル信号が全く出ない。また、λ／４ｎよりラ
ンドを高くすることはトラッキング特性的にはあまり意
味がない。ランド部の高さの好ましい範囲は、λ／１０
ｎ〜λ／５ｎである。どの値を選択するかは、例えばプ
リピットの有無や、記録膜の特性との兼ね合いなどから
決定される。
きな影響を与えるが、λ／１０ｎ未満ではＲＦ信号、プ
ッシュプル信号とも十分に得られず、またλ／４ｎでは
プッシュプル信号が全く出ない。また、λ／４ｎよりラ
ンドを高くすることはトラッキング特性的にはあまり意
味がない。ランド部の高さの好ましい範囲は、λ／１０
ｎ〜λ／５ｎである。どの値を選択するかは、例えばプ
リピットの有無や、記録膜の特性との兼ね合いなどから
決定される。
【００２０】記録再生に用いるレーザー光の波長は好ま
しくは３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であり、例えばＡ
ｒ、Ｋｒ、ＨｅＣｄなどのガスレーザーが出力する４０
０〜５００ｎｍのレーザー光を用いてもよいが、光ディ
スクシステムの小型化を考慮すれば、ＺｎＣｄＳｅ、Ｚ
ｎＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＺｎＳｅＳなどのII−IV族半導体
レーザーの出力する４００〜５００ｎｍのレーザー光
や、III−Ｖ族半導体レーザー出力光をＳＨＧ（第二次
高調波発生）素子を通して得られる３４０〜３９０ｎｍ
のレーザー光や、半導体レーザー励起によるＹＡＧレー
ザー出力光をＴＨＧ（第三次高調波発生）素子を通して
得られる３５０ｎｍのレーザー光を用いてもよい。
しくは３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であり、例えばＡ
ｒ、Ｋｒ、ＨｅＣｄなどのガスレーザーが出力する４０
０〜５００ｎｍのレーザー光を用いてもよいが、光ディ
スクシステムの小型化を考慮すれば、ＺｎＣｄＳｅ、Ｚ
ｎＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＺｎＳｅＳなどのII−IV族半導体
レーザーの出力する４００〜５００ｎｍのレーザー光
や、III−Ｖ族半導体レーザー出力光をＳＨＧ（第二次
高調波発生）素子を通して得られる３４０〜３９０ｎｍ
のレーザー光や、半導体レーザー励起によるＹＡＧレー
ザー出力光をＴＨＧ（第三次高調波発生）素子を通して
得られる３５０ｎｍのレーザー光を用いてもよい。
【００２１】また、レーザー光の集光投射に用いる対物
レンズの開口数は、好ましくは０．５５〜０．７０の範
囲がよい。ＮＡが０．７０を越えると、例えばレーザー
波長３００ｎｍにおける焦点深度は（２）式より０．６
μｍ程度となる。現行サーボ技術では焦点深度０．６μ
ｍの光学系によって光ディスクのサーボを行うのは極め
て困難であるし、また、そのような光ディスクを製造す
るのも現状では極めて困難である。
レンズの開口数は、好ましくは０．５５〜０．７０の範
囲がよい。ＮＡが０．７０を越えると、例えばレーザー
波長３００ｎｍにおける焦点深度は（２）式より０．６
μｍ程度となる。現行サーボ技術では焦点深度０．６μ
ｍの光学系によって光ディスクのサーボを行うのは極め
て困難であるし、また、そのような光ディスクを製造す
るのも現状では極めて困難である。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて更に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。 実施例１ トラックピッチを０．８μｍとし、ランド部の高さが４
００Å、平坦な底部幅が０．２μｍの溝を形成したポリ
カーボネート基板上に誘電体層Ｔａ2Ｏ5を３５０Å、記
録層ＴｂＦｅＣｏを３００Å、反射層Ａｌを４００Åの
膜厚でスパッタリング法により順次形成した 得られた光磁気ディスク（光磁気記録媒体）を線速度１
５ｍ／ｓで回転させ、波長４８８ｎｍのＡｒレーザー光
をＮＡ０．６０の対物レンズで集光投射して記録再生を
行った。レーザーを周波数２２．５ＭＨｚで変調して記
録を行ったところ、Ｃ／Ｎ比が４０ｄＢの再生信号が得
られ、ノイズに弱い光磁気ディスクを用いて高密度記録
を安定的に行うことができた。この時、最短ピット長は
０．３３μｍ、記録密度は現行品の４．５倍であった。
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。 実施例１ トラックピッチを０．８μｍとし、ランド部の高さが４
００Å、平坦な底部幅が０．２μｍの溝を形成したポリ
カーボネート基板上に誘電体層Ｔａ2Ｏ5を３５０Å、記
録層ＴｂＦｅＣｏを３００Å、反射層Ａｌを４００Åの
膜厚でスパッタリング法により順次形成した 得られた光磁気ディスク（光磁気記録媒体）を線速度１
５ｍ／ｓで回転させ、波長４８８ｎｍのＡｒレーザー光
をＮＡ０．６０の対物レンズで集光投射して記録再生を
行った。レーザーを周波数２２．５ＭＨｚで変調して記
録を行ったところ、Ｃ／Ｎ比が４０ｄＢの再生信号が得
られ、ノイズに弱い光磁気ディスクを用いて高密度記録
を安定的に行うことができた。この時、最短ピット長は
０．３３μｍ、記録密度は現行品の４．５倍であった。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、狭トラックピッチにお
いても充分な幅の記録部が形成できるため、ノイズに弱
い光磁気ディスクを用いても、波長５００ｎｍ以下のレ
ーザーでＣ／Ｎ比の高い信号を安定的に記録することが
でき、光磁気記録媒体の飛躍的な高密度化が可能とな
る。
いても充分な幅の記録部が形成できるため、ノイズに弱
い光磁気ディスクを用いても、波長５００ｎｍ以下のレ
ーザーでＣ／Ｎ比の高い信号を安定的に記録することが
でき、光磁気記録媒体の飛躍的な高密度化が可能とな
る。
Claims (2)
- 【請求項１】同心円状もしくは渦巻き状の溝を有する基
板上に記録膜を形成し、波長５００ｎｍ以下のレーザー
光を開口数０．５５以上の対物レンズを用いて基板側か
ら記録膜上に照射して情報の記録再生を行う光磁気記録
媒体であって、トラックピッチが０．５μｍ〜０．９μ
ｍで、情報を記録する記録部分が溝部の底部平坦部であ
り、上記レーザー光波長をλ、基板の屈折率をｎとした
場合の溝と溝の間のランド部の高さがλ／１０ｎ〜λ／
４ｎでかつランド部の底部の幅が０．１μｍ〜０．３μ
ｍであることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】同心円状もしくは渦巻き状の溝がトラック
ピッチ０．５μｍ〜０．９μｍで設けられており、記録
再生に使用するレーザー光波長をλ、基板の屈折率をｎ
とした場合の溝と溝の間のランド部の高さをλ／１０ｎ
〜λ／４ｎ、ランド部の底部の幅を０．１μｍ〜０．３
μｍとした光磁気記録媒体の溝部の底部平坦部に波長５
００ｎｍ以下のレーザー光を開口数０．５５以上の対物
レンズを用いて基板側から照射して光磁気的記録を行う
ことを特徴とする記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4324185A JPH06176416A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 光磁気記録媒体及び記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4324185A JPH06176416A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 光磁気記録媒体及び記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06176416A true JPH06176416A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18163034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4324185A Pending JPH06176416A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 光磁気記録媒体及び記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06176416A (ja) |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP4324185A patent/JPH06176416A/ja active Pending
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