JPH0617281Y2 - Boat support device in vertical heat treatment apparatus for semiconductor article - Google Patents

Boat support device in vertical heat treatment apparatus for semiconductor article

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JPH0617281Y2
JPH0617281Y2 JP19104084U JP19104084U JPH0617281Y2 JP H0617281 Y2 JPH0617281 Y2 JP H0617281Y2 JP 19104084 U JP19104084 U JP 19104084U JP 19104084 U JP19104084 U JP 19104084U JP H0617281 Y2 JPH0617281 Y2 JP H0617281Y2
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wafer boat
shaft
boat
connecting shaft
processing tube
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泰二 三宅川
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Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、半導体ウエハを拡散処理するための縦型拡散
炉のような半導体物品の縦型熱処理装置におけるボート
支持装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a boat supporting device in a vertical heat treatment apparatus for semiconductor articles such as a vertical diffusion furnace for diffusing semiconductor wafers.

従来の技術 最近、トランジスタ、IC、LSI等の半導体装置の製
造過程の1つである拡散工程に用いるための縦型拡散炉
が開発されている。この縦型拡散炉は、従来広く用いら
れている横型拡散炉と違って、加熱処理管の長手軸が実
質的に垂直方向に延在するように配されている。拡散処
理される半導体ウエハは、所定のウエハボートに収納さ
れて上記処理管の内部に吊持される。
2. Description of the Related Art Recently, a vertical diffusion furnace has been developed for use in a diffusion process which is one of the manufacturing processes of semiconductor devices such as transistors, ICs and LSIs. This vertical diffusion furnace is arranged so that the longitudinal axis of the heat treatment tube extends substantially vertically, unlike the horizontal diffusion furnace which has been widely used in the past. The semiconductor wafer to be diffused is stored in a predetermined wafer boat and suspended inside the processing tube.

このような縦型拡散炉を用いると、通常石英からなる処
理管と石英ボートとが互いに接触しないように構成でき
るので、石英の摺動による石英パーティクルの発生を無
くすことができる。又、拡散工程の自動化が容易且つ安
価に達成できる。更に、省スペース化、省エネルギー
化、被処理ウエハの大口径化が図れる等、縦型拡散炉を
用いる意義は大きい。
By using such a vertical diffusion furnace, it is possible to prevent the processing tube, which is usually made of quartz, and the quartz boat from coming into contact with each other, so that the generation of quartz particles due to sliding of quartz can be eliminated. Further, automation of the diffusion process can be achieved easily and inexpensively. Furthermore, the use of a vertical diffusion furnace is significant because it saves space, saves energy, and increases the diameter of the wafer to be processed.

このような縦型拡散炉の構成例を第3図及び第4図を参
照して説明する。
A configuration example of such a vertical diffusion furnace will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

図示の例はシリコンウエハを拡散処理するための拡散炉
であって、石英ガラスからなる処理管1は、その長手軸
が略垂直方向に延在するように配されている。処理管1
の上部は図示のように開放されており、その底部に処理
ガスの導入口2が設けられている。処理管1は電気炉の
ハウジング3に包囲されている。電気炉のハウジング3
には、処理管1の周囲で且つこの処理管1の周側面に近
接した位置にヒータ4が設けられている。
The illustrated example is a diffusion furnace for diffusing a silicon wafer, and the processing tube 1 made of quartz glass is arranged so that its longitudinal axis extends in a substantially vertical direction. Processing tube 1
The upper part is open as shown in the drawing, and the processing gas introducing port 2 is provided at the bottom part thereof. The processing tube 1 is surrounded by a housing 3 of an electric furnace. Electric furnace housing 3
Is provided with a heater 4 around the processing tube 1 and near the peripheral side surface of the processing tube 1.

処理されるシリコンウエハ5はウエハボート6に収納さ
れて処理管1内に吊持される。この時、各シリコンウエ
ハ5は水平面に対して所定角度(例えば約10°)傾斜
した状態で支持される。
The silicon wafer 5 to be processed is housed in the wafer boat 6 and suspended in the processing tube 1. At this time, each silicon wafer 5 is supported in a state of being inclined at a predetermined angle (for example, about 10 °) with respect to the horizontal plane.

ウエハボート6はその全体が石英ガラスで構成されてお
り、その上部に鉤部10が設けられている。この鉤部1
0は、回転軸11の下端に連結された石英ガラス製の連
結軸9に着脱自在に係合されるように構成されている。
回転軸11は横梁12に回転可能に支承されており、こ
の横梁12内に配されたベルト伝達機構を介して図外の
モータにより回転駆動されるようになっている。そし
て、シリコンウエハ5の熱処理中にウエハボート6を回
転させることにより、シリコンウエハ5に対するヒータ
4による加熱及び処理ガス流の接触ができるだけ均等に
行われるように図られている。
The wafer boat 6 is entirely made of quartz glass, and a hook portion 10 is provided on the upper portion thereof. This hook 1
0 is configured to be detachably engaged with a connecting shaft 9 made of quartz glass connected to the lower end of the rotating shaft 11.
The rotating shaft 11 is rotatably supported by a horizontal beam 12, and is rotationally driven by a motor (not shown) via a belt transmission mechanism arranged in the horizontal beam 12. Then, by rotating the wafer boat 6 during the heat treatment of the silicon wafer 5, heating by the heater 4 and contact of the processing gas flow with the silicon wafer 5 are performed as evenly as possible.

横梁12は図外の上下駆動機構によって上下駆動される
ように構成されている。そして、この横梁12の上下移
動によって、回転軸11に吊持されたウエハボート6が
処理管1から出し入れされる。
The lateral beam 12 is configured to be vertically driven by a vertical driving mechanism (not shown). Then, by the vertical movement of the horizontal beam 12, the wafer boat 6 suspended from the rotating shaft 11 is taken in and out of the processing tube 1.

回転軸11と連結軸9とは軸継手13によって互いに連
結されている。軸継手13は、半円筒形の2つの部材1
3aと13bとからなっており、これらの部材13a,
13bが4本のボルトとナットとによって互いに結合さ
れるようになっている。第4図に示すように、連結軸9
の上部は小径部14に構成されている。一方、軸継手1
3には、連結軸9の小径部14を受容する軸孔16が部
材13aと13bとの間に設けられている。そしてこの
軸孔16に挿入された小径部14は、軸継手13に設け
られた貫通孔22と小径部14に設けられた貫通孔23
とを貫通したボルト24によって互いに結合されてい
る。軸継手13と回転軸11とは、回転軸11の外周面
に設けられた凹溝19に複数の当接ねじ18が嵌合する
ことによって互いに結合されている。
The rotating shaft 11 and the connecting shaft 9 are connected to each other by a shaft coupling 13. The shaft coupling 13 is composed of two semi-cylindrical members 1
3a and 13b, these members 13a,
13b are connected to each other by four bolts and nuts. As shown in FIG. 4, the connecting shaft 9
The upper part of the is formed into the small diameter portion 14. On the other hand, shaft coupling 1
3, a shaft hole 16 for receiving the small diameter portion 14 of the connecting shaft 9 is provided between the members 13a and 13b. The small diameter portion 14 inserted into the shaft hole 16 has a through hole 22 provided in the shaft coupling 13 and a through hole 23 provided in the small diameter portion 14.
Are connected to each other by bolts 24 that pass through. The shaft joint 13 and the rotary shaft 11 are coupled to each other by fitting a plurality of abutment screws 18 into a groove 19 provided on the outer peripheral surface of the rotary shaft 11.

処理管1の上部開口には上蓋20が配されている。上蓋
20はその全体が石英ガラスで構成されており、その中
心部に連結軸9を挿通するための軸孔が設けられてい
る。この軸孔は内径が連結軸9の径よりも大きく構成さ
れており、この軸孔と連結軸9との間に隙間が形成され
るようになっている。そして処理管1の底部に設けられ
た導入口2から導入された処理ガスは、処理管1の内部
を上昇した後、この上蓋20の軸孔と連結軸9との間に
形成された隙間を通って排出される。このようにして処
理管1から排出された処理ガスは、装置全体を覆うよう
にして配された排気ダクト(図示せず)により吸引され
て収集される。
An upper lid 20 is arranged in the upper opening of the processing tube 1. The upper lid 20 is entirely made of quartz glass, and has a shaft hole for inserting the connecting shaft 9 in the center thereof. The shaft hole has an inner diameter larger than that of the connecting shaft 9, and a gap is formed between the shaft hole and the connecting shaft 9. Then, the processing gas introduced from the inlet 2 provided at the bottom of the processing tube 1 rises inside the processing tube 1 and then leaves a gap formed between the shaft hole of the upper lid 20 and the connecting shaft 9. Exhausted through. The processing gas thus discharged from the processing tube 1 is sucked and collected by an exhaust duct (not shown) arranged so as to cover the entire apparatus.

連結軸9には、上蓋20の下側に係止板21が固着され
ている。そして、ウエハボート6を処理管1から取り出
すべく、回転軸11及び連結軸9を上昇させると、この
連結軸9に固着された係止板21が上蓋20の下端面に
当接する。そして、回転軸11及び連結軸9の上昇にと
もなって上蓋20が持ち上げられ、処理管1の上部が開
放されてウエハボート6が取り出される。
A locking plate 21 is fixed to the lower side of the upper lid 20 of the connecting shaft 9. Then, when the rotating shaft 11 and the connecting shaft 9 are raised to remove the wafer boat 6 from the processing tube 1, the locking plate 21 fixed to the connecting shaft 9 comes into contact with the lower end surface of the upper lid 20. Then, as the rotating shaft 11 and the connecting shaft 9 rise, the upper lid 20 is lifted, the upper portion of the processing tube 1 is opened, and the wafer boat 6 is taken out.

考案が解決しようとする問題点 前従来例の縦型拡散炉においては、シリコンウエハ5、
ウエハボート6及び連結軸9の総重量が、連結軸9の小
径部14に設けた貫通孔23とボルト24とによって支
承されている。ところが、この種の連結軸9は、その全
体が石英ガラスで形成されており、その機械的強度が弱
いために、長期の使用及び加熱の繰り返しにより経時劣
化し、特に貫通孔23の部分が弱くなり、クラックが入
って割れてしまいうことがある。一般的には、連結軸9
の耐用年数は少なくとも6ケ月以上とされており、その
使用において処理ガス等による汚れを取り除くために、
2〜3週間毎に連結軸9を取り外し、洗浄すると共に整
備点検する作業が行われる。
Problems to be Solved by the Invention In the vertical diffusion furnace of the former conventional example, the silicon wafer 5,
The total weight of the wafer boat 6 and the connecting shaft 9 is supported by the through hole 23 and the bolt 24 provided in the small diameter portion 14 of the connecting shaft 9. However, the connecting shaft 9 of this type is wholly formed of quartz glass, and its mechanical strength is weak, so that it deteriorates over time due to repeated use and heating, and the through hole 23 is particularly weak. It may crack and break. Generally, the connecting shaft 9
Has a service life of at least 6 months, and in order to remove stains due to processing gas, etc.,
Every two to three weeks, the connecting shaft 9 is removed, washed, and maintenance is performed.

しかしながら、この洗浄及び整備点検の際には小さなク
ラックが発見できなくて、使用途中において連結軸が破
損し、ウエハボートが落下することがあり、それによっ
てウエハボート6及びシコンウエハ5を破損し、又は処
理中においては、処理菅1をも破損させてしまい、その
損害が極めて大きくなると言う問題点を有している。
However, during this cleaning and maintenance inspection, a small crack cannot be found, the connecting shaft may be damaged during use, and the wafer boat may drop, thereby damaging the wafer boat 6 and the silicon wafer 5, or There is a problem that the processing tube 1 is also damaged during the processing, and the damage becomes extremely large.

問題点を解決するための手段 本考案は上記従来例の問題点を解決する具体的手段とし
て、長手軸が実質的に垂直方向に延在するように配設さ
れた処理菅と、半導体物品を積載するウエハボートと、
このウエハボートを上記処理菅の内部の所定位置に吊持
する支持軸と、上記ウエハボートを上記支持軸に連結す
るための連結手段とを夫々具備した半導体物品の縦型熱
処理装置において、上記連結手段が上記ウエハボートの
重量を支持するために、少なくとも上下2段の第1及び
第2の係合部を有しており、通常は前記第1の係合部に
よって上記ウエハボートが支持され、該第1の係合部が
破損した時に、前記第2の係合部によって一時的に上記
ウエハボートが支持されるように構成したことを特徴と
するボート支持装置を提供するものであって、第1の係
合部が破損しても第2の係合部によってウエハボートの
落下が防止でき、しかも第2の係合部も第1の係合部と
同様に所定の耐用年数を有するものであるが、その耐用
年数まで使用する訳ではなく、次の洗浄及び整備点検ま
で支持すれば足りるのである。従って、使用中において
支持軸の破損によるウエハボートの落下が略防止できる
のである。
Means for Solving the Problems As a concrete means for solving the problems of the above-mentioned conventional example, the present invention provides a semiconductor tube and a processing tube arranged such that a longitudinal axis thereof extends substantially vertically. Wafer boat to be loaded,
In the vertical heat treatment apparatus for semiconductor articles, each of which is provided with a support shaft for suspending the wafer boat at a predetermined position inside the processing tube, and a connecting means for connecting the wafer boat to the support shaft, The means has at least two upper and lower stages of first and second engaging portions for supporting the weight of the wafer boat, and the first engaging portion normally supports the wafer boat, A boat support device, characterized in that the wafer boat is temporarily supported by the second engaging portion when the first engaging portion is damaged. Even if the first engaging portion is damaged, the second engaging portion can prevent the wafer boat from falling, and the second engaging portion also has a predetermined service life like the first engaging portion. But use up to its useful life Rather, it is the sufficient to support the next cleaning and servicing. Therefore, it is possible to substantially prevent the wafer boat from dropping due to breakage of the support shaft during use.

実施例 以下、本考案をシリコンウエハの縦型拡散炉のボート支
持装置に適用した一実施例につき第1図及び第2図を参
照して説明する。
Embodiment An embodiment in which the present invention is applied to a boat supporting device for a vertical diffusion furnace for silicon wafers will be described below with reference to FIGS. 1 and 2.

なお本実施例において、第3図及び第4図に示した従来
のものと同一の部分には同一の符号を付してその説明を
省略する。
In the present embodiment, the same parts as those of the conventional one shown in FIGS. 3 and 4 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

第1図及び第2図に示すように、本実施例の連結軸9に
おいては、その上部の小径部30に2つのフランジ3
1,32が上下に夫々形成されている。これらのフラン
ジ31、32の下面は第1及び第2の被支持面をそれぞ
れ構成している。連結軸29は石英ガラスによって全て
一体に成形されている。
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, in the connecting shaft 9 of the present embodiment, the two small flanges 3 are provided in the small diameter portion 30 on the upper part thereof.
1, 32 are formed on the upper and lower sides, respectively. The lower surfaces of these flanges 31 and 32 form first and second supported surfaces, respectively. The connecting shafts 29 are all integrally formed of quartz glass.

一方、2つの半円筒形の金属部材33a及び33bから
なる軸継手33には上記連結軸29の小径部材30を受
容する軸孔34が設けられている。軸孔34の内部に
は、連結軸29の2つのフランジ31,32を受容する
2つの環状凹部35,36が上下にそれぞれ設けられて
いる。これらの環状凹部35、36の段部39、40は
フランジ31、32の下面から成る前記第1及び第2の
被支持面をそれぞれ支持するための第1及び第2の支持
面をそれぞれ構成している。
On the other hand, a shaft coupling 33 formed of two semi-cylindrical metal members 33a and 33b is provided with a shaft hole 34 for receiving the small diameter member 30 of the connecting shaft 29. Inside the shaft hole 34, two annular recesses 35 and 36 for receiving the two flanges 31 and 32 of the connecting shaft 29 are provided at the top and bottom, respectively. The step portions 39 and 40 of these annular recesses 35 and 36 respectively form first and second supporting surfaces for supporting the first and second supported surfaces, which are the lower surfaces of the flanges 31 and 32, respectively. ing.

軸継手33の両部材33aと33bとは4本のボルト3
7及びナット38によって互いに結合されている。又軸
継手33と金属製の回転軸11とは、従来と同様、複数
の当接ねじによって結合されている。
Both members 33a and 33b of the shaft coupling 33 are four bolts 3
7 and nut 38 are connected to each other. Further, the shaft coupling 33 and the metal rotary shaft 11 are connected by a plurality of contact screws as in the conventional case.

第1図に示すように、ウエハボート6等の重量は、通
常、連結軸29の上端部のフランジ31の下面から成る
第1の被支持面と軸継手33の上側の凹部35の段部3
9から成る第1の支持面とが互いに接触して係合するこ
とによって支持されている。この時、下側のフランジ3
2の下面から成る第2の被支持面と凹部36の段部40
から成る第2の支持面とは、互いに非接触状態で係合し
ておらず、所定の間隙だけ離間してウエハボート6等の
重量を支持しない状態になっている。この下側のフラン
ジ32の下面から成る第2の被支持面と段部40から成
る第2の支持面との間に設ける間隙の大きさは、連結軸
29が支持する重量、即ち、フランジ32の下面から成
る第2の被支持面と段部40から成る第2の支持面との
衝突によって、フランジ32が受ける衝撃の大きさや、
連結軸29を構成する材料の熱膨張等を考慮して決定さ
れるが、例えば10kgの重量を支持する場合約0.5〜1m
m程度であるのが好ましい。
As shown in FIG. 1, the weight of the wafer boat 6 and the like is usually the first supported surface composed of the lower surface of the flange 31 at the upper end of the connecting shaft 29 and the stepped portion 3 of the recess 35 on the upper side of the shaft coupling 33.
The first support surface 9 is supported by contacting and engaging with each other. At this time, the lower flange 3
Second supported surface composed of the lower surface of step 2 and the step 40 of the recess 36
The second support surface composed of is not engaged with each other in a non-contact state, and is separated from the second support surface by a predetermined gap so as not to support the weight of the wafer boat 6 and the like. The size of the gap provided between the second supported surface, which is the lower surface of the lower flange 32, and the second supported surface, which is the step portion 40, is the weight supported by the connecting shaft 29, that is, the flange 32. The magnitude of the impact on the flange 32 due to the collision between the second supported surface composed of the lower surface of the and the second supported surface composed of the step portion 40,
It is determined in consideration of the thermal expansion of the material forming the connecting shaft 29. For example, when supporting a weight of 10 kg, it is about 0.5 to 1 m.
It is preferably about m.

この状態では、上側のフランジ31と小径部30との交
差部分、即ち、フランジ31の付け根部分に応力が集中
するから、この付け根部分が最も破壊し易い。従って、
上側のフランジ31の付け根部分が疲労により割れる
か、或いはまた上側のフランジ31と小径部30との間
が疲労によって割れると、このフランジ31と段部39
との係合による連結軸29の支持が無くなり、連結軸2
9は少し落下するが、今度は、下側のフランジ32の下
面から成る第2の被支持面と凹部36の段部40から成
る第2の支持面とが互いに接触して係合することによっ
て連結軸29が支持される。
In this state, stress concentrates on the intersection between the upper flange 31 and the small diameter portion 30, that is, the root portion of the flange 31, so that this root portion is most easily broken. Therefore,
If the base portion of the upper flange 31 is cracked by fatigue, or if the gap between the upper flange 31 and the small diameter portion 30 is cracked by fatigue, the flange 31 and the step portion 39 are broken.
The support of the connecting shaft 29 due to the engagement with
9 drops a little, but this time, the second supported surface composed of the lower surface of the lower flange 32 and the second supported surface composed of the step portion 40 of the recess 36 are brought into contact with each other to engage with each other. The connecting shaft 29 is supported.

このように本例においては、フランジ31と段部39と
による第1の係合部と、フランジ32と段部40とによ
る第2の係合部とを設け、ウエハボート6等の重量を支
承する第1の係合部が破壊された時に、第2の係合部に
よって直ちにウエハボート6等の重量を引き続き支持す
るようにしているので、ウエハボート6が落下してシリ
コンウエハや処理菅1を破損するような事故は発生しな
い。そして、第2の係合部においても前記第1の係合部
と同様の強度を持っているので、第2の係合部も6ヶ月
以上の使用に耐えることができるが、2〜3週間毎の清
浄及び点検の際に、前記第1の係合部の破損が確認でき
るので、その時に連結軸29を新規なものに取り替えれ
ば良い。
As described above, in this example, the first engaging portion formed by the flange 31 and the step portion 39 and the second engaging portion formed by the flange 32 and the step portion 40 are provided to support the weight of the wafer boat 6 and the like. When the first engaging portion is broken, the second engaging portion immediately supports the weight of the wafer boat 6 and the like, so that the wafer boat 6 drops and the silicon wafer and the processing tube 1 are dropped. No accidents that would damage the Since the second engaging portion also has the same strength as the first engaging portion, the second engaging portion can withstand use for 6 months or more, but 2-3 weeks. During each cleaning and inspection, the damage of the first engaging portion can be confirmed. At that time, the connecting shaft 29 may be replaced with a new one.

尚上記実施例においては、2つのフランジ31,32と
段部39,40とによって2つの係合部を設けたが、例
えば3つ以上のフランジを形成して3つ以上の係合部を
設けても良い。また連結軸はウエハボートに固着された
もの若しくはウエハボートと一体に成形されたものであ
っても良い。更に、上記実施例においては、ウエハボー
ト6を回転軸11に吊持して回転させるようにしたが、
ウエハボート6を回転させる必要が無い場合にはこれを
回転しない支持軸に吊持しても良い。
In the above embodiment, two engaging portions are provided by the two flanges 31 and 32 and the step portions 39 and 40. However, for example, three or more flanges are formed to provide three or more engaging portions. May be. The connecting shaft may be fixed to the wafer boat or integrally formed with the wafer boat. Further, in the above embodiment, the wafer boat 6 is hung on the rotating shaft 11 and rotated.
If it is not necessary to rotate the wafer boat 6, it may be suspended on a support shaft that does not rotate.

また上記実施例においては、連結軸29に設けたフラン
ジ31,32と軸継手33に設けた段部39,40とに
より第1及び第2の係合部を構成したが、従来と同様な
ボルト又はピンを少なくとも2本用い、これらを連結軸
に設けられた少なくとも2個の貫通孔に挿通して第1及
び第2の係合部とすることもできる。
In the above embodiment, the flanges 31 and 32 provided on the connecting shaft 29 and the step portions 39 and 40 provided on the shaft coupling 33 constitute the first and second engaging portions. Alternatively, at least two pins may be used, and these pins may be inserted into at least two through holes provided in the connecting shaft to form the first and second engaging portions.

以上、シリコンウエハの拡散炉におけるボート支持装置
に本考案を適用した実施例について説明したが、本考案
は拡散炉に限られず、半導体物品の酸化処理、CVD処
理等を行うための種々の縦型熱処理装置におけるボート
支持装置に適用が可能である。
Although the embodiments in which the present invention is applied to a boat supporting device in a silicon wafer diffusion furnace have been described above, the present invention is not limited to the diffusion furnace, and various vertical types for performing oxidation treatment, CVD treatment, etc. of semiconductor articles. It can be applied to a boat support device in a heat treatment device.

考案の効果 以上説明したように本考案に係るボート支持装置におい
ては、長手軸が実質的に垂直方向に延在するように配設
された処理菅と、半導体物品を積載するウエハボート
と、このウエハボートを上記処理菅の内部の所定位置に
吊持する支持軸と、上記ウエハボートを上記支持軸に連
結するための連結手段とを夫々具備した半導体物品の縦
型熱処理装置において、上記連結手段が上記ウエハボー
トの重量を支持するために、少なくとも上下2段の第1
及び第2の係合部を有しており、通常は前記第1の係合
部によって上記ウエハボートが支持され、該第1の係合
部が破損した時に、前記第2の係合部によって一時的に
上記ウエハボートが支持されるように構成したことによ
り、ウエハボートを吊持する支持軸が、使用寿命を見込
んだ予定時期まで使用できないで、使用途中において前
記第1の係合部が破損しても、前記第2の係合部によっ
て吊持支持されるので、支持軸及びウエハボートが落下
せず、従って高価なウエハボート並びに半導体物品を破
損させることが無くなるばかりでなく、熱処理中におい
ても前記落下が防止され、高価な処理菅を破損させる等
の事故も皆無となり、従来生じていた事故による甚大な
損害が未然に防止できると言う優れた効果を奏する。
Effects of the Invention As described above, in the boat supporting apparatus according to the present invention, the processing tube is arranged such that the longitudinal axis extends substantially vertically, the wafer boat for loading the semiconductor articles, A vertical heat treatment apparatus for a semiconductor article, comprising: a supporting shaft for suspending a wafer boat at a predetermined position inside the processing tube; and a connecting means for connecting the wafer boat to the supporting shaft. To support the weight of the wafer boat, at least two upper and lower first stages
And a second engaging portion, and the wafer boat is normally supported by the first engaging portion, and when the first engaging portion is broken, the second engaging portion causes the wafer boat to be damaged. Since the wafer boat is configured to be temporarily supported, the support shaft that suspends the wafer boat cannot be used until the expected time period in which the service life is expected. Even if it is damaged, it is suspended and supported by the second engaging portion, so that the support shaft and the wafer boat do not drop, and therefore the expensive wafer boat and the semiconductor article are not damaged, and during the heat treatment. In this case, the fall is prevented, and there is no accident such as damage to an expensive processing tube, and it is possible to prevent a great damage due to an accident that has occurred in the past.

又、支持軸は第1の係合部が破損するまで使用されるの
で、バラツキがあるにしても支持軸としての使用寿命が
略全うされ、経済的にも優れると言う効果も奏する。
Further, since the support shaft is used until the first engaging portion is damaged, even if there is variation, the service life of the support shaft is almost completed, and it is economically excellent.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本考案の一実施例によるボート支持装置の要部
縦断面図、第2図は同上の分解正面図である。 第3図は従来の縦型拡散炉の概略縦断面図、第4図は同
上の継手部分の拡大縦断面図である。 なお図面に用いられた符号において、 1……処理管 6……ウエハボート 11……回転軸 29……連結軸 31,32……フランジ 33……軸継手(吊持部材) 39、40……段部(第1、第2の支持面) である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a main part of a boat supporting apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded front view of the same. FIG. 3 is a schematic vertical sectional view of a conventional vertical diffusion furnace, and FIG. 4 is an enlarged vertical sectional view of a joint portion of the same. In the reference numerals used in the drawings, 1 ... Processing tube 6 ... Wafer boat 11 ... Rotating shaft 29 ... Connecting shaft 31, 32 ... Flange 33 ... Shaft coupling (suspension member) 39, 40. It is a stepped portion (first and second supporting surfaces).

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】長手軸が実質的に垂直方向に延在するよう
に配設された処理菅と、半導体物品を積載するウエハボ
ートと、このウエハボートを上記処理菅の内部の所定位
置に吊持する支持軸と、上記ウエハボートを上記支持軸
に連結するための連結手段とを夫々具備した半導体物品
の縦型熱処理装置において、上記連結手段が上記ウエハ
ボートの重量を支持するために、少なくとも上下2段の
第1及び第2の係合部を有しており、通常は前記第1の
係合部によって上記ウエハボートが支持され、該第1の
係合部が破損した時に、前記第2の係合部によって一時
的に上記ウエハボートが支持されるように構成したこと
を特徴とするボート支持装置。
1. A processing tube having a longitudinal axis extending substantially vertically, a wafer boat for loading semiconductor articles, and the wafer boat suspended at a predetermined position inside the processing tube. In a vertical heat treatment apparatus for a semiconductor article, each of which has a supporting shaft to hold and a connecting means for connecting the wafer boat to the supporting shaft, in order for the connecting means to support the weight of the wafer boat, at least It has upper and lower two stages of first and second engaging portions, and normally, the wafer boat is supported by the first engaging portion, and when the first engaging portion is damaged, 2. A boat support device, wherein the wafer boat is temporarily supported by two engaging portions.
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