JPH06168670A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPH06168670A JPH06168670A JP15656293A JP15656293A JPH06168670A JP H06168670 A JPH06168670 A JP H06168670A JP 15656293 A JP15656293 A JP 15656293A JP 15656293 A JP15656293 A JP 15656293A JP H06168670 A JPH06168670 A JP H06168670A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filament
- sealing
- insulating body
- sealing surface
- insulator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】信頼性の高い、製造コストの低いマグネトロン
を提供する。 【構成】真空容器は少なくとも金属と、絶縁物から構成
され、前記絶縁物と金属とは、第１の封着面において封
着され、前記絶縁物を貫通した陰極リードは前記絶縁物
と第２の封着面で封着されており、前記第１の封着面
と、前記第２の封着面とは、前記絶縁物の同一平面に形
成され、前記第２の封着面は、真空容器の内側に形成さ
れていることを特徴とするマグネトロン。
を提供する。 【構成】真空容器は少なくとも金属と、絶縁物から構成
され、前記絶縁物と金属とは、第１の封着面において封
着され、前記絶縁物を貫通した陰極リードは前記絶縁物
と第２の封着面で封着されており、前記第１の封着面
と、前記第２の封着面とは、前記絶縁物の同一平面に形
成され、前記第２の封着面は、真空容器の内側に形成さ
れていることを特徴とするマグネトロン。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマグネトロンに関するも
のである。
のである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のマグネトロンの１例を示す
もので、フィラメント１の両端はエンドシールド２、３
を介してフィラメントサポート４、５に支持されてお
り、フィラメントサポート４、５は真空容器を形成する
絶縁物６を貫通し金属ワッシャ７を介して絶縁物６にろ
う付けされている。またフィラメント１の周囲には放射
状に配列された複数個のベイン８とこれらを保持する陽
極円筒９などからなる陽極が配列されている。前記ベイ
ン８はストラップリング１０、１１により１枚おきに電
気的に接続されている。そして、ベイン８の１つには出
力導体１２が接続されており、作用空間に発生したマイ
クロ波エネルギーを出力放射窓１３を通して負荷回路に
放射されるようになっている。また陽極円筒９の上下端
には作用空間に集束磁界を供給するための磁極１４、１
５が固着され、さらに磁極１４、１５はシール部品１
６、１７（本実施例ではリング状であるが）を介してそ
れぞれ出力放射窓１３、絶縁物６にろう付け封着され、
真空容器を形成している。
もので、フィラメント１の両端はエンドシールド２、３
を介してフィラメントサポート４、５に支持されてお
り、フィラメントサポート４、５は真空容器を形成する
絶縁物６を貫通し金属ワッシャ７を介して絶縁物６にろ
う付けされている。またフィラメント１の周囲には放射
状に配列された複数個のベイン８とこれらを保持する陽
極円筒９などからなる陽極が配列されている。前記ベイ
ン８はストラップリング１０、１１により１枚おきに電
気的に接続されている。そして、ベイン８の１つには出
力導体１２が接続されており、作用空間に発生したマイ
クロ波エネルギーを出力放射窓１３を通して負荷回路に
放射されるようになっている。また陽極円筒９の上下端
には作用空間に集束磁界を供給するための磁極１４、１
５が固着され、さらに磁極１４、１５はシール部品１
６、１７（本実施例ではリング状であるが）を介してそ
れぞれ出力放射窓１３、絶縁物６にろう付け封着され、
真空容器を形成している。
【０００３】以上のような従来例は、例えば特開昭５３
−９０７５２等に記載されている。
−９０７５２等に記載されている。
【０００４】なお、シール部品１６、１７は陽極円筒９
と電気的に接続されていて、動作時には通常、陽極と陰
極との間には数ＫＶの電圧が印加される。従って、この
時シール部品１７とフィラメントサポート４、５との間
には高電圧が印加されている。
と電気的に接続されていて、動作時には通常、陽極と陰
極との間には数ＫＶの電圧が印加される。従って、この
時シール部品１７とフィラメントサポート４、５との間
には高電圧が印加されている。
【０００５】ところで、前記フィラメント１は安定した
電子放射が得られ易いことから表面層が炭化されたトリ
ウム入りタングステンが使用されており、動作温度は１
７００〜１８００℃の高温である。従って、フィラメン
ト１を支持するエンドシールド２、３およびフィラメン
トサポート４、５も高い温度で使用できる素材からなる
ことが必要であり、一般にモリブデン（Ｍｏ）が用いら
れている。またＭｏよりなるフィラメントサポート４、
５は高い信頼性をもってアルミナセラミック等よりなる
絶縁物６にろう付けすることは困難であるので、前記金
属ワッシャ７には絶縁物に近い膨張係数を有するコバー
ル（Ｆｅ-Ｎｉ-Ｃｏ）が用いられている。
電子放射が得られ易いことから表面層が炭化されたトリ
ウム入りタングステンが使用されており、動作温度は１
７００〜１８００℃の高温である。従って、フィラメン
ト１を支持するエンドシールド２、３およびフィラメン
トサポート４、５も高い温度で使用できる素材からなる
ことが必要であり、一般にモリブデン（Ｍｏ）が用いら
れている。またＭｏよりなるフィラメントサポート４、
５は高い信頼性をもってアルミナセラミック等よりなる
絶縁物６にろう付けすることは困難であるので、前記金
属ワッシャ７には絶縁物に近い膨張係数を有するコバー
ル（Ｆｅ-Ｎｉ-Ｃｏ）が用いられている。
【０００６】また、一般にＭｏは脆い材質であるため、
フィラメントサポートが長いと振動により断線するおそ
れがあり、これを防止するために、フィラメントサポー
ト４、５をそのフィラメントに近い部分において、絶縁
スペーサ等で固定を行っている。
フィラメントサポートが長いと振動により断線するおそ
れがあり、これを防止するために、フィラメントサポー
ト４、５をそのフィラメントに近い部分において、絶縁
スペーサ等で固定を行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、真空容器
を構成するシール部品と絶縁物との封着面と、フィラメ
ントサポートと絶縁物との封着面とが、絶縁物の異なっ
た側に形成されているため、絶縁物に、封着のための前
処理を施す工程が複雑になり、製造コストを増大させる
という問題があった。
を構成するシール部品と絶縁物との封着面と、フィラメ
ントサポートと絶縁物との封着面とが、絶縁物の異なっ
た側に形成されているため、絶縁物に、封着のための前
処理を施す工程が複雑になり、製造コストを増大させる
という問題があった。
【０００８】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たもので、経済的で信頼性の高いマグネトロンを提供す
ることを目的とする。
たもので、経済的で信頼性の高いマグネトロンを提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ために、真空容器は少なくとも金属と、絶縁物から構成
され、前記絶縁物と金属とは、第１の封着面において封
着され、前記絶縁物を貫通した陰極リードは前記絶縁物
と第２の封着面で封着されており、前記第１の封着面
と、前記第２の封着面とは、ほぼ同一平面内に形成さ
れ、前記第２の封着面は、前記真空容器の内側に形成さ
れていることを特徴とする。
ために、真空容器は少なくとも金属と、絶縁物から構成
され、前記絶縁物と金属とは、第１の封着面において封
着され、前記絶縁物を貫通した陰極リードは前記絶縁物
と第２の封着面で封着されており、前記第１の封着面
と、前記第２の封着面とは、ほぼ同一平面内に形成さ
れ、前記第２の封着面は、前記真空容器の内側に形成さ
れていることを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記構成としたことにより、フィラメントサポ
ートの固定点がフィラメント側へ近づくため、シール部
品と陰極リードとの絶縁性を劣化させることなく、耐振
性を向上することができる。更に、ろう付けする際のメ
タライズ層の形成作業が容易となると共に、メタライズ
作業や焼成の際に、メタライズ面を上面にして一貫作業
ができるため、メタライズ面の欠陥を少なくし真空封着
の信頼性を向上させることができる。
ートの固定点がフィラメント側へ近づくため、シール部
品と陰極リードとの絶縁性を劣化させることなく、耐振
性を向上することができる。更に、ろう付けする際のメ
タライズ層の形成作業が容易となると共に、メタライズ
作業や焼成の際に、メタライズ面を上面にして一貫作業
ができるため、メタライズ面の欠陥を少なくし真空封着
の信頼性を向上させることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を図示の実施例により説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明になるマグネトロンの実施例
を示す要部断面図である。なお、図２と同じ部材には同
一符号を付しその説明を省略する。フィラメントサポー
ト２０、２１は絶縁体６を貫通しない短い長さに形成さ
れ、このフィラメントサポート２０、２１の端部に絶縁
体６を貫通したＦｅ材よりなる陰極リード２２がプラズ
マ溶接、突当抵抗溶接などより固着されている。前記陰
極リード２２にはフランジ部２２ａが形成され、更にこ
のフランジ部２２ａには絶縁体６に対応した面が約０．
４ｍｍ程度の薄肉よりなるカップ状部２２ｂが一体塑性
加工により形成されている。そして、カップ状部２２ｂ
の先端はメタライズされたアルミナセラミック絶縁物６
にろう付けされている。そして、前記ろう付け面は真空
容器内にあり、かつシール部品１７と前記絶縁物６との
ろう付け面とは同一平面上に形成されている。
を示す要部断面図である。なお、図２と同じ部材には同
一符号を付しその説明を省略する。フィラメントサポー
ト２０、２１は絶縁体６を貫通しない短い長さに形成さ
れ、このフィラメントサポート２０、２１の端部に絶縁
体６を貫通したＦｅ材よりなる陰極リード２２がプラズ
マ溶接、突当抵抗溶接などより固着されている。前記陰
極リード２２にはフランジ部２２ａが形成され、更にこ
のフランジ部２２ａには絶縁体６に対応した面が約０．
４ｍｍ程度の薄肉よりなるカップ状部２２ｂが一体塑性
加工により形成されている。そして、カップ状部２２ｂ
の先端はメタライズされたアルミナセラミック絶縁物６
にろう付けされている。そして、前記ろう付け面は真空
容器内にあり、かつシール部品１７と前記絶縁物６との
ろう付け面とは同一平面上に形成されている。
【００１３】さて、フィラメント１の動作温度は高温で
あるが、フィラメントサポート２０、２１は管外へ向か
って低下する温度勾配を有しており、絶縁体６の近傍は
十分低い温度であるので、陰極リードの材質としてＦｅ
などの低い融点の金属を用いることができる。また絶縁
体６とＦｅよりなる陰極リード２２とでは膨張係数が異
なるが、陰極リード２２の封着部を薄肉のカップ状部２
２ｂとすることにより、塑性による応力緩和が行なえ
る。
あるが、フィラメントサポート２０、２１は管外へ向か
って低下する温度勾配を有しており、絶縁体６の近傍は
十分低い温度であるので、陰極リードの材質としてＦｅ
などの低い融点の金属を用いることができる。また絶縁
体６とＦｅよりなる陰極リード２２とでは膨張係数が異
なるが、陰極リード２２の封着部を薄肉のカップ状部２
２ｂとすることにより、塑性による応力緩和が行なえ
る。
【００１４】このように、フィラメントサポート２０、
２１は絶縁体６を貫通しない短い長さよりなるので、Ｍ
ｏのような高価な高融点の金属の使用量を減らすことが
できる。また陰極リード２２は安価な鉄よりなるので、
塑性加工が容易で封着し易い形状に一体加工することが
でき、図２における高価でかつ高融点のワッシャ７を省
略できると共に、延性、展性などがＭｏよりも優れてお
り、加工時に表面および内部に欠陥を生じることがな
く、真空封着の信頼性が向上する。またフィラメントサ
ポート２０、２１と陰極リード２２は溶接などにより固
着でき、その作業は容易でかつ高価なろう材を必要とし
ない。また、陰極リード２２の絶縁物６へのろう付け面
は真空側に形成されているため、外部からの汚れ等によ
るシール部品１７との絶縁劣化もなく、かつ陰極リード
補助封着体２２とシール部品１７との絶縁物６へのろう
付け面が、同一平面上にあるので、ろう付けする際のメ
タライズ層の形成作業が容易となると共に、メタライズ
作業や焼成の際にメタライズ面を上面にして一貫作業が
できるため、メタライズ面の欠陥を少なくし、真空封着
の信頼性を向上させることができる。更に、フィラメン
トサポートの固定点をフィラメント側へ近付けることが
できるため耐振性を向上させることができる。
２１は絶縁体６を貫通しない短い長さよりなるので、Ｍ
ｏのような高価な高融点の金属の使用量を減らすことが
できる。また陰極リード２２は安価な鉄よりなるので、
塑性加工が容易で封着し易い形状に一体加工することが
でき、図２における高価でかつ高融点のワッシャ７を省
略できると共に、延性、展性などがＭｏよりも優れてお
り、加工時に表面および内部に欠陥を生じることがな
く、真空封着の信頼性が向上する。またフィラメントサ
ポート２０、２１と陰極リード２２は溶接などにより固
着でき、その作業は容易でかつ高価なろう材を必要とし
ない。また、陰極リード２２の絶縁物６へのろう付け面
は真空側に形成されているため、外部からの汚れ等によ
るシール部品１７との絶縁劣化もなく、かつ陰極リード
補助封着体２２とシール部品１７との絶縁物６へのろう
付け面が、同一平面上にあるので、ろう付けする際のメ
タライズ層の形成作業が容易となると共に、メタライズ
作業や焼成の際にメタライズ面を上面にして一貫作業が
できるため、メタライズ面の欠陥を少なくし、真空封着
の信頼性を向上させることができる。更に、フィラメン
トサポートの固定点をフィラメント側へ近付けることが
できるため耐振性を向上させることができる。
【００１５】以上は、陰極リードと、絶縁物とを封着す
るとして説明したが、陰極リードを用いず、従来通り、
フィラメントサポートと、絶縁物を封着する場合も、同
様の効果を有することは勿論である。
るとして説明したが、陰極リードを用いず、従来通り、
フィラメントサポートと、絶縁物を封着する場合も、同
様の効果を有することは勿論である。
【００１６】なお、上記実施例においては陰極リード２
２の材質がＦｅの場合について説明したが、Ｍｏよりも
低い融点の金属で絶縁体６の周囲の温度に耐えるもので
あればとくに限定されなく、例えばＦｅ−Ｎｉ合金でも
よい。この場合には、特にカップ状部２２ｂを設けな
く、平らなフランジ部２２ａのみを形成し、このフラン
ジ部２２ａを封着するようにしてもよい。また上記実施
例においては、フィラメント１をエンドシールド２、３
を介してフィラメントサポート２０、２１で支持した
が、フィラメントサポートの先端部を折曲げ、この折曲
げ部で直接フィラメントを支持するようにしてもよい。
２の材質がＦｅの場合について説明したが、Ｍｏよりも
低い融点の金属で絶縁体６の周囲の温度に耐えるもので
あればとくに限定されなく、例えばＦｅ−Ｎｉ合金でも
よい。この場合には、特にカップ状部２２ｂを設けな
く、平らなフランジ部２２ａのみを形成し、このフラン
ジ部２２ａを封着するようにしてもよい。また上記実施
例においては、フィラメント１をエンドシールド２、３
を介してフィラメントサポート２０、２１で支持した
が、フィラメントサポートの先端部を折曲げ、この折曲
げ部で直接フィラメントを支持するようにしてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、第１の封着面と第２の封着面を、絶縁物の同一平面
に、かつ第２の封着面を真空側としたことにより、フィ
ラメントサポートの固定点がフィラメント側へ近づくた
め、シール部品と陰極リードとの絶縁性を劣化させるこ
となく、耐振性を向上することができる。更に、ろう付
けする際のメタライズ層の形成作業が容易となると共
に、メタライズ作業や焼成の際に、メタライズ面を上面
にして一貫作業ができるため、メタライズ面の欠陥を少
なくし真空封着の信頼性を向上させることができる。
ば、第１の封着面と第２の封着面を、絶縁物の同一平面
に、かつ第２の封着面を真空側としたことにより、フィ
ラメントサポートの固定点がフィラメント側へ近づくた
め、シール部品と陰極リードとの絶縁性を劣化させるこ
となく、耐振性を向上することができる。更に、ろう付
けする際のメタライズ層の形成作業が容易となると共
に、メタライズ作業や焼成の際に、メタライズ面を上面
にして一貫作業ができるため、メタライズ面の欠陥を少
なくし真空封着の信頼性を向上させることができる。
【００１８】更に、陰極リードがＦｅ等で形成されてい
る場合は、コバール等の高価でかつ高融点のワッシャを
省略でき、高価な銀ろうを節約でき、かつ、Ｍｏのよう
な高価な金属の使用量を減らし、安価なＦｅ等の低融点
金属に置き換えることができる。また、Ｆｅ等の低融点
金属は、延性、展性などがＭｏより優れており、加工時
に表面および内部に欠陥を生じることがなく、真空封着
の信頼性が更に向上する。
る場合は、コバール等の高価でかつ高融点のワッシャを
省略でき、高価な銀ろうを節約でき、かつ、Ｍｏのよう
な高価な金属の使用量を減らし、安価なＦｅ等の低融点
金属に置き換えることができる。また、Ｆｅ等の低融点
金属は、延性、展性などがＭｏより優れており、加工時
に表面および内部に欠陥を生じることがなく、真空封着
の信頼性が更に向上する。
【図１】本発明によるマグネトロンの一実施例を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図２】従来のマグネトロンの断面図である。
１…フィラメント、 ２、３…エンドシールド、６…絶
縁体、１７…シール部品、 ２０、２１…フィラメント
サポート、２２…陰極リード、２２ａ…フランジ部、２
２ｂ…カップ状部。
縁体、１７…シール部品、 ２０、２１…フィラメント
サポート、２２…陰極リード、２２ａ…フランジ部、２
２ｂ…カップ状部。
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器は少なくとも金属と、絶縁物から
構成され、前記絶縁物と金属とは、第１の封着面におい
て封着され、前記絶縁物を貫通した陰極リードは前記絶
縁物と第２の封着面で封着されており、前記第１の封着
面と、前記第２の封着面とは、ほぼ同一平面内に形成さ
れ、前記第２の封着面は、前記真空容器の内側に形成さ
れていることを特徴とするマグネトロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5156562A JP2761348B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5156562A JP2761348B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | マグネトロン |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2060941A Division JPH0610959B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | マグネトロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168670A true JPH06168670A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2761348B2 JP2761348B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=15630507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5156562A Expired - Lifetime JP2761348B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2761348B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019353U (ja) * | 1973-06-18 | 1975-03-04 | ||
| JPS55148161U (ja) * | 1979-04-11 | 1980-10-24 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP5156562A patent/JP2761348B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019353U (ja) * | 1973-06-18 | 1975-03-04 | ||
| JPS55148161U (ja) * | 1979-04-11 | 1980-10-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2761348B2 (ja) | 1998-06-04 |
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