JPH0616586B2 - N OR circuit - Google Patents

N OR circuit

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JPH0616586B2
JPH0616586B2 JP58127717A JP12771783A JPH0616586B2 JP H0616586 B2 JPH0616586 B2 JP H0616586B2 JP 58127717 A JP58127717 A JP 58127717A JP 12771783 A JP12771783 A JP 12771783A JP H0616586 B2 JPH0616586 B2 JP H0616586B2
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JP
Japan
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channel
mos
circuit
logic
gate
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孝樹 野口
吉宗 萩原
英夫 中村
弘之 増田
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/096Synchronous circuits, i.e. using clock signals
    • H03K19/0963Synchronous circuits, i.e. using clock signals using transistors of complementary type

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は多段論理回路に係り、特にプリチヤージ方式を
導入したダイナミツク形多段論理回路に好適な回路構成
法に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multistage logic circuit, and more particularly to a circuit configuration method suitable for a dynamic multistage logic circuit in which a precharge system is introduced.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

従来、多段論理として用いられるPLA等は、第1図に
示すNAND構成の多段論理、あるいは第2図に示すNOR
構成の多段論理で構成されている。この多段論理をスタ
ティック形論理回路で構成すると、レベル保持用の回路
が多数必要となりチップ面積や消費電力の増大を招く結
果になる。よって従来よりダイナミック形多段論理回路
が多く用いられており、特に、より小面積で高速化を図
るため、プリチャージ方式が採られてきた。ところが、
プリチヤージ方式に於いては、プリチヤージ期間を制御
するため、多種類のクロツク信号が必要となる。しか
し、LSIに於いては、入力クロツクの種類が制限され
るため、多種類のクロツク信号を生成することが困難で
ある。
A PLA or the like conventionally used as a multi-stage logic is a multi-stage logic having a NAND structure shown in FIG. 1 or a NOR shown in FIG.
It is composed of multi-stage logic. If this multi-stage logic is constructed by a static logic circuit, a large number of circuits for holding levels are required, resulting in an increase in chip area and power consumption. Therefore, a dynamic multi-stage logic circuit has been often used, and in particular, a precharge system has been adopted in order to reduce the area and speed up. However,
In the precharge system, various types of clock signals are required to control the precharge period. However, in the LSI, it is difficult to generate many types of clock signals because the types of input clocks are limited.

このような状況下で示されたのが、第3図に示すドミノ
方式の多段論理回路である(Bernard T.Murphy et al,
“A CMOS32b Single Chip Microprocessor",SESSION XV
I:VLSI LOGIC,1981 IEEE ISSCC,p.230-231,(1981年2
月20日)参照)。このドミノ方式を用いたNOR論理構
成の多段論理回路の動作を第3図及び第4図を用いて説
明する。クロツク信号1がLの期間、PチヤネルMOS
2,3はONし、NチヤネルMOS9,12がOFFす
るため、NOR論理8,11の出力4,5はそれぞれH
レベルにプリチヤージされる。このプリチヤージ期間に
入力信号7は決まるようにする。
Under such circumstances, the domino type multi-stage logic circuit shown in FIG. 3 is shown (Bernard T. Murphy et al,
"A CMOS32b Single Chip Microprocessor", SESSION XV
I: VLSI LOGIC, 1981 IEEE ISSCC, p.230-231, (1981 2
(May 20)). The operation of the NOR logic multi-stage logic circuit using the domino method will be described with reference to FIGS. While the clock signal 1 is L, P channel MOS
Since 2 and 3 are turned on and N channel MOSs 9 and 12 are turned off, the outputs 4 and 5 of the NOR logic 8 and 11 are H respectively.
It is precharged to the level. The input signal 7 is determined during this precharge period.

クロツク信号1がHレベルになると、PチヤネルMOS
2,3がOFFされ、かつ、NチヤネルMOS9がON
して、NOR論理8が動作する。入力7が全てLであれ
ば出力4はHを保持し、それ以外の場合は出力4はLに
遷移する。次段のNOR論理11は、その入力4,6が
決まるまで動作しないようにするため、クロツク信号1
を遅延させる手段を設ける。NOR論理11の入力4,
6が決まる時点まで遅延されたクロック信号1の伝播信
号10は、それらが決まつた時点でHになるようにし、
NOR論理11が動作する。
When clock signal 1 goes high, P channel MOS
2, 3 are turned off, and N channel MOS9 is turned on
Then, the NOR logic 8 operates. If the inputs 7 are all L, the output 4 holds H, otherwise the output 4 transits to L. The NOR logic 11 in the next stage has a clock signal 1 in order to prevent the inputs 4 and 6 from operating until they are determined.
A means for delaying is provided. NOR logic 11 input 4,
The propagating signals 10 of the clock signal 1 delayed until the time point 6 is determined so that they become H at the time point when they are determined,
NOR logic 11 operates.

プリチヤージ方式を導入した論理回路に於いては。出力
線とGNDとの間に直列に接続されるNMOSの数が少ない
ほど、その動作は高速化される。つまり、出力線上に保
持された電荷をデイスチヤージする時間が、その論理回
路の動作時間となるため、デイスチヤージ系路の抵抗値
が近いほど、その動作時間は高速化される。そのため、
論理回路を高速化する場合、その論理構造はNAND構成よ
りもNOR構成の方が有利となる。
In the logic circuit which introduced the precharge system. The smaller the number of NMOSs connected in series between the output line and GND, the faster the operation. That is, the time for discharging the charges held on the output line is the operation time of the logic circuit. Therefore, the closer the resistance value of the discharge system path is, the faster the operation time is. for that reason,
When increasing the speed of a logic circuit, the NOR structure is more advantageous than the NAND structure for the logic structure.

第3図に示したドミノ方式は、上記点に関しては、高速
化の条件を満たしている。しかし、さらに、高速化を行
なおうとした場合、次の点が問題となる。ドミノ方式で
は、プリチヤージ期間に出力線4,5上に蓄えられる電
荷が、論理の動作時間に移向するまではリークしないよ
うに、NチヤネルMOS9,12で接地を禁止してい
る。そのため、単純なNOR構成では、出力線とGND
との間に直列に接続されるNMOSは1つで済むのに対し、
2つのNMOSを必要としている。これにより、プリチヤー
ジ期間では、出力線4、5上のNOR論理8、11を構
成するNチャネルMOSのドレイン容量に対してのみで
なく、そのソース容量および接地側のNチャネルMOS
9、12のドレイン容量に対してもプリチャージを行な
うことになる。そのため、出力線とGND線との間にN
チャネルMOSが1つしか存在しないNOR回路より
も、プリチャージに要する時間が遅くなる。また、論理
回路の動作時間にディスチャージしなければならない電
荷量も多くなってしまう。
The domino system shown in FIG. 3 satisfies the conditions for speeding up with respect to the above points. However, in order to further increase the speed, the following points become a problem. In the domino system, grounding is prohibited by the N-channel MOSs 9 and 12 so that the electric charges stored on the output lines 4 and 5 during the precharge period do not leak until the logic operation time is reached. Therefore, in a simple NOR configuration, the output line and GND
While only one NMOS is connected in series between and,
I need two NMOSs. As a result, in the precharge period, not only the drain capacitance of the N-channel MOS constituting the NOR logics 8 and 11 on the output lines 4 and 5, but also the source capacitance and the N-channel MOS on the ground side.
Precharge is also performed for the drain capacitances of 9 and 12. Therefore, N between the output line and GND line
The time required for precharging is slower than that of a NOR circuit having only one channel MOS. In addition, the amount of charge that must be discharged during the operation time of the logic circuit also increases.

第3図に示したドミノ方式のNOR構成論理回路をPL
Aに適用した例を第8図に示す。第3図のクロック信号
1はクロック信号75に、遅延手段の出力10は信号7
6に対応する。入力信号60は、PチャネルMOS62
およびNチャネルMOS63で構成されるインバータタ
イプのバッファにより、第3図のNOR論理8に対応し
たNチャネルMOS64のゲートに入力する。第3図の
PチャネルMOS2にはPチャネルMOS74が、Nチ
ャネルMOS9にはNチャネルMOS65が対応してい
る。また、第3図のPチャネルMOS3にはPチャネル
MOS69が、NチャネルMOS12にはNチャネルM
OS71が対応している。第3図のNOR論理11は、
第8図のNチャネルMOS70で構成している。プリチ
ャージ時間および論理動作のためのディスチャージ時間
を遅くする要因のMOSトランジスタのソース容量およ
びドレイン容量は、第8図の68として表わされる。
The domino NOR configuration logic circuit shown in FIG.
An example applied to A is shown in FIG. The clock signal 1 in FIG. 3 is the clock signal 75, and the output 10 of the delay means is the signal 7.
Corresponds to 6. The input signal 60 is a P channel MOS 62.
An inverter type buffer composed of the N-channel MOS 63 and the N-channel MOS 63 inputs the signal to the gate of the N-channel MOS 64 corresponding to the NOR logic 8 in FIG. In FIG. 3, the P-channel MOS 2 corresponds to the P-channel MOS 74, and the N-channel MOS 9 corresponds to the N-channel MOS 65. Further, a P channel MOS 69 is provided for the P channel MOS 3 and an N channel M is provided for the N channel MOS 12 in FIG.
OS71 is supported. NOR logic 11 in FIG.
The N-channel MOS 70 shown in FIG. 8 is used. The source capacitance and the drain capacitance of the MOS transistor, which are factors that delay the precharge time and the discharge time for the logic operation, are represented by 68 in FIG.

一般に、第8図に示したPLAの回路規模の大部分を占
めるのは、NチャネルMOS64および70で構成され
るNOR論理である。PLAの回路面積を小さくするた
めには、この回路の大部分を占めるNチャネルMOS6
4、70のトランジスタサイズをできるだけ小さくする
ことが有効である。ところが、このトランジスタサイズ
を小さくすると、第8図の容量68による影響で、出力
線77等のプリチャージおよびディスチャージ時間が大
きくなってしまう。従って、第3図および第8図に示し
たドミノ方式のNOR構成論理回路を、より高速で小面
積な回路とするためには、出力線とGNDとの間に直列
に接続されるNチャネルMOSの数を1とし、高速化の
障害となっていた容量68を取り除かねばならない。
Generally, the NOR logic constituted by the N channel MOSs 64 and 70 occupies most of the circuit scale of the PLA shown in FIG. In order to reduce the circuit area of the PLA, the N-channel MOS 6 which occupies most of this circuit is used.
It is effective to make the transistor sizes of 4, 70 as small as possible. However, if the transistor size is reduced, the precharge and discharge times of the output line 77 and the like become longer due to the influence of the capacitance 68 in FIG. Therefore, in order to make the domino NOR configuration logic circuit shown in FIGS. 3 and 8 into a circuit having a higher speed and a smaller area, an N-channel MOS connected in series between the output line and GND is used. It is necessary to remove the capacity 68, which has been an obstacle to speeding up, by setting the number of 1 to 1.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明の目的は、より高速で小面積な多段論理回路を実
現することにある。そのため、ただ1つのクロック信号
で連続的に動作可能なプリチャージ方式のNOR論理回
路であって、出力線とGNDとの間に接続される直列N
チャネルMOSの数を1とする回路を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to realize a high-speed, small-area multi-stage logic circuit. Therefore, it is a precharge type NOR logic circuit that can be continuously operated by only one clock signal, and it is a series N connected between the output line and GND.
It is to provide a circuit in which the number of channel MOSs is 1.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

出力線をプリチャージする際、NOR論理のNチャネル
MOSゲートに入力される信号をドライバ回路にてLレ
ベルとすることで、出力線が接地されることを防ぐ回路
構成とし、出力線とGNDとの間に直列に接続されるN
OR論理のNチャネルMOSの数を1とした。これによ
り、NOR論理を構成するNチャネルMOSのトランジ
スタサイズをある程度小さくしても、高速動作可能な多
段論理回路を実現することができる。また、入力信号を
タイミング制御してNOR論理に入力するドライバ回路
は、回路全体に占める割合が小さいため、トランジスタ
サイズを大きくすることで高速化可能であり、さらにこ
の高速化による回路面積増加はわずかなものである。
When the output line is precharged, the driver circuit sets the signal input to the N-channel MOS gate of the NOR logic to the L level to prevent the output line from being grounded. N connected in series between
The number of N-channel MOS of OR logic is set to 1. As a result, even if the transistor size of the N-channel MOS forming the NOR logic is reduced to some extent, it is possible to realize a multi-stage logic circuit that can operate at high speed. Further, since the driver circuit that controls the timing of the input signal and inputs it to the NOR logic is small in the entire circuit, it can be speeded up by increasing the transistor size. It is something.

上記回路に於いて、プリチャージ期間を指定する信号線
を遅延手段を用いて遅延させ、直列接続される次段NO
R論理の信号線とすることで、ドミノ方式と同様な機能
を有する多段論理を構成することを可能とした。
In the above circuit, the signal line designating the precharge period is delayed by using the delay means, and the next stage NO connected in series is connected.
By using the R logic signal line, it is possible to configure a multi-stage logic having the same function as the domino system.

上記回路に於いて、プリチヤージ期間を指定する信号線
を遅延手段を用いて遅延させ、直列に接続される次段N
OR論理の信号線とすることで、ドミノ方式と同様な多
段論理を構成することを可能とした。
In the above circuit, the signal line designating the precharge period is delayed by using the delay means, and the next stage N is connected in series.
By using a signal line of OR logic, it is possible to configure a multi-stage logic similar to the domino method.

〔発明の実施例〕Example of Invention

以下、本発明の一実施例を第5図,第6図を用いて説明
する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

第5図に於いて、初段NOR論理はNチヤネルMOS3
3,34,35より構成される。この論理の入力は、P
チヤネルMOS30,15及びNチヤネルMOS16よ
り構成されるドライバの出力26であり、出力は17の
電位である。PチヤネルMOS13は、出力端子のプリ
チヤージのために利用される。NOR論理への入力26
等が全て“L”の場合には、NチヤネルMOS33,3
4,35はOFF状態となるので、出力17は接地され
ず、プリチヤージした電荷がデイスチヤージされないた
め、Hを保つ。入力の1つでも“H”となると、出力1
7は接地され、出力はLへと遷移する。次段NOR論理
はNチヤネルMOS37,38,39より構成されてい
る。
In FIG. 5, the first-stage NOR logic is N-channel MOS3.
It is composed of 3, 34 and 35. The input of this logic is P
It is the output 26 of the driver composed of the channel MOSs 30 and 15 and the N channel MOS 16, and the output is the potential of 17. The P channel MOS 13 is used for precharging the output terminal. Input to NOR logic 26
, Etc. are all "L", N channel MOS 33, 3
Since the outputs 4 and 35 are in the OFF state, the output 17 is not grounded and the precharged charges are not discharged, so that the output H is maintained at H. Output 1 when even one of the inputs becomes "H"
7 is grounded and the output transitions to L. The next NOR logic is composed of N-channel MOS 37, 38, 39.

クロツク信号線25は、プリチヤージの期間を指定す
る。クロツク信号25がHレベルの期間(第6図参照)
出力17はプリチヤージを行なわれる。すなわち、信号
25はインバータ32により、そのレベルが反転させら
れ、PチヤネルMOS13にLレベルを入力することに
なるので、13はON状態となり、17に電荷が供給さ
れる。一方、NOR論理への入力を行なうドライバ回路
のPチヤネルMOS15及びNチヤネルMOS16に
も、信号25は入力される。プリチヤージ期間は、信号
25はHであるから、PチヤネルMOS15はOFF状
態であり、NチヤネルMOS16はON状態となり、N
OR論理への入力26は接地されLレベルとなる。その
ため、NOR論理を構成するNチヤネルMOS33,3
4,35はOFF状態となり出力17が接地されるのを
防いでいる。信号25は遅延手段を通して遅延され、信
号23として、次段NOR論理にも入力される。次段N
OR論理も初段のNOR論理と同じ構成であり、初段よ
り多少遅れた時間にプリチヤージが同様にして行なわれ
る。プリチヤージが終了すると、それぞれのNOR論理
の出力17,28はHレベルとなる。初段NOR論理は
クロック信号25がLレベルになると動作を開始する。
その前に、初段NOR論理に入力すべき信号29を確定
させておく。クロツク信号25がLレベルになると、イ
ンバータ32を通しPチヤネルMOS13にはHが入力
され出力17と電源との接続は断たれる。一方、ドライ
バのPチヤネルMOS15はON状態となり、Nチヤネ
ルMOS16はOFF状態となる。この時、ドライバへ
の入力29がHレベルだと、PチヤネルMOS30はO
FF状態となるから、ドライバ出力26はLを保持す
る。一方、29がLレベルだと、PチヤネルMOS30
はON状態となり、PチヤネルMOS30,15を通し
て出力26はHに遷移し、NOR論理を構成するNチヤ
ネルMOS33がON状態となり、出力17をLレベル
に遷移させる。この時、ドライバ入力29と、初段NO
R論理18の出力17のインバータ19を通した後での
反転信号20との関係をみると、信号29が全て“H”
レベルの時信号20は“L”レベルとなり、信号29の
1本でも“L”レベルとなると、信号20は“H”レベ
ルとなるから、論理的には、第1図に示すNAND構成と等
価となる。
The clock signal line 25 specifies the precharge period. Period when clock signal 25 is at H level (see FIG. 6)
Output 17 is precharged. That is, the level of the signal 25 is inverted by the inverter 32, and the L level is input to the P channel MOS 13, so that 13 is turned on and electric charge is supplied to 17. On the other hand, the signal 25 is also input to the P-channel MOS 15 and the N-channel MOS 16 of the driver circuit that inputs to the NOR logic. During the precharge period, since the signal 25 is H, the P channel MOS15 is in the OFF state, the N channel MOS16 is in the ON state, and the N channel MOS16 is in the ON state.
The input 26 to the OR logic is grounded and becomes L level. Therefore, the N channel MOSs 33 and 3 that form the NOR logic
4, 35 are turned off to prevent the output 17 from being grounded. The signal 25 is delayed by the delay means, and is also input to the next-stage NOR logic as the signal 23. Next stage N
The OR logic has the same configuration as the NOR logic of the first stage, and precharge is similarly performed at a time slightly delayed from the first stage. When the precharge is completed, the outputs 17 and 28 of the respective NOR logics become H level. The first-stage NOR logic starts its operation when the clock signal 25 goes low.
Before that, the signal 29 to be input to the first-stage NOR logic is fixed. When the clock signal 25 becomes L level, H is input to the P channel MOS 13 through the inverter 32, and the connection between the output 17 and the power supply is cut off. On the other hand, the P channel MOS 15 of the driver is turned on and the N channel MOS 16 is turned off. At this time, if the input 29 to the driver is at the H level, the P channel MOS 30 becomes O.
Since the FF state is set, the driver output 26 holds L. On the other hand, if 29 is at L level, P channel MOS30
Becomes an ON state, the output 26 transits to H through the P channel MOSs 30 and 15, the N channel MOS 33 constituting the NOR logic becomes an ON state, and the output 17 transits to the L level. At this time, the driver input 29 and the first stage NO
Looking at the relationship between the output 17 of the R logic 18 and the inverted signal 20 after passing through the inverter 19, all the signals 29 are "H".
When it is at level, the signal 20 becomes "L" level, and when even one of the signals 29 becomes "L" level, the signal 20 becomes "H" level, so it is logically equivalent to the NAND configuration shown in FIG. Becomes

初段NOR論理18の出力17が確定するまで、次段N
OR論理24が動作しないように、クロツク信号25を
遅延する手段を設け、その遅延信号23を、次段NOR
論理のドライバ部PチヤネルMOS21,NチヤネルM
OS22及び、遅延信号23をインバータ36でレベル
反転させた信号をプリチヤージ用PチヤネルMOS14
に入力する。次段NOR論理24の動作も、初段NOR
論理と同様であり、動作時間にはプリチヤージ用Pチヤ
ネルMOS14はOFF状態となり、ドライバ部のPチ
ヤネルMOS21はON状態となり、NチヤネルMOS
22はOFF状態となり、ドライバ入力20が、全て
“H”レベルの場合は、出力28はHレベルを保持し、
20がLレベルとなる。
Until the output 17 of the first stage NOR logic 18 is confirmed, the next stage N
A means for delaying the clock signal 25 is provided so that the OR logic 24 does not operate.
Logic driver section P channel MOS21, N channel M
A signal obtained by inverting the level of the OS 22 and the delay signal 23 by the inverter 36 is used as the P channel MOS 14 for precharge.
To enter. The operation of the second-stage NOR logic 24 is also the first-stage NOR
Similar to the logic, the P-channel MOS 14 for pre-charge is in the OFF state, the P-channel MOS 21 in the driver section is in the ON state, and the N-channel MOS is in the operating time.
22 is in the OFF state, and when the driver inputs 20 are all at the "H" level, the output 28 holds the H level,
20 becomes L level.

第5図で構成した多段論理回路をPLAに適用した例を
第7図に示す。クロツク信号25には信号55が対応
し、遅延信号23には56が対応する。初段ドライバの
PチヤネルMOS30には42が、15には43が対応
する。NチヤネルMOS16には45が対応する。ま
た、NOR論理を構成するNチヤネルMOS33等には
44が対応する。プリチヤージ用PチヤネルMOS13
には54が対応する。初段NOR論理の出力は57で、
インバータ19は46に対応する。次段ドライバのPチ
ヤネルMOS31には47が、21には48が、又、N
チヤネルMOS22には51が対応する。次段NOR論
理を構成するNチヤネルMOS37等には50が対応す
る。プリチヤージ用PチヤネルMOS14には49が対
応する。回路構成は第5図に示した多段論理と全く同じ
である。
An example in which the multistage logic circuit configured in FIG. 5 is applied to a PLA is shown in FIG. The clock signal 25 corresponds to the signal 55, and the delayed signal 23 corresponds to 56. 42 corresponds to the P channel MOS 30 of the first-stage driver, and 43 corresponds to 15. 45 corresponds to the N channel MOS 16. Further, 44 corresponds to the N-channel MOS 33 and the like which configure the NOR logic. P channel MOS13 for precharge
Corresponds to 54. The output of the first-stage NOR logic is 57,
The inverter 19 corresponds to 46. 47 for the P channel MOS31 of the next stage driver, 48 for 21 and N
51 corresponds to the channel MOS 22. 50 corresponds to the N-channel MOS 37 and the like which form the NOR logic of the next stage. 49 corresponds to the P channel MOS 14 for precharge. The circuit configuration is exactly the same as the multi-stage logic shown in FIG.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、多段論理回路をただ1つのクロック信
号を用いて、プリチヤージ方式のNチヤネルMOSのN
OR論理を出力線とGNDとの間に直列に接続されるM
OS数を1として構成できるので、回路動作の高速化に
効果がある。
According to the present invention, the multi-stage logic circuit uses only one clock signal, and the N of the pre-charge type N channel MOS is used.
An OR logic M is connected in series between the output line and GND.
Since the number of OSs can be set to 1, it is effective in speeding up the circuit operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図,第2図は多段論理の説明図、第3図は従来のド
ミノ形の多段論理回路図、第4図はその動作タイミング
図、第5図は本発明の多段論理回路図、第6図はその動
作タイミング図、第7図は本発明の多段論理回路をPL
Aに適用した場合の回路図、第8図は従来のドミノ形の
多段論理回路をPLAに適用した場合の回路図である。 8,11,18,22及び44,50……NOR論理回
路。
1 and 2 are explanatory diagrams of multistage logic, FIG. 3 is a conventional domino type multistage logic circuit diagram, FIG. 4 is its operation timing diagram, FIG. 5 is a multistage logic circuit diagram of the present invention, and FIG. FIG. 6 shows the operation timing diagram, and FIG. 7 shows the multi-stage logic circuit of the present invention as a PL.
FIG. 8 is a circuit diagram when applied to A, and FIG. 8 is a circuit diagram when a conventional domino type multi-stage logic circuit is applied to PLA. 8, 11, 18, 22 and 44, 50 ... NOR logic circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 萩原 吉宗 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 中村 英夫 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 増田 弘之 東京都小平市上水本町1479番地 日立マイ クロコンピユ−タエンジニアリング株式会 社内 (56)参考文献 特開 昭52−67557(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshimune Hagiwara 1-280, Higashi Koikekubo, Kokubunji, Tokyo Metropolitan Research Center, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Hideo Nakamura 1-280, Higashi Koikeku, Kokubunji, Tokyo Hitachi, Ltd. Central Research Laboratory (72) Inventor Hiroyuki Masuda 1479, Kamimizumoto-cho, Kodaira-shi, Tokyo In-house Hitachi Micro-Computer Engineering Co., Ltd. (56) Reference JP-A-52-67557 (JP, A)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】出力線と接地との間にドレイン・ソース経
路をなすNチャネルの第1のMOSを1つずつ並列に複
数個接続し、上記出力線と電源との間にドレイン・ソー
ス経路をなすPチャネルの第2のMOSを接続し、並列
に複数個接続された上記Nチャネルの第1のMOSの各
ゲートは入力される夫々の入力信号に応答し、上記Pチ
ャネルの第2のMOSのゲートはプリチャージ制御信号
に応答する如く構成されたNOR回路であって、 上記Nチャネルの第1のMOSの各ゲートと上記接地と
の間にドレイン・ソース経路をなすNチャネルの第3の
MOSを接続し、そのゲートは上記プリチャージ制御信
号に応答し、上記Nチャネルの第1のMOSの各ゲート
と上記電源との間にドレイン・ソース経路をなすPチャ
ネルの第4のMOSを接続し、そのゲートは夫々の上記
入力信号に応答し、上記Nチャネルの第1のMOSの各
ゲートと上記電源との間にドレイン・ソース経路をな
し、上記Pチャネルの第4のMOSのドレイン・ソース
経路と直列の経路をなすPチャネルの第5のMOSを接
続し、そのゲートは上記プリチャージ制御信号に応答す
る制御回路を夫々の上記入力信号ごとに複数個具備し、 上記プリチャージ制御信号のレベルが上記Pチャネルの
第2のMOSを導通させるプリチャージ期間には、上記
Nチャネルの第3のMOSが導通する一方、上記Pチャ
ネルの第5のMOSを非導通とすることによって、夫々
の上記入力信号とは無関係に上記Nチャネルの第1のM
OSの各ゲートの電位を低レベルの電圧に制御し、 上記プリチャージ制御信号のレベルが上記Pチャネルの
第2のMOSを非導通とする非プリチャージ期間には、
上記Nチャネルの第3のMOSを非導通とする一方、上
記Pチャネルの第5のMOSが導通することによって、
上記Pチャネルの第4のMOSを介して夫々の上記入力
信号に上記Nチャネルの第1のMOSの各ゲートの電位
が応答することを特徴とするNOR回路。
1. A plurality of N-channel first MOSs forming a drain / source path are connected in parallel between an output line and ground, and a drain / source path is provided between the output line and a power supply. Of the P-channel second MOS connected to each other, and the gates of the plurality of N-channel first MOSs connected in parallel to each other respond to respective input signals to be input, A gate of the MOS is a NOR circuit configured to respond to a precharge control signal, and a third N-channel circuit that forms a drain / source path between each gate of the first N-channel MOS and the ground. Of the P-channel fourth MOS which forms a drain / source path between each gate of the N-channel first MOS and the power supply in response to the precharge control signal. Contact And the gate thereof responds to the respective input signals, forms a drain-source path between each gate of the N-channel first MOS and the power supply, and connects the P-channel fourth MOS drain. Connecting a fifth P-channel MOS that forms a series path with the source path, the gate of which has a plurality of control circuits responsive to the precharge control signal for each of the input signals; During the precharge period when the signal level makes the P-channel second MOS conductive, the N-channel third MOS becomes conductive while the P-channel fifth MOS becomes non-conductive, The first M of the N channels are independent of the respective input signals.
In the non-precharge period in which the potential of each gate of OS is controlled to a low level voltage and the level of the precharge control signal makes the second MOS of the P channel nonconductive,
By turning off the N-channel third MOS while turning off the P-channel fifth MOS,
A NOR circuit characterized in that the potential of each gate of the N-channel first MOS responds to each of the input signals via the P-channel fourth MOS.
【請求項2】上記NOR回路を多段構成するにあたり、
第1段のNOR回路のプリチャージ制御信号を遅延させ
る遅延回路を具備し、上記遅延させた上記プリチャージ
制御信号を第2段のNOR回路のプリチャージ制御信号
として用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のNOR回路。
2. In constructing the NOR circuit in multiple stages,
A delay circuit for delaying the precharge control signal of the NOR circuit of the first stage is provided, and the delayed precharge control signal is used as a precharge control signal of the NOR circuit of the second stage. The NOR circuit according to the first section of the above.
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