JPH06163979A - Photoelectric transducer - Google Patents

Photoelectric transducer

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JPH06163979A
JPH06163979A JP30881792A JP30881792A JPH06163979A JP H06163979 A JPH06163979 A JP H06163979A JP 30881792 A JP30881792 A JP 30881792A JP 30881792 A JP30881792 A JP 30881792A JP H06163979 A JPH06163979 A JP H06163979A
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JP
Japan
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sensor
point light
chip
light sources
photoelectric conversion
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Application number
JP30881792A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Shigeta
和之 繁田
Eiichi Takami
栄一 高見
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the S/N ratio at the connection part of a sensor chip, and exclude the difference of output offset, by installing point light sources arranged so as to form a region of high light intensity distribution on the connection position of the sensor chip. CONSTITUTION:Five line sensor chips are arranged in line in the main scanning direction. A module substrate 8 is formed of ceramic or the like, in order to arrange the line sensor chips. The relation to a sensor output signal 9 is so shown that positional relations in the X-direction of point light sources 7, sensors, and the sensor output become identical. The point light sources 7 are so arranged that the density of the point light sources 7 on a substrate 74 for light sources which substrate is formed of epoxy glass becomes high. Thereby the S/N ratio on chip connection parts 10 is always increased, and the noise on the chip connection position at the time of white correction is relatively suppressed as compared with the noise of the other parts.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置や複
写機、スキャナ等に利用することが可能な光電変換装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric conversion device which can be used in facsimile machines, copying machines, scanners and the like.

【0002】さらに詳述すれば本発明は、複数の光電変
換素子を配列して形成したイメージセンサチップを、基
板上に複数個配置してなる所謂マルチチップ型イメージ
センサを用いた光電変換装置に関する。
More specifically, the present invention relates to a photoelectric conversion device using a so-called multi-chip type image sensor in which a plurality of image sensor chips formed by arranging a plurality of photoelectric conversion elements are arranged on a substrate. .

【0003】[0003]

【従来の技術】従来技術1 従来から、読み取り画素を直線状に配列して構成したリ
ニアイメージセンサはファクシミリ,スキャナ等におけ
る画像読取装置に多く用いられている。この種のリニア
イメージセンサは、シリコンウエハ上に作成されるた
め、そのセンサ長はウエハサイズにより制限を受け、画
像読取装置で読取られる原稿と同一長さのリニアイメー
ジセンサチップを作成することは困難である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a linear image sensor constructed by arranging read pixels in a straight line has been widely used in image reading apparatuses such as facsimiles and scanners. Since this type of linear image sensor is formed on a silicon wafer, its sensor length is limited by the wafer size, and it is difficult to form a linear image sensor chip having the same length as the original read by the image reading device. Is.

【0004】このため、従来では原稿からの反射光を光
学系を用いて縮小し、リニアイメージセンサ上に縮小投
影を行って画像を読取っていた。しかしこのような縮小
光学系を使用する画像読取装置では、光学系の配設空間
を大きく取らねばならず、また解像度も良好でなくな
る。そこで、これを解決するため特開昭60−1276
0号公報等において、リニアイメージセンサのチップを
複数個直線上に配列した所謂マルチチップ型イメージセ
ンサ(密着型イメージセンサ)が提案されている。
For this reason, conventionally, an image is read by reducing the reflected light from the original using an optical system and performing reduction projection on a linear image sensor. However, in an image reading apparatus using such a reduction optical system, a large space for disposing the optical system must be taken and the resolution is not good. Then, in order to solve this, JP-A-60-1276
No. 0, etc. propose a so-called multi-chip type image sensor (contact image sensor) in which a plurality of linear image sensor chips are arranged in a straight line.

【0005】図4に、このようなマルチチップ型イメー
ジセンサの光電変換部を示す。本図は平面図に相当する
ものであり、3はラインセンサチップである。ここでは
主走査方向に5つ直線状に並べられている。8はライン
センサチップ3を配置するためにセラミック等で形成さ
れたモジュール基板である。
FIG. 4 shows a photoelectric conversion portion of such a multi-chip type image sensor. This drawing corresponds to a plan view, and 3 is a line sensor chip. Here, five lines are arranged linearly in the main scanning direction. Reference numeral 8 is a module substrate made of ceramic or the like for disposing the line sensor chip 3.

【0006】このようなマルチチップ型のセンサは、各
センサチップの特性上のバラツキにより、出力の感度や
オフセットがセンサチップ毎に異なるという欠点を有す
る。特に、各センサチップにおける出力オフセットの差
は、階調の違いからチップの幅で画像の濃淡の差となっ
て現れる。
Such a multi-chip type sensor has a drawback in that the output sensitivity and offset are different for each sensor chip due to variations in characteristics of each sensor chip. In particular, the difference in output offset between the sensor chips appears as a difference in image density depending on the width of the chip due to the difference in gradation.

【0007】この結果、チップのつなぎ目上(図4の1
0)には、画像の濃淡の差からスジが見かけ上生じるこ
とになり、画質上特に問題になり易い。
As a result, on the joints of the chips (1 in FIG. 4).
In 0), streaks are apparently generated due to the difference in lightness and darkness of the image, which is likely to cause a problem in image quality.

【0008】図5は、上述したマルチチップ型イメージ
センサに用いられている光学系の模式図を示す。本図に
おいて、7は点光源を直線状に配列したアレイ光源であ
る。ここで、71,72,73はそれぞれ第1,第2,
第3の点光源を示す。74は、ガラエポ等で形成され
た、点光源を駆動するための回路を有した基板である。
FIG. 5 is a schematic diagram of an optical system used in the above-mentioned multichip type image sensor. In this figure, 7 is an array light source in which point light sources are linearly arranged. Here, 71, 72, 73 are respectively the first, second, and
A third point light source is shown. Reference numeral 74 is a substrate formed of glass epoxy or the like and having a circuit for driving a point light source.

【0009】これらの点光源からの照射光により得られ
た原稿5からの反射光は、適当な結像手段4(例えば円
筒レンズアレイ)により、センサチップ3の各画素31
上に結像され、センサ出力として読み出される。
The reflected light from the original 5 obtained by the irradiation light from these point light sources is supplied to each pixel 31 of the sensor chip 3 by an appropriate image forming means 4 (for example, a cylindrical lens array).
It is imaged on the top and read out as a sensor output.

【0010】図5で用いられている光源は、アレイ光源
7を構成している各点光源毎の光量のバラツキや、各点
光源がセンサ主走査方向に対して離散的に存在している
ことによる光量ムラを伴うという欠点を有している。
The light source used in FIG. 5 has a variation in the amount of light for each point light source forming the array light source 7, and that each point light source exists discretely in the sensor main scanning direction. It has a drawback that it causes unevenness in light amount.

【0011】図6は、このような点光源によって照射さ
れる原稿面での光強度分布を示している。点光源の光強
度の不均一性は、各画素の感度の不均一性と同じ意味を
持ち、画質に影響を与える。このため、こうした感度ム
ラをなくすような白補正処理(シェーディング補正処
理)が併せて用いられることが多い。
FIG. 6 shows the light intensity distribution on the original surface illuminated by such a point light source. The nonuniformity of the light intensity of the point light source has the same meaning as the nonuniformity of the sensitivity of each pixel and affects the image quality. Therefore, white correction processing (shading correction processing) that eliminates such sensitivity unevenness is often used together.

【0012】図7は、こうしたシェーディング補正を説
明する図である。本図において、11は白基準板を読み
取ったときの補正前の信号出力であり、12はこの信号
により補正を行った後の100%信号出力(白基準)で
ある。また、G1 およびG2は、A点およびB点のそれ
ぞれで補正時に読み取りデータに乗算される補正係数で
ある。ここで、補正前のA,B両点に同じ大きさのノイ
ズが存在した場合(S/N比は当然B点の方が低くな
る)、補正後のB点のノイズはA点のG2 /G1倍に増
幅される。
FIG. 7 is a diagram for explaining such shading correction. In the figure, 11 is a signal output before correction when the white reference plate is read, and 12 is a 100% signal output (white reference) after correction by this signal. Further, G 1 and G 2 are correction coefficients that are multiplied by the read data at the time of correction at points A and B, respectively. Here, when noise of the same magnitude exists at both points A and B before correction (the S / N ratio is naturally lower at point B), the noise at point B after correction is G 2 at point A. / G amplified 1 times.

【0013】図8は、図4に示したマルチチップ型イメ
ージセンサと、そのセンサ出力信号と、アレイ光源との
関係を示した図である。ここで9は、白基準板を読み取
ったときのセンサ出力信号を表している。
FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the multi-chip type image sensor shown in FIG. 4, the sensor output signal thereof, and the array light source. Here, 9 represents the sensor output signal when the white reference plate is read.

【0014】従来技術2 上述したとおり、ファクシミリや複写機、スキャナ等に
利用する原稿読み取り装置として、センサアレイを用
い、読み取り画像を1対1に結像させ、読み取り原稿と
同一サイズで読み取る密着型イメージセンサが知られて
いる。
Prior Art 2 As described above, a contact type in which a sensor array is used as a document reading device used in a facsimile, a copying machine, a scanner or the like, a read image is formed in a one-to-one manner, and the same size as the read document is read. Image sensors are known.

【0015】図11は、この密着型イメージセンサの平
面図(A)および側面図(B)を示す。図示された密着
型イメージセンサは、センサアレイと、短焦点結像素子
アレイと、光源と(いずれも図示せず)、移動する原稿
を保持するカバーガラス103と、その他の部品で構成
され、これらの部材をフレーム104の内部に収納して
いる。
FIG. 11 shows a plan view (A) and a side view (B) of this contact image sensor. The illustrated contact-type image sensor is composed of a sensor array, a short-focus image forming element array, a light source (not shown), a cover glass 103 for holding a moving original, and other parts. These members are housed inside the frame 104.

【0016】このような原稿読み取り装置では、原稿読
み取り装置を駆動するための電源や信号のほか、原稿読
み取り装置からの出力信号等の入出力用の接続機構部品
110が使用されている。
In such a document reading apparatus, a power supply and signals for driving the document reading apparatus as well as a connecting mechanism component 110 for input / output of output signals from the document reading apparatus are used.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】課題1 しかしながら、図8に示した従来例では、各センサチッ
プ3のつなぎ目間隔(周期)と、点光源の間隔(周期)
に相関がないため、チップつなぎ目位置に光量の小さな
領域が来る可能性がある。
Problem 1 However, in the conventional example shown in FIG. 8, the interval (cycle) between the joints of the sensor chips 3 and the interval (cycle) between the point light sources.
Since there is no correlation between, there is a possibility that an area with a small amount of light may come to the chip joint position.

【0018】すなわち図8に示したC点のように、光量
の低い領域にセンサチップのつなぎ目位置がある場合に
は、図7に関して述べたとおり、チップ間におけるセン
サ出力のオフセット差が白補正時のゲイン倍に増幅され
てしまうことになる。
That is, when there is a joint position of the sensor chips in a region where the light amount is low, such as point C shown in FIG. 8, as described with reference to FIG. It will be amplified by the gain of.

【0019】その結果として、画質上目立ち易いチップ
つなぎ目位置の“スジ”が、さらに強調されることにな
る。
As a result, the "streak" at the chip joint position, which is easily noticeable in image quality, is further emphasized.

【0020】このような画質劣化は、センサの高階調化
を図る際には、特に問題となる。
Such image quality deterioration becomes a particular problem when the gradation of the sensor is increased.

【0021】よって本発明の第1の目的は上述の点に鑑
み、センサチップのつなぎ目部におけるS/N比を高く
して、出力オフセットの差をなくすよう構成した光電変
換装置を提供することにある。
Therefore, in view of the above points, a first object of the present invention is to provide a photoelectric conversion device configured to increase the S / N ratio at the joint portion of the sensor chip to eliminate the difference in output offset. is there.

【0022】課題2 また、図11に示した従来例では、原稿読み取り装置を
駆動するための電源や信号、さらには原稿読み取り装置
からの出力信号等の入出力用の接続機構部品110を、
原稿読み取り装置本体に保持するためには、その接続機
構部品110を固定するための基板120や、これらを
固定するビス130等が必要となる。
Problem 2 In the conventional example shown in FIG. 11, a power source and signals for driving the document reading device, and a connecting mechanism component 110 for inputting and outputting an output signal from the document reading device are provided.
In order to hold the original reading apparatus main body, a board 120 for fixing the connecting mechanism component 110, a screw 130 for fixing these, and the like are required.

【0023】さらに、接続機構部品110は原稿読み取
り装置の最外部に保持されるために、原稿読み取り装置
を駆動するための電源や信号、さらには原稿読み取り装
置からの出力信号に浮遊ノイズが重畳するという問題が
ある。
Further, since the connection mechanism part 110 is held at the outermost part of the document reading device, stray noise is superimposed on the power source and signals for driving the document reading device and further on the output signal from the document reading device. There is a problem.

【0024】よって本発明の第2の目的は、外部との電
気的接続のための機構を簡略化すると共に、耐ノイズ性
にも優れた光電変換装置を提供することにある。
Therefore, a second object of the present invention is to provide a photoelectric conversion device which has a simplified mechanism for electrical connection to the outside and is excellent in noise resistance.

【0025】[0025]

【課題を解決するための手段】手段1 本発明の第1の目的を達成するために、本発明は複数の
センサチップを配列してなるマルチチップ型イメージセ
ンサを備えた光電変換装置において、前記センサチップ
のつなぎ目位置上に光強度分布の高い領域を形成するよ
う配列した点光源を具備したものである。
To achieve the first object of the means 1 the invention SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a photoelectric conversion apparatus having a multi-chip type image sensor formed by arranging a plurality of sensor chips, wherein The point light source is arranged so as to form a region having a high light intensity distribution on the joint position of the sensor chip.

【0026】ここで、前記点光源の配列周期は、前記セ
ンサチップの配列周期の1/n倍(n=1,2,3…)
周期とするのが好適である。
Here, the arrangement period of the point light sources is 1 / n times (n = 1, 2, 3 ...) The arrangement period of the sensor chips.
The period is preferable.

【0027】また、前記点光源のうち前記センサチップ
のつなぎ目位置上に対応する点光源は、他の点光源と比
較して光強度の強いものを用いることも可能である。
Of the point light sources, the point light source corresponding to the joint position of the sensor chip may be one having a higher light intensity than other point light sources.

【0028】手段2 本発明の第2の目的を達成するために、本発明は複数の
センサチップを配列してなるマルチチップ型イメージセ
ンサを備えた光電変換装置において、前記複数のセンサ
チップを実装したセンサアレイ基板の一端に、電気的接
続をなす接続機構部を設けたものである。
Means 2 In order to achieve the second object of the present invention, the present invention is to mount a plurality of sensor chips in a photoelectric conversion device provided with a multi-chip type image sensor in which a plurality of sensor chips are arranged. The sensor array substrate is provided at one end with a connection mechanism section for electrical connection.

【0029】ここで、前記接続機構部は、プリント基板
にプリント配線された金属片を有し、当該金属片を挾持
することにより外部との電気的接続をなす。
Here, the connection mechanism portion has a metal piece printed and printed on a printed circuit board, and holds the metal piece to establish an electrical connection with the outside.

【0030】[0030]

【作用】作用1 本発明の上記構成(手段1)によれば、マルチチップ型
イメージセンサのセンサチップつなぎ目位置上に光強度
分布の高い領域が生じるように点光源を配列することに
より、センサチップつなぎ目部のS/N比を高くして、
画質上問題となるチップ毎の出力オフセットの差を目立
たなくすることができる。
Operation 1 According to the above configuration (means 1) of the present invention, by arranging the point light sources so that a region having a high light intensity distribution is formed on the sensor chip joint position of the multi-chip image sensor, the sensor chip is arranged. Increase the S / N ratio at the joint,
It is possible to make the difference in output offset between chips, which is a problem in image quality, inconspicuous.

【0031】作用2 本発明の上記構成(手段)によれば、電気的接続機構部
品(コネクタ)を装置本体に固定するための基板および
ビスが不要となるばかりでなく、センサアレイ基板上の
センサチップと最短距離で電気的接続をなすことが可能
となるので、信号線等へのノイズの重畳を防止すること
ができる。
Function 2 According to the above-mentioned structure (means) of the present invention, not only the board and screw for fixing the electrical connection mechanism component (connector) to the apparatus main body are not required, but also the sensor on the sensor array board is provided. Since it is possible to make electrical connection with the chip in the shortest distance, it is possible to prevent noise from being superimposed on the signal line and the like.

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described in detail below.

【0033】実施例1 図1は、本発明の第1の実施例によるマルチチップ型イ
メージセンサを示す。本図において、3はラインセンサ
チップであり、ここでは主走査方向に5つ直線状に並べ
られている。8は、ラインセンサチップ3を配置するた
めのセラミック等で形成されたモジュール基板である。
7は点光源であり、74はガラエポ等で形成された光源
用の基板である。9は、センサ出力信号である。ここで
は、点光源,センサ,センサ出力のx方向の位置関係が
一致するように示してある。
Embodiment 1 FIG. 1 shows a multi-chip type image sensor according to a first embodiment of the present invention. In the figure, 3 is a line sensor chip, and here five line sensor chips are arranged linearly in the main scanning direction. Reference numeral 8 is a module substrate made of ceramic or the like for disposing the line sensor chip 3.
Reference numeral 7 is a point light source, and 74 is a light source substrate made of glass epoxy or the like. 9 is a sensor output signal. Here, the positional relationship of the point light source, the sensor, and the sensor output in the x direction is shown to be the same.

【0034】本実施例では、チップつなぎ目10におい
て、基板74上の点光源の密度が高くなるように点光源
が配列してある。これにより、チップつなぎ目10上の
S/N比は常に高くなり、白補正時におけるチップつな
ぎ目位置上のノイズは、他の部分のノイズに比べて相対
的に抑圧される。
In this embodiment, the point light sources are arranged in the chip joint 10 so that the density of the point light sources on the substrate 74 is high. As a result, the S / N ratio on the chip joint 10 is always high, and the noise on the chip joint position during white correction is relatively suppressed as compared to the noise of other portions.

【0035】実施例2 図2は、本発明の第2の実施例によるマルチチップ型イ
メージセンサである。本実施例では、点光源は一定の間
隔で配列され、その周期はセンサチップの周期の1/n
倍周期(n=1,2…)であり、かつ、チップつなぎ目
位置上に点光源がくるように配置されている。その他の
構成は実施例1と同じである。
Embodiment 2 FIG. 2 shows a multi-chip type image sensor according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the point light sources are arranged at regular intervals, and the cycle thereof is 1 / n of the cycle of the sensor chip.
The period is doubled (n = 1, 2 ...) And the point light sources are arranged so as to come to the chip joint positions. Other configurations are the same as those in the first embodiment.

【0036】この結果、チップつなぎ目位置上は必ず光
量が高くなるため、同周期でチップつなぎ目位置からず
れて光源が置かれている場合と比較して、チップつなぎ
目位置におけるノイズの影響が減少し、画質が向上す
る。
As a result, the amount of light is always high on the chip joint position, so that the influence of noise at the chip joint position is reduced as compared with the case where the light source is placed at the same position as the chip joint position. The image quality is improved.

【0037】実施例3 図3は、本発明の第3の実施例によるマルチチップ型イ
メージセンサである。本実施例では、点光源として、7
5および76の二種類の光源を用いている。ここで点光
源75は76と比べ、光強度が強いものである。
Embodiment 3 FIG. 3 shows a multi-chip type image sensor according to a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the point light source is 7
Two types of light sources, 5 and 76, are used. Here, the point light source 75 has a higher light intensity than 76.

【0038】点光源の周期は、センサチップの1/n倍
周期(n=1,2…)であり、チップつなぎ目位置に点
光源75の位置が一致するように配置されている以外
は、実施例2と同じ構成である。これにより、チップつ
なぎ目における信号成分をさらに大きくし、チップつな
ぎ目部のS/N比をさらに向上させている。
The period of the point light source is 1 / n times the period of the sensor chip (n = 1, 2 ...), except that the position of the point light source 75 is aligned with the joint position of the chip. The configuration is the same as in Example 2. As a result, the signal component at the chip joint is further increased, and the S / N ratio of the chip joint is further improved.

【0039】実施例4 図9は、本発明の第4の実施例によるマルチチップ型イ
メージセンサを示す。本図の(A)は同イメージセンサ
の平面図、(B)はその側面図である。
Embodiment 4 FIG. 9 shows a multi-chip type image sensor according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 3A is a plan view of the image sensor, and FIG. 1B is a side view thereof.

【0040】本図において、100は接続機構部であ
り、センサチップを実装するためのセンサアレイ基板の
一端にプリント配線を施してある。また、103はセン
サチップを保護するためのカバーガラス、104はセン
サアレイ基板を収納するためのフレームである。
In the figure, reference numeral 100 denotes a connection mechanism portion, which is provided with printed wiring at one end of a sensor array substrate for mounting a sensor chip. Further, 103 is a cover glass for protecting the sensor chip, and 104 is a frame for housing the sensor array substrate.

【0041】図9に示した接続機構部100は、プリン
ト基板を挾持すると共に電気接点を備えたコネクタ(図
示せず)と組み合せることにより、外部からの電源供給
ならびに外部との信号接続を、直接的に行うことが可能
となる。すなわち、外部装置と光電変換装置とを結ぶた
めの接続コードおよびそのコネクタが不要となるので、
ノイズの重畳を防ぐうえからも、有効である。
The connection mechanism section 100 shown in FIG. 9 holds the printed circuit board and is combined with a connector (not shown) having electric contacts to supply power from the outside and signal connection with the outside. It can be done directly. That is, since the connection cord and the connector for connecting the external device and the photoelectric conversion device are unnecessary,
It is also effective in preventing the superposition of noise.

【0042】実施例5 図10は、本発明の第5の実施例によるマルチチップ型
イメージセンサを示す。本実施例では、外部との接続機
構部200を図の下方に突出させている点のみが、実施
例4と異なっている。すなわち、センサアレイ基板の一
端にこの接続機構部を一体的形成した点については、変
わりはない。
Embodiment 5 FIG. 10 shows a multi-chip image sensor according to a fifth embodiment of the present invention. The present embodiment differs from the fourth embodiment only in that the connection mechanism portion 200 with the outside is projected downward in the drawing. That is, there is no difference in that the connection mechanism portion is integrally formed at one end of the sensor array substrate.

【0043】[0043]

【発明の効果】効果1 本発明(手段1)によれば、マルチチップ型イメージセ
ンサのチップつなぎ目位置上に光強度分布の高い領域が
生じるように点光源を配列し、チップつなぎ目における
S/N比を向上させる構成としてあるので、製造コスト
を上げることなく、また構成をほとんど変更せずに、白
補正時における画質の向上ならびに高階調化が図れる。
EFFECTS one invention, according to the present invention (unit 1), the high light intensity distribution region arranged point light sources to occur on the chip joint positions of a multi-chip type image sensor, S / N in the chip joint Since the ratio is improved, the image quality and the gradation can be improved during the white correction without increasing the manufacturing cost or changing the structure.

【0044】効果2 本発明(手段2)によれば、センサアレイ基板の一端に
接続機構部を一体構成することができるので、コネク
タ,接続コード,ビス等が不要となるばかりでなく、ノ
イズの重畳を抑えることが可能となる。
Effect 2 According to the present invention (Means 2), since the connection mechanism portion can be integrally formed at one end of the sensor array substrate, not only the connector, the connection cord, the screw and the like are not required, but also the noise is generated. It is possible to suppress the overlap.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図4】マルチチップ型イメージセンサの光電変換部を
示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a photoelectric conversion unit of a multi-chip image sensor.

【図5】マルチチップ型イメージセンサの光学系を示す
模式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing an optical system of a multi-chip image sensor.

【図6】図5に示した点光源による光強度分布を示す図
である。
6 is a diagram showing a light intensity distribution by the point light source shown in FIG.

【図7】シェーディング補正の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of shading correction.

【図8】従来例を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic view showing a conventional example.

【図9】本発明の第4の実施例を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic view showing a fourth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第5の実施例を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic view showing a fifth embodiment of the present invention.

【図11】従来例における原稿読み取り装置の外観図で
ある。
FIG. 11 is an external view of a document reading device in a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 センサチップ 5 原稿 7 アレイ光源 8 モジュール基板 9 センサ出力信号 10 チップのつなぎ目 11 白補正前のセンサ出力 12 白補正後のセンサ出力 31 センサ画素 51 原稿面 71,72,73 点光源 74 点光源用基板 75 点光源(光強度:大) 76 点光源(光強度:小) 100 接続機構部 103 カバーガラス 104 フレーム 110 接続機構部品 120 基板 130 ビス 200 接続機構部 3 Sensor Chip 5 Original 7 Array Light Source 8 Module Board 9 Sensor Output Signal 10 Chip Joint 11 Sensor Output Before White Correction 12 Sensor Output After White Correction 31 Sensor Pixels 51 Original Surface 71, 72, 73 Point Light Source 74 For Point Light Source Substrate 75 Point light source (light intensity: high) 76 Point light source (light intensity: small) 100 Connection mechanism section 103 Cover glass 104 Frame 110 Connection mechanism parts 120 Substrate 130 Screw 200 Connection mechanism section

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のセンサチップを配列してなるマル
チチップ型イメージセンサを備えた光電変換装置におい
て、前記センサチップのつなぎ目位置上に光強度分布の
高い領域を形成するよう配列した点光源を具備したこと
を特徴とする光電変換装置。
1. A photoelectric conversion device comprising a multi-chip type image sensor in which a plurality of sensor chips are arranged, wherein point light sources arranged so as to form a region having a high light intensity distribution on a joint position of the sensor chips. A photoelectric conversion device comprising:
【請求項2】 請求項1において、前記点光源の配列周
期は、前記センサチップの配列周期の1/n倍(n=
1,2,3…)周期であることを特徴とする光電変換装
置。
2. The array period of the point light sources according to claim 1, wherein an array period of the sensor chips is 1 / n times (n =
A photoelectric conversion device having a cycle of 1, 2, 3 ...).
【請求項3】 請求項1において、前記点光源のうち前
記センサチップのつなぎ目位置上に対応する点光源は、
他の点光源と比較して光強度の強いものを用いたことを
特徴とする光電変換装置。
3. The point light source according to claim 1, which corresponds to the joint position of the sensor chips among the point light sources,
A photoelectric conversion device using a light source having a higher light intensity than other point light sources.
【請求項4】 複数のセンサチップを配列してなるマル
チチップ型イメージセンサを備えた光電変換装置におい
て、前記複数のセンサチップを実装したセンサアレイ基
板の一端に、電気的接続をなす接続機構部を設けたこと
を特徴とする光電変換装置。
4. A photoelectric conversion device comprising a multi-chip type image sensor in which a plurality of sensor chips are arranged, and a connection mechanism section for electrically connecting to one end of a sensor array substrate on which the plurality of sensor chips are mounted. A photoelectric conversion device comprising:
【請求項5】 請求項4において、前記接続機構部は、
プリント基板にプリント配線された金属片を有し、当該
金属片を挾持することにより外部との電気的接続をなす
ことを特徴とする光電変換装置。
5. The connection mechanism unit according to claim 4,
A photoelectric conversion device, comprising: a printed circuit board having a metal piece printed on it; and holding the metal piece to hold the metal piece for electrical connection to the outside.
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