JPH06158286A - Method of coating polymer carrier material with thin metal layer - Google Patents
Method of coating polymer carrier material with thin metal layerInfo
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- JPH06158286A JPH06158286A JP19953893A JP19953893A JPH06158286A JP H06158286 A JPH06158286 A JP H06158286A JP 19953893 A JP19953893 A JP 19953893A JP 19953893 A JP19953893 A JP 19953893A JP H06158286 A JPH06158286 A JP H06158286A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【技術分野】本願発明はポリマーの帯状担体材料の上に
１０００ｎｍより薄い厚さに薄い金属層で被覆する方法
に関するものであり、その担体材料は真空室中で円筒状
の担体保持体に沿って動き、真空室は担体保持体の方向
に金属蒸気を放出する蒸発坩堝および、蒸発坩堝と担体
保持体の間に配置される二つの蒸気放射用ブラインドを
有するものであって、担体材料に当たる蒸気放射の限界
角度を定義するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for coating a thin metal layer having a thickness of less than 1000 nm on a polymeric band-shaped carrier material, the carrier material being arranged in a vacuum chamber along a cylindrical carrier holder. In motion, the vacuum chamber has an evaporation crucible that emits metal vapor in the direction of the carrier holder, and two vapor radiation blinds that are arranged between the evaporation crucible and the carrier holder. Defines the limit angle of.
【０００２】薄い金属層をポリマー担体上に施すことは
磁気記録担体の製造の範囲において特に興味をひく。こ
のことは一方では僅か２０から１０００ｎｍの薄い層厚
さ、それに関連して低い減磁のため、他方容積単位当た
り、より多数の分子磁石並びに高い磁化が得られるため
である。The application of thin metal layers on polymer carriers is of particular interest in the field of magnetic record carrier manufacturing. This is because on the one hand a thin layer thickness of only 20 to 1000 nm and the associated low demagnetization, on the other hand, a higher number of molecular magnets per volume unit as well as a higher magnetization.
【０００３】[0003]
【従来技術】個別的な記録媒体においては、縦方向の記
録がテープの走行方向に沿って整列した磁性粒子による
のが通常であるのに対して、高密度に記憶させた磁気薄
層フィルムにおいては、磁気ヘッドの前で磁力線に従っ
て、コヒーレントな金属層中の分子磁石が傾斜した配置
をとることが好ましい。基質上で強磁性材料が斜めに配
置することにより、明らかに改善された記録特性が得ら
れることができ、例えば中でもＣｏ−Ｎｉ−Ｏ層に関し
ては米国特許第３３４２６３２号明細書および米国特許
第４３２３６２９号明細書に、またＣｏ−Ｃｒ層に関し
ては、Ｄｉｇ−ｅｓｔ Ｉｎｔｅｒｍａｇ １９９０，
ＦＡ−０８におけるＲ．Ｓｕｇｉｔａ他の論稿に記載さ
れている。施された金属層の性質を決定するのに影響を
与える、その時々に望ましい角度範囲は、磁性材料の蒸
発またはスパッタリングの際に、ブラインドを適合した
配置にすることにより調節される。けれども垂直な被覆
と比較すると、斜めの被覆では短所として部分的に材料
の効率が大幅に低下する（Ａ．Ｆｅｕｅｒｓｔｅｉｎ
他、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇ．２０（１），５１
（１９８４））。従って電子線照射による蒸発の場合、
予定した基板の範囲外で凝縮板に衝突した材料蒸気の部
分は収集され、坩堝に戻されることは既に提案されてい
る。材料の効率を高める他の方法は、放射される蒸気を
イオン化し、電場を用いて基板フィルム上に施すことで
ある（ドイツ特許第２６２２５９７号明細書）。更に他
の方法は、加熱壁を有する炉により蒸気の噴射が基板上
に施される（ドイツ特許出願公開第３２０４３３７
号）。BACKGROUND OF THE INVENTION In individual recording media, longitudinal recording is usually by magnetic particles aligned along the running direction of the tape, whereas in magnetic thin film stored at high density. Is preferably arranged such that the molecular magnets in the coherent metal layer are inclined according to the lines of magnetic force in front of the magnetic head. By obliquely arranging the ferromagnetic material on the substrate, clearly improved recording properties can be obtained, for example US Pat. No. 3,342,632 and US Pat. And with respect to Co-Cr layers, Dig-est Intermag 1990,
R.F.A. Sugita et al. The then-desired angular range, which influences the properties of the applied metal layer, is adjusted during the evaporation or sputtering of the magnetic material by adapting the blinds. However, in comparison with vertical coatings, oblique coatings have the disadvantage that the efficiency of the material is partly reduced (A. Feuerstein).
Others, IEEE Trans. Mag. 20 (1), 51
(1984)). Therefore, in the case of evaporation by electron beam irradiation,
It has already been proposed that the part of the material vapor that hits the condensation plate outside the intended substrate range is collected and returned to the crucible. Another way to increase the efficiency of the material is to ionize the emitted vapor and apply it on a substrate film using an electric field (DE 2622597). Yet another method is to inject steam onto a substrate by means of a furnace with heating walls (German Patent Publication No. 3204337).
issue).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本願発明の課題は、蒸
発させる材料の収率が予め設定されて固定された蒸発放
射角度において最大限に高められることができるように
限定し、ＰＶＤ法を用いて材料の傾斜した凝結によりポ
リマー担体上に薄い金属層を施す方法に関する。The object of the present invention is to limit the yield of the material to be evaporated to a maximum with a preset and fixed evaporation radiation angle and to use the PVD method. The present invention relates to a method of applying a thin metal layer on a polymer carrier by inclined setting of the material.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本願発明は、ポリマーの
帯状担体材料の上に１０００ｎｍより薄い厚さに薄い金
属層を被覆し、その担体材料は真空室中で円筒状の担体
保持体に沿って動き、その真空室は担体保持体の方向に
金属蒸気を放出する蒸発坩堝、および蒸発坩堝と担体保
持体の間に配置されて担体材料に当たる蒸気放射の限界
角度を限定する二つの蒸気放射用ブラインドを有する方
法であって、ブラインドの縁辺における担体保持体への
法線と、坩堝中心と上記ブラインドの縁辺との結合線と
の間の角度によって与えられる予め設定された蒸発放射
限定角度α1 およびα2 において、蒸発坩堝の中心が固
定されたＹT −位置における、座標系の点Ｐ（ＸT ／Ｙ
T）に配置され、更に蒸発放射ブラインドの位置は角度
φ1 およびφ2 によって限定された担体材料の範囲を蒸
気放射から解除し、そこではゼロ点が担体保持体の回転
軸にある座標系の正のＸ軸からその角度が始まって反時
計方向に算定され、角度α1 およびα2 および坩堝の位
置によって決定され、その結果式Ｉ、SUMMARY OF THE INVENTION The present invention comprises coating a polymeric strip carrier material with a thin metal layer to a thickness of less than 1000 nm along a cylindrical carrier holder in a vacuum chamber. And its vacuum chamber is for the vaporization crucible, which emits metal vapor in the direction of the carrier holder, and for two vapor radiations, which are arranged between the vaporization crucible and the carrier holder and limit the limiting angle of vapor radiation that hits the carrier material. A method with blinds, wherein the preset evaporative emission limiting angle α 1 is given by the angle between the normal to the carrier support at the edge of the blind and the line of connection between the crucible center and the edge of the blind. And α 2 , at the Y T − position where the center of the evaporation crucible is fixed, the point P (X T / Y
The position of the evaporative radiation blind, which is located at T ), departs from the vapor radiation the range of carrier material bounded by the angles φ 1 and φ 2 , where the zero point is in the coordinate system with the axis of rotation of the carrier carrier. The angle is calculated counterclockwise starting from the positive X axis and is determined by the angles α 1 and α 2 and the position of the crucible, so that the formula I,
【０００６】[0006]
【数２】 ［式中、Ａ値はＸt ＝ＸT で最大になり、Ａは蒸発した
全量に対比した担体材料上に衝突した金属蒸気の量であ
り、β1 およびβ2 は坩堝の中心の法線と、坩堝の中心
とそれぞれのブラインドの縁辺を結んだ線との間の角度
であり、更にｎは２から５の間の数を示す］に従って定
義される方法を見出した。[Equation 2] [Where A is the maximum at X t = X T , A is the amount of metal vapor impinging on the carrier material relative to the total amount evaporated, and β 1 and β 2 are normals to the center of the crucible. , And the angle between the center of the crucible and the line connecting the edges of each blind, and n is a number between 2 and 5].
【０００７】本願発明の詳細、特徴および長所は図およ
び実施例に基づいて、例示的に説明される。そこでは、
図１に担体材料への傾斜した蒸着の幾何学的説明、図２
および３に蒸発坩堝位置および予め設定された蒸着限界
角度におけるブラインド位置の関数としての実施例によ
る材料収率が示される。The details, features and advantages of the present invention are exemplarily explained with reference to the figures and the examples. Where,
FIG. 1 shows a geometrical description of tilted deposition on a carrier material, FIG.
In and 3 the material yield according to the example as a function of the evaporation crucible position and the blind position at the preset deposition limit angle is shown.
【０００８】本願発明の方法を明確にするために、図１
に模式的に示された蒸着装置が掲載される。図中、半径
Ｒの円筒状の担体支持体１があり、その回転軸がｘ／ｙ
−座標軸交点のゼロ点であり、その担体支持体の上に担
体材料２が送られる。蒸着ブラインド３および３′によ
り、蒸発坩堝４から放射される蒸気放射が担体材料上の
凝結範囲５になるようにマスキングされる。そこでは担
体材料２の蒸着されない角度範囲は角度φ1 およびφ2
により、蒸着される角度範囲は角度α1 およびα2 によ
り、更に蒸発坩堝の位置は座標ｘt およびｙt により定
義される。坩堝の位置の決定では、一般にｙt 位置が固
定される（ｙt ＝ｙT ）。線状の坩堝の場合は蒸発角度
β1 およびβ2 （坩堝中央の法線６に対する）による幾
何学的配置から次の関係が生じる：To clarify the method of the present invention, FIG.
The vapor deposition apparatus schematically shown in is posted. In the figure, there is a cylindrical carrier support 1 having a radius R and its rotation axis is x / y.
The zero point of the intersection of the coordinate axes, on which the carrier material 2 is fed. The vaporization blinds 3 and 3 ′ mask the vapor radiation emitted from the evaporation crucible 4 in the condensation zone 5 on the carrier material. There, the angular range in which the carrier material 2 is not deposited is the angles φ 1 and φ 2
, The angular range deposited is defined by the angles α 1 and α 2 , and the position of the evaporation crucible is defined by the coordinates x t and y t . In determining the position of the crucible, the y t position is generally fixed (y t = y T ). In the case of a linear crucible, the following relationship results from the geometry of the evaporation angles β 1 and β 2 (relative to the normal 6 in the center of the crucible):
【０００９】[0009]
【数３】 ここで角度φ1 およびφ2 は、予め設定された蒸着限界
角α1 およびα2 並びに坩堝の固定位置ｙT において個
々に選定された位置ｘt により、絶対式の解として得ら
れる。[Equation 3] Here, the angles φ 1 and φ 2 are obtained as a solution of an absolute formula by the preset vapor deposition limit angles α 1 and α 2 and the position x t individually selected at the fixed position y T of the crucible.
【００１０】[0010]
【数４】 および[Equation 4] and
【００１１】[0011]
【数５】 これらの式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および（Ｉ
Ｖ）の助けにより、角度β1 およびβ2 によって定義さ
れた担体材料に留まる相対的な材料収率Ａに関する次の
ような数式が得られ、[Equation 5] These formulas (I), (II), (III) and (I
With the help of V), one obtains the following formula for the relative material yield A which remains in the carrier material defined by the angles β 1 and β 2
【００１２】[0012]
【数６】 ここでｎは２から５の数である。[Equation 6] Here, n is a number from 2 to 5.
【００１３】予め設定された値Ｒ、α1 、α2 、ｙT お
よびｎから、およびｘt に依存して、φ1 およびφ2
は、式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）から計算されることが
でき、β1 およびβ2 は上記のことおよび式（Ｉ）およ
び（ＩＩ）から計算されることができ、更に最終的に、
Ａは上記のことおよび積分を用いた式（Ｖ）から計算さ
れることができる。対応するプログラムは図４に与えら
れる。蒸発坩堝の中心の位置ｘT およびブラインド位置
φ1 （ｘT ）並びに材料収率が最高となるφ2 （ｘT ）
が、Ａ（ｘt ）、φ1 （ｘt ）およびφ2 （ｘt ）の曲
線から決定されることができる。From preset values R, α 1 , α 2 , y T and n, and depending on x t , φ 1 and φ 2
Can be calculated from formulas (III) and (IV), β 1 and β 2 can be calculated from the above and formulas (I) and (II), and finally,
A can be calculated from equation (V) using the above and integration. The corresponding program is given in FIG. The center position x T of the evaporation crucible and the blind position φ 1 (x T ) and the highest material yield φ 2 (x T )
Can be determined from the curves of A (x t ), φ 1 (x t ) and φ 2 (x t ).
【００１４】次に示す二つの実施例は新規のプロセスを
示し、更に予め設定されたＲ、ｙt、α1 、α2 、ｙT
およびｎが実施例の方法による坩堝位置および被覆ブラ
インドの適当な位置を示すことを意図している。The following two examples illustrate the novel process, and further include preset R, y t , α 1 , α 2 , y T.
And n are intended to indicate the crucible position and the appropriate position of the covering blind by the method of the example.
【００１５】[0015]
【実施例】実施例１ 担体支持体の半径がＲである図１による被覆装置におい
て、坩堝のｙT 位置が−１．５Ｒで定義され、蒸着限定
角度α1 およびα2 は９０°および４０°に、指数ｎは
３に限定される。図４に示されるプログラムを使用し
て、Ａ（ｘt ）（図２ａ）および、φ1 （ｘt ）および
φ2 （ｘt ）（図２ｂ）が計算された。図から適当な材
料収率が得られる坩堝位置ｘT および関連するブライン
ド位置が決定された： ｘT ＝０．６４Ｒ、φ1 （ｘ
T ）＝１９４°、φ2 （ｘT ）＝２３０°。実施例２ パラメーターは、角度α1 が７０°および角度α2 が−
２０°である点で実施例１のパラメーターと相違してい
る。対応する計算結果は図３ａおよび図３ｂに示す。図
は適当な材料収率が得られる配置に対応する次の値を示
す：ｘT ＝−０．２７Ｒ、φ1 （ｘT ）＝２２７°、φ
2 （ｘT ）＝２６７°。In radius covering device according to Fig 1 is R in EXAMPLE 1 carrier support, y T position of the crucible is defined by -1.5R, deposition limited angle alpha 1 and alpha 2 is 90 ° and 40 And the index n is limited to 3. Using the program shown in FIG. 4, A (x t ) (FIG. 2a) and φ 1 (x t ) and φ 2 (x t ) (FIG. 2b) were calculated. From the figure, the crucible position x T and the associated blind position, which gave a suitable material yield, were determined: x T = 0.64R, φ 1 (x
T ) = 194 °, φ 2 (x T ) = 230 °. Example 2 The parameters are that the angle α 1 is 70 ° and the angle α 2 is −
It is different from the parameter of Example 1 in that it is 20 °. The corresponding calculation results are shown in Figures 3a and 3b. The figure shows the following values corresponding to an arrangement which gives a suitable material yield: x T = −0.27R, φ 1 (x T ) = 227 °, φ
2 (x T ) = 267 °.
【図１】本願発明による担体材料への傾斜した蒸着を与
える、模式的な蒸着装置を示す説明図である。FIG. 1 is an illustration showing a schematic vapor deposition device for providing tilted vapor deposition on a carrier material according to the present invention.
【図２】本願発明による蒸発坩堝位置および予め設定さ
れた蒸着限界角度におけるブラインド位置の関数として
の実施例１による材料収率を例示する図であり、（Ａ）
は設定された蒸発坩堝位置と材料収率との関係を示す図
であり、（Ｂ）は設定された蒸発坩堝位置とブラインド
位置との関係を示す図である。FIG. 2 illustrates the material yield according to Example 1 as a function of the position of the evaporation crucible according to the invention and the position of the blind at a preset vapor deposition limit angle, (A).
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a set evaporation crucible position and material yield, and FIG. 6B is a diagram showing a relationship between the set evaporation crucible position and a blind position.
【図３】本願発明による蒸発坩堝位置および予め設定さ
れた蒸着限界角度におけるブラインド位置の関数として
の実施例２による材料収率を示す他の例示図であり、
（Ａ）は設定された蒸発坩堝位置と材料収率との関係を
示す図であり、（Ｂ）は設定された蒸発坩堝位置とブラ
インド位置との関係を示す図である。FIG. 3 is another illustration showing the material yield according to Example 2 as a function of the position of the evaporation crucible according to the invention and the position of the blind at a preset vapor deposition limit angle,
(A) is a figure which shows the relationship between the set evaporation crucible position and material yield, (B) is a figure which shows the relationship between the set evaporation crucible position and the blind position.
【図４】本願発明による材料収率Ａを積分を用いた式
（Ｖ）から計算するプログラムを示す。FIG. 4 shows a program for calculating the material yield A according to the present invention from the formula (V) using integration.
【図５】図４に続く、本願発明による材料収率Ａを積分
を用いた式（Ｖ）から計算するプログラムを示す。FIG. 5 shows a program following FIG. 4 for calculating the material yield A according to the present invention from the formula (V) using integration.
【図６】図５に続く、本願発明による材料収率Ａを積分
を用いた式（Ｖ）から計算するプログラムを示す。FIG. 6 shows a program following FIG. 5 for calculating the material yield A according to the present invention from the formula (V) using integration.
【図７】図６に続く、本願発明による材料収率Ａを積分
を用いた式（Ｖ）から計算するプログラムを示す。FIG. 7 shows a program following FIG. 6 for calculating the material yield A according to the present invention from the formula (V) using integration.
【図８】図７に続く、本願発明による材料収率Ａを積分
を用いた式（Ｖ）から計算するプログラムを示す。8 shows a program following FIG. 7 for calculating the material yield A according to the present invention from the formula (V) using integration.
１ 担体支持体 ２ 担体材料 ３，３′蒸着ブラインド ４ 蒸発坩堝 ５ 放射蒸気凝結範囲 ６ 蒸発坩堝中心の法線 α1 ，α2 ブラインド縁辺における担体支持体の法線
と、ブラインド縁辺と蒸発坩堝中心を結ぶ線との間の角
度 β1 ，β2 蒸発坩堝中心の法線と、ブラインド縁辺と蒸
発坩堝中心を結ぶ線との間の角度 φ1 ，φ2 座標系の正のＸ軸からブラインド縁辺におけ
る担体支持体の法線への反時計方向の角度1 carrier support 2 carrier material 3, 3'deposition blind 4 evaporation crucible 5 radiant vapor condensation range 6 normals of evaporation crucible center α 1 , α 2 normal of carrier support at blind edge, blind edge and evaporation crucible center angle beta 1 between a line connecting the a normal line of the beta 2 evaporation crucible center, the angle phi 1 between the line connecting the blind edge and evaporation crucible center, a blind edge from the positive X axis of phi 2 coordinate system Angle to the normal of the carrier support at
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス−ペーター、シルトベルク ドイツ連邦共和国、6800、マンハイム、 １、コリニシュトラーセ、５ (72)発明者 ハルトムート、ヒブスト ドイツ連邦共和国、6905、シュリースハイ ム、ブラニヒシュトラーセ、23 ─────────────────────────────────────────────────── (72) Inventor Hans-Peter, Schiltberg, Federal Republic of Germany, 6800, Mannheim, 1, Korinistraße, 5 (72) Inventor Hartmut, Hibst, Federal Republic of Germany, 6905, Schriesheim, Blänigstraße, 23
Claims (1)
００ｎｍより薄い厚さで薄い金属層で被覆し、その担体
材料（２）は真空室中で円筒状の担体保持体（１）に沿
って動き、その真空室は担体保持体（１）の方向に金属
蒸気を放出する蒸発坩堝（４）、および蒸発坩堝（４）
と担体保持体（１）の間に配置されて担体材料に当たる
蒸気放射の限界角度を限定する二つの蒸気放射用ブライ
ンド（３，３′）を有する方法であって、ブラインド
（３，３′）の縁辺における担体保持体（１）への法線
と、坩堝中心と上記ブラインドの縁辺との結合線との間
の角度によって与えられる予め設定された蒸発放射限定
角度α1 およびα2 において、蒸発坩堝の中心が固定さ
れたＹT −位置における、座標系の点Ｐ（ＸT ／ＹT ）
に配置され、更に蒸発放射ブラインドの位置が角度φ1
およびφ2 によって限定された担体材料の範囲を蒸気放
射から解除し、そこではゼロ点が担体保持体の回転軸に
ある座標系の正のＸ軸からその角度が始まって反時計方
向に算定され、角度α1 およびα2 および坩堝の位置に
よって決定され、その結果式Ｉ、 【数１】 ［式中、Ａ値はＸt ＝ＸT で最大になり、Ａは蒸発した
全量に対比した担体材料上に衝突した金属蒸気の相対的
な量であり、β1 およびβ2 は坩堝の中心の法線（６）
と、坩堝の中心とそれぞれのブラインドの縁辺を結んだ
線との間の角度であり、更に指数ｎは使用される蒸発源
の蒸着特性であり、２から５の間の数を示す］に従うこ
とを特徴とするポリマー担体材料上を薄い金属層で被覆
する方法。1. A polymeric band carrier material (2) having 10 layers on it.
Coated with a thin metal layer with a thickness of less than 00 nm, the carrier material (2) moves along a cylindrical carrier carrier (1) in a vacuum chamber, the vacuum chamber being oriented in the direction of the carrier carrier (1). Evaporating crucible (4) for emitting metal vapor to the surface, and Evaporating crucible (4)
A method comprising two blinds (3,3 ') for radiating vapor, which are arranged between the carrier and the carrier carrier (1) and limit the limiting angle of the vapor radiating the carrier material, the blinds (3,3') Evaporation at preset evaporative emission limiting angles α 1 and α 2 given by the angle between the normal to the carrier support (1) at the edge of the crucible and the bond line between the crucible center and the edge of the blind Point P (X T / Y T ) of the coordinate system at the Y T -position where the center of the crucible is fixed
And the position of the evaporative radiation blind is angle φ 1
And the range of the carrier material bounded by φ 2 is decoupled from the vapor radiation, where the zero point is calculated counterclockwise, with its angle starting from the positive X axis of the coordinate system with the carrier holder rotation axis. , The angles α 1 and α 2 and the position of the crucible, resulting in the formula I, [Wherein the A value is maximum at X t = X T , A is the relative amount of metal vapor impinging on the carrier material relative to the total amount evaporated, and β 1 and β 2 are the centers of the crucible. Normal (6)
, And the angle between the center of the crucible and the line connecting the edges of the respective blinds, and the index n is the vapor deposition characteristic of the evaporation source used, indicating a number between 2 and 5] A method of coating a thin metal layer on a polymeric carrier material.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19924227588 DE4227588C2 (en) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | Method for applying a thin metal layer on a polymeric carrier material |
| DE4227588.1 | 1992-08-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06158286A true JPH06158286A (en) | 1994-06-07 |
Family
ID=6465976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19953893A Pending JPH06158286A (en) | 1992-08-20 | 1993-08-11 | Method of coating polymer carrier material with thin metal layer |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06158286A (en) |
| DE (1) | DE4227588C2 (en) |
| GB (1) | GB2270325B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8427033B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-04-23 | Seb S.A. | Domestic appliance comprising a piezoelectric pump provided with a simplified power supply circuit |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4221620C2 (en) * | 1992-07-01 | 2001-05-23 | Emtec Magnetics Gmbh | Method for applying a thin metal layer on a polymeric carrier material |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3342632A (en) * | 1964-08-05 | 1967-09-19 | Ibm | Magnetic coating |
| JPS51149008A (en) * | 1975-05-23 | 1976-12-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium manufacturing method |
| GB1596385A (en) * | 1976-12-29 | 1981-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Methods and apparatus for manufacturing magnetic recording media |
| US4119135A (en) * | 1977-05-19 | 1978-10-10 | Jury Fedorovich Shevakin | Method of producing foil in coils |
| JPS6033289B2 (en) * | 1979-07-18 | 1985-08-02 | 松下電器産業株式会社 | Metal thin film magnetic recording media |
| EP0041850B2 (en) * | 1980-06-10 | 1989-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A method of vacuum depositing a layer on a plastics film substrate |
| DE3204337A1 (en) * | 1981-02-10 | 1982-11-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa | Process and apparatus for forming a thin film |
| JPS57179952A (en) * | 1981-04-24 | 1982-11-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method and apparatus for magnetic recording medium |
| JPS5934232B2 (en) * | 1981-07-31 | 1984-08-21 | アルバツク成膜株式会社 | Method of forming heterogeneous optical thin films by reactive deposition |
| JPH04276061A (en) * | 1991-03-05 | 1992-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor deposition device |
| DE4221620C2 (en) * | 1992-07-01 | 2001-05-23 | Emtec Magnetics Gmbh | Method for applying a thin metal layer on a polymeric carrier material |
-
1992
- 1992-08-20 DE DE19924227588 patent/DE4227588C2/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-11 JP JP19953893A patent/JPH06158286A/en active Pending
- 1993-08-19 GB GB9317246A patent/GB2270325B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8427033B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-04-23 | Seb S.A. | Domestic appliance comprising a piezoelectric pump provided with a simplified power supply circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4227588C2 (en) | 2001-05-03 |
| GB2270325B (en) | 1995-08-09 |
| GB9317246D0 (en) | 1993-10-06 |
| GB2270325A (en) | 1994-03-09 |
| DE4227588A1 (en) | 1994-02-24 |
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