JPH06151800A - Contact type image sensor - Google Patents
Contact type image sensorInfo
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- JPH06151800A JPH06151800A JP4150183A JP15018392A JPH06151800A JP H06151800 A JPH06151800 A JP H06151800A JP 4150183 A JP4150183 A JP 4150183A JP 15018392 A JP15018392 A JP 15018392A JP H06151800 A JPH06151800 A JP H06151800A
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- Japan
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- image sensor
- film
- type image
- photoelectric conversion
- contact type
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリ，ＯＣＲ，
イメージスキャナなどの読み取り部として用いられる長
尺の密着型イメージセンサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a facsimile, OCR,
The present invention relates to a long contact image sensor used as a reading unit of an image scanner or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の密着型イメージセンサについて図
を参照して説明する。図３は従来の密着型イメージセン
サの部分平面図，図４は図３のＡ−Ａ′部分の縦断面図
である。2. Description of the Related Art A conventional contact image sensor will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a partial plan view of a conventional contact image sensor, and FIG. 4 is a vertical sectional view of a portion AA 'in FIG.
【０００３】ガラス基板２０上にクロム膜を０．１μｍ
の膜厚に被着し、パターニングして下層電極２１を形成
する。Chromium film 0.1 μm on glass substrate 20
And the lower layer electrode 21 is formed by patterning.
【０００４】グロー放電分解法によりＳｉＮ２２を０．
４μｍ，ａ−Ｓｉ２３を０．５μｍそれぞれ全面に被着
する。次にフォトエッチング法によりａ−Ｓｉ２３を所
定の形状にパターン化する。次にフォトエッチング法に
より配線接続用のコンタクトホールをＳｉＮ２２に形成
する。SiN22 was treated with a glow discharge decomposition method to give a .0.
4 μm and a-Si 23 are each deposited on the entire surface at 0.5 μm. Next, the a-Si 23 is patterned into a predetermined shape by a photo etching method. Next, a contact hole for wiring connection is formed in the SiN 22 by photoetching.
【０００５】スパッタによりアルミニウム（以下Ａｌと
略）２５を１．５μｍ全面に被着し、これをフォトエッ
チング法によりパターン化する。このようにして完成し
た密着型イメージセンサは、光電変換素子３，蓄積容量
４，読出し容量５からなる容量部と薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴと略）６及び信号配線，ゲート配線それぞ
れの配線マトリクス１，８により成っており、光電変換
素子３で光電変換された光信号は蓄積容量４に蓄積され
る。次に、ブロック毎にゲート配線７に電圧を加えてＴ
ＦＴ６をＯＮして光信号を蓄積容量４から読出し容量５
に転送し、さらに信号配線マトリクス１を通して、密着
型イメージセンサとワイヤボンディングで接続されてい
るＩＣに読み出され、信号処理を行なう。Aluminum (hereinafter abbreviated as Al) 25 is deposited on the entire surface of 1.5 μm by sputtering and patterned by photoetching. The contact-type image sensor thus completed is composed of a photoelectric conversion element 3, a storage capacitor 4, a read capacitor 5, a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) 6, a wiring line matrix 1 and a wiring line gate matrix 8, respectively. The optical signal photoelectrically converted by the photoelectric conversion element 3 is stored in the storage capacitor 4. Next, a voltage is applied to the gate wiring 7 for each block to make T
The FT6 is turned on to read the optical signal from the storage capacitor 4 to the storage capacitor 5
To the IC which is connected to the contact image sensor by wire bonding through the signal wiring matrix 1 to perform signal processing.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】この従来の密着型イメ
ージセンサでは、以下の理由により配線マトリクスの上
部配線材料として、膜厚１μｍ以上のＡｌが用いられ
る。In this conventional contact type image sensor, Al having a film thickness of 1 μm or more is used as the upper wiring material of the wiring matrix for the following reasons.
【０００７】（１）密着型イメージセンサはＡ４サイズ
（２１０ｍｍ）あるいはＢ４サイズ（２５７ｍｍ）と長
尺であり、かつデバイスの短辺を小さくするために配線
はできるだけ細く、かつ長さが必要なためできるだけ低
抵抗な材料が望まれる。(1) Since the contact type image sensor is as long as A4 size (210 mm) or B4 size (257 mm), and the wiring is as thin as possible and the length is required to reduce the short side of the device. A material having a resistance as low as possible is desired.
【０００８】（２）ＩＣと接続するためワイヤボンディ
ング性が良好な材料が望まれる。ところがＡｌをエッチ
ングするに際して、エッチングする材料の膜厚程度のア
ンダーカットによるパターン変換はさけられないが、Ａ
ｌの膜厚が１μｍとすると１μｍ〜２μｍの横方向への
パターン変換が生じる。(2) A material having a good wire bonding property is desired for connecting with an IC. However, when Al is etched, pattern conversion by undercutting of the film thickness of the material to be etched is unavoidable.
When the film thickness of 1 is 1 μm, pattern conversion in the lateral direction of 1 μm to 2 μm occurs.
【０００９】ここで光電変換素子３とＴＦＴ６は電極間
のギャップにより電気的特性が決まるためパターン変換
が発生すると特性が設計値からずれてしまう。また、一
般にパターン変換を均一に制御することは困難なため、
基板内あるいは基板間のパターン変換の不均一さによる
密着型イメージセンサの特性の不均一が生じるという欠
点があった。Here, since the electrical characteristics of the photoelectric conversion element 3 and the TFT 6 are determined by the gap between the electrodes, the characteristics deviate from the designed values when pattern conversion occurs. In addition, it is generally difficult to control pattern conversion uniformly,
There is a drawback that the characteristics of the contact-type image sensor are non-uniform due to non-uniformity of pattern conversion within the substrate or between the substrates.
【００１０】またＡｌはａ−Ｓｉと反応性が高く、Ａｌ
とａ−Ｓｉとの反応による特性の劣化がおき、密着型イ
メージセンサの信頼性の低下が生じるという問題点があ
った。Al has a high reactivity with a-Si,
There is a problem in that the characteristics of the contact type image sensor are deteriorated due to the deterioration of the characteristics due to the reaction between a and Si.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の密着型イメージ
センサは、一次元に配列された複数個の光電変換素子
と、前記複数個の光電変換素子に各々接続された薄膜ト
ランジスタと、配線マトリクスを有する密着型イメージ
センサにおいて、少なくとも前記光電変換素子及び前記
薄膜トランジスタの電極がクロムにより形成されてお
り、なおかつ前記配線マトリクスの少なくとも一部がア
ルミニウムにより形成されている。A contact image sensor of the present invention comprises a plurality of photoelectric conversion elements arranged in a one-dimensional manner, thin film transistors connected to the plurality of photoelectric conversion elements, and a wiring matrix. In the contact image sensor having, at least the electrodes of the photoelectric conversion element and the thin film transistor are formed of chromium, and at least a part of the wiring matrix is formed of aluminum.
【００１２】[0012]
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の密着型イメージセンサの
縦断面図である。The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a vertical sectional view of a contact image sensor according to an embodiment of the present invention.
【００１３】ガラス基板３０上にクロム（Ｃｒ）からな
る下層電極３１を形成し、ａ−Ｓｉ３３，ＳｉＮ３２を
フォトエッチング法によりパターン化するまでは従来例
と同様である。It is the same as the conventional example until the lower layer electrode 31 made of chromium (Cr) is formed on the glass substrate 30 and the a-Si 33 and SiN 32 are patterned by the photoetching method.
【００１４】次にクロム３４（以下Ｃｒと略）をスパッ
タにより０．２μｍ全面に被着し、フォトエッチング法
により、光電変換素子３，ＴＦＴ６の電極及び容量の電
極３４を形成する。Next, chromium 34 (hereinafter abbreviated as Cr) is deposited on the entire surface of 0.2 μm by sputtering, and the electrode of the photoelectric conversion element 3, the TFT 6 and the electrode 34 of the capacitor are formed by the photoetching method.
【００１５】次にＡｌ３５をスパッタにより１．５μｍ
全面に被着し、フォトエッチング法により信号配線マト
リクス１及びゲート配線マトリクス８の上部電極３５を
形成する。Next, Al 35 is sputtered to a thickness of 1.5 μm.
The upper surface 35 of the signal wiring matrix 1 and the gate wiring matrix 8 is formed on the entire surface by photoetching.
【００１６】次に本発明のもう一つの実施例を図面を参
照して説明する。図２は本発明の第２の実施例の密着型
イメージセンサの縦断面図である。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a vertical sectional view of a contact image sensor according to a second embodiment of the present invention.
【００１７】本実施例では信号配線マトリクス１及びゲ
ート配線マトリクス８がＣｒ３４とＡｌ３５の２層構造
となっている。この他は先の実施例と同じである。この
ように配線を２層構造にすることにより本発明本来の効
果の他に断線不良を低減することができる。In this embodiment, the signal wiring matrix 1 and the gate wiring matrix 8 have a two-layer structure of Cr34 and Al35. Other than this, it is the same as the previous embodiment. By thus forming the wiring in a two-layer structure, it is possible to reduce disconnection defects in addition to the original effect of the present invention.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上説明したように本発明の密着型イメ
ージセンサは光電変換素子及び薄膜トランジスタの電極
は膜厚０．２μｍのクロムにより形成されているためパ
ターン寸法精度が良好であり、特性の均一性が良い。ま
た、クロムはａ−Ｓｉとの反応性が低いため、密着型イ
メージセンサとしての信頼性が向上するという効果を有
する。As described above, in the contact type image sensor of the present invention, the photoelectric conversion element and the electrode of the thin film transistor are formed of chromium having a film thickness of 0.2 μm, so that the pattern dimension accuracy is good and the characteristics are uniform. Good nature. Moreover, since chromium has low reactivity with a-Si, it has an effect of improving reliability as a contact image sensor.
【００１９】また、低抵抗化が必要な配線マトリクスは
クロムに比べて抵抗率が約１／１０と低いＡｌを用いて
いるため、特性上十分な低抵抗値が得られるという効果
がある。Further, since the wiring matrix required to have a low resistance uses Al whose resistivity is about 1/10 lower than that of chromium, there is an effect that a sufficiently low resistance value can be obtained in terms of characteristics.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の密着型イメージセンサの縦断面図。FIG. 1 is a vertical sectional view of a contact image sensor of the present invention.
【図２】本発明の密着型イメージセンサの縦断面図。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of the contact image sensor of the present invention.
【図３】従来の密着型イメージセンサの平面図。FIG. 3 is a plan view of a conventional contact image sensor.
【図４】従来の密着型イメージセンサの縦断面図。FIG. 4 is a vertical sectional view of a conventional contact image sensor.
１ 信号配線マトリクス ２ 光電変換素子共通電極 ３ 光電変換素子 ４ 蓄積容量 ５ 読出容量 ６ ＴＦＴ ７ ＴＦＴゲート配線 ８ ゲート配線マトリクス ２０，３０ ガラス基板 ２１，３１ 下層電極（Ｃｒ） ２２，３２ ＳｉＮ ２３，３３ ａ−Ｓｉ ３４ Ｃｒ ２５，３５ Ａｌ 1 Signal Wiring Matrix 2 Photoelectric Conversion Element Common Electrode 3 Photoelectric Conversion Element 4 Storage Capacitance 5 Reading Capacitance 6 TFT 7 TFT Gate Wiring 8 Gate Wiring Matrix 20, 30 Glass Substrate 21, 31 Lower Electrode (Cr) 22, 32 SiN 23, 33 a-Si 34 Cr 25,35 Al
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ 8721−5Ｃ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H04N 1/028 Z 8721-5C
Claims (2)
子と、前記複数個の光電変換素子に各々接続された薄膜
トランジスタと、配線マトリクスを有する密着型イメー
ジセンサにおいて、少なくとも前記光電変換素子及び前
記薄膜トランジスタの電極がクロムにより形成されてお
り、なおかつ前記配線マトリクスの少なくとも一部がア
ルミニウムにより形成されていることを特徴とする密着
型イメージセンサ。1. A contact type image sensor having a plurality of one-dimensionally arranged photoelectric conversion elements, thin film transistors respectively connected to the plurality of photoelectric conversion elements, and a wiring matrix, wherein at least the photoelectric conversion elements and The contact type image sensor, wherein the electrode of the thin film transistor is formed of chromium, and at least a part of the wiring matrix is formed of aluminum.
おいて、前記光電変換素子及び前記薄膜トランジスタの
電極を形成するクロムの膜厚が０．３μｍ以下であり、
前記配線マトリクスを形成するアルミニウムの膜厚が１
μｍ以上であることを特徴とする密着型イメージセン
サ。2. The contact image sensor according to claim 1, wherein the film thickness of chromium forming the electrodes of the photoelectric conversion element and the thin film transistor is 0.3 μm or less,
The film thickness of aluminum forming the wiring matrix is 1
A contact type image sensor characterized by having a thickness of at least μm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4150183A JPH06151800A (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4150183A JPH06151800A (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Contact type image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151800A true JPH06151800A (en) | 1994-05-31 |
Family
ID=15491327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4150183A Pending JPH06151800A (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Contact type image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151800A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1093062A (en) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | Photodetector |
| JP2000114534A (en) * | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Canon Inc | Photoelectric conversion device |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP4150183A patent/JPH06151800A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1093062A (en) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | Photodetector |
| JP2000114534A (en) * | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Canon Inc | Photoelectric conversion device |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981006 |