JPH06151515A - Carrier tape, mold tool for molding and manufacture of semiconductor device using them - Google Patents

Carrier tape, mold tool for molding and manufacture of semiconductor device using them

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JPH06151515A
JPH06151515A JP32854292A JP32854292A JPH06151515A JP H06151515 A JPH06151515 A JP H06151515A JP 32854292 A JP32854292 A JP 32854292A JP 32854292 A JP32854292 A JP 32854292A JP H06151515 A JPH06151515 A JP H06151515A
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runner
resin
carrier tape
gate
semiconductor chip
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Yuichi Tateishi
雄一 立石
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Abstract

PURPOSE:To prevent a leakage of resin occurring when a semiconductor chip on a carrier tape is sealed with the resin and also to facilitate removal of unwanted resin formed on the occasion of sealing. CONSTITUTION:A runner slit 2f to be a flow passage of molten resin is opened in an insulative tape 2 to the end in the width direction of the tape and, moreover, a metal leaf 4 for preventing a leakage of resin which enables prevention of the leakage of resin on the occasion of sealing is provided on the lateral side parts of the runner slit. A semiconductor chip mounted on this carrier tape is sealed with resin by using a top force and a bottom tool each of which has a runner gate provided at a position corresponding to the runner slit 2f of the carrier tape.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、TAB(Tape Automat
ed Bonding) 方式により半導体チップを実装基板に搭載
する際に用いられるキャリアテープに関し、また、この
キャリアテープにボンディングされた半導体チップを樹
脂封止する際に用いられるモールド用金型に関し、さら
にこれらキャリアテープおよびモールド用金型を用いた
半導体装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a TAB (Tape Automat).
ed Bonding) method, the present invention relates to a carrier tape used when mounting a semiconductor chip on a mounting substrate, and a molding die used when resin-sealing a semiconductor chip bonded to the carrier tape. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device using a tape and a molding die.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路装置等の半導体デバイス
の電極接続技術として、ワイヤボンディング法と並んで
キャリアテープを用いるTAB法が広く採用されてい
る。図5の(a)は、半導体チップが搭載された従来の
キャリアテープの平面図であり、図5の(b)は、その
B−B線の断面図である(例えば、特開平3−7823
6号公報参照)。キャリアテープ1は、ポリイミド等の
樹脂フィルムから形成された絶縁性テープ2と、銅箔か
らなるリード3とから構成される。絶縁性テープ2に
は、その両側縁部に沿って複数のスプロケット孔2aが
等間隔に配置されると共にその幅方向の中央部には、半
導体チップ6を収容するための矩形状のデバイス孔2b
が開孔されている。
2. Description of the Related Art As a technique for connecting electrodes of a semiconductor device such as a semiconductor integrated circuit device, a TAB method using a carrier tape is widely adopted along with a wire bonding method. FIG. 5A is a plan view of a conventional carrier tape on which a semiconductor chip is mounted, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line BB (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 37823/7823).
No. 6 publication). The carrier tape 1 is composed of an insulating tape 2 formed of a resin film such as polyimide and leads 3 made of copper foil. The insulating tape 2 has a plurality of sprocket holes 2a arranged at equal intervals along both side edges thereof, and a rectangular device hole 2b for accommodating the semiconductor chip 6 in the center portion in the width direction thereof.
Has been opened.

【0003】デバイス孔2bの周辺部には、デバイス孔
の各辺に沿って4個のアウターリード孔2cが形成され
ている。デバイス孔2bとアウターリード孔2cとの間
は、リードサポート部2dになされており、リードサポ
ート部2dは、隣接する2つのアウターリード孔2c間
に設けられたタイバー2eにより、絶縁性テープ本体と
接続されている。
Four outer lead holes 2c are formed in the peripheral portion of the device hole 2b along each side of the device hole. A lead support portion 2d is formed between the device hole 2b and the outer lead hole 2c. The lead support portion 2d is connected to the insulating tape body by a tie bar 2e provided between two adjacent outer lead holes 2c. It is connected.

【0004】リードサポート部2d上には複数のリード
3が固着されている。リード3の先端部は、インナーリ
ード3aとしてデバイス孔2b内に突出し、その中央部
は外部回路の電極に接続されるアウターリード3bとし
てアウターリード孔2c上に位置している。さらに各リ
ード3の後端部にはテストパッド3cが形成されてい
る。
A plurality of leads 3 are fixed on the lead support portion 2d. The tip portion of the lead 3 projects into the device hole 2b as an inner lead 3a, and the central portion thereof is located on the outer lead hole 2c as an outer lead 3b connected to an electrode of an external circuit. Further, a test pad 3c is formed at the rear end of each lead 3.

【0005】4個のタイバーの1つには樹脂モールド時
に溶融樹脂の流通路となる開口部2gが、樹脂パッケー
ジにより封止される境界線を示すモールドライン7をま
たぐように形成されている。
One of the four tie bars is formed with an opening 2g which serves as a flow path for the molten resin during resin molding so as to straddle a molding line 7 indicating a boundary line sealed by the resin package.

【0006】図5の(b)に示すように、キャリアテー
プ1のデバイス孔2b内において、各リード3のインナ
ーリード3aに半導体チップ6のバンプ6aが接続され
ており、これらキャリアテープ1および半導体チップ6
によりテープキャリアが形成されている。このようなテ
ープキャリアは、外力および外部の環境から半導体チッ
プ6およびリード3等を保護するためにモールド樹脂に
より封止される。
As shown in FIG. 5B, in the device hole 2b of the carrier tape 1, the bumps 6a of the semiconductor chip 6 are connected to the inner leads 3a of the leads 3, respectively. Chip 6
Forming a tape carrier. Such a tape carrier is sealed with a mold resin in order to protect the semiconductor chip 6, the leads 3 and the like from external force and the external environment.

【0007】図6は、従来のトランスファモールド時の
状態を示す断面図である。モールド用金型10は、上金
型10cと下金型10dにより構成されており、樹脂封
止に先立ってテープキャリアが上金型10cと下金型1
0dとの間にセットされる。このときテープキャリア
は、半導体チップ6が下金型10dのキャビティハーフ
12d内に収容されるように位置合わせされる。その
後、上金型10cと下金型10dとを型締めし、上金型
10cのパーティング面11cをリード3の上面に、ま
た下金型10dのパーティング面11dを絶縁性テープ
2の下面に密着させる。
FIG. 6 is a sectional view showing a state at the time of conventional transfer molding. The molding die 10 is composed of an upper die 10c and a lower die 10d, and the tape carrier has an upper die 10c and a lower die 1 prior to resin sealing.
It is set between 0d. At this time, the tape carrier is aligned so that the semiconductor chip 6 is housed in the cavity half 12d of the lower mold 10d. After that, the upper die 10c and the lower die 10d are clamped, the parting surface 11c of the upper die 10c is the upper surface of the lead 3, and the parting surface 11d of the lower die 10d is the lower surface of the insulating tape 2. In close contact with.

【0008】この状態でエポキシ樹脂等よりなる溶融樹
脂を流通させると、溶融樹脂は上金型10cのランナー
ゲート14cおよびゲート13c下に位置する絶縁テー
プ2の開口部2gを介して矢印Aに示す流通路を経て、
上金型10cのキャビティハーフ12cと下金型10d
のキャビティハーフ12dとにより形成されるキャビテ
ィ内に注入される。
When a molten resin such as an epoxy resin is circulated in this state, the molten resin is indicated by an arrow A through the runner gate 14c of the upper die 10c and the opening 2g of the insulating tape 2 located below the gate 13c. Through the flow passage,
Cavity half 12c of upper mold 10c and lower mold 10d
And is injected into the cavity formed by the cavity half 12d.

【0009】樹脂を硬化させた後、上金型10cおよび
下金型10dを開いて成型物を取り出す。得られた成型
物には、図7に示すように、モールド樹脂8の外にラン
ナーゲート14c部に形成された不要樹脂8dが含まれ
ている。この不要樹脂は、ゲートブレイクと呼ばれる、
上金型10cのゲート13cに対応する部分8cで成型
物を切断する工程において除去される。さらに各リード
3をアウターリード3bとテストパッド3cとの間で切
断すると共に絶縁テープ2のタイバー2eを切断するこ
とにより、TAB型半導体装置の製造方法を完了する。
After the resin is cured, the upper mold 10c and the lower mold 10d are opened and the molded product is taken out. As shown in FIG. 7, the obtained molded product contains unnecessary resin 8d formed on the runner gate 14c portion in addition to the mold resin 8. This unnecessary resin is called a gate break,
It is removed in the step of cutting the molded product at the portion 8c of the upper mold 10c corresponding to the gate 13c. Further, by cutting each lead 3 between the outer lead 3b and the test pad 3c and cutting the tie bar 2e of the insulating tape 2, the method for manufacturing the TAB type semiconductor device is completed.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のキャリ
アテープでは、樹脂封止工程において、上金型10cの
パーティング面11cが絶縁性テープ2の上面からリー
ド3の厚み分浮き上がるため樹脂もれが生じ、アウター
リード孔内に流入した樹脂はリード3の表面に付着して
ボンディング不良の原因を与える。また付着した樹脂を
リード面から除去しようとするとリードを損傷させてし
まう。
In the conventional carrier tape described above, in the resin sealing step, the parting surface 11c of the upper die 10c is lifted from the upper surface of the insulating tape 2 by the thickness of the lead 3 so that the resin leaks. The resin that has flowed into the outer lead holes adheres to the surfaces of the leads 3 and causes defective bonding. Further, if the resin that has adhered is attempted to be removed from the lead surface, the lead will be damaged.

【0011】さらに従来例では、キャビティ(12c、
12d)の前方に設けられたゲート13cにより溶融樹
脂の流通路は狭い範囲に限定されるため、樹脂は勢いよ
くキャビティ内に注入される。そのため、半導体チップ
が大きな衝撃力を受けて傾いた状態で固定されることが
ある。特に、半導体装置の薄型化を図るためにパッケー
ジの厚みを薄くした場合、半導体チップの受ける応力が
増加し一層傾きやすくなり、半導体チップ上の樹脂の膜
厚が薄くなり半導体装置の信頼性を低下させることにな
る。
Further, in the conventional example, the cavity (12c,
Since the flow path of the molten resin is limited to a narrow range by the gate 13c provided in front of 12d), the resin is vigorously injected into the cavity. Therefore, the semiconductor chip may be fixed in a tilted state due to a large impact force. In particular, when the thickness of the package is reduced to reduce the thickness of the semiconductor device, the stress applied to the semiconductor chip increases and it becomes easier to tilt, and the film thickness of the resin on the semiconductor chip decreases and the reliability of the semiconductor device decreases. I will let you.

【0012】また、従来例では、上金型側からのみ溶融
樹脂が注入されるため樹脂の回り込みが均等になりにく
く、半導体チップが傾いて固定される傾向を助長する恐
れがある外、ボイドの発生等パッケージ不良の発生原因
を与えていた。
Further, in the conventional example, since the molten resin is injected only from the upper mold side, it is difficult for the resin to wrap around uniformly, which may promote the tendency of the semiconductor chip to be tilted and fixed. It gave the cause of the package defect such as occurrence.

【0013】さらに、従来の製造方法では、不要樹脂8
dが絶縁テープ2上に付着されているため、ゲートプレ
ーク工程において分離された不要樹脂8dがリード3等
に接触する可能性が高くこれによりリードを傷つける恐
れがあった。
Further, in the conventional manufacturing method, the unnecessary resin 8
Since d is adhered on the insulating tape 2, there is a high possibility that the unnecessary resin 8d separated in the gate break process will come into contact with the leads 3 and the like, which may damage the leads.

【0014】よって、本発明の目的とするところは、第
1に、溶融樹脂の流通経路を閉じた空間に限定して他へ
流出せしめないようにすることであり、第2に、キャビ
ティ内へ注入される溶融樹脂の勢いを緩和して半導体チ
ップの傾きを防止することであり、第3に、上金型およ
び下金型の両方に樹脂が均等に注入されるようにしてパ
ッケージ不良の発生を抑制することであり、第4に、不
要樹脂が絶縁フィルム上に付着することのないようにし
て、不要樹脂の除去を容易にしかつこれによってリード
等を傷つけることのないようにすることである。
Therefore, the object of the present invention is, firstly, to limit the flow path of the molten resin to a closed space so that the resin does not flow out to the other, and secondly, to the inside of the cavity. This is to alleviate the momentum of the injected molten resin and prevent the semiconductor chip from tilting. Thirdly, the resin is evenly injected into both the upper mold and the lower mold, resulting in a package defect. Fourthly, it is necessary to prevent unnecessary resin from adhering to the insulating film, facilitate removal of the unnecessary resin, and prevent damage to the leads and the like. .

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明のキャリアテープ
は、長手方向の2辺のそれぞれの縁部に沿って所定の間
隔でスプロケット孔が開孔され、幅方向のほぼ中央に半
導体チップを収容するためのデバイス孔が開孔され、該
デバイス孔の周辺に複数のアウターリード孔が開孔さ
れ、長手方向の辺の端部から2つのアウターリード孔の
間のタイバー部を通り該タイバー部より内側にまで到達
するランナースリットが開設されている長尺の絶縁性テ
ープと、前記絶縁性テープに支持されそれぞれ前記アウ
ターリード孔をまたぎその一端が前記デバイス孔に突出
している複数のリードと、を備えたたものである。
In the carrier tape of the present invention, sprocket holes are formed at predetermined intervals along each of two edges in the longitudinal direction, and a semiconductor chip is housed in the approximate center in the width direction. A device hole for opening is formed, and a plurality of outer lead holes are formed around the device hole. The outer lead hole is formed from the end of the side in the longitudinal direction through the tie bar portion between the two outer lead holes, and A long insulating tape having runner slits reaching up to the inner side, and a plurality of leads supported by the insulating tape and straddling the outer lead holes, one end of which extends into the device hole, It is equipped.

【0016】また、このキャリアテープに搭載された半
導体チップを樹脂封止するための金型は、前記キャリア
テープの前記ランナースリットに対応する部分に溶融樹
脂の通過路となるランナーゲートが設けられ、前記キャ
リアテープの前記デバイス孔に対応する部分に前記半導
体チップを樹脂封止するためのキャビティハーフが設け
られ、前記ランナーゲートと前記キャビティハーフとの
間にパーティング面より若干低くなされたゲートが設け
られている上金型と、前記上金型の前記ランナーゲー
ト、前記キャビティハーフおよび前記ゲートと対向する
部分にそれぞれランナーゲート、キャビティハーフおよ
びゲートが設けられている下金型と、を備えたものであ
る。
The mold for resin-sealing the semiconductor chip mounted on the carrier tape is provided with a runner gate serving as a passage for the molten resin in a portion of the carrier tape corresponding to the runner slit. A cavity half for resin-sealing the semiconductor chip is provided in a portion of the carrier tape corresponding to the device hole, and a gate slightly lower than a parting surface is provided between the runner gate and the cavity half. Upper mold and a lower mold having a runner gate, a cavity half and a gate respectively provided in a portion of the upper mold facing the runner gate, the cavity half and the gate. Is.

【0017】[0017]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1の(a)は、本発明の第1の実施例に
係るキャリアテープに半導体チップを搭載した状態を示
す平面図であり、図1の(b)、(c)は、それぞれ図
1の(a)のB−B線とC−C線の断面図である。キャ
リアテープ1は、ポリイミド等から形成された絶縁テー
プ2およびリード3を有している。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view showing a state in which a semiconductor chip is mounted on a carrier tape according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 1B and 1C respectively show FIG. It is sectional drawing of the BB line and CC line of (a). The carrier tape 1 has an insulating tape 2 and leads 3 made of polyimide or the like.

【0018】絶縁性テープ2には、その両側縁部に沿っ
て複数のスプロケット孔2aが等間隔に配置されると共
にその幅方向の中央部には半導体チップ6を収容するた
めの矩形状のデバイス孔2bが開孔されている。デバイ
ス孔2bの周辺部には、デバイス孔の各辺に沿って4個
のアウターリード孔2cが形成されている。デバイス孔
2bとアウターリード孔2cとの間は、リードサポート
部2dになされており、リードサポート部2dは、隣接
する2つのアウターリード孔2c間に設けられたタイバ
ー2eにより、絶縁性テープ本体と接続されている。
The insulating tape 2 has a plurality of sprocket holes 2a arranged at equal intervals along both side edges thereof, and a rectangular device for accommodating the semiconductor chip 6 in the center portion in the width direction thereof. The hole 2b is opened. Four outer lead holes 2c are formed in the peripheral portion of the device hole 2b along each side of the device hole. A lead support portion 2d is formed between the device hole 2b and the outer lead hole 2c. The lead support portion 2d is connected to the insulating tape body by a tie bar 2e provided between two adjacent outer lead holes 2c. It is connected.

【0019】絶縁テープ2には、また幅方向の端からタ
イバー2eの1つを通り、モールド工程時に樹脂パッケ
ージにより封止される境界線を示すモールドライン7を
またぐように、ランナースリット2fが開設されてい
る。このランナースリット2fは、半導体チップの樹脂
封止時に溶融樹脂の流通路となる。
A runner slit 2f is formed in the insulating tape 2 so as to pass through one of the tie bars 2e from the end in the width direction and to cross a molding line 7 which indicates a boundary line sealed by a resin package during a molding process. Has been done. The runner slit 2f serves as a flow path for the molten resin when the semiconductor chip is sealed with the resin.

【0020】リードサポート部2d上には複数のリード
3が固着されている。リード3の先端部は、インナーリ
ード3aとしてデバイス孔2b内に突出し、その中央部
は、外部回路の電極に接続されるアウターリード3bと
してアウターリード孔2c上に位置している。さらに各
リード3の後端部にはテストパッド3cが形成されてい
る。
A plurality of leads 3 are fixed on the lead support portion 2d. The tip portion of the lead 3 projects into the device hole 2b as the inner lead 3a, and the center portion thereof is located on the outer lead hole 2c as the outer lead 3b connected to the electrode of the external circuit. Further, a test pad 3c is formed at the rear end of each lead 3.

【0021】ランナースリット2fの周辺部には、リー
ド3と同様に銅箔から形成された樹脂もれ防止用金属箔
4が固着されている。この樹脂もれ防止用金属箔4は、
テープキャリアがモールド用金型に装着されたときに、
その外側端部が、金型のランナーゲートの側壁面より外
側になるように、即ち、金型のパーティング面と接触す
るように形成される。樹脂もれ防止用金属箔4の内側端
面は、金型のランナーゲートの側壁と一致することを原
則とするが、ランナーゲート内に突出していてもあるい
は側壁面より若干後退していても特に問題はない。ま
た、樹脂もれ防止用金属箔4は、スプロケット孔2aに
対応する位置に形成された、絶縁性テープ2のはねあが
りを防止するためのはねあがり防止用金属箔5によって
連結されている。はねあがり防止用金属箔5もリード3
と同一の素材で形成されており、その幅は100μm程
度である。
A metal foil 4 for preventing resin leakage, which is formed of a copper foil, is fixed to the peripheral portion of the runner slit 2f like the lead 3. This metal foil 4 for preventing resin leakage is
When the tape carrier is attached to the mold,
The outer end portion is formed to be outside the side wall surface of the runner gate of the mold, that is, in contact with the parting surface of the mold. As a general rule, the inner end surface of the metal foil 4 for preventing resin leakage coincides with the side wall of the runner gate of the mold, but even if it protrudes into the runner gate or slightly recedes from the side wall surface, there is a particular problem. There is no. Further, the resin leak prevention metal foil 4 is connected by a splash prevention metal foil 5 formed at a position corresponding to the sprocket hole 2a for preventing the insulating tape 2 from splashing. . The metal foil 5 for preventing splashing also leads 3
And the width thereof is about 100 μm.

【0022】次に、このような構造のキャリアテープを
用いて半導体装置を製造する方法について説明する。ま
ず、表面上に複数のバンプ6aが形成された半導体チッ
プ6を、各バンプ6aと対応するリード3のインナーリ
ード3aとの位置が合うようにキャリアテープ1のデバ
イス2b内に位置合わせした後、熱圧着によりバンプ6
aとインナーリード3aとを電気的に接続する。これに
よりテープキャリアが形成される。
Next, a method of manufacturing a semiconductor device using the carrier tape having such a structure will be described. First, after aligning the semiconductor chip 6 having a plurality of bumps 6a formed on its surface in the device 2b of the carrier tape 1 so that the bumps 6a and the corresponding inner leads 3a of the leads 3 are aligned, Bump 6 by thermocompression bonding
a and the inner lead 3a are electrically connected. This forms the tape carrier.

【0023】次に、図2に示すように、金型10を構成
する上金型10aと下金型10bとの間にテープキャリ
アをセットする。このとき半導体チップ6が下金型10
bのキャビティハーフ12b内に収容されるようにテー
プキャリアの位置合わせを行う。なお、上金型10aに
は下金型10bのキャビティハーフ12bに対応する位
置にキャビティハーフ12aが形成されている。
Next, as shown in FIG. 2, a tape carrier is set between the upper die 10a and the lower die 10b which constitute the die 10. At this time, the semiconductor chip 6 is moved to the lower mold 10.
The tape carrier is aligned so that it is housed in the cavity half 12b of b. A cavity half 12a is formed in the upper mold 10a at a position corresponding to the cavity half 12b of the lower mold 10b.

【0024】また、上金型10aおよび下金型10bに
は、共にキャリアテープのランナースリット2fに対応
する位置にキャビティに向かう溝形状のランナーゲート
14a、14bが形成されている。このランナーゲート
14a、14bはキャリアテープの樹脂もれ防止用金属
箔4の範囲を超えることのないように、その幅はキャリ
アテープのランナースリット2fと同程度になされてい
る。またランナーゲート14aとキャビティハーフ12
aおよびランナーゲート14bとキャビティハーフ12
bとの境界部は、キャリアテープのランナースリット2
fの終端部に対応した位置にあり、ここにゲート13
a、13bが形成されている。このゲート13a、13
bの表面は、上金型10aのパーティング面11aおよ
び下金型10bのパーティング面11bより30μm程
度低い位置に形成されている。
Further, the upper mold 10a and the lower mold 10b are provided with groove-shaped runner gates 14a and 14b facing the cavity at positions corresponding to the runner slits 2f of the carrier tape. The widths of the runner gates 14a and 14b are set to the same extent as the runner slit 2f of the carrier tape so as not to exceed the range of the resin leak preventing metal foil 4 of the carrier tape. In addition, the runner gate 14a and the cavity half 12
a and runner gate 14b and cavity half 12
The boundary with b is the runner slit 2 of the carrier tape.
It is located at the position corresponding to the terminal end of f, and the gate 13
a and 13b are formed. This gate 13a, 13
The surface of b is formed at a position about 30 μm lower than the parting surface 11a of the upper mold 10a and the parting surface 11b of the lower mold 10b.

【0025】テープキャリアの装着後、上金型10aと
下金型10bとを型締めする。これにより上金型10a
のパーティング面11aはリード3および樹脂もれ防止
用金属箔4に密着し、下金型10bのパーティング面1
1bは、絶縁性テープ2の下面に密着する。この状態で
トランスファ法によりエポキシ樹脂等からなる溶融樹脂
をランナーゲート14a、14bを介して、上金型10
aのキャビティハーフ12aと下金型10bのキャビテ
ィハーフ12bとにより形成されるキャビティ内に注入
する。
After mounting the tape carrier, the upper die 10a and the lower die 10b are clamped. As a result, the upper die 10a
The parting surface 11a of the lower die 10b is closely attached to the leads 3 and the metal foil 4 for preventing resin leakage, and
1b adheres to the lower surface of the insulating tape 2. In this state, a molten resin made of epoxy resin or the like is transferred by the transfer method through the runner gates 14a and 14b, and the upper mold 10
It is injected into the cavity formed by the cavity half 12a of a and the cavity half 12b of the lower mold 10b.

【0026】上述したように、上金型10aおよび下金
型10bに形成されたランナーゲート14a、14b
は、樹脂もれ防止金属箔4の外端部からはみ出すことの
ないように形成されているので、型締め後には、溶融樹
脂流通路は、ランナーゲート14a、14b、およびラ
ンナースリット2fと樹脂もれ防止用金属箔4の側面か
ら構成される閉じた空間に限定される。従って、溶融樹
脂が流通路からもれてアウターリード孔2cへ侵入する
不都合はなくなる。ランナーゲート14a、14b間の
流通路を通過した溶融樹脂は、ゲート13a、13bお
よびランナースリット2fで構成される注入口を介して
キャビティ内に導入される。このとき、注入口の前方に
樹脂の流入を遮るものは何も存在していないので、樹脂
の注入はスムーズに行われる。
As described above, the runner gates 14a and 14b formed on the upper die 10a and the lower die 10b are formed.
Is formed so as not to stick out from the outer end portion of the resin leak prevention metal foil 4, so that after the mold is clamped, the molten resin flow passage also includes the runner gates 14a and 14b, the runner slit 2f, and the resin. It is limited to the closed space formed by the side surface of the anti-slip metal foil 4. Therefore, there is no inconvenience that the molten resin leaks from the flow passage and enters the outer lead hole 2c. The molten resin that has passed through the flow passage between the runner gates 14a and 14b is introduced into the cavity through the injection port formed by the gates 13a and 13b and the runner slit 2f. At this time, there is nothing blocking the inflow of the resin in front of the injection port, so that the resin can be injected smoothly.

【0027】注入された樹脂を硬化させた後、上金型1
0aおよび下金型10bを開いて成型物を取り出す。図
3に、得られた成型物の断面図を示す。次に、ゲートブ
レイク工程により上金型10aのゲート13aおよび下
金型10bのゲート13bに対応する樹脂8a部分で樹
脂を折ってランナーゲート部に形成された不要樹脂8b
をモールド樹脂8から分離・除去する。その後、各リー
ド3を、アウターリード3bとテストパッド3cとの間
で切断すると共に、絶縁性テープ2をタイバー2eで切
断することによりTAB型の樹脂封止半導体装置が得ら
れる。
After the injected resin is cured, the upper mold 1
0a and the lower mold 10b are opened and the molded product is taken out. FIG. 3 shows a cross-sectional view of the obtained molded product. Next, the unnecessary resin 8b formed in the runner gate portion by folding the resin at the resin 8a portion corresponding to the gate 13a of the upper mold 10a and the gate 13b of the lower mold 10b by the gate breaking step.
Is separated and removed from the mold resin 8. After that, each lead 3 is cut between the outer lead 3b and the test pad 3c, and the insulating tape 2 is cut by the tie bar 2e to obtain a TAB type resin-sealed semiconductor device.

【0028】上記実施例において、ランナーゲート部に
形成される不要樹脂8bは、絶縁性テープ上には形成さ
れていないので、ゲートブレーク工程により簡単に本体
から分離できる。従って、例えばテープキャリア下に受
け皿を用意しておき、樹脂切断時に不要樹脂8bを受け
皿内に落下させるようにすることにより、分離された不
要樹脂をリード3等に接触させないようにすることがで
き、リード3の損傷を防止できる。また樹脂封止時に絶
縁性テープ2のアウターリード孔2c内に樹脂が侵入す
ることが防止されるので、ボンディング不良の発生を回
避することができると共にここから不要な封止樹脂を取
り除く必要がなくなり、樹脂除去作業に伴うリード破損
も防止できる。
In the above embodiment, since the unnecessary resin 8b formed on the runner gate portion is not formed on the insulating tape, it can be easily separated from the main body by the gate break process. Therefore, for example, by preparing a tray under the tape carrier and dropping the unnecessary resin 8b into the tray when cutting the resin, the separated unnecessary resin can be prevented from coming into contact with the leads 3 and the like. It is possible to prevent the lead 3 from being damaged. Further, since the resin is prevented from entering the outer lead hole 2c of the insulating tape 2 at the time of resin sealing, it is possible to avoid the occurrence of defective bonding and eliminate the need to remove unnecessary sealing resin from here. It is also possible to prevent lead damage due to resin removal work.

【0029】さらに、上金型10aと下金型10bの両
方にゲートが設けられ、樹脂の注入口がゲート13a、
13bおよびランナースリット2fと広くなるため、樹
脂注入時の流入樹脂の勢いを緩和することができ、注入
樹脂によって半導体チップが傾くことが抑制される。ま
た、樹脂が上下のキャビティハーフ12a、12bに注
入されるようになるため、樹脂のキャビティ内への充填
が円滑に行われるようになりパッケージ不良の発生も抑
えられる。
Further, gates are provided in both the upper mold 10a and the lower mold 10b, and the resin injection port is the gate 13a,
Since the width of 13b and the runner slit 2f is increased, the momentum of the inflowing resin at the time of injecting the resin can be relieved, and the injecting resin can prevent the semiconductor chip from tilting. Further, since the resin is injected into the upper and lower cavity halves 12a and 12b, the resin can be smoothly filled into the cavities and the occurrence of package defects can be suppressed.

【0030】図4の(a)は、本発明の第2の実施例の
キャリアテープに、半導体チップを搭載した状態を示す
平面図であり、図4の(b)は、そのB−B線の断面図
である。本実施例では、第1の実施例のキャリアテープ
1に設けられたランナースリット2fおよびはねあがり
防止用金属箔5を有する樹脂もれ防止用金属箔4がデバ
イス孔2bの中心に対し点対称位置に形成されている。
このキャリアテープでは樹脂封止の際、溶融樹脂供給源
を、図4の(a)の上側または下側のいずれの側にも設
置することが可能となる。従って、本実施例によれば、
1つの金型の中央にポット(溶融樹脂供給源)を配置
し、その左右にテープキャリアを供給するいわゆる2連
型のモールド装置を構成することが可能となるから、第
1の実施例の場合よりも量産性を向上させることができ
る。
FIG. 4A is a plan view showing a state in which a semiconductor chip is mounted on the carrier tape of the second embodiment of the present invention, and FIG. 4B is its BB line. FIG. In this embodiment, the resin leak prevention metal foil 4 having the runner slit 2f and the bounce prevention metal foil 5 provided on the carrier tape 1 of the first embodiment is point-symmetric with respect to the center of the device hole 2b. Is formed in position.
In this carrier tape, when the resin is sealed, the molten resin supply source can be installed on either the upper side or the lower side of FIG. Therefore, according to this embodiment,
In the case of the first embodiment, a pot (molten resin supply source) is arranged in the center of one die, and a so-called double-type molding apparatus that supplies tape carriers to the left and right of the pot can be constructed. It is possible to improve mass productivity.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のキャリア
テープは、テープの幅方向の端部からモールドラインに
到達する位置にまでランナースリットを設け、その周辺
部に樹脂もれ防止用金属箔を設けたものであり、そのキ
ャリアテープ上の半導体チップを封止する際に用いる上
・下金型には、それぞれランナースリットに対応する位
置にランナーゲートを設け、ランナーゲートの終端部に
はそれぞれゲートを設けているので、以下の効果を奏す
ることができる。
As described above, in the carrier tape of the present invention, the runner slit is provided from the widthwise end of the tape to the position reaching the mold line, and the metal foil for preventing resin leakage is provided around the runner slit. The upper and lower molds used to seal the semiconductor chips on the carrier tape are provided with runner gates at the positions corresponding to the runner slits, and the runner gate ends are each provided with a runner gate. Since the gate is provided, the following effects can be obtained.

【0032】 キャビティ内に注入される溶融樹脂に
よる半導体チップへの衝撃を緩和することができ、半導
体チップの傾きやリードの変形を防止することができ
る。 不要樹脂がキャリアテープ上に形成されないので、
ゲートブレークにおいて不要樹脂を本体から簡単に除去
できるようになる。また、分離された不要樹脂をリード
等に接触させないようにすることができリード等を傷つ
けないようにすることができる。 アウターリード孔への樹脂の侵入を防止することが
でき、リードのボンディング性を低下させないようにす
ることができるとともに、樹脂除去に伴うリード損傷も
回避することができる。 樹脂封止時に溶融樹脂が上・下金型の両方のキャビ
ティハーフに注入されるので、キャビティ内への樹脂の
充填を円滑に行うことができ、パッケージ不良の発生を
抑制することができる。
The impact of the molten resin injected into the cavity on the semiconductor chip can be mitigated, and the inclination of the semiconductor chip and the deformation of the leads can be prevented. Since unnecessary resin is not formed on the carrier tape,
Unnecessary resin can be easily removed from the main body during a gate break. In addition, the separated unnecessary resin can be prevented from coming into contact with the leads and the like, and the leads and the like can be prevented from being damaged. It is possible to prevent the resin from entering the outer lead holes, prevent the bondability of the leads from deteriorating, and avoid damage to the leads due to resin removal. Since the molten resin is injected into both the cavity halves of the upper and lower molds at the time of resin sealing, the resin can be smoothly filled in the cavities and the occurrence of package defects can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例のキャリアテープを示
す平面図と断面図。
FIG. 1 is a plan view and a sectional view showing a carrier tape according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 第1の実施例のキャリアテープを用いた半導
体装置の製造方法を説明するための断面図。
FIG. 2 is a sectional view for explaining a method for manufacturing a semiconductor device using the carrier tape according to the first embodiment.

【図3】 第1の実施例のキャリアテープを用いた半導
体装置の製造方法を説明するための断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing a semiconductor device using the carrier tape according to the first embodiment.

【図4】 本発明の第2の実施例のキャリアテープを示
す平面図と断面図。
FIG. 4 is a plan view and a sectional view showing a carrier tape according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 従来のキャリアテープの平面図と断面図。FIG. 5 is a plan view and a sectional view of a conventional carrier tape.

【図6】 従来のキャリアテープを用いた半導体装置の
製造方法を説明するための断面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a semiconductor device using a conventional carrier tape.

【図7】 従来のキャリアテープを用いた半導体装置の
製造方法を説明するための断面図。
FIG. 7 is a sectional view for explaining a method for manufacturing a semiconductor device using a conventional carrier tape.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…キャリアテープ、 2…絶縁性テープ、 2a
…スプロケット孔、2b…デバイス孔、 2c…アウ
ターリード孔、 2d…リードサポート部、 2e
…タイバー、 2f…ランナースリット、 2g…
開口部、3…リード、 3a…インナーリード、
3b…アウターリード、 3c…テストパッド、
4…樹脂もれ防止用金属箔、 5…はねあがり防止用
金属箔、 6…半導体チップ、 6a…バンプ、
7…モールドライン、8…モールド樹脂、 8a、
8c…ゲート部に対応する樹脂、 8b、8d…不要
樹脂、 10…金型、 10a、10c…上金型、
10b、10d…下金型、 11a、11b…パ
ーティング面、 12a、12b、12c、12d…
キャビティハーフ、 13a、13b、13c…ゲー
ト、 14a、14b、14c…ランナーゲート。
1 ... Carrier tape, 2 ... Insulating tape, 2a
... Sprocket hole, 2b ... Device hole, 2c ... Outer lead hole, 2d ... Lead support part, 2e
… Tie bar, 2f… Runner slit, 2g…
Opening, 3 ... Lead, 3a ... Inner lead,
3b ... outer lead, 3c ... test pad,
4 ... Metal foil for preventing resin leakage, 5 ... Metal foil for preventing splashing, 6 ... Semiconductor chip, 6a ... Bump,
7 ... Mold line, 8 ... Mold resin, 8a,
8c ... Resin corresponding to the gate portion, 8b, 8d ... Unnecessary resin, 10 ... Mold, 10a, 10c ... Upper mold,
10b, 10d ... Lower mold, 11a, 11b ... Parting surface, 12a, 12b, 12c, 12d ...
Cavity half, 13a, 13b, 13c ... Gate, 14a, 14b, 14c ... Runner gate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B29L 31:34 4F ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI technical display location // B29L 31:34 4F

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 長手方向の2辺のそれぞれの縁部に沿っ
て所定の間隔でスプロケット孔が開孔され、幅方向のほ
ぼ中央に半導体チップを収容するためのデバイス孔が開
孔され、該デバイス孔の周辺に複数のアウターリード孔
が開孔され、長手方向の辺の端部から2つのアウターリ
ード孔の間のタイバー部を通り該タイバー部より内側に
まで到達するランナースリットが開設されている長尺の
絶縁性テープと、 前記絶縁性テープに支持されそれぞれ前記アウターリー
ド孔をまたぎその一端が前記デバイス孔に突出している
複数のリードと、を備えたキャリアテープ。
1. A sprocket hole is formed at a predetermined interval along each edge of two sides in the longitudinal direction, and a device hole for accommodating a semiconductor chip is formed substantially at the center in the width direction. A plurality of outer lead holes are formed around the device hole, and a runner slit is formed from the end of the side in the longitudinal direction through the tie bar portion between the two outer lead holes to reach the inside of the tie bar portion. A carrier tape comprising: a long insulating tape that extends; and a plurality of leads that are supported by the insulating tape and that extend over the outer lead holes and have one end protruding into the device hole.
【請求項2】 前記絶縁性テープ上に前記ランナースリ
ットの端部に沿って1対の樹脂もれ防止用金属箔が形成
されている請求項1記載のキャリアテープ。
2. The carrier tape according to claim 1, wherein a pair of metal foils for preventing resin leakage are formed on the insulating tape along the ends of the runner slits.
【請求項3】 前記1対の樹脂もれ防止用金属箔が、前
記ランナースリット上に架設されたはねあがり防止用金
属箔で連結されている請求項2記載のキャリアテープ。
3. The carrier tape according to claim 2, wherein the pair of metal foils for preventing resin leakage are connected by a metal foil for preventing bounce overlaid on the runner slit.
【請求項4】 前記ランナースリットが前記スプロケッ
ト孔の形成されるべき箇所を通過しており、前記1対の
樹脂もれ防止用金属箔および1対の前記はねあがり防止
用金属箔により1つのスプロケット孔が形成されている
請求項3記載のキャリアテープ。
4. The runner slit passes through a place where the sprocket hole is to be formed, and one of the pair of resin leak-preventing metal foils and the pair of bounce-preventing metal foils forms one. The carrier tape according to claim 3, wherein sprocket holes are formed.
【請求項5】 前記ランナースリットが前記デバイス孔
に対して点対称に2箇所に設けられている請求項1、
2、3または4記載のキャリアテープ。
5. The runner slits are provided at two points in point symmetry with respect to the device hole.
The carrier tape according to 2, 3, or 4.
【請求項6】 半導体チップを収容するためのデバイス
孔が開孔され、長手方向の辺の端部から前記デバイス孔
の近くまでランナースリットが開設されている絶縁性テ
ープと、該絶縁性テープ上に支持され、一端が前記デバ
イス孔内に突出している複数のリードと、を備えるキャ
リアテープに搭載された半導体チップを樹脂封止するた
めの金型であって、 前記キャリアテープの前記ランナースリットに対応する
部分に溶融樹脂の通過路となるランナーゲートが設けら
れ、前記キャリアテープの前記デバイス孔に対応する部
分に前記半導体チップを樹脂封止するためのキャビティ
ハーフが設けられ、前記ランナーゲートと前記キャビテ
ィハーフとの間にパーティング面より若干低くなされた
ゲートが設けられている上金型と、 前記上金型の前記ランナーゲート、前記キャビティハー
フおよび前記ゲートと対向する部分にそれぞれランナー
ゲート、キャビティハーフおよびゲートが設けられてい
る下金型と、を備えたモールド用金型。
6. An insulating tape in which a device hole for housing a semiconductor chip is opened, and a runner slit is opened from the end of the side in the longitudinal direction to the vicinity of the device hole, and on the insulating tape. Is a mold for resin-sealing a semiconductor chip mounted on a carrier tape, which is supported by, and has one end protruding into the device hole, and in the runner slit of the carrier tape. A runner gate serving as a passage for molten resin is provided in a corresponding portion, and a cavity half for resin-sealing the semiconductor chip is provided in a portion corresponding to the device hole of the carrier tape. An upper mold having a gate slightly lower than the parting surface between the cavity half and the upper mold; N'nageto, the cavity half and said gate opposite to each portion runner gate, mold die provided with a lower mold cavity half and a gate is provided.
【請求項7】 前記上金型および前記下金型に、同一の
溶融樹脂供給源から溶融樹脂の供給を受けるランナーゲ
ート、ゲートおよびキャビティハーフが前記絶縁性テー
プの幅方向に2箇所設けられている請求項6記載のモー
ルド用金型。
7. The upper mold and the lower mold are provided with runner gates, gates, and cavity halves, which are supplied with the molten resin from the same molten resin supply source, at two positions in the width direction of the insulating tape. The mold for molding according to claim 6.
【請求項8】 半導体チップを収容するためのデバイス
孔が開孔され、長手方向の辺の端部から前記デバイス孔
の近くまでランナースリットが開設されている絶縁性テ
ープと、該絶縁性テープ上に支持され、一端が前記デバ
イス孔内に突出している複数のリードと、を備えるキャ
リアテープに半導体チップを搭載する工程と、 前記半導体チップが搭載されたキャリアテープを、前記
キャリアテープの前記ランナースリットに対応する部分
に溶融樹脂の通過路となるランナーゲートが設けられ、
前記キャリアテープの前記デバイス孔に対応する部分に
前記半導体チップを樹脂封止するためのキャビティハー
フが設けられ、前記ランナーゲートと前記キャビティハ
ーフとの間にパーティング面より若干低くなされたゲー
トが設けられている上金型と、前記上金型の前記ランナ
ーゲート、前記キャビティハーフおよび前記ゲートと対
向する部分にそれぞれランナーゲート、キャビティハー
フおよびゲートが設けられている下金型と、の間に、前
記ランナースリットが前記ランナーゲート間に、かつ、
前記デバイス孔が前記キャビティハーフ間に位置するよ
うに案内する工程と、 溶融樹脂を、前記ランナースリットおよび2つの前記ラ
ンナーゲートによって形成される通過経路、並びに前記
ランナースリットおよび2つの前記ゲートによって形成
される開孔を介して、2つの前記キャビティハーフによ
って形成されるキャビティ内に流入させ、該キャビティ
内を溶融樹脂で充填する工程と、 前記キャビティ内の溶融樹脂を硬化させて、半導体チッ
プを樹脂封止する工程と、を備える半導体装置の製造方
法。
8. An insulating tape in which a device hole for housing a semiconductor chip is opened, and a runner slit is opened from an end of a side in the longitudinal direction to a position close to the device hole, and the insulating tape. A semiconductor chip mounted on a carrier tape, the carrier tape having a plurality of leads each having one end protruding into the device hole, the carrier tape having the semiconductor chip mounted on the carrier tape, and the runner slit of the carrier tape. A runner gate that serves as a passage for molten resin is provided in the part corresponding to
A cavity half for resin-sealing the semiconductor chip is provided in a portion of the carrier tape corresponding to the device hole, and a gate slightly lower than a parting surface is provided between the runner gate and the cavity half. Between the upper mold and the lower mold in which the runner gate of the upper mold, the cavity half and the portion facing the gate, and the lower mold provided with the cavity half and the gate, respectively, The runner slit is between the runner gates, and
Guiding the device hole so that it is located between the cavity halves, and a passage through which the molten resin is formed by the runner slit and the two runner gates, and by the runner slit and the two gates. Through a hole formed by the two cavity halves to fill the cavity with a molten resin, and the molten resin in the cavity is cured to seal the semiconductor chip with a resin. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
JP32854292A 1992-11-13 1992-11-13 Carrier tape, molding die and method for manufacturing semiconductor device using the same Expired - Lifetime JPH0793346B2 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG115569A1 (en) * 2003-09-09 2005-10-28 Micron Technology Inc Tape substrates with mold gate support structures that are coplanar with conductive traces thereof and associated methods

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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SG115569A1 (en) * 2003-09-09 2005-10-28 Micron Technology Inc Tape substrates with mold gate support structures that are coplanar with conductive traces thereof and associated methods

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