JPH06151408A - 酸化シリコン薄膜の成膜方法 - Google Patents
酸化シリコン薄膜の成膜方法Info
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- JPH06151408A JPH06151408A JP30098292A JP30098292A JPH06151408A JP H06151408 A JPH06151408 A JP H06151408A JP 30098292 A JP30098292 A JP 30098292A JP 30098292 A JP30098292 A JP 30098292A JP H06151408 A JPH06151408 A JP H06151408A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜形成速度を速くし、かつ微小な溝部へも均
一な膜厚をもって成膜できるようにする。 【構成】 薄膜原料を反応容器３に導入するときに薄膜
原料以外に水，酸あるいは塩基からなる添加材を少なく
とも１種類添加して気相化学反応を生じさせる。添加材
を加えることで、膜形成速度が速くなると共に、基板１
上の微小な溝部分にも略均一な膜厚をもって膜を形成で
きるようになった。
一な膜厚をもって成膜できるようにする。 【構成】 薄膜原料を反応容器３に導入するときに薄膜
原料以外に水，酸あるいは塩基からなる添加材を少なく
とも１種類添加して気相化学反応を生じさせる。添加材
を加えることで、膜形成速度が速くなると共に、基板１
上の微小な溝部分にも略均一な膜厚をもって膜を形成で
きるようになった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路製造用
シリコンウエハ上にＳｉＯ2 誘電体薄膜を成膜させる酸
化シリコン薄膜の成膜方法に関するものである。
シリコンウエハ上にＳｉＯ2 誘電体薄膜を成膜させる酸
化シリコン薄膜の成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路用シリコンウエハ
に酸化シリコン薄膜（以下、ＳｉＯ2薄膜という）を成
膜させる手法としては熱ＣＶＤ法がある。この熱ＣＶＤ
法は、図２に示すようにシリコンウエハが装填された薄
膜製造装置を加熱すると共にその内部を高真空状態と
し、その状態で装置内にＳｉＯ2 薄膜の原料を導入して
成膜を行う方法である。この従来のＳｉＯ2 薄膜の成膜
方法を図２を用いて説明する。
に酸化シリコン薄膜（以下、ＳｉＯ2薄膜という）を成
膜させる手法としては熱ＣＶＤ法がある。この熱ＣＶＤ
法は、図２に示すようにシリコンウエハが装填された薄
膜製造装置を加熱すると共にその内部を高真空状態と
し、その状態で装置内にＳｉＯ2 薄膜の原料を導入して
成膜を行う方法である。この従来のＳｉＯ2 薄膜の成膜
方法を図２を用いて説明する。
【０００３】図２は従来のＳｉＯ2 薄膜の成膜方法に使
用する薄膜製造装置の概略構成図である。同図におい
て、１は膜が堆積されるシリコンウエハなどの基板、２
はこの基板１を多数保持するボートである。前記基板１
はボート２に支承された状態で反応容器３内に装填され
ている。また、反応容器３は前記基板１やボート２を収
容する反応室が設けられており、図２に示した基板装填
状態では反応室の気密が保たれる構造になっている。
用する薄膜製造装置の概略構成図である。同図におい
て、１は膜が堆積されるシリコンウエハなどの基板、２
はこの基板１を多数保持するボートである。前記基板１
はボート２に支承された状態で反応容器３内に装填され
ている。また、反応容器３は前記基板１やボート２を収
容する反応室が設けられており、図２に示した基板装填
状態では反応室の気密が保たれる構造になっている。
【０００４】４はＳｉＯ2 薄膜の原料を前記反応容器３
へ導入するための原料気化器で、原料導入管５を介して
反応容器３内に連通されている。６は前記反応容器３を
加熱するためのヒータ、７は反応容器３内を排気し所定
の高真空状態に保つロータリーポンプである。
へ導入するための原料気化器で、原料導入管５を介して
反応容器３内に連通されている。６は前記反応容器３を
加熱するためのヒータ、７は反応容器３内を排気し所定
の高真空状態に保つロータリーポンプである。
【０００５】前記原料気化器４に供給される原料として
は、従来ではテトラエトキシシランのみが用いられてい
た。なお、このテトラエトキシシランは下記の化１に示
した分子式で表される物質の一つで、同分子式において
Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｃ2Ｈ5となるものである。
は、従来ではテトラエトキシシランのみが用いられてい
た。なお、このテトラエトキシシランは下記の化１に示
した分子式で表される物質の一つで、同分子式において
Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｃ2Ｈ5となるものである。
【０００６】
【化１】 なお、前記化１に示した分子式においてＲnはアルキル
基（ＣnＨ2n+1）で、ｎは０または１〜５までの整数で
ある。
基（ＣnＨ2n+1）で、ｎは０または１〜５までの整数で
ある。
【０００７】次に、従来の一般的なＳｉＯ2 薄膜の成膜
方法を図２を用いて説明する。先ず、図２に示すように
基板１をボート２と共に反応容器３内に装填し、ロータ
リーポンプ７によって反応容器３内の排気を行うと共
に、ヒータ６によって反応容器３内を所定温度に加熱す
る。
方法を図２を用いて説明する。先ず、図２に示すように
基板１をボート２と共に反応容器３内に装填し、ロータ
リーポンプ７によって反応容器３内の排気を行うと共
に、ヒータ６によって反応容器３内を所定温度に加熱す
る。
【０００８】次いで、原料気化器４に設けられたバルブ
（図示せず）を開いて原料気化器４内を減圧させ、原料
（この場合はテトラエトキシシランガス）を反応容器３
内に導入する。このように原料が反応容器３内に導入さ
れることによって、基板１にＳｉＯ2 薄膜が成膜される
ようになる。なお、原料蒸気圧が小さな物質を原料とし
て用いた場合には、原料を反応容器３に導入する際に原
料気化器４での減圧と併せて加熱を行うこともある。ま
た、原料が常温、常圧で固体または液体である場合に
は、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスをキャリア
ガスとして用い、これらのガスと共に反応容器３内に導
入することもある。
（図示せず）を開いて原料気化器４内を減圧させ、原料
（この場合はテトラエトキシシランガス）を反応容器３
内に導入する。このように原料が反応容器３内に導入さ
れることによって、基板１にＳｉＯ2 薄膜が成膜される
ようになる。なお、原料蒸気圧が小さな物質を原料とし
て用いた場合には、原料を反応容器３に導入する際に原
料気化器４での減圧と併せて加熱を行うこともある。ま
た、原料が常温、常圧で固体または液体である場合に
は、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスをキャリア
ガスとして用い、これらのガスと共に反応容器３内に導
入することもある。
【０００９】基板１に成膜されるＳｉＯ2 薄膜の膜厚は
原料が反応容器３に導入されてからの経過時間に基づい
て求められるから、原料導入開始時からの経過時間が得
ようとする膜厚に相当する時間に達したときに原料導入
を停止する。
原料が反応容器３に導入されてからの経過時間に基づい
て求められるから、原料導入開始時からの経過時間が得
ようとする膜厚に相当する時間に達したときに原料導入
を停止する。
【００１０】従来ではこのようにして集積回路用誘電体
薄膜としてのＳｉＯ2 薄膜を基板１に成膜していた。
薄膜としてのＳｉＯ2 薄膜を基板１に成膜していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上述した従
来のＳｉＯ2 薄膜の成膜方法では、膜形成速度が遅く膜
形成完了までに長時間を要するという問題があった。
来のＳｉＯ2 薄膜の成膜方法では、膜形成速度が遅く膜
形成完了までに長時間を要するという問題があった。
【００１２】また、従来の成膜方法では基板１上に微小
な溝部分（以下、この溝部分をミクロトレンチという）
があると十分に絶縁できないという問題もあった。この
ミクロトレンチ形成部分を図３に示す。
な溝部分（以下、この溝部分をミクロトレンチという）
があると十分に絶縁できないという問題もあった。この
ミクロトレンチ形成部分を図３に示す。
【００１３】図３は従来のＳｉＯ2薄膜の成膜方法によ
ってＳｉＯ2薄膜が成膜された基板のミクロトレンチ形
成部分を拡大して示す断面図で、同図において８はマイ
クロメータサイズで加工された基板１のミクロトレン
チ、９は基板１の上面に成膜されたＳｉＯ2 薄膜であ
る。同図に示すように、ミクロトレンチ８に成膜された
ＳｉＯ2薄膜の厚みは、基板１上面のＳｉＯ2薄膜の厚み
より薄くなっており、そのために絶縁性がミクロトレン
チ８で低くなることが分かる。
ってＳｉＯ2薄膜が成膜された基板のミクロトレンチ形
成部分を拡大して示す断面図で、同図において８はマイ
クロメータサイズで加工された基板１のミクロトレン
チ、９は基板１の上面に成膜されたＳｉＯ2 薄膜であ
る。同図に示すように、ミクロトレンチ８に成膜された
ＳｉＯ2薄膜の厚みは、基板１上面のＳｉＯ2薄膜の厚み
より薄くなっており、そのために絶縁性がミクロトレン
チ８で低くなることが分かる。
【００１４】本発明はこのような問題点を解消するため
になされたもので、従来のＳｉＯ2薄膜の成膜方法より
膜形成速度が速く、かつミクロトレンチ等の微小な凹凸
加工部へも均一な膜厚をもって成膜され被覆性を高める
ことができる成膜方法を得ることを目的とする。
になされたもので、従来のＳｉＯ2薄膜の成膜方法より
膜形成速度が速く、かつミクロトレンチ等の微小な凹凸
加工部へも均一な膜厚をもって成膜され被覆性を高める
ことができる成膜方法を得ることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る酸化シ
リコン薄膜の成膜方法は、薄膜原料を反応容器に導入す
るときに薄膜原料以外に水を添加するものである。
リコン薄膜の成膜方法は、薄膜原料を反応容器に導入す
るときに薄膜原料以外に水を添加するものである。
【００１６】第２の発明に係る酸化シリコン薄膜の成膜
方法は、薄膜原料を反応容器に導入するときに薄膜原料
以外に酸を添加するものである。
方法は、薄膜原料を反応容器に導入するときに薄膜原料
以外に酸を添加するものである。
【００１７】第３の発明に係る酸化シリコン薄膜の成膜
方法は、薄膜原料を反応容器に導入するときに薄膜原料
以外に塩基を添加するものである。
方法は、薄膜原料を反応容器に導入するときに薄膜原料
以外に塩基を添加するものである。
【００１８】第４の発明に係る酸化シリコン薄膜の成膜
方法は、薄膜原料を反応容器に導入するときに、薄膜原
料以外に水，酸および塩基からなる添加物のうち少なく
とも２種類の添加物を添加するものである。
方法は、薄膜原料を反応容器に導入するときに、薄膜原
料以外に水，酸および塩基からなる添加物のうち少なく
とも２種類の添加物を添加するものである。
【００１９】
【作用】水，酸，塩基の３種の添加材のうち少なくとも
１種類を薄膜原料と共に反応容器内に導入することによ
って、酸化シリコン薄膜の膜形成速度が速くなると共
に、ミクロトレンチでの被覆性が高まる。
１種類を薄膜原料と共に反応容器内に導入することによ
って、酸化シリコン薄膜の膜形成速度が速くなると共
に、ミクロトレンチでの被覆性が高まる。
【００２０】
実施例１．本発明は、水，酸あるいは塩基等の添加物を
薄膜原料と共に反応容器に導入することによって、膜形
成速度の向上およびミクロトレンチでの被覆性（膜厚均
一性）向上に著しい効果が得られることを発明者が発見
してなされたものである。すなわち、水，酸あるいは塩
基を反応容器内に混入させることにより、膜形成速度が
約２倍程度増加し、ミクロトレンチにおいては上部，底
部とも略同じ膜厚で被覆できることを見出した。以下、
本発明の一実施例を図１によって詳細に説明する。
薄膜原料と共に反応容器に導入することによって、膜形
成速度の向上およびミクロトレンチでの被覆性（膜厚均
一性）向上に著しい効果が得られることを発明者が発見
してなされたものである。すなわち、水，酸あるいは塩
基を反応容器内に混入させることにより、膜形成速度が
約２倍程度増加し、ミクロトレンチにおいては上部，底
部とも略同じ膜厚で被覆できることを見出した。以下、
本発明の一実施例を図１によって詳細に説明する。
【００２１】図１は本発明に係る酸化シリコン薄膜の成
膜方法を実施するに当たり使用する薄膜製造装置の概略
構成図である。同図において前記図２で説明したものと
同一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細
な説明は省略する。
膜方法を実施するに当たり使用する薄膜製造装置の概略
構成図である。同図において前記図２で説明したものと
同一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細
な説明は省略する。
【００２２】図１において、１１および１２は本発明に
係る添加材を収容する添加材料気化器である。これらの
添加材料気化器１１，１２は、原料気化器４と同等の構
造になっており、それぞれ添加材導入管１１ａ，１２ａ
を介して反応容器３内に連通されている。なお、この添
加材料気化器としては、使用する添加材の種類毎に設け
られ、本実施例で示したように２つ設ける以外に３つ設
けることもできる。
係る添加材を収容する添加材料気化器である。これらの
添加材料気化器１１，１２は、原料気化器４と同等の構
造になっており、それぞれ添加材導入管１１ａ，１２ａ
を介して反応容器３内に連通されている。なお、この添
加材料気化器としては、使用する添加材の種類毎に設け
られ、本実施例で示したように２つ設ける以外に３つ設
けることもできる。
【００２３】以下、第１の発明に係る成膜方法によって
ＳｉＯ2 薄膜を成膜する手順を詳細に説明する。なお、
本実施例では、前記添加材料気化器１１に水を供給し、
添加材料気化器１２は使用しない例について説明する。
ＳｉＯ2 薄膜を成膜する手順を詳細に説明する。なお、
本実施例では、前記添加材料気化器１１に水を供給し、
添加材料気化器１２は使用しない例について説明する。
【００２４】先ず、原料気化器４にテトラエトキシシラ
ンを１００ｍｌ入れ、添加材料気化器１１に水を１００
ｍｌ入れる。なお、反応容器３内には予め基板１を装填
しておく。そして、ロータリーポンプ７によって反応容
器３内を０．０５Torrまで減圧し、ヒータ６によって反
応容器３を７００℃に加熱する。
ンを１００ｍｌ入れ、添加材料気化器１１に水を１００
ｍｌ入れる。なお、反応容器３内には予め基板１を装填
しておく。そして、ロータリーポンプ７によって反応容
器３内を０．０５Torrまで減圧し、ヒータ６によって反
応容器３を７００℃に加熱する。
【００２５】続いて、原料気化器４によって原料（テト
ラエトキシシラン）を７０℃に加熱すると共に、添加材
料気化器１１によって添加材（水）を４０℃に加熱す
る。しかる後、原料気化器４および添加材料気化器１１
内のバルブを開くことによって、テトラエトキシシラン
および水蒸気を反応容器３内に導入する。このときに
は、ロータリーポンプ７の上流側に位置する不図示のバ
ルブを調整して反応容器３内の圧力を２Torrに維持す
る。
ラエトキシシラン）を７０℃に加熱すると共に、添加材
料気化器１１によって添加材（水）を４０℃に加熱す
る。しかる後、原料気化器４および添加材料気化器１１
内のバルブを開くことによって、テトラエトキシシラン
および水蒸気を反応容器３内に導入する。このときに
は、ロータリーポンプ７の上流側に位置する不図示のバ
ルブを調整して反応容器３内の圧力を２Torrに維持す
る。
【００２６】上述したように薄膜原料および添加材を反
応容器３内に導入してから３０分間装置を同じ状態に保
ち、膜形成を行う。
応容器３内に導入してから３０分間装置を同じ状態に保
ち、膜形成を行う。
【００２７】このように成膜を行った場合、原料供給側
の基板１上で３０ｎｍの膜厚のＳｉＯ2 薄膜が得られ
た。このとき、膜堆積速度は１ｎｍ／ｍｉｎであり、従
来の成膜方法で同様に成膜を行った場合の約２倍の速度
であった。また、ミクロトレンチでの膜厚均一性につい
ては、ミクロトレンチ膜厚比〔（底部膜厚）／（上部膜
厚）〕が１．０であり、膜形成が均一に行われていた。
なお、従来の成膜方法によって得られたＳｉＯ2 薄膜で
は、この比は０．４〜０．５程度であった。
の基板１上で３０ｎｍの膜厚のＳｉＯ2 薄膜が得られ
た。このとき、膜堆積速度は１ｎｍ／ｍｉｎであり、従
来の成膜方法で同様に成膜を行った場合の約２倍の速度
であった。また、ミクロトレンチでの膜厚均一性につい
ては、ミクロトレンチ膜厚比〔（底部膜厚）／（上部膜
厚）〕が１．０であり、膜形成が均一に行われていた。
なお、従来の成膜方法によって得られたＳｉＯ2 薄膜で
は、この比は０．４〜０．５程度であった。
【００２８】実施例２．次に、第２の発明に係る成膜方
法について説明する。第２の発明に係る成膜方法は添加
材として酸を用いるもので、実施するに当たっては前記
図１に示した薄膜製造装置を使用する。
法について説明する。第２の発明に係る成膜方法は添加
材として酸を用いるもので、実施するに当たっては前記
図１に示した薄膜製造装置を使用する。
【００２９】先ず、薄膜原料を原料気化器４に供給する
と共に、酸からなる添加材を添加材料気化器１１に供給
する。なお、本実施例でも添加材料気化器１２を使用し
ない。前記薄膜原料としては、本実施例では下記の化２
に示した構造をもつ有機金属化合物を使用した。
と共に、酸からなる添加材を添加材料気化器１１に供給
する。なお、本実施例でも添加材料気化器１２を使用し
ない。前記薄膜原料としては、本実施例では下記の化２
に示した構造をもつ有機金属化合物を使用した。
【００３０】
【化２】 そして、原料気化器４によってこの原料を２０℃に保持
させる。また、添加材としては酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）
を用い、この添加材を添加材料気化器１１によって７０
℃に加熱する。さらに、添加材料気化器１１にはキャリ
アガスとしてアルゴンガスを１０sccm流し、気化器内圧
力を５０Torrに保持させる。
させる。また、添加材としては酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）
を用い、この添加材を添加材料気化器１１によって７０
℃に加熱する。さらに、添加材料気化器１１にはキャリ
アガスとしてアルゴンガスを１０sccm流し、気化器内圧
力を５０Torrに保持させる。
【００３１】一方、反応容器３の内圧を５Torrに減圧
し、ヒータ６によって反応容器内温度を７５０℃に保た
せる。
し、ヒータ６によって反応容器内温度を７５０℃に保た
せる。
【００３２】このような状態とした後、原料および酢酸
蒸気を含むキャリアガスを反応容器３内に導入し、膜形
成を行う。本実施例で示したように膜形成を行った場
合、得られた膜堆積速度は２０ｎｍ／ｍｉｎとなり、ミ
クロトレンチ膜厚比〔（底部膜厚）／（上部膜厚）〕は
０．９であった。
蒸気を含むキャリアガスを反応容器３内に導入し、膜形
成を行う。本実施例で示したように膜形成を行った場
合、得られた膜堆積速度は２０ｎｍ／ｍｉｎとなり、ミ
クロトレンチ膜厚比〔（底部膜厚）／（上部膜厚）〕は
０．９であった。
【００３３】なお、添加材として用いる酸は上述した酢
酸に限定されず、例えば、ＨＣｌ，ＨＣＯＯＨ，ＣＨ3
ＣＯＯＨ ，ＨＦ，ＮＯ，ＮＯ2，ＳＯ2およびＨＢｒ等
を用いることができる。
酸に限定されず、例えば、ＨＣｌ，ＨＣＯＯＨ，ＣＨ3
ＣＯＯＨ ，ＨＦ，ＮＯ，ＮＯ2，ＳＯ2およびＨＢｒ等
を用いることができる。
【００３４】実施例３．以下、第３の発明に係る成膜方
法について説明する。第３の発明に係る成膜方法は添加
材として塩基を用いるもので、実施するに当たっては前
記図１に示した薄膜製造装置を使用する。
法について説明する。第３の発明に係る成膜方法は添加
材として塩基を用いるもので、実施するに当たっては前
記図１に示した薄膜製造装置を使用する。
【００３５】先ず、薄膜原料を原料気化器４に供給する
と共に、塩基からなる添加材を添加材料気化器１１に供
給する。なお、本実施例でも添加材料気化器１２を使用
しない。前記薄膜原料としてはテトラエトキシシランを
用い、塩基からなる添加材としてはＮＨ3ガスとした。
なお、この場合、添加材料気化器１１はＮＨ3ボンベに
よって構成される。
と共に、塩基からなる添加材を添加材料気化器１１に供
給する。なお、本実施例でも添加材料気化器１２を使用
しない。前記薄膜原料としてはテトラエトキシシランを
用い、塩基からなる添加材としてはＮＨ3ガスとした。
なお、この場合、添加材料気化器１１はＮＨ3ボンベに
よって構成される。
【００３６】そして、原料気化器４にテトラエトキシシ
ランを１００ｍｌ入れ、キャリアガスとして窒素ガスを
３sccm流し、気化器内圧力を７０Torrに保つと共に、温
度を７０℃に設定する。また、反応容器３内をヒータ６
によって７００℃に加熱する。
ランを１００ｍｌ入れ、キャリアガスとして窒素ガスを
３sccm流し、気化器内圧力を７０Torrに保つと共に、温
度を７０℃に設定する。また、反応容器３内をヒータ６
によって７００℃に加熱する。
【００３７】このような状態とした後、テトラエトキシ
シラン蒸気を含んだ窒素ガスおよびＮＨ3 ガス１０sccm
を反応容器３内に導入し、反応容器内圧力を６０Torrに
保って膜形成を行う。
シラン蒸気を含んだ窒素ガスおよびＮＨ3 ガス１０sccm
を反応容器３内に導入し、反応容器内圧力を６０Torrに
保って膜形成を行う。
【００３８】本実施例で示したように膜形成を行った場
合、得られた膜堆積速度は１０ｎｍ／ｍｉｎとなり、テ
トラエトキシシランのみを用いて成膜を行った場合に較
べて約１．５倍の高い値となった。また、ミクロトレン
チ膜厚比〔（底部膜厚）／（上部膜厚）〕は０．８であ
った。
合、得られた膜堆積速度は１０ｎｍ／ｍｉｎとなり、テ
トラエトキシシランのみを用いて成膜を行った場合に較
べて約１．５倍の高い値となった。また、ミクロトレン
チ膜厚比〔（底部膜厚）／（上部膜厚）〕は０．８であ
った。
【００３９】実施例４．以下、第４の発明に係る成膜方
法について説明する。本実施例では添加材として水と酸
を用い、実施するに当たっては前記図１に示した薄膜製
造装置を使用する。
法について説明する。本実施例では添加材として水と酸
を用い、実施するに当たっては前記図１に示した薄膜製
造装置を使用する。
【００４０】先ず、薄膜原料を原料気化器４に供給する
と共に、水を添加材料気化器１１に供給し、酸を添加材
料気化器１２に供給する。前記薄膜原料としては下記化
３に示した構造をもつ有機金属化合物を使用した。ま
た、添加材の酸としては、ＮＯ2を用いた。なお、この
場合、添加材料気化器１２はＮＯ2ボンベによって構成
される。
と共に、水を添加材料気化器１１に供給し、酸を添加材
料気化器１２に供給する。前記薄膜原料としては下記化
３に示した構造をもつ有機金属化合物を使用した。ま
た、添加材の酸としては、ＮＯ2を用いた。なお、この
場合、添加材料気化器１２はＮＯ2ボンベによって構成
される。
【００４１】
【化３】 そして、原料気化器４に上述した原料を入れて温度を８
０℃に保持し、添加材料気化器１１の水を５０℃に保持
する。また、反応容器３内をヒータ６によって７００℃
に加熱し、容器内圧力を０．５Torrに調整する。
０℃に保持し、添加材料気化器１１の水を５０℃に保持
する。また、反応容器３内をヒータ６によって７００℃
に加熱し、容器内圧力を０．５Torrに調整する。
【００４２】このような状態とした後、原料および水蒸
気およびＮＯ2 ガスを反応容器３内に同時に導入して膜
形成を行う。なお、原料，水蒸気およびＮＯ2 ガスの流
量比（モル比）は１：１０：１０とした。
気およびＮＯ2 ガスを反応容器３内に同時に導入して膜
形成を行う。なお、原料，水蒸気およびＮＯ2 ガスの流
量比（モル比）は１：１０：１０とした。
【００４３】本実施例で示したように膜形成を行った場
合、得られた膜堆積速度は１ｎｍ／ｍｉｎであり、ミク
ロトレンチ膜厚比〔（底部膜厚）／（上部膜厚）〕は
１．０であった。
合、得られた膜堆積速度は１ｎｍ／ｍｉｎであり、ミク
ロトレンチ膜厚比〔（底部膜厚）／（上部膜厚）〕は
１．０であった。
【００４４】なお、本実施例では添加材として水と酸を
用いた例を示したが、本発明はこのような限定にとらわ
れることなく、水，酸および塩基のうち何れを組合わせ
ても同等の効果が得られる。
用いた例を示したが、本発明はこのような限定にとらわ
れることなく、水，酸および塩基のうち何れを組合わせ
ても同等の効果が得られる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る酸化シ
リコン薄膜の成膜方法は、薄膜原料を反応容器に導入す
るときに薄膜原料以外に水，酸あるいは塩基からなる添
加材を少なくとも１種類添加して気相化学反応を生じさ
せるので、膜形成速度が速くなると共に、基板上の微小
な溝部分にも略均一な膜厚をもって膜を形成することが
できる。
リコン薄膜の成膜方法は、薄膜原料を反応容器に導入す
るときに薄膜原料以外に水，酸あるいは塩基からなる添
加材を少なくとも１種類添加して気相化学反応を生じさ
せるので、膜形成速度が速くなると共に、基板上の微小
な溝部分にも略均一な膜厚をもって膜を形成することが
できる。
【図１】本発明に係る酸化シリコン薄膜の成膜方法を実
施するに当たり使用する薄膜製造装置の概略構成図であ
る。
施するに当たり使用する薄膜製造装置の概略構成図であ
る。
【図２】従来のＳｉＯ2 薄膜の成膜方法に使用する薄膜
製造装置の概略構成図である。
製造装置の概略構成図である。
【図３】従来のＳｉＯ2薄膜の成膜方法によってＳｉＯ2
薄膜が成膜された基板のミクロトレンチ形成部分を拡大
して示す断面図である。
薄膜が成膜された基板のミクロトレンチ形成部分を拡大
して示す断面図である。
１ 基板 ３ 反応容器 ４ 原料気化器 １１ 添加材料気化器 １２ 添加材料気化器
Claims (4)
- 【請求項１】 有機金属化合物を薄膜原料として熱気相
化学堆積法により酸化シリコン薄膜を被成膜物上に成膜
させる酸化シリコン薄膜の成膜方法において、前記薄膜
原料を反応容器に導入するときに、薄膜原料以外に水を
添加することを特徴とする酸化シリコン薄膜の成膜方
法。 - 【請求項２】 有機金属化合物を薄膜原料として熱気相
化学堆積法により酸化シリコン薄膜を被成膜物上に成膜
させる酸化シリコン薄膜の成膜方法において、前記薄膜
原料を反応容器に導入するときに、薄膜原料以外に酸を
添加することを特徴とする酸化シリコン薄膜の成膜方
法。 - 【請求項３】 有機金属化合物を薄膜原料として熱気相
化学堆積法により酸化シリコン薄膜を被成膜物上に成膜
させる酸化シリコン薄膜の成膜方法において、前記薄膜
原料を反応容器に導入するときに、薄膜原料以外に塩基
を添加することを特徴とする酸化シリコン薄膜の成膜方
法。 - 【請求項４】 有機金属化合物を薄膜原料として熱気相
化学堆積法により酸化シリコン薄膜を被成膜物上に成膜
させる酸化シリコン薄膜の成膜方法において、前記薄膜
原料を反応容器に導入するときに、薄膜原料以外に、
水，酸および塩基からなる添加物のうち少なくとも２種
類の添加物を添加することを特徴とする酸化シリコン薄
膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30098292A JPH06151408A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 酸化シリコン薄膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30098292A JPH06151408A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 酸化シリコン薄膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151408A true JPH06151408A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17891411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30098292A Pending JPH06151408A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 酸化シリコン薄膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151408A (ja) |
-
1992
- 1992-11-11 JP JP30098292A patent/JPH06151408A/ja active Pending
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