JPH06151347A - Boat for vertical heat treatment furnace - Google Patents

Boat for vertical heat treatment furnace

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Publication number
JPH06151347A
JPH06151347A JP31770192A JP31770192A JPH06151347A JP H06151347 A JPH06151347 A JP H06151347A JP 31770192 A JP31770192 A JP 31770192A JP 31770192 A JP31770192 A JP 31770192A JP H06151347 A JPH06151347 A JP H06151347A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
boat
heat treatment
holding plate
treatment furnace
Prior art date
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Pending
Application number
JP31770192A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Isamu Suzuki
勇 鈴木
Hidenobu Abe
秀延 阿部
Shoji Nagaseko
昭二 長迫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp, Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP31770192A priority Critical patent/JPH06151347A/en
Publication of JPH06151347A publication Critical patent/JPH06151347A/en
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a boat, for a vertical heat treatment furnace, wherein it prevents the slip of a wafer from being caused. CONSTITUTION:A plurality of supports 14 are coupled by an upper-side coupling plate 15 and a lower-side coupling plate 12. A semiring-shaped wafer holding plate 21 is installed on the same height position of the individual supports 14. A wafer 14 is supported and mounted on the wafer holding plate 21 in a line contact manner or in a face contact manner. Consequently, the weight of the wafer W is dispersed by the wafer holding plate 21. As a result, a slip due to a thermal stress during a heat treatment is not caused at the wafer W itself on a wafer mounting part.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は縦型熱処理炉用ボート、
詳しくはそのウェーハ搭載部に関するものである。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a boat for a vertical heat treatment furnace,
Specifically, it relates to the wafer mounting part.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の縦型熱処理炉用ボートは、縦型熱
処理炉内に立装されるものである。このボートは複数の
支柱を有し、その長手方向に沿って多数のウェーハ保持
溝が対向してそれぞれ刻設されている。これらのウェー
ハ保持溝は、薄い板状で円形のウェーハ(シリコンその
他の半導体ウェーハ)を搭載するものである。このウェ
ーハが対向するウェーハ保持溝に挿入されると、ウェー
ハは水平状態に位置するものである。この状態で、縦型
熱処理炉内にボートは立装され、ウェーハに熱処理が施
されるものである。
2. Description of the Related Art A conventional boat for a vertical heat treatment furnace is installed upright in the vertical heat treatment furnace. This boat has a plurality of columns, and a large number of wafer holding grooves are formed facing each other along the longitudinal direction thereof. These wafer holding grooves are for mounting thin plate-shaped and circular wafers (silicon and other semiconductor wafers). When this wafer is inserted into the opposing wafer holding groove, the wafer is positioned horizontally. In this state, the boat is set up in the vertical heat treatment furnace and the wafer is heat-treated.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
縦型熱処理用ボートでは、熱処理中の熱応力によりウェ
ーハにスリップが発生してしまうという課題があった。
However, the conventional vertical heat treatment boat has a problem that slips occur on the wafer due to thermal stress during the heat treatment.

【0004】[0004]

【課題解決のための知見】そして、本願発明者は、以下
のような知見を得た。すなわち、各支柱のウェーハ保持
溝は、その断面がV字形状であって、ウェーハはその周
縁部の3点でウェーハ保持溝と点接触して保持されてい
る。ボートは高純度の石英ガラス製またはSiC製のた
め、対向するウェーハ保持溝同士の水平度を保つように
加工することは非常に困難である。この結果、各支柱の
ウェーハ保持溝の水平度が保たれないまま、ウェーハは
3点で支持されていた。ウェーハが傾くので、ウェーハ
保持溝と接触しているウェーハ周縁部の3点にあって
は、ウェーハ自体による加重がそれぞれ違う。ウェーハ
自体の重量が多くかかる接触点、すなわちウェーハ自体
の重さが集中する接触点を起点として、スリップが発生
するものである。すなわち、このウェーハ自体の重量の
集中を分散させれば、スリップの発生が生じないという
知見を得た。
[Discovery for Solving the Problems] The inventors of the present application have obtained the following findings. That is, the wafer holding groove of each pillar has a V-shaped cross section, and the wafer is held in point contact with the wafer holding groove at three points on the peripheral portion. Since the boat is made of high-purity quartz glass or SiC, it is very difficult to process it so that the wafer holding grooves facing each other are kept horizontal. As a result, the wafer was supported at three points without maintaining the horizontality of the wafer holding groove of each pillar. Since the wafer is tilted, the weight of the wafer itself is different at the three points on the peripheral edge of the wafer that are in contact with the wafer holding groove. Slip occurs from a contact point where the weight of the wafer itself is heavy, that is, a contact point where the weight of the wafer itself is concentrated. That is, it was found that slips do not occur if the concentration of the weight of the wafer itself is dispersed.

【0005】そこで、本発明の目的は、ウェーハのスリ
ップ発生を防止した縦型熱処理炉用ボートを提供するこ
とである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a boat for a vertical heat treatment furnace in which the occurrence of wafer slip is prevented.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の支柱
と、これらの支柱同士を連結する連結部と、上記各支柱
の同じ高さ位置に配設されるウェーハ搭載部と、を備え
た縦型熱処理炉用ボートであって、上記ウェーハ搭載部
は、ウェーハの搭載時、このウェーハの重量を分散させ
る分散手段を有するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention comprises a plurality of columns, a connecting portion connecting these columns, and a wafer mounting portion arranged at the same height position of each of the columns. A boat for a vertical heat treatment furnace, wherein the wafer mounting portion has a dispersing means for dispersing the weight of the wafer when the wafer is mounted.

【0007】[0007]

【作用】本発明に係る縦型熱処理炉用ボートにあって
は、ウェーハ搭載部の分散手段がウェーハ搭載時にウェ
ーハ自体の重量を分散させるものである。例えば、ウェ
ーハ搭載部とウェーハとの接触を面接触または線接触に
して、点接触によるウェーハ搭載部でのウェーハ自体の
重量の集中を防止する。この結果、ウェーハ搭載部にお
いて、ウェーハ自体に熱処理中の熱応力によるスリップ
の発生がないものである。
In the boat for vertical heat treatment furnace according to the present invention, the dispersion means of the wafer mounting portion disperses the weight of the wafer itself when the wafer is mounted. For example, contact between the wafer mounting portion and the wafer is made into a surface contact or a line contact to prevent concentration of the weight of the wafer itself at the wafer mounting portion due to point contact. As a result, in the wafer mounting portion, no slip occurs on the wafer itself due to thermal stress during heat treatment.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0009】図1〜図6は、本発明に係る縦型熱処理炉
用ボートの第1実施例を示している。図3〜図5におい
て示すように、高純度石英ガラス製のボート11の外形
は、全体として大略円筒状に形成されている。このボー
ト11は、縦型熱処理炉内で水平に保持される円形の下
側支柱板12と、この下側支持板12を立設するための
複数の脚13と、この下側支持板12に対し、垂直に立
設された4本の支柱14と、これらの支柱14の上端部
同士を連結する円形の上側連結板15と、を有してい
る。
1 to 6 show a first embodiment of a boat for a vertical heat treatment furnace according to the present invention. As shown in FIGS. 3 to 5, the outer shape of the boat 11 made of high-purity quartz glass is formed into a generally cylindrical shape as a whole. The boat 11 includes a circular lower support plate 12 which is held horizontally in a vertical heat treatment furnace, a plurality of legs 13 for vertically arranging the lower support plate 12, and the lower support plate 12. On the other hand, it has four vertically-supported columns 14 and a circular upper connection plate 15 that connects the upper ends of these columns 14 together.

【0010】これらの4本の支柱14は、図4に示すよ
うに、円形の上側連結板15に対してその円周方向の略
180度の範囲に線対称の位置に配設されている。そし
て、ボート11において各支柱14の配設部分とは反対
側の部分は、直径が8インチのウェーハWの出し入れ用
の開口部を構成するものである。図4に示すように、こ
の開口部には、ウェーハWの挿入後、縦型熱処理炉内に
て熱処理中にその落下を防止するために棒16が取り付
けられている。図3の17はこの棒16の挿入溝、18
はこの棒の挿入孔、をそれぞれ示している。
As shown in FIG. 4, these four columns 14 are arranged in line symmetrical positions with respect to the circular upper connecting plate 15 within a range of approximately 180 degrees in the circumferential direction. The portion of the boat 11 opposite to the portion where the columns 14 are arranged constitutes an opening for loading and unloading the wafer W having a diameter of 8 inches. As shown in FIG. 4, a rod 16 is attached to this opening to prevent the wafer W from dropping during heat treatment in a vertical heat treatment furnace after the wafer W is inserted. Reference numeral 17 in FIG. 3 is an insertion groove of the rod 16,
Indicates the insertion hole of this rod, respectively.

【0011】また、図1、図2に示すように、これらの
支柱14には、所定の間隔で支柱の軸線方向に沿って、
複数のウェーハ保持板21が水平面方向にそれぞれ溶着
されている。これらのウェーハ保持板21は、その中央
部をくり抜いた半リング状であり、高純度石英ガラスを
素材としている。すなわち、このウェーハ保持板21
は、所定厚さを有した略C字状の形状である。このウェ
ーハ保持板21の上面にはウェーハWが面接触で載置さ
れ、したがって、このウェーハWは水平面内にて保持さ
れることとなる。ウェーハ保持板21の内径は、保持さ
れるウェーハWの外径より小さいものである。上下のウ
ェーハW同士の間隔が4mm以上で保たれるように、各
ウェーハ保持板21の厚さは形成されている。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the columns 14 are arranged at predetermined intervals along the axial direction of the columns.
A plurality of wafer holding plates 21 are welded in the horizontal direction. These wafer holding plates 21 have a semi-ring shape with a hollowed central portion, and are made of high-purity quartz glass. That is, this wafer holding plate 21
Is a substantially C-shaped shape having a predetermined thickness. The wafer W is placed on the upper surface of the wafer holding plate 21 in surface contact, so that the wafer W is held in a horizontal plane. The inner diameter of the wafer holding plate 21 is smaller than the outer diameter of the wafer W to be held. The thickness of each wafer holding plate 21 is formed so that the distance between the upper and lower wafers W is maintained at 4 mm or more.

【0012】また、ウェーハ保持板21の代わりに、図
6に示すウェーハ保持板22を用いてもよい。このウェ
ーハ保持板22は、ウェーハWとの接触が線接触になる
ように、水平面に対して、その上面が数度、内側上方に
傾斜しているものである。換言すると、コードのウェー
ハ保持板22の断面は略くさび形状であって、支柱14
への固着端である外周縁に対してその内周縁部は厚く形
成されている。
Further, instead of the wafer holding plate 21, a wafer holding plate 22 shown in FIG. 6 may be used. The wafer holding plate 22 is such that the upper surface of the wafer holding plate 22 is inclined upward by a few degrees with respect to the horizontal plane so that the wafer holding plate 22 makes a line contact with the wafer W. In other words, the cross section of the wafer holding plate 22 of the cord has a substantially wedge shape, and
The inner peripheral edge portion is formed thicker than the outer peripheral edge that is the end fixed to the.

【0013】そして、この縦型熱処理炉用ボート11に
ウェーハWを搭載し、所定温度、所定時間の熱処理を施
した結果、該ウェーハWにはスリップが発生しなかっ
た。これは、ウェーハWの支持が、広い範囲の面接触ま
たは線接触になり、ウェーハWの重量を分散して支持す
ることができたからである。なお、ウェーハWのすべり
防止の為、ウェーハ保持板21の上面をサンドブラスト
等により凹凸状に形成してもよい。また、ウェーハ保持
板21を傾けて支柱14に固着し、ウェーハWの落下を
防止するようにしてもよい。例えばウェーハ保持板21
のボート奥側がそのボート前側よりも下方に位置するよ
うに、水平面に対して1〜5゜程度の角度をつけて傾け
てもよい。
Then, the wafer W was loaded on the vertical heat treatment furnace boat 11 and subjected to heat treatment at a predetermined temperature for a predetermined time. As a result, no slip occurred on the wafer W. This is because the wafer W is supported in a wide range of surface contact or line contact, and the weight of the wafer W can be dispersed and supported. In order to prevent the wafer W from slipping, the upper surface of the wafer holding plate 21 may be formed in an uneven shape by sandblasting or the like. Alternatively, the wafer holding plate 21 may be tilted and fixed to the column 14 to prevent the wafer W from falling. For example, the wafer holding plate 21
It may be inclined at an angle of about 1 to 5 ° with respect to the horizontal plane so that the inner side of the boat is positioned lower than the front side of the boat.

【0014】次に、図7〜図8に示す縦型熱処理炉用ボ
ートの第2実施例を説明する。これらの図に示すよう
に、この実施例に係るウェーハ保持板23は半円板であ
り、その直径は、ウェーハWより径が大きく、この点は
第1実施例のウェーハ保持板21と同じである。この半
円板の中央には、矩形状の切欠23Aが形成されてい
る。この切欠23Aは、ウェーハ自動移し換え用のウェ
ーハ保持器を挿入するためのものである。この実施例
は、第1実施例に比較して、ウェーハWとウェーハ保持
板23との接触面積が大きいので、ウェーハWの搭載を
安定させることができる。その他、構成および作用は第
1実施例と同じである。
Next, a second embodiment of the vertical heat treatment furnace boat shown in FIGS. 7 to 8 will be described. As shown in these drawings, the wafer holding plate 23 according to this embodiment is a semi-circular plate, and its diameter is larger than that of the wafer W. This point is the same as the wafer holding plate 21 of the first embodiment. is there. A rectangular notch 23A is formed in the center of the semicircular plate. This notch 23A is for inserting a wafer holder for automatic wafer transfer. In this embodiment, since the contact area between the wafer W and the wafer holding plate 23 is larger than that in the first embodiment, the mounting of the wafer W can be stabilized. Other than that, the configuration and operation are the same as in the first embodiment.

【0015】次いで、図9に示す本発明の第3実施例を
説明する。この図に示すように、この実施例において
は、ウェーハ保持板24は、円板状で、その直径は第1
実施例のウェーハ保持板21と同じである。このウェー
ハ保持板24の一部にも矩形状の切欠24Aが形成され
ている。この切欠24Aにはウェーハ自動移し換え用の
ウェーハ保持器が挿入される。この切欠24Aは上記切
欠23Aより長いものである。この実施例は、第2実施
例に比較して、ウェーハWとウェーハ保持板24との接
触面積がさらに大きいので、ウェーハWの搭載がより安
定する。その他、構成および作用は第1実施例と同じで
ある。
Next, a third embodiment of the present invention shown in FIG. 9 will be described. As shown in this figure, in this embodiment, the wafer holding plate 24 is disk-shaped and its diameter is the first.
This is the same as the wafer holding plate 21 of the embodiment. A rectangular notch 24A is also formed in a part of the wafer holding plate 24. A wafer holder for automatic wafer transfer is inserted into the notch 24A. The cutout 24A is longer than the cutout 23A. In this embodiment, the contact area between the wafer W and the wafer holding plate 24 is larger than that in the second embodiment, so that the mounting of the wafer W is more stable. Other than that, the configuration and operation are the same as in the first embodiment.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ウェーハのスリップ発生を防止することができる。
As described above, according to the present invention, the occurrence of wafer slip can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係るウェーハを保持した
ウェーハ保持板を示す横断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a wafer holding plate holding a wafer according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例に係るウェーハを保持した
ウェーハ保持板を示す縦断面図である。
FIG. 2 is a vertical sectional view showing a wafer holding plate holding a wafer according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1実施例に係るボートを示す正面図
である。
FIG. 3 is a front view showing the boat according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1実施例に係るボートを示す側面図
である。
FIG. 4 is a side view showing the boat according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1実施例に係るボートを示す平面図
である。
FIG. 5 is a plan view showing the boat according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1実施例に係るウェーハを保持した
ウェーハ保持板を示す縦断面図である。
FIG. 6 is a vertical cross-sectional view showing a wafer holding plate holding a wafer according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2実施例に係るウェーハを保持した
ウェーハ保持板を示す横断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a wafer holding plate holding a wafer according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2実施例に係るウェーハを保持した
ウェーハ保持板を示す縦断面図である。
FIG. 8 is a vertical cross-sectional view showing a wafer holding plate holding a wafer according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3実施例に係るウェーハ保持したウ
ェーハ保持板を示す横断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a wafer holding plate holding a wafer according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ボート 12 下側支持板 14 ボート支柱 15 上側連結板 21,22,23,24 ウェーハ保持板(分散手段) W ウェーハ 11 Boat 12 Lower Support Plate 14 Boat Support 15 Upper Connection Plate 21, 22, 23, 24 Wafer Holding Plate (Dispersing Means) W Wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長迫 昭二 東京都千代田区岩本町3丁目8番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shoji Nagasako 3-8-16 Iwamotocho, Chiyoda-ku, Tokyo Sanryo Material Silicon Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の支柱と、 これらの支柱同士を連結する連結部と、 上記各支柱の同じ高さ位置に配設されるウェーハ搭載部
と、を備えた縦型熱処理炉用ボートであって、 上記ウェーハ搭載部は、ウェーハの搭載時、このウェー
ハの重量を分散させる分散手段を有することを特徴とす
る縦型熱処理炉用ボート。
1. A boat for a vertical heat treatment furnace, comprising a plurality of columns, a connecting portion connecting these columns, and a wafer mounting portion arranged at the same height position of each column. A boat for a vertical heat treatment furnace, wherein the wafer mounting section has a dispersing means for dispersing the weight of the wafer when the wafer is mounted.
JP31770192A 1992-11-02 1992-11-02 Boat for vertical heat treatment furnace Pending JPH06151347A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6799940B2 (en) 2002-12-05 2004-10-05 Tokyo Electron Limited Removable semiconductor wafer susceptor
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Effective date: 20010717