JPH06151289A - Magnetic field type electron lens alignment mechanism - Google Patents
Magnetic field type electron lens alignment mechanismInfo
- Publication number
- JPH06151289A JPH06151289A JP4293148A JP29314892A JPH06151289A JP H06151289 A JPH06151289 A JP H06151289A JP 4293148 A JP4293148 A JP 4293148A JP 29314892 A JP29314892 A JP 29314892A JP H06151289 A JPH06151289 A JP H06151289A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- field type
- type electron
- electron lens
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体などの製造工程
に用いる電子ビーム装置の磁界型電子レンズアライメン
ト機構に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic field type electron lens alignment mechanism for an electron beam apparatus used in the manufacturing process of semiconductors and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】可変矩形電子ビーム装置では図８に示す
ように、電子銃８から出射された電子ビームをブランキ
ング電極９と照射レンズ１０の調整により、第１アパー
チャ１１の正方形の開孔を通過させる。通過した電子ビ
ームは、整形偏向器１２と整形レンズ１３により、第２
アパーチャ１４の所望の位置に照射し、この２つのアパ
ーチャ１１，１４を通過することによって整形される。
整形された電子ビーム１５は、縮小レンズ１６によって
縮小され、この縮小された電子ビーム１７が、投影レン
ズ１８と位置決め偏向器１９によって材料上に投影さ
れ、露光パターン２０が描かれる（電子・イオンビーム
ハンドブック，ｐ．４２９，日刊工業新聞社，昭和６１
年）。2. Description of the Related Art In a variable rectangular electron beam apparatus, as shown in FIG. 8, an electron beam emitted from an electron gun 8 is adjusted to a blanking electrode 9 and an irradiation lens 10 to open a square aperture of a first aperture 11. Let it pass. The electron beam that has passed through the shaping deflector 12 and the shaping lens 13 causes a second
It is shaped by irradiating a desired position of the aperture 14 and passing through these two apertures 11 and 14.
The shaped electron beam 15 is reduced by a reduction lens 16, and the reduced electron beam 17 is projected onto a material by a projection lens 18 and a positioning deflector 19 to draw an exposure pattern 20 (electron / ion beam). Handbook, p. 429, Nikkan Kogyo Shimbun, Showa 61
Year).
【０００３】電子ビーム装置を用いて半導体の露光を行
う際、電子ビーム形状の精度が露光精度に影響を与える
ため、ビーム形状の調整は、正確に行う必要がある。電
子ビームの精度を決定する要因の一つにビームの収差が
あり、このビームの収差は、光学系のアライメントによ
って大きく影響される。従来、光学系のアライメント調
整は、概略以下のように行っていた。When a semiconductor is exposed using an electron beam apparatus, the accuracy of the electron beam shape affects the exposure accuracy, and therefore the beam shape must be adjusted accurately. Beam aberration is one of the factors that determine the accuracy of the electron beam, and this beam aberration is greatly affected by the alignment of the optical system. Conventionally, alignment adjustment of an optical system has been performed roughly as follows.
【０００４】まず、電子銃のアライメント調整を行う。
図６に示すように、光軸上に設置されたファラデーケー
ジ（図示せず）に電子銃８からの最大ビーム電流が入射
するようにアライメントコイルを用いて調整を行う。ア
ライメントコイルによってできる調整は、図６（ａ）に
示す水平方向の軸ズレと、図６（ｂ）に示す傾斜方向の
軸ズレとである。First, the alignment of the electron gun is adjusted.
As shown in FIG. 6, adjustment is performed using an alignment coil so that the maximum beam current from the electron gun 8 enters a Faraday cage (not shown) installed on the optical axis. The adjustments made by the alignment coil are the axial misalignment shown in FIG. 6 (a) and the axial misalignment shown in FIG. 6 (b).
【０００５】図８における投影レンズ１８及び投影レン
ズ１８の真下に設置されている絞り（図示せず）によっ
て決められる像位置を基準とし、下段側のレンズからア
ライメントを行う。すなわち、まず照射レンズ１０およ
び整形レンズ１３をＯＦＦとし、露光面上に投影される
ビームクロスオーバー像を見ながら、縮小レンズ１６の
電流を増減させ、クロスオーバー像が図７（ｂ）のよう
に同心円を描くように、図５に示した軸合わせネジ７に
よってレンズ位置を調整する。図５に示すように電子ビ
ームは、真空容器４内を通過するため、真空容器４と磁
界型電子レンズ３の位置との相対位置の調整により、レ
ンズとビームの軸合わせを行える。図７（ａ）のように
同心円を描かないときは、アライメントがズレているこ
とを意味している。Alignment is performed from the lower lens with reference to the image position determined by the projection lens 18 in FIG. 8 and a diaphragm (not shown) installed directly below the projection lens 18. That is, first, the irradiation lens 10 and the shaping lens 13 are turned off, the current of the reduction lens 16 is increased or decreased while observing the beam crossover image projected on the exposure surface, and the crossover image is as shown in FIG. 7B. The lens position is adjusted by the axis adjusting screw 7 shown in FIG. 5 so as to draw a concentric circle. Since the electron beam passes through the vacuum container 4 as shown in FIG. 5, the lens and the beam can be aligned by adjusting the relative position between the vacuum container 4 and the position of the magnetic field type electron lens 3. When the concentric circles are not drawn as shown in FIG. 7A, it means that the alignment is misaligned.
【０００６】軸合わせネジ挿入方向には、図５に示すよ
うにバネ２の力でレンズ３が移動する。図８に示すよう
に縮小レンズ１６の調整後、整形レンズ１３をＯＮにし
縮小レンズの場合と同様にクロスオーバー像が同心円を
描くように調整する。整形レンズ調整後、さらに、照射
レンズ１０をＯＮにし、クロスオーバー像が同心円を描
くように調整する。これにより、レンズ系のアライメン
ト調整は終了する。この場合、アライメントが不完全な
ときには、このアライメント調整を繰り返し行う。As shown in FIG. 5, the lens 3 is moved by the force of the spring 2 in the insertion direction of the axis adjusting screw. As shown in FIG. 8, after the reduction lens 16 is adjusted, the shaping lens 13 is turned on so that the crossover image draws concentric circles as in the case of the reduction lens. After adjusting the shaping lens, the irradiation lens 10 is further turned on, and the crossover image is adjusted so as to draw concentric circles. This completes the alignment adjustment of the lens system. In this case, when the alignment is incomplete, this alignment adjustment is repeated.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
アライメントコイルおよびレンズ軸合わせネジを用いた
調整では、クロスオーバー像が完全に同心円を描くまで
アライメントを行うことができない。However, in general, the adjustment using the alignment coil and the lens axis adjusting screw cannot perform the alignment until the crossover image completely draws concentric circles.
【０００８】これは、軸合わせネジでの調整では、μｍ
単位の精密な調整ができないこと、必ずしもネジの挿入
方向に対して直線状にレンズが移動しないなどの現象が
生じ、高精度にレンズのアライメントをとることができ
ないためであった。This is in μm when adjusting with the axis adjusting screw.
This is because it is not possible to perform precise adjustment of the unit, and the phenomenon that the lens does not move linearly with respect to the insertion direction of the screw occurs, and the lens cannot be accurately aligned.
【０００９】また、アライメントコイルをすべてのレン
ズ前段に設置して、アライメント調整することも可能で
あるが、偏向回数が増え、偏向による収差が増大するた
め、可能な限り、機械的にアライメント調整を行うこと
が望ましい。It is also possible to install an alignment coil in the front stage of all the lenses to adjust the alignment, but since the number of deflections increases and the aberrations due to the deflection increase, the alignment adjustment should be performed mechanically as much as possible. It is desirable to do.
【００１０】本発明の目的は、このような問題を解決
し、電子ビーム光学系アライメントを高精度に機械的に
調整できる磁界型電子レンズアライメント機構を提供す
ることにある。An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a magnetic field type electron lens alignment mechanism capable of mechanically adjusting the electron beam optical system alignment with high accuracy.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る磁界型電子レンズアライメント機構
は、真空容器を通過する電子ビームの軸と、真空容器を
中心として周囲に配置された磁界型電子レンズの光軸と
の軸ズレをアライメント部により修正する磁界型電子レ
ンズアライメント機構であって、アライメント部は、圧
電素子とバネとの組からなり、真空容器の電子ビーム軸
と直交する水平面内での該電子ビーム軸に対する磁界型
電子レンズの光軸の軸ズレを修正するものであり、圧電
素子とバネとの組は、前記水平面内に磁界型電子レンズ
を挾んで向き合わせに設けられ、圧電素子へ印加される
電圧変化に応じて磁界型電子レンズを変位させるもので
ある。In order to achieve the above-mentioned object, a magnetic field type electron lens alignment mechanism according to the present invention has an axis of an electron beam passing through a vacuum container and a magnetic field arranged around the vacuum container. A magnetic field type electron lens alignment mechanism that corrects an axis deviation from the optical axis of the mold electron lens by an alignment unit, wherein the alignment unit is composed of a set of a piezoelectric element and a spring, and is a horizontal plane orthogonal to the electron beam axis of the vacuum container. For correcting the axial deviation of the optical axis of the magnetic field type electron lens with respect to the electron beam axis in the inside, and the set of the piezoelectric element and the spring is provided to face each other by sandwiching the magnetic field type electron lens in the horizontal plane. The magnetic field type electron lens is displaced according to the change in voltage applied to the piezoelectric element.
【００１２】また、真空容器を通過する電子ビームの軸
と、真空容器を中心として周囲に配置された磁界型電子
レンズの光軸との軸ズレをアライメント部により修正す
る磁界型電子レンズアライメント機構であって、アライ
メント部は、対をなす圧電素子の組からなり、真空容器
の電子ビーム軸と直交する水平面内での該電子ビーム軸
に対する磁界型電子レンズの光軸の軸ズレを修正するも
のであり、対をなす圧電素子の組は、前記水平面内に磁
界型電子レンズを挾んで向き合わせに設けられ、印加さ
れる電圧変化に応じて磁界型電子レンズを変位させるも
のである。In addition, a magnetic field type electron lens alignment mechanism for correcting an axial deviation between an axis of an electron beam passing through the vacuum vessel and an optical axis of a magnetic field type electron lens arranged around the vacuum vessel by an alignment section. Therefore, the alignment unit is composed of a pair of piezoelectric elements, and corrects the axial deviation of the optical axis of the magnetic field type electron lens with respect to the electron beam axis in the horizontal plane orthogonal to the electron beam axis of the vacuum container. The pair of piezoelectric elements is provided so as to face each other with the magnetic field type electron lens sandwiched in the horizontal plane, and the magnetic field type electron lens is displaced according to the applied voltage change.
【００１３】また、前記圧電素子とバネとの対、又は圧
電素子の対は、少なくとも前記水平面内での直交する２
軸方向に組み合わされたものである。Further, the pair of the piezoelectric element and the spring or the pair of the piezoelectric elements are orthogonal to each other at least in the horizontal plane.
It is a combination in the axial direction.
【００１４】また、前記アライメント部は、さらに圧電
素子とバネとの組を有し、真空容器の電子ビーム軸に対
する磁界型電子レンズの光軸の傾きを修正するものであ
り、圧電素子とバネとの組は、電子ビーム軸と平行に、
かつ電子ビーム軸に対して径方向に離れた位置に、磁界
型電子レンズを挾んで向き合わせに設けられ、圧電素子
へ印加される電圧変化に応じて磁界型電子レンズの光軸
を電子ビーム軸に対して変位させるものである。The alignment section further has a set of a piezoelectric element and a spring, and corrects the inclination of the optical axis of the magnetic field type electron lens with respect to the electron beam axis of the vacuum container. The set of is parallel to the electron beam axis,
In addition, the magnetic field type electron lens is provided at a position distant from the electron beam axis in a radial direction so as to face each other, and the optical axis of the magnetic field type electron lens is changed to the electron beam axis according to the voltage change applied to the piezoelectric element. Is to be displaced with respect to.
【００１５】また、前記アライメント部は、さらに圧電
素子の対を有し、真空容器の電子ビーム軸に対する磁界
型電子レンズの光軸の傾きを修正するものであり、圧電
素子の対は、電子ビーム軸と平行に、かつ電子ビーム軸
に対して径方向に離れた位置に、磁界型電子レンズを挾
んで向き合わせに設けられ、印加される電圧変化に応じ
て磁界型電子レンズの光軸を電子ビーム軸に対して変位
させるものである。The alignment section further has a pair of piezoelectric elements for correcting the inclination of the optical axis of the magnetic field type electron lens with respect to the electron beam axis of the vacuum container. The magnetic field type electron lens is placed facing each other in parallel with the axis and at a position distant from the electron beam axis in the radial direction, and the optical axis of the magnetic field type electron lens is changed according to the applied voltage. It is to be displaced with respect to the beam axis.
【００１６】また、前記圧電素子とバネとの対、又は圧
電素子の対は、少なくとも３組備えられ、磁界型電子レ
ンズを３点支持して該電子レンズを電子ビーム軸に対し
て変位させるものである。At least three pairs of the piezoelectric element and the spring or the pair of piezoelectric elements are provided, and the magnetic field type electron lens is supported at three points to displace the electron lens with respect to the electron beam axis. Is.
【００１７】[0017]
【作用】圧電素子に電圧を印加することにより、該圧電
素子で磁界型電子レンズを変位させ、該レンズを機械的
にアライメントする。By applying a voltage to the piezoelectric element, the magnetic element type electron lens is displaced by the piezoelectric element and the lens is mechanically aligned.
【００１８】[0018]
【実施例】次に図を参照して本発明の実施例について説
明する。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.
【００１９】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係る磁界型電子レンズアライメント機構を模式的に示す
構成図である。図１に示すように、真空容器４を中心と
して、その周囲に磁界型電子レンズ３が設けられてい
る。さらに、磁界型電子レンズ３の光軸に垂直な面内の
レンズ外周部の互いに直交する２軸方向に圧電素子１が
それぞれ設けられ、圧電素子１と対向する対向面にバネ
２が設けられている。(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic diagram showing a magnetic field type electron lens alignment mechanism according to Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 1, a magnetic field type electron lens 3 is provided around the vacuum container 4 as a center. Further, the piezoelectric elements 1 are respectively provided in the two axial directions of the lens outer peripheral portion in the plane perpendicular to the optical axis of the magnetic field type electronic lens 3, and the springs 2 are provided on the facing surface facing the piezoelectric element 1. There is.
【００２０】圧電素子１に電圧を印加することにより、
高精度に位置制御ができる。圧電素子１は、印加する電
圧に比例して伸縮し、１５０Ｖで約１／１０００の伸縮
を行い、例えば、１０ｍｍ厚の圧電素子の場合、１０μ
ｍの伸縮となる。圧電素子１の伸長方向には、圧電素子
１による力でレンズ３を移動させ、圧電素子１の縮小方
向には、バネ２による力でレンズ３を移動させる。By applying a voltage to the piezoelectric element 1,
Position control can be performed with high accuracy. The piezoelectric element 1 expands and contracts in proportion to the applied voltage and expands and contracts about 1/1000 at 150 V. For example, in the case of a piezoelectric element having a thickness of 10 mm, 10 μ
Expansion and contraction of m. The lens 3 is moved by the force of the piezoelectric element 1 in the extension direction of the piezoelectric element 1, and the lens 3 is moved by the force of the spring 2 in the contraction direction of the piezoelectric element 1.
【００２１】直交する２軸方向に圧電素子１がそれぞれ
設けてあるので、面内で任意の方向にレンズ３を移動さ
せることができる。平面状に任意の方向に移動させるに
は、３軸方向以上に圧電素子１を設けても構わない。ま
た、圧電素子１の伸縮量が小さいため、押しネジと併用
し、押しネジを粗調用，圧電素子を微調用としても構わ
ない。これにより、μｍ単位のレンズ位置調整が可能と
なる。Since the piezoelectric elements 1 are provided in the directions of the two axes orthogonal to each other, the lens 3 can be moved in any direction within the plane. In order to move the piezoelectric element 1 in any direction in a plane, the piezoelectric elements 1 may be provided in three or more axes. Further, since the amount of expansion and contraction of the piezoelectric element 1 is small, it may be used in combination with a push screw so that the push screw is for coarse adjustment and the piezoelectric element is for fine adjustment. This allows lens position adjustment in μm units.
【００２２】（実施例２）図２は、本発明の実施例２に
係る磁界型電子レンズアライメント機構を模式的に示す
構成図である。本実施例は、図１に示したアライメント
機構のバネ２に代えて圧電素子１を配設したものであ
る。本実施例において、対向する２個の圧電素子１，１
には、基準電圧より一方をプラス、他の一方をマイナス
とすることにより、ほぼ同程度の伸長と縮小を得ること
ができる。これにより、圧電素子１のヒステリシスを抑
え、より高精度な制御も可能となり、第１の実施例で示
したレンズ位置制御性を、よりリニアに行うことができ
る。本実施例において、実施例１と同様に押しネジと併
用し、押しネジを粗調用，圧電素子を微調用としても構
わない。(Embodiment 2) FIG. 2 is a schematic view showing a magnetic field type electron lens alignment mechanism according to Embodiment 2 of the present invention. In this embodiment, a piezoelectric element 1 is provided instead of the spring 2 of the alignment mechanism shown in FIG. In this embodiment, two opposing piezoelectric elements 1, 1
By setting one of the reference voltages to be positive and the other to be negative, it is possible to obtain approximately the same degree of expansion and contraction. As a result, the hysteresis of the piezoelectric element 1 can be suppressed, and more precise control can be performed, and the lens position controllability shown in the first embodiment can be performed more linearly. In this embodiment, similarly to the first embodiment, a push screw may be used in combination, the push screw may be used for coarse adjustment, and the piezoelectric element may be used for fine adjustment.
【００２３】（実施例３）図３は、本発明に係る実施例
３のアライメント機構を模式的に示す構成図である。図
では、本発明の実施例２に示したアライメント機構を併
用した場合を示している。本実施例では、軸に平行な方
向にレンズ３の真下に圧電素子５を３つ以上設けてい
る。この圧電素子５により磁界型電子レンズ３の光軸の
傾きのズレを補正できる。圧電素子５の対向面（レンズ
上面）にバネ６を設けても良い。本実施例によれば、レ
ンズ３の光軸の傾きを秒単位で調整できる。本実施例に
おいて、押しネジと併用し、押しネジを粗調用，圧電素
子を微調用としても構わない。(Embodiment 3) FIG. 3 is a schematic diagram showing an alignment mechanism according to Embodiment 3 of the present invention. The figure shows a case where the alignment mechanism shown in the second embodiment of the present invention is used together. In this embodiment, three or more piezoelectric elements 5 are provided directly below the lens 3 in a direction parallel to the axis. The piezoelectric element 5 can correct the deviation of the tilt of the optical axis of the magnetic field type electronic lens 3. The spring 6 may be provided on the opposing surface (upper surface of the lens) of the piezoelectric element 5. According to this embodiment, the inclination of the optical axis of the lens 3 can be adjusted in units of seconds. In the present embodiment, the push screw may be used together, the push screw may be used for coarse adjustment, and the piezoelectric element may be used for fine adjustment.
【００２４】（実施例４）図４は、本発明の実施例４に
係るアライメント機構を模式的に示す構成図である。図
に示すように、本実施例は図３の実施例３に示したアラ
イメント機構のバネ６を圧電素子５に代えたものであ
る。レンズ３を挾んで上下に対向する圧電素子５には、
基準電圧より一方をプラス、他方をマイナスとすること
により、ほぼ同程度の伸長と縮小を得ることができる。
これにより、圧電素子のヒステリシスを抑え、秒単位に
レンズ３の光軸に対する傾きをリニアに制御可能とな
り、高精度なアライメント調整が可能となる。本実施例
において、押しネジと併用し、押しネジを粗調用，圧電
素子を微調用としても構わない。(Embodiment 4) FIG. 4 is a schematic diagram showing an alignment mechanism according to Embodiment 4 of the present invention. As shown in the figure, in this embodiment, the spring 6 of the alignment mechanism shown in the third embodiment of FIG. 3 is replaced with the piezoelectric element 5. The piezoelectric element 5 that is vertically opposed to the lens 3 is
By setting one of the reference voltages to be positive and the other to be negative, approximately the same degree of expansion and contraction can be obtained.
Thereby, the hysteresis of the piezoelectric element can be suppressed, the inclination of the lens 3 with respect to the optical axis can be linearly controlled in units of seconds, and highly accurate alignment adjustment can be performed. In the present embodiment, the push screw may be used together, the push screw may be used for coarse adjustment, and the piezoelectric element may be used for fine adjustment.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明したように本発明の磁界型電子
レンズによれば、高精度なレンズアライメントを機械的
に行うことが可能となり、低収差ビームを得ることが可
能となる。As described above, according to the magnetic field type electron lens of the present invention, highly accurate lens alignment can be mechanically performed and a low aberration beam can be obtained.
【図１】本発明の実施例１に係る磁界型電子レンズアラ
イメント機構を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a magnetic field type electron lens alignment mechanism according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例２に係る磁界型電子レンズアラ
イメント機構を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing a magnetic field type electron lens alignment mechanism according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例３に係る磁界型電子レンズアラ
イメント機構を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a magnetic field type electron lens alignment mechanism according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例４に係る磁界型電子レンズアラ
イメント機構を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a magnetic field type electron lens alignment mechanism according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】従来の磁界型電子レンズアライメント機構を示
す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing a conventional magnetic field type electron lens alignment mechanism.
【図６】従来のアライメントコイルの原理図である。FIG. 6 is a principle diagram of a conventional alignment coil.
【図７】試料面に投影されるクロスオーバー像のアライ
メントによる見え方の変化を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing a change in appearance due to alignment of a crossover image projected on a sample surface.
【図８】可変矩形電子ビーム装置光学系の概略を示した
図である。FIG. 8 is a diagram schematically showing an optical system of a variable rectangular electron beam device.
１ 圧電素子 ２ バネ ３ 磁界型電子レンズ ４ 真空容器 ５ 圧電素子 ６ バネ ７ 軸合わせネジ ８ 電子銃 ９ ブランキング電極 １０ 照射レンズ １１ 第１アパーチャ １２ 整形偏向器 １３ 整形レンズ １４ 第２アパーチャ １５ 整形された矩形ビーム １６ 縮小レンズ １７ 縮小された矩形ビーム １８ 投影レンズ １９ 位置決め偏向器 ２０ 露光パターン 1 piezoelectric element 2 spring 3 magnetic field type electron lens 4 vacuum container 5 piezoelectric element 6 spring 7 axis adjusting screw 8 electron gun 9 blanking electrode 10 irradiation lens 11 first aperture 12 shaping deflector 13 shaping lens 14 second aperture 15 shaped Rectangular beam 16 Reduction lens 17 Reduced rectangular beam 18 Projection lens 19 Positioning deflector 20 Exposure pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/141 Ｚ 37/15 Ｈ０１Ｌ 41/09 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI Technical display location H01J 37/141 Z 37/15 H01L 41/09
Claims (6)
真空容器を中心として周囲に配置された磁界型電子レン
ズの光軸との軸ズレをアライメント部により修正する磁
界型電子レンズアライメント機構であって、 アライメント部は、圧電素子とバネとの組からなり、真
空容器の電子ビーム軸と直交する水平面内での該電子ビ
ーム軸に対する磁界型電子レンズの光軸の軸ズレを修正
するものであり、 圧電素子とバネとの組は、前記水平面内に磁界型電子レ
ンズを挾んで向き合わせに設けられ、圧電素子へ印加さ
れる電圧変化に応じて磁界型電子レンズを変位させるも
のであることを特徴とする磁界型電子レンズアライメン
ト機構。1. An axis of an electron beam passing through a vacuum container,
A magnetic field type electron lens alignment mechanism that corrects the axial misalignment with the optical axis of the magnetic field type electron lens arranged around the vacuum container by the alignment section, and the alignment section consists of a set of a piezoelectric element and a spring. , For correcting the axial misalignment of the optical axis of the magnetic field type electron lens with respect to the electron beam axis in the horizontal plane orthogonal to the electron beam axis of the vacuum container, and the set of the piezoelectric element and the spring is a magnetic field in the horizontal plane. A magnetic field type electron lens alignment mechanism, characterized in that the magnetic field type electron lens is disposed so as to face each other and the magnetic field type electron lens is displaced according to a voltage change applied to the piezoelectric element.
真空容器を中心として周囲に配置された磁界型電子レン
ズの光軸との軸ズレをアライメント部により修正する磁
界型電子レンズアライメント機構であって、 アライメント部は、対をなす圧電素子の組からなり、真
空容器の電子ビーム軸と直交する水平面内での該電子ビ
ーム軸に対する磁界型電子レンズの光軸の軸ズレを修正
するものであり、 対をなす圧電素子の組は、前記水平面内に磁界型電子レ
ンズを挾んで向き合わせに設けられ、印加される電圧変
化に応じて磁界型電子レンズを変位させるものであるこ
とを特徴とする磁界型電子レンズアライメント機構。2. An axis of an electron beam passing through a vacuum container,
A magnetic field type electron lens alignment mechanism that corrects the axial misalignment with the optical axis of the magnetic field type electron lens arranged around the vacuum container by the alignment section, and the alignment section consists of a pair of piezoelectric elements. , For correcting the axial misalignment of the optical axis of the magnetic field type electron lens with respect to the electron beam axis in the horizontal plane orthogonal to the electron beam axis of the vacuum vessel, and the pair of piezoelectric elements is a magnetic field in the horizontal plane. A magnetic field type electron lens alignment mechanism, characterized in that the magnetic field type electron lens is arranged so as to face each other and the magnetic field type electron lens is displaced according to a change in applied voltage.
子レンズアライメント機構であって、 前記圧電素子とバネとの対、又は圧電素子の対は、少な
くとも前記水平面内での直交する２軸方向に組み合わさ
れたものであることを特徴とする磁界型電子レンズアラ
イメント機構。3. The magnetic field type electron lens alignment mechanism according to claim 1, wherein the pair of the piezoelectric element and the spring or the pair of the piezoelectric elements are orthogonal to each other at least in the horizontal plane. A magnetic field type electron lens alignment mechanism characterized by being combined in the axial direction.
の磁界型電子レンズアライメント機構であって、 前記アライメント部は、さらに圧電素子とバネとの組を
有し、真空容器の電子ビーム軸に対する磁界型電子レン
ズの光軸の傾きを修正するものであり、 圧電素子とバネとの組は、電子ビーム軸と平行に、かつ
電子ビーム軸に対して径方向に離れた位置に、磁界型電
子レンズを挾んで向き合わせに設けられ、圧電素子へ印
加される電圧変化に応じて磁界型電子レンズの光軸を電
子ビーム軸に対して変位させるものであることを特徴と
する磁界型電子レンズアライメント機構。4. The magnetic field electron lens alignment mechanism according to claim 1, 2, or 3, wherein the alignment section further includes a set of a piezoelectric element and a spring, and an electron of a vacuum container. It corrects the inclination of the optical axis of the magnetic field type electron lens with respect to the beam axis, and the set of the piezoelectric element and the spring is parallel to the electron beam axis and at a position distant from the electron beam axis in the radial direction. Magnetic field type electron lenses are provided so as to face each other, and the optical axis of the magnetic field type electron lens is displaced with respect to the electron beam axis according to a change in voltage applied to the piezoelectric element. Electronic lens alignment mechanism.
の磁界型電子レンズアライメント機構であって、 前記アライメント部は、さらに圧電素子の対を有し、真
空容器の電子ビーム軸に対する磁界型電子レンズの光軸
の傾きを修正するものであり、 圧電素子の対は、電子ビーム軸と平行に、かつ電子ビー
ム軸に対して径方向に離れた位置に、磁界型電子レンズ
を挾んで向き合わせに設けられ、印加される電圧変化に
応じて磁界型電子レンズの光軸を電子ビーム軸に対して
変位させるものであることを特徴とする磁界型電子レン
ズアライメント機構。5. The magnetic field type electron lens alignment mechanism according to claim 1, claim 2, or claim 3, wherein the alignment section further includes a pair of piezoelectric elements, with respect to an electron beam axis of the vacuum container. This is to correct the tilt of the optical axis of the magnetic field type electron lens, and the pair of piezoelectric elements sandwiches the magnetic field type electron lens at a position parallel to the electron beam axis and separated from the electron beam axis in the radial direction. Therefore, the magnetic field type electron lens alignment mechanism is characterized in that the optical axis of the magnetic field type electron lens is displaced with respect to the electron beam axis according to a change in applied voltage.
子レンズアライメント機構であって、 前記圧電素子とバネとの対、又は圧電素子の対は、少な
くとも３組備えられ、磁界型電子レンズを３点支持して
該電子レンズを電子ビーム軸に対して変位させるもので
あることを特徴とする磁界型電子レンズアライメント機
構。6. The magnetic field type electron lens alignment mechanism according to claim 4, wherein at least three pairs of the piezoelectric element and the spring or the pair of piezoelectric elements are provided, and the magnetic field type electron lens alignment mechanism is provided. A magnetic field type electron lens alignment mechanism characterized in that the lens is supported at three points and the electron lens is displaced with respect to the electron beam axis.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4293148A JPH06151289A (en) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Magnetic field type electron lens alignment mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4293148A JPH06151289A (en) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Magnetic field type electron lens alignment mechanism |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151289A true JPH06151289A (en) | 1994-05-31 |
Family
ID=17791043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4293148A Pending JPH06151289A (en) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Magnetic field type electron lens alignment mechanism |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151289A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001006549A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Nikon Corporation | Exposure method and device therefor |
| EP1557866A1 (en) * | 2004-01-21 | 2005-07-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Beam optical component having a charged particle lens |
| WO2019224895A1 (en) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Charged particle beam device and axis adjustment method therefor |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP4293148A patent/JPH06151289A/en active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001006549A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Nikon Corporation | Exposure method and device therefor |
| EP1557866A1 (en) * | 2004-01-21 | 2005-07-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Beam optical component having a charged particle lens |
| WO2005071709A3 (en) * | 2004-01-21 | 2005-12-15 | Integrated Circuit Testing | Beam optical component having a charged particle lens |
| US8445846B2 (en) | 2004-01-21 | 2013-05-21 | Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh | Beam optical component having a charged particle lens |
| WO2019224895A1 (en) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Charged particle beam device and axis adjustment method therefor |
| CN112189248A (en) * | 2018-05-22 | 2021-01-05 | 株式会社日立高新技术 | Charged particle beam device and axis adjusting method thereof |
| JPWO2019224895A1 (en) * | 2018-05-22 | 2021-05-27 | 株式会社日立ハイテク | Charged particle beam device and its axis adjustment method |
| US11764028B2 (en) | 2018-05-22 | 2023-09-19 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device and axis adjustment method thereof |
| CN112189248B (en) * | 2018-05-22 | 2024-04-02 | 株式会社日立高新技术 | Charged particle beam device and axis adjustment method thereof |
| DE112018007506B4 (en) | 2018-05-22 | 2024-05-16 | Hitachi High-Tech Corporation | Charge carrier beam device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5160021B2 (en) | Particle optical projector | |
| US6323499B1 (en) | Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method | |
| US5864142A (en) | Electron beam exposure apparatus and method of controlling same | |
| US6037601A (en) | Electron beam illumination device, and exposure apparatus with electron beam illumination device | |
| KR20120098627A (en) | Charged particle optical system with multiple beams | |
| US5422490A (en) | Focused ion beam implantation apparatus | |
| US4894549A (en) | Apparatus for demagnification or full-size ion projection lithography | |
| JPH09288991A (en) | Electron beam exposing device | |
| US5631113A (en) | Electron-beam exposure system for reduced distortion of electron beam spot | |
| US4393310A (en) | Method of and device for adjusting a shaped-electron-beam working device | |
| JPS62208632A (en) | Apparatus for ion projector | |
| JPH06151289A (en) | Magnetic field type electron lens alignment mechanism | |
| JPS6042825A (en) | Exposure device by charged beam | |
| JPH08274020A (en) | Projective lithography device by charged particle | |
| US4218621A (en) | Electron beam exposure apparatus | |
| JP4018197B2 (en) | Electron beam exposure method and electron beam exposure apparatus | |
| US4798953A (en) | Electronic beam device for projecting an image of an object on a sample | |
| US20030168617A1 (en) | A projection apparatus for projecting a pattern formed on a mark onto a substrate and a control method for a projection apparatus | |
| JPS5983336A (en) | Device for focusing and deflecting charged particle ray | |
| JP3649008B2 (en) | Electron beam equipment | |
| JPH06338445A (en) | Electron-beam lithography apparatus | |
| JP2001332473A (en) | Charged particle beam aligner and device-manufacturing method using it | |
| JP3529997B2 (en) | Charged particle beam optical element, charged particle beam exposure apparatus and adjustment method thereof | |
| US4492870A (en) | Angular limitation device in a charged particle beam system | |
| JP2815022B2 (en) | Work holder fixing mechanism |