JPH06150358A

JPH06150358A - マルチビーム光ピックアップの光量検出装置

Info

Publication number: JPH06150358A
Application number: JP4295893A
Authority: JP
Inventors: Tatsuaki Sakurai; 樹明桜井
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1992-11-05
Filing date: 1992-11-05
Publication date: 1994-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】マルチビーム光ピックアップの各ビームの光量
検出を高精度に行なう装置を提供する。【構成】本装置は、光源からの２ビームの和光量を受光
する二分割受光素子１と、２ビームのうち低パワービー
ム２の光量を検出するためのＩ−Ｖ変換回路６と、該Ｉ
−Ｖ変換回路６に接続されたサンプルホールド回路８
と、２ビームのうち高パワービーム３の光量を検出する
ためのＩ−Ｖ変換回路７と、該Ｉ−Ｖ変換回路７に接続
されたサンプルホールド回路９と、Ｉ−Ｖ変換回路７の
出力とサンプルホールド回路９の出力の差をとる差動増
幅器10とを有し、Ｉ−Ｖ変換回路６のゲインをＩ−Ｖ変
換回路７より大きくし、低パワービームのみが点灯して
いる時に両サンプルホールド回路８，９をサンプルモー
ドとし、サンプルホールド回路８の出力から低パワービ
ームの光量を得て、差動増幅器10の出力から高パワービ
ームの光量を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク装置等の光
情報記録再生装置における光ピックアップに関し、特
に、同一チップ上に二つの発光点を持つマルチビーム半
導体レーザを光源とするマルチビーム光ピックアップの
光量検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、光ディスク装置は記録直後に書
き込んだ情報が正しく書けたか否かを確認する動作を行
なうため、ハードディスク装置に比較して処理時間が長
いという欠点がある。この欠点を解決するために、同一
チップ上に二つの発光点を持つマルチビーム半導体レー
ザを光源とするマルチビーム光ピックアップが提案され
ている。このマルチビーム光ピックアップでは、複数の
ビームを同一トラック上に集光して、１つのビームで記
録を行なうと殆ど同時に別のビームで書き込んだ情報を
再生する。この方式では、記録と確認再生が同時に行な
えるので記録モードに要する時間が短縮されるという長
所を有する。

【０００３】ここで、図７に従来のマルチビーム（２ビ
ーム）光ピックアップを示す。図７において、半導体レ
ーザ101 は二つの発光点101A、101Bを有し、二つの光束
（ビーム）を発光する。そしてこれらの光束をコリメー
トレンズ102 により平行光にし、ビームスプリッタ103
で反射した光束を対物レンズ104 で集光し、光ディスク
等の情報記録媒体105 上に二つの光スポット106A，106B
を形成する。２ビームのうち、破線で示したビームから
作られるスポット106Aが先行スポットであり、記録時に
は所定パワーで情報に応じて変調される。一方、実線で
示したビームはスポット106Bを形成し、記録モード時の
確認再生（ベリファイ）のために使用される。

【０００４】情報記録媒体105 からの反射光は再び対物
レンズ104 を通り、ビームスプリッタ103 を通り、検出
光学系の第１の集光レンズ107 で集光される。そして、
集光点近傍に設置された反射ミラー109 により実線で示
した再生用ビームのみが反射される。また、破線で示し
た記録用ビームは第２の集光レンズ110 により再び集光
され、公知のナイフエッジ法により焦点検出が、また、
公知のプッシュプル法によりトラック検出がなされる。
すなわち、プリズムミラー111 がナイフエッジであり、
これにより反射した光束からトラック検出用受光素子11
2 によりトラック信号が得られ、また、プリズムミラー
111 で反射されない光束を焦点検出用受光素子113 で受
光してフォーカス信号が得られる。そして、これらトラ
ック及びフォーカス信号により記録ビームにサーボをか
け、トラッキング制御、フォーカシング制御を行なう。
また、前述した反射ミラー109 により反射した実線の光
束（再生ビーム）は、再生信号検出用受光素子114 に入
射し、再生信号が得られる。そして、上記方法により記
録時のベリファイが可能となる。

【０００５】ところで、半導体レーザ101 の各発光点の
発光パワーを検出するためには、例えば、図８のように
集光レンズ200 と二分割受光素子201 を追加し、調整す
ることにより行なう必要があった。しかし、二つのビー
ム（記録ビーム、再生ビーム）を分割し二分割受光素子
の各受光面にそれぞれ受光させるためには光学系が複雑
になり且つ調整も難しいという欠点がある。このため、
特開昭63−304436号公報記載の技術のように、１つの受
光素子（図７の115 ）により二つのビームの和光量を求
め、これからそれぞれのビームの光量を求める方法が提
案されている。すなわち上記公報記載の技術では、二つ
のビームを１つの受光素子で受光し、この受光素子の出
力の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換をまず行なう。この時、
再生用ビームのみ点灯しているときのＩ−Ｖ変換出力を
サンプルホールド回路に入力してサンプリングし、記録
用ビームの点灯と共にサンプルホールド回路をホールド
状態として再生用ビームの発光パワーを検出する。そし
て、記録用ビームの光量は和光量のＩ−Ｖ変換出力から
上記ホールド出力を差し引くことにより求める。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記発
光パワーの検出方法には次のような欠点がある。一般的
に再生パワーと記録パワーの比率は５〜１０倍程度あ
り、再生用ビームの信号検出時は十分な信号振幅がとれ
ず、初段のＩ−Ｖ変換回路及びサンプルホールド回路に
は低ドリフトのものを使用する必要がある。例えば、図
９のように、受光素子115 （図７の受光素子115 に該
当）は入射光量に応じて光電流を生じるが、再生用ビー
ムにより生じる光電流をＩ_R 、再生用ビームと記録用ビ
ームの和光量で生じる光電流をＩ_RWとする。この光電流
をＩ−Ｖ変換回路301 により電流−電圧変換するが、Ｉ
−Ｖ変換した結果は常に受光素子115 に入射したした光
量に比例している必要がある。このため光電流Ｉ_RWが流
れた時、Ｉ−Ｖ変換回路の出力（−Ｉ_RW×Ｒ₁ ）がオペ
アンプ302 の電源電圧とオペアンプ302 の特性から定ま
る所定電圧範囲内にある必要があり、抵抗Ｒ₁ の値の最
下値は制限される。一方、再生用ビームのみのときはＩ
_R であり、例えば、Ｉ_R はＩ_RWの1/10であるので、Ｉ−
Ｖ変換回路301 の出力は両ビームが点灯している時の1/
10でしかない。このためオペアンプ302 のオフセット電
圧やオフセット電圧のドリフト、また、次段につながる
サンプルホールド回路のオフセットの影響を非常に受け
やすくなる。

【０００７】本発明は上記事情に鑑みなされたものであ
って、上述の従来技術の欠点を解消し、マルチビーム光
ピックアップの各ビームの光量検出を高精度に行なうこ
とのできる光量検出装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、同一チップ上に二つの発光点を
持つマルチビーム半導体レーザを光源とするマルチビー
ム光ピックアップの光量を検出する装置であって、二つ
のビームの和光量を受光する二分割の受光素子と、二つ
のビームのうち比較的低パワーを検出するための第一の
電流−電圧変換回路と、この第一の電流−電圧変換回路
に接続された第一のサンプルホールド回路と、二つのビ
ームのうち比較的高パワーを検出するための第二の電流
−電圧変換回路と、この第二の電流−電圧変換回路に接
続された第二のサンプルホールド回路と、上記第二の電
流−電圧変換回路出力と上記第二のサンプルホールド回
路出力の差をとる差動増幅器とを有し、上記第一の電流
−電圧変換回路のゲインを上記第二の電流−電圧変換回
路より大きくし、比較的低パワーのビームのみが点灯し
ている時に上記第一及び第二のサンプルホールド回路を
サンプルモードとし、上記第一のサンプルホールド回路
出力から比較的低パワーのビームの光量を得て、上記差
動増幅器出力から比較的高パワーのビームの光量を得る
ことを特徴とする。

【０００９】請求項２の発明は、同一チップ上に二つの
発光点を持つマルチビーム半導体レーザを光源とするマ
ルチビーム光ピックアップの光量を検出する装置であっ
て、二つのビームの和光量を約二分するハーフミラー
と、該ハーフミラーで分かれた光束をそれぞれ受光する
二つの受光素子と、二つのビームのうち比較的低パワー
を検出するための第一の電流−電圧変換回路と、この第
一の電流−電圧変換回路に接続された第一のサンプルホ
ールド回路と、二つのビームのうち比較的高パワーを検
出するための第二の電流−電圧変換回路と、この第二の
電流−電圧変換回路に接続された第二のサンプルホール
ド回路と、上記第二の電流−電圧変換回路出力と上記第
二のサンプルホールド回路出力の差をとる差動増幅器と
を有し、上記第一の電流−電圧変換回路のゲインを上記
第二の電流−電圧変換回路より大きくし、比較的低パワ
ーのビームのみが点灯している時に上記第一及び第二の
サンプルホールド回路をサンプルモードとし、上記第一
のサンプルホールド回路出力から比較的低パワーのビー
ムの光量を得て、上記差動増幅器出力から比較的高パワ
ーのビームの光量を得ることを特徴とする。

【００１０】請求項３の発明は、請求項１もしくは請求
項２記載のマルチビーム光ピックアップの光量検出装置
において、第一の電流−電圧変換回路にリミッタを備え
たことを特徴とする。

【００１１】請求項４の発明は、請求項１もしくは請求
項２記載のマルチビーム光ピックアップの光量検出装置
において、比較的低パワーを検出するための第一の電流
−電圧変換回路に接続されている受光部もしくは受光素
子に二つのビームの和光量を多く入射したことを特徴と
する。

【００１２】

【作用】請求項１のマルチビーム光ピックアップの光量
検出装置においては、再生用ビームと記録用ビームの二
つのビームを分離すること無く二分割の受光素子で受光
し、比較的低パワーの再生用ビームの発光パワーを検出
する側の電流−電圧変換回路の帰還抵抗の値を大きく
し、電流−電圧変換回路に接続されたサンプルホールド
回路は、再生用ビームだけが点灯しているときに電流−
電圧変換回路の出力をサンプリングし、再生用ビームと
記録用ビームの両方が点灯しているときはホールドして
いるので再生用ビームの光量が高精度に検出できる。ま
た、比較的高パワーの記録用ビームの発光パワーを検出
する側の電流−電圧変換回路には再生用のサンプルホー
ルド回路と同一タイミングで動作するサンプルホールド
回路と差動増幅器が接続され、該差動増幅器で電流−電
圧変換回路出力とサンプルホールド回路出力の差をとっ
ているので記録用ビームの光量も検出できる（再生用ビ
ームと記録用ビームの両方が点灯しているときは、第二
の電流−電圧変換回路出力は和光量であり、第二のサン
プルホールド回路出力は再生用ビーム光量のホールド値
であるため、差動増幅器の出力は記録用ビームの光量
（＝和光量−再生用ビーム光量）となる）。

【００１３】請求項２のマルチビーム光ピックアップの
光量検出装置においては、再生用ビームと記録用ビーム
の二つのビームを分離すること無く二つの受光素子で受
光し、比較的低パワーの再生用ビームの発光パワーを検
出する側の電流−電圧変換回路の帰還抵抗の値を大きく
し、電流−電圧変換回路に接続されたサンプルホールド
回路は、再生用ビームだけが点灯しているときに電流−
電圧変換回路の出力をサンプリングし、再生用ビームと
記録用ビームの両方が点灯しているときはホールドして
いるので再生用ビームの光量が高精度に検出できる。ま
た、比較的高パワーの記録用ビームの発光パワーを検出
する側の電流−電圧変換回路には再生用のサンプルホー
ルド回路と同一タイミングで動作するサンプルホールド
回路と差動増幅器が接続され、該差動増幅器で電流−電
圧変換回路出力とサンプルホールド回路出力の差をとっ
ているので記録用ビームの光量も検出できる。

【００１４】請求項３のマルチビーム光ピックアップの
光量検出装置においては、再生用ビームと記録用ビーム
の二つのビームを分離すること無く二分割あるいは二つ
の受光素子で受光し、比較的低パワーの再生用ビームの
発光パワーを検出する側の電流−電圧変換回路の帰還抵
抗の値を大きくし、電流−電圧変換回路に接続されたサ
ンプルホールド回路は、再生用ビームだけが点灯してい
るときに電流−電圧変換回路の出力をサンプリングし、
再生用ビームと記録用ビームの両方が点灯しているとき
はホールドしており、また電流−電圧変換回路にリミッ
タを入れたので再生用ビームの光量が常に高精度に検出
できる。また、比較的高パワーの記録用ビームの発光パ
ワーを検出する側の電流−電圧変換回路には再生用のサ
ンプルホールド回路と同一タイミングで動作するサンプ
ルホールド回路と差動増幅器が接続され、該差動増幅器
で電流−電圧変換回路出力とサンプルホールド回路出力
の差をとっているので記録用ビームの光量も検出でき
る。

【００１５】請求項４のマルチビーム光ピックアップの
光量検出装置においては、再生用ビームと記録用ビーム
の二つのビームを分離すること無く二分割あるいは二つ
の受光素子で受光し、比較的低パワーの再生用ビームの
発光パワーを検出する側の受光部もしくは受光素子に光
量を多く入射し、電流−電圧変換回路に接続されたサン
プルホールド回路は、再生用ビームだけが点灯している
ときに電流−電圧変換回路の出力をサンプリングし、再
生用ビームと記録用ビームの両方が点灯しているときは
ホールドしているので再生用ビームの光量が高精度に検
出できる。また比較的高パワーの記録用ビームの発光パ
ワーを検出する側の電流−電圧変換回路には再生用のサ
ンプルホールド回路と同一タイミングで動作するサンプ
ルホールド回路と差動増幅器が接続され、該差動増幅器
で電流−電圧変換回路出力とサンプルホールド回路出力
の差をとっているので記録用ビームの光量も検出でき
る。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。［実施例１］図１，２は請求項１の一実施例を示す図で
あって、図１は本発明を応用するマルチビーム光ピック
アップの一例を示す光学系の概略構成図であり、図２は
図１に示す受光素子１に入射した光を検出するための光
量検出装置の回路部分の概略構成を示す図である。尚、
図１において図７と同符号を付したものは同一の機能を
持つ構成部材であり、また、図１に示す光ピックアップ
の記録／再生等の動作は前述の図７の説明と同様なので
説明を省略し、ここでは、受光素子１に入射した光の光
量検出について説明する。

【００１７】図１において、半導体レーザ101 の二つの
発光点101A、101Bが点灯し、記録用ビームと再生用ビー
ムの両方が出射されている場合には、受光素子１には、
図２の受光素子１上に示したように、ビーム（Ａ）２、
ビーム（Ｂ）３のように二つのビームが照射される。
尚、ビーム（Ａ）２は再生用ビームの照射位置であり、
ビーム（Ｂ）３は記録用ビームのものである。また、受
光素子１は受光部（Ａ）４と受光部（Ｂ）５とに分かれ
ており、それぞれ入射光量に応じて光電流Ｉ_A ，Ｉ_B を
発生する。この光電流Ｉ_A 及びＩ_B をＩ−Ｖ変換回路
（Ａ）６とＩ−Ｖ変換回路（Ｂ）７に入力する。また、
Ｉ−Ｖ変換回路（Ａ）６の出力はサンプルホールド回路
（Ａ）８に入力する。サンプルホールド回路（Ａ）８は
再生用ビームのみが点灯しているときにサンプルモード
となり、再生用及び記録用ビームの両方が点灯している
ときはホールドモードとなる。これにより、再生用ビー
ムの光量検出ができる。また、Ｉ−Ｖ変換回路（Ｂ）７
の出力はサンプルホールド回路（Ｂ）９と差動増幅器10
に入力され、サンプルホールド回路（Ｂ）９はサンプル
ホールド回路（Ａ）８と同一のタイミングでサンプルホ
ールドが繰り返される。サンプルホールド回路（Ｂ）９
の出力は、差動増幅器10に接続され、これにより記録用
ビームの光量検出ができる。すなわち、再生用ビーム及
び記録用ビームの両方が点灯しているときは、Ｉ−Ｖ変
換回路（Ｂ）７の出力は再生用ビームと記録用ビームの
和光量であり、サンプルホールド回路（Ｂ）９の出力は
再生用ビーム光量のホールド値であるため、差動増幅器
10の出力は記録用ビームの光量（＝和光量−再生用ビー
ム光量）となる。

【００１８】ここでＩ−Ｖ変換回路（Ａ）６はオペアン
プ（Ａ）13と帰還抵抗11で構成されＩ−Ｖ変換回路
（Ｂ）７はオペアンプ（Ｂ）と帰還抵抗12で構成されて
いるが、各Ｉ−Ｖ変換回路６，７の帰還抵抗11，12をＲ
_A ，Ｒ_B とした場合、Ｒ_A＞Ｒ_Bとする。例えば、記録用
ビームの光量が再生用ビームの５倍となる場合には、Ｒ
_AをＲ_B の約６倍に設定する。これにより、再生用ビー
ムのみしか点灯していない場合でも、Ｉ−Ｖ変換回路
（Ａ）６はオペアンプ（Ａ）13の出力電圧範囲を有効に
使えるので、オペアンプ（Ａ）13やサンプルホールド回
路（Ａ）８のオフセット電圧などに影響されにくい再生
用ビームのパワーが検出できる。尚、Ｒ_B は、再生用ビ
ーム及び記録用ビームが両方点灯していても、Ｉ−Ｖ変
換回路（Ｂ）７の出力電圧範囲を越えないように設定す
ることは言うまでもない。

【００１９】［実施例２］図３，４に請求項２の実施例
を示す。図３は本発明を応用するマルチビーム光ピック
アップの一例を示す光学系の概略構成図であり、図３に
おいて図７と同符号を付したものは同一の機能を持つ構
成部材であり、また、図３に示す光ピックアップの記録
／再生等の動作は前述の図７の説明と同様なので説明を
省略する。図３において、符号20はハーフミラー、21，
22は受光素子であり、半導体レーザ101 の二つの発光点
101A、101Bから出射され、ビームスプリッタ103 を透過
した光はハーフミラー20により二つに分けられ、受光素
子（Ａ）21と受光素子（Ｂ）22に入射する。それぞれの
受光素子には、図４に示すようにビーム（Ｃ）23，25と
ビーム（Ｄ）24，26が照射されるが、各受光素子21，22
の出力を図２と同様の光量検出回路を用いて２系統のＩ
−Ｖ変換回路６，７に入力することにより、実施例１と
全く同様にして再生用ビームと記録用ビームの光量が求
められる。

【００２０】［実施例３］請求項３の実施例を図５に示
す。図５は図２の光量検出回路において、再生用ビーム
の光量検出に用いるＩ−Ｖ変換回路（Ａ）６にリミッタ
30を設けたものである。これは、Ｉ−Ｖ変換回路（Ａ）
６側はゲインが大きく（Ｒ_A が大きい）なっているた
め、再生用ビーム及び記録用ビームの両方が入射した場
合には、出力電圧範囲を越えるため（オペアンプ（Ａ）
13が飽和する)、これを防止するものである。これによ
りオペアンプ（Ａ）13が飽和しないので、常に正確な再
生用ビームのパワー検出が可能となる（オペアンプ
（Ａ）13が一度飽和すると、再生用ビームだけの入射に
なっても復帰に時間がかかる）。

【００２１】［実施例４］請求項４の実施例を図６に示
す。図６は請求項１の実施例において図２に示した二分
割の受光素子１の受光部（Ａ）４側に光量が多く入るよ
うに受光素子１を配置したものである。例えば、記録用
ビーム３の光量が再生用ビーム２の光量の約５倍のと
き、受光部（Ａ）４に入る光量が受光部（Ｂ）５に入る
光量の約５倍に設定する。ここで、Ｉ−Ｖ変換回路
（Ａ）６とＩ−Ｖ変換回路（Ｂ）７の帰還抵抗（Ｒ_A，
Ｒ_B）11，12をほぼ同じ抵抗値にすることによって、再
生ビームの光量を検出するときに、Ｉ−Ｖ変換回路
（Ａ）６の出力電圧範囲を請求項１と同様に有効に利用
できるので、オペアンプ（Ａ）13やサンプルホールド回
路（Ａ）８のオフセット電圧に影響されにくいパワー検
出が可能となる。

【００２２】

【発明の効果】以上、実施例に基づいて説明したよう
に、請求項１のマルチビーム光ピックアップの光量検出
装置においては、再生用ビームと記録用ビームの二つの
ビームを分離すること無く二分割の受光素子で受光し、
比較的低パワーの再生用ビームの発光パワーを検出する
側の電流−電圧変換回路の帰還抵抗の値を大きくし、電
流−電圧変換回路に接続されたサンプルホールド回路
は、再生用ビームだけが点灯しているときに電流−電圧
変換回路の出力をサンプリングし、再生用ビームと記録
用ビームの両方が点灯しているときはホールドしている
ので再生用ビームの光量が高精度に検出できる。また、
比較的高パワーの記録用ビームの発光パワーを検出する
側の電流−電圧変換回路には再生用のサンプルホールド
回路と同一タイミングで動作するサンプルホールド回路
と差動増幅器が接続され、該差動増幅器で電流−電圧変
換回路出力とサンプルホールド回路出力の差をとってい
るので記録用ビームの光量も検出できる。従って、請求
項１の発明によれば、再生用ビームと記録用ビームの二
つのビームを分離すること無く、マルチビーム光ピック
アップの各ビームの光量検出を高精度に行なうことので
きる光量検出装置を提供することができる。

【００２３】請求項２のマルチビーム光ピックアップの
光量検出装置においては、再生用ビームと記録用ビーム
の二つのビームを分離すること無く二つの受光素子で受
光し、比較的低パワーの再生用ビームの発光パワーを検
出する側の電流−電圧変換回路の帰還抵抗の値を大きく
し、電流−電圧変換回路に接続されたサンプルホールド
回路は、再生用ビームだけが点灯しているときに電流−
電圧変換回路の出力をサンプリングし、再生用ビームと
記録用ビームの両方が点灯しているときはホールドして
いるので再生用ビームの光量が高精度に検出できる。ま
た、比較的高パワーの記録用ビームの発光パワーを検出
する側の電流−電圧変換回路には再生用のサンプルホー
ルド回路と同一タイミングで動作するサンプルホールド
回路と差動増幅器が接続され、該差動増幅器で電流−電
圧変換回路出力とサンプルホールド回路出力の差をとっ
ているので記録用ビームの光量も検出できる。従って、
請求項２の発明によれば、再生用ビームと記録用ビーム
の二つのビームを分離すること無く、マルチビーム光ピ
ックアップの各ビームの光量検出を高精度に行なうこと
のできる光量検出装置を提供することができる。

【００２４】請求項３のマルチビーム光ピックアップの
光量検出装置においては、再生用ビームと記録用ビーム
の二つのビームを分離すること無く二分割あるいは二つ
の受光素子で受光し、比較的低パワーの再生用ビームの
発光パワーを検出する側の電流−電圧変換回路の帰還抵
抗の値を大きくし、電流−電圧変換回路に接続されたサ
ンプルホールド回路は、再生用ビームだけが点灯してい
るときに電流−電圧変換回路の出力をサンプリングし、
再生用ビームと記録用ビームの両方が点灯しているとき
はホールドしており、また電流−電圧変換回路にリミッ
タを入れたので再生用ビームの光量が常に高精度に検出
できる。また、比較的高パワーの記録用ビームの発光パ
ワーを検出する側の電流−電圧変換回路には再生用のサ
ンプルホールド回路と同一タイミングで動作するサンプ
ルホールド回路と差動増幅器が接続され、該差動増幅器
で電流−電圧変換回路出力とサンプルホールド回路出力
の差をとっているので記録用ビームの光量も検出でき
る。従って、請求項３の発明によれば、再生用ビームと
記録用ビームの二つのビームを分離すること無く、マル
チビーム光ピックアップの各ビームの光量検出を高精度
に行なうことのできる光量検出装置を提供することがで
きる。

【００２５】請求項４のマルチビーム光ピックアップの
光量検出装置においては、再生用ビームと記録用ビーム
の二つのビームを分離すること無く二分割あるいは二つ
の受光素子で受光し、比較的低パワーの再生用ビームの
発光パワーを検出する側の受光部もしくは受光素子に光
量を多く入射し、電流−電圧変換回路に接続されたサン
プルホールド回路は、再生用ビームだけが点灯している
ときに電流−電圧変換回路の出力をサンプリングし、再
生用ビームと記録用ビームの両方が点灯しているときは
ホールドしているので再生用ビームの光量が高精度に検
出できる。また、比較的高パワーの記録用ビームの発光
パワーを検出する側の電流−電圧変換回路には再生用の
サンプルホールド回路と同一タイミングで動作するサン
プルホールド回路と差動増幅器が接続され、該差動増幅
器で電流−電圧変換回路出力とサンプルホールド回路出
力の差をとっているので記録用ビームの光量も検出でき
る。従って、請求項４の発明によれば、再生用ビームと
記録用ビームの二つのビームを分離すること無く、マル
チビーム光ピックアップの各ビームの光量検出を高精度
に行なうことのできる光量検出装置を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１の実施例を示す図であって、本発明を
応用するマルチビーム光ピックアップの一例を示す概略
構成図である。

【図２】請求項１の実施例を示す図であって、光量検出
装置の回路部分の概略構成を示す回路図である。

【図３】請求項２の実施例を示す図であって、本発明を
応用するマルチビーム光ピックアップの一例を示す概略
構成図である。

【図４】請求項２の実施例を示す図であって、図３に示
す光量検出用の二つの受光素子とそれらに入射する光束
の説明図である。

【図５】請求項３の実施例を示す図であって、図２に示
す光量検出回路の再生用ビームの光量検出に用いられる
Ｉ−Ｖ変換回路にリミッタを設けたときの状態を示す回
路図である。

【図６】請求項４の実施例を示す受光素子の説明図であ
る。

【図７】従来技術の一例を示すマルチビーム光ピックア
ップの概略構成図である。

【図８】従来技術の別の例を示すマルチビーム光ピック
アップの概略構成図である。

【図９】従来技術による光量検出の説明図であって、光
量検出用のＩ−Ｖ変換回路の一例を示す回路図である。

【符号の説明】

１・・・二分割受光素子２・・・ビーム（Ａ）（再生用ビームの照射位置）３・・・ビーム（Ｂ）（記録用ビームの照射位置）４・・・受光部（Ａ）５・・・受光部（Ｂ）６・・・第一の電流−電圧変換回路（Ｉ−Ｖ変換回路
（Ａ））７・・・第二の電流−電圧変換回路（Ｉ−Ｖ変換回路
（Ｂ））８・・・第一のサンプルホールド回路（Ａ）９・・・第二のサンプルホールド回路（Ｂ） 10・・・差動増幅器 11・・・帰還抵抗（Ｒ_A） 12・・・帰還抵抗（Ｒ_B） 13・・・オペアンプ（Ａ） 14・・・オペアンプ（Ｂ） 20・・・ハーフミラー 21・・・受光素子（Ａ） 22・・・受光素子（Ｂ） 23，25・・・ビーム（Ｃ）（記録用ビームの照射位置） 24，26・・・ビーム（Ｄ）（再生用ビームの照射位置） 30・・・リミッタ 101 ・・・半導体レーザ 101A，101B・・・発光点 102 ・・・コリメートレンズ 103 ・・・ビームスプリッタ 104 ・・・対物レンズ 105 ・・・情報記録媒体 106A，106B・・光スポット 107 ・・・第１の集光レンズ 109 ・・・反射ミラー 110 ・・・第２の集光レンズ 111 ・・・プリズムミラー 112 ・・・トラック検出用受光素子 113 ・・・焦点検出用受光素子 114 ・・・再生信号検出用受光素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】同一チップ上に二つの発光点を持つマルチ
ビーム半導体レーザを光源とするマルチビーム光ピック
アップの光量を検出する装置であって、二つのビームの和光量を受光する二分割の受光素子と、
二つのビームのうち比較的低パワーを検出するための第
一の電流−電圧変換回路と、この第一の電流−電圧変換
回路に接続された第一のサンプルホールド回路と、二つ
のビームのうち比較的高パワーを検出するための第二の
電流−電圧変換回路と、この第二の電流−電圧変換回路
に接続された第二のサンプルホールド回路と、上記第二
の電流−電圧変換回路出力と上記第二のサンプルホール
ド回路出力の差をとる差動増幅器とを有し、上記第一の
電流−電圧変換回路のゲインを上記第二の電流−電圧変
換回路より大きくし、比較的低パワーのビームのみが点
灯している時に上記第一及び第二のサンプルホールド回
路をサンプルモードとし、上記第一のサンプルホールド
回路出力から比較的低パワーのビームの光量を得て、上
記差動増幅器出力から比較的高パワーのビームの光量を
得ることを特徴とするマルチビーム光ピックアップの光
量検出装置。
【請求項２】同一チップ上に二つの発光点を持つマルチ
ビーム半導体レーザを光源とするマルチビーム光ピック
アップの光量を検出する装置であって、二つのビームの和光量を約二分するハーフミラーと、該
ハーフミラーで分かれた光束をそれぞれ受光する二つの
受光素子と、二つのビームのうち比較的低パワーを検出
するための第一の電流−電圧変換回路と、この第一の電
流−電圧変換回路に接続された第一のサンプルホールド
回路と、二つのビームのうち比較的高パワーを検出する
ための第二の電流−電圧変換回路と、この第二の電流−
電圧変換回路に接続された第二のサンプルホールド回路
と、上記第二の電流−電圧変換回路出力と上記第二のサ
ンプルホールド回路出力の差をとる差動増幅器とを有
し、上記第一の電流−電圧変換回路のゲインを上記第二
の電流−電圧変換回路より大きくし、比較的低パワーの
ビームのみが点灯している時に上記第一及び第二のサン
プルホールド回路をサンプルモードとし、上記第一のサ
ンプルホールド回路出力から比較的低パワーのビームの
光量を得て、上記差動増幅器出力から比較的高パワーの
ビームの光量を得ることを特徴とするマルチビーム光ピ
ックアップの光量検出装置。
【請求項３】請求項１もしくは請求項２記載のマルチビ
ーム光ピックアップの光量検出装置において、第一の電
流−電圧変換回路にリミッタを備えたことを特徴とする
マルチビーム光ピックアップの光量検出装置
【請求項４】請求項１もしくは請求項２記載のマルチビ
ーム光ピックアップの光量検出装置において、比較的低
パワーを検出するための第一の電流−電圧変換回路に接
続されている受光部もしくは受光素子に二つのビームの
和光量を多く入射したことを特徴とするマルチビーム光
ピックアップの光量検出装置。