JPH0613709A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高い歩留りで自励発振が得られ、かつ良好な
特性と信頼性を有する半導体レーザ装置及びその製造方
法を得ることを目的とする。 【構成】 活性層３上に材料組成の異なるクラッド層
４，５ａを少なくとも２層以上積層し、活性層上にエッ
チングにより凸状のリッジストライプ１３を設け、リッ
ジ側面より選択エッチングにより上記２層のクラッド層
の上側部をサイドエッチングすることにより部分的にリ
ッジの幅を狭くする。 【効果】 高い歩留りで自励発振が得られ、かつ良好な
特性と信頼性を有する半導体レーザ装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は光ディスク装置等に用
いる光源として好適な低雑音特性を有する半導体レーザ
装置及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ディジタル・オーディオ・ディスク（Ｄ
ＡＤ）やビデオディスク（ＶＤ）用光源あるいはアナロ
グ信号伝送用光源として基本横モード発振に優れた半導
体レーザ装置が求められており、このため種々の装置が
提供されている。

【０００３】ところが、通常の半導体レーザ装置を光デ
ィスク装置の光源として用いた場合、ディスク面で反射
される戻り光によって誘起される、いわゆる戻り光雑音
が大きくなってしまうという問題点があった。戻り光雑
音を低減する１つの方法として、活性領域に可飽和吸収
体を設けて自励振を発生させる方法が提案されている。

【０００４】このような自励発振レーザを制御性，量産
性に優れた有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）や分子線
成長法（ＭＢＥ）等の気相エピタキシャル成長法により
作製することが歩留向上，コスト低減につながると考え
られる。

【０００５】図４は、例えば特開平１−２３８９１３号
に示されたロスガイド機構を有する従来の半導体レーザ
装置を示す断面図であり、図において、１はｎ型ＧａＡ
ｓ基板、２はｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ下クラッド層、３
はｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性層（ｙ＜ｘ）、４はｐ型
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ上クラッド層、６はｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、７は光導波路、８はｎ型ＧａＡｓ電流阻止
層、１０はｐ側金属電極、１１はｎ側金属電極である。
図中の破線の分布は光の分布を、実線矢印は電流の分布
を示す。

【０００６】次に動作について説明する。ｐ側電極１０
とｎ側電極１１間にｐｎ接合に対して順方向の電圧を印
加すると、図中矢印９ｂのごとく電流が流れ、キャリア
が活性層３内に閉じ込められて発光し、光導波路７の両
脇近傍における光の損失に基づき該光導波路７部とその
近傍との間に実効的な屈折率差が生じ、該実効的な屈折
率差によって光が光導波路７にてガイドされ、基本横モ
ードの発振が得られる。ここで、光の拡がる領域（破線
部）９ａは光導波路７で規定され、一方電流９ｂは光導
波路７に比べて幅の狭いコンタクト層６の開口（上クラ
ッド層４と接する側の幅）でその拡がりが抑えられるた
めに、上記光導波路７内で利得に不均一を生ずる。

【０００７】上記光導波路７内にある活性層３は、注入
電流密度が小さくて利得が吸収を上回ることができない
場合に可飽和吸収体として働く。即ち、レーザ光の強度
が低い場合にはレーザ光に対し吸収体となり、ある程度
光強度が大きいと透明体となる。従って、該可飽和吸収
体は一種の光誘励スイッチとして働き、レーザ出力光は
ｎｓ以下のパルス幅を持った自己パルス変調を生じ、い
わゆる自励振（自励発振）が発生する。自励発振が生じ
ている状態ではレーザの縦モードはマルチモードとな
り、可干渉距離が小さくなる。戻り光誘起雑音は反射に
よって共振器内部に戻った光との自己干渉により生じる
ので、可干渉距離が小さいほど雑音が小さくなる。

【０００８】図５は図４に示した半導体レーザ装置の作
製フローを示す図である。図において、１２はＳｉＯ2
絶縁膜マスクであり、１３はリッジである。その他の符
号は図４と同一部分を示す。

【０００９】次に、作製方法について説明する。本半導
体レーザの作製においては、光導波路７の幅に比べ、電
流狭窄幅を規定するコンタクト層６の開口幅を狭くし、
かつこれを光導波路７の中央部に設定させることがポイ
ントである。以下、図５の作製フローに従って説明す
る。

【００１０】(a) ｎ型ＧａＡｓ基板１にＭＯＣＶＤある
いはＭＢＥ等の結晶成長法によってｎ型Ａｌx Ｇａ1-x
Ａｓ下クラッド層２から、ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性
層（ｙ＜ｘ）３、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ上クラッド層
４、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層６までを順次成長する。

【００１１】(b) ストライプ状の絶縁膜、例えばＳｉＯ
2 膜１２をコンタクト層６の表面に形成する。このスト
ライプＳｉＯ2 膜１２をマスクとして、その両脇のコン
タクト層６及び上クラッド層４の一部をエッチングによ
り除去する。これによりコンタクト層６及び上クラッド
層４の一部よりなるリッジ１３が形成される。エッチン
グ液はＡｌＧａＡｓもＧａＡｓも比較的一様にエッチン
グするもの、例えば硫酸と過酸化水素水の混合液を用い
る。

【００１２】(c) 次に、ＧａＡｓのみをエッチングし、
かつＡｌＧａＡｓはエッチングしないエッチャント、例
えばアンモニア水と過酸化水素水の混合液を用いて、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層６のみをサイドエッチングし
て、コンタクト層６の幅を所望の値まで狭くする。サイ
ドエッチングはＳｉＯ2 膜１２下の両側から同一速度で
行われるので、狭くなったコンタクト層６は光導波路７
のほぼ中心に位置するようになる。

【００１３】(d) ＳｉＯ2 膜１２をマスクとしてＭＯＣ
ＶＤ等により選択埋込み成長することによってｎ型Ｇａ
Ａｓ電流阻止層８を形成する。ＳｉＯ2 膜１２を除去し
た後、金属電極１０及び１１を真空蒸着法で形成し、最
後に各チップに分離して素子が完成する。

【００１４】ところで、上記レーザは必ずしも理想的な
自励発振が歩留り良く得られるわけではない。図６(a),
(b) は理想的な自励発振が得られない従来のレーザを示
した図である。図中の破線は光の分布９ａを、実線矢印
は電流の分布９ｂを示す。

【００１５】通常、活性層３から上クラッド層４へは光
は０．５〜０．７μｍ程度以上しみ出すため、一般に上
クラッド層４の厚みｌｃは図６(a) に示すように、１μ
ｍ以上に設定する。しかるに、このような場合には、図
６(a) に示すように、狭い幅のコンタクト層６で狭窄さ
れた電流９ｂが活性層３に到達するまでに横方向に拡が
り、光の分布９ａにほぼ一致した分布になりうることと
なる。このようなときは、利得の不均一性を得ることが
できないため、自励発振を歩留り良く得ることができな
いこととなる。

【００１６】上記厚みｌｃを１μｍ以下に小さくして、
コンタクト層６から活性層３に注入される電流９ｂを横
方向に拡がらないようにしたものが、図６(b) に示すレ
ーザである。この場合、電流９ｂは横方向へは拡がらな
いものの、活性層３からしみ出す光がレーザ光を吸収し
うるＧａＡｓコンタクト層６に近づき、ときには接触す
るために、レーザ光の吸収が大きくなり、発振閾電流値
が高くなったり、効率が悪くなったりするという問題が
発生する。このように、良好なレーザ特性を有し、歩留
良く自励発振を得るには大きな困難を生じるものであ
る。

【００１７】図７は上記の問題点を改善できる従来の第
２例の半導体レーザを示し、これは１９８８年第３５回
応用物理学関係連合講演会予稿集ｐ９１２，３１Ｐ−Ｚ
Ｐ−１７に示されたものである。

【００１８】図において、５ｂは光導波路７上で上クラ
ッド層４に狭い開口幅で接触する上記クラッド層４と同
じ組成の第２のｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層であ
り、９は上クラッド層４と第２上クラッド層５ｂ間の酸
化された再成長界面である。他の符号は図３に示したも
のと同一又は相当部分を示す。

【００１９】この構造では、やはり自励発振を歩留り良
く得るために、上クラッド層４の厚さｌｃを０．４〜
０．５μｍ程度に小さくしているが、本例では第２上ク
ラッド層５ｂを設けており、上クラッド層４からはみ出
るＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ活性層３からの光があってもこれ
が該Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓからなる第２上クラッド層５ｂ
で吸収されることはない。従って、上記図６(b) の例に
おけるように活性層３からはみ出る光がコンタクト層６
によって吸収されることによって光の吸収が大きくな
り、発振閾電流値が上昇するということは起こりにく
い。図８は図７に示した半導体レーザ装置の作製フロー
を示したものである。

【００２０】以下、図に従って作製フローを説明する。 (a) ＭＯＣＶＤあるいはＭＢＥによって基板１上に下ク
ラッド層２から，活性層３，第１の上クラッド層４まで
を順次成長する。 (b) ストライプ状のＳｉＯ2 膜１２をマスクとしてエッ
チングによりリッジ１３を形成する。 (c) リソグラフィー技術を用いてＳｉＯ2 膜１２を光導
波路７の中心にくるように細く加工する。 (d) 細く加工されたＳｉＯ2 膜１２をマスクとしてＳｉ
Ｏ2 膜１２の両脇に電流阻止層８をＭＯＣＶＤにより選
択成長する。 (e) ＳｉＯ2 膜１２を除去し、第２上クラッド層５，コ
ンタクト層６をＭＯＣＶＤあるいはＭＢＥ等によって順
次成長する。 この後の工程は前述した第１の従来例の工程と同様であ
る。

【００２１】しかるに、このレーザには以下のような欠
点がある。即ち、まずこのレーザの作製フローにおいて
は、結晶成長工程が３回という多数回必要となる。ま
た、第２上クラッド層５は、一度空気にさらされ、極度
に酸化された第１の上クラッド層４上に第３回目の成長
で再成長することが必要になり、その結果本装置では、
極度に酸化されたＡｌＧａＡｓ再成長界面層９を素子内
に取り込んでしまい、該再成長界面層９ではレーザ光の
吸収やキャリアの非発光再結合による発熱による結晶欠
陥の増殖を招き、レーザを大きく劣化させることになり
やすい。

【００２２】以上の致命的な問題点に加え、工程(c) の
ように、光導波路７上の中心部に精度良く細いＳｉＯ2
膜１２を形成することも、かなり困難で相当の技術，技
能を要するものである。以上のように第２の従来例でも
多くの問題点を抱えているものである。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】従来の第１例の自励発
振レーザ装置は以上のように構成されているので、上述
のように良好なレーザ特性を有し、かつ高い歩留りで自
励発振を得ることは非常に困難であった。また、これを
解決できる従来の第２例のレーザ構造においても、結晶
成長の回数が増えること、再成長界面の存在により装置
の動作性能上の信頼性が低下する、また精度良く製造す
ることが困難である、等の問題があった。

【００２４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、良好なレーザ特性と高い信頼性
とを有し、高い歩留りで自励発振を得ることができる自
励発振レーザ及びその製造方法を得ることを目的とす
る。

【００２５】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる自励発
振半導体レーザ装置及びその製造方法は、活性層上に凸
状のリッジストライプを形成した後に、該リッジストラ
イプの側面より選択エッチングを用いて電流狭窄の幅を
狭くなるように該ストライプの一部を狭くエッチングす
るようにしたものにおいて、活性層上にＡｌＧａＡｓか
らなる第１の上クラッド層と、少なくとも活性層が発す
る光のエネルギーより大きなバンドギャップエネルギー
を有し、第１上クラッド層と異なる組成を有するＡｌＧ
ａＡｓ、又はＡｌＧａＩｎＰ，ＧａＩｎＰからなる第２
上クラッド層と、コンタクト層とからなる多層構造を順
次積層し、該多層構造のうちのコンタクト層，第２上ク
ラッド層，および第１上クラッド層の一部から凸状のリ
ッジストライプを形成し、さらに該凸状のリッジストラ
イプの両脇より選択エッチングにより少なくとも上記第
２上クラッド層をエッチングし、第１上クラッド層はエ
ッチングしないようにしたものである。

【００２６】

【作用】この発明においては、第２上クラッド層は選択
エッチングにより光が主に導波する第１上クラッド層よ
りも狭くできるので、自励発振を高い歩留りで得ること
ができる。また、第１上クラッド層をはみ出る光も第２
上クラッド層では吸収しないため、良好なレーザ特性を
得ることができる。また、この発明の製造方法において
は、電流が流れる部分や光が強く伝播する部分にＡｌＧ
ａＡｓの再成長界面を形成しないため、信頼性の高いも
のが得られる。

【００２７】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。 実施例１ 図１はこの発明の一実施例による半導体レーザの製造方
法により製造された半導体レーザを示し、図において、
５ａはｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓからなる第２の上クラ
ッド層であり、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ第１上クラッド層４
のＡｌ組成ｘは０．４８である。その他の符号は従来と
同一又は相当部分を示す。

【００２８】図２は図１に示した本発明の一実施例によ
る半導体レーザ装置の製造方法を示した図である。図１
に示す本実施例による半導体レーザ装置は図６で示した
従来の第２例と同等の原理で良好なレーザ特性を有する
自励発振を実現できる。さらに、該従来の第２例の製造
方法で示した問題点を解決できるという長所を有する。

【００２９】以下、図２の製造フローに従って製造方法
の詳細と長所について説明する。 (a) ＭＯＣＶＤあるいはＭＢＥにより基板１上に下クラ
ッド層２，活性層３，第１上クラッド層４，第２上クラ
ッド層５ａ，コンタクト層６を順次成長する。このと
き、第１上クラッド層４の層厚を０．４〜０．５μｍ程
度にしておく。 (b) ストライプ状のＳｉＯ2 膜１２をコンタクト層６の
表面上に形成し、図５の従来の第１例と同様の要領で硫
酸と過酸化水素水の混合液を用いてテラス状にエッチン
グを行う。 (c) 次に、Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓからなる第１上クラッ
ド層４はエッチングせず、Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓからな
る第２上クラッド層５ａ、及びＧａＡｓからなるキャッ
プ層（コンタクト層）６をエッチングするエッチャント
でエッチングする。エッチャントとしてはアンモニア水
溶液（ＮＨ4 ＯＨ：２８％）と過酸化水素水（３０％）
の混合溶液を用いる。このエッチャントはＡｌ組成が
０．４２以上のＡｌＧａＡｓ層はエッチングせず、それ
以下のものはエッチングするという性質を有しているた
め、第２上クラッド層５ａとキャップ層６のみがサイド
エッチングされる。よって、光導波路７の直上に電流注
入の開口部が位置するようになる。 (d) ＳｉＯ2 膜１２を選択成長マスクとしてｎ型ＧａＡ
ｓ電流阻止層８をＭＯＣＶＤを用いて選択的に成長し、
ＳｉＯ2 膜１２の両脇を埋め込む。

【００３０】以上の工程により作製された半導体レーザ
装置では、ＳｉＯ2 絶縁膜１２をマスクとしてストライ
プリッジを両側からエッチングするようにしたので、エ
ッチングにより残るストライプリッジは光導波路７上の
中心部に形成され、その結果電流が流れる領域が光導波
路７上の中心部に形成されることとなる。また、寿命等
の信頼性において問題となるＡｌＧａＡｓの再成長界面
が電流が流れる領域に存在することがない。即ち、再成
長界面層でのレーザ光の吸収やキャリアの非発光再結合
による発熱による結晶欠陥の増殖を招き、レーザを大き
く劣化させるというようなことがない。

【００３１】実施例２ 図３は本発明の第２の実施例による半導体レーザの製造
方法を示す。この第２の実施例では、第１上クラッド層
４をＡｌ0.22Ｇａ0.78Ａｓ，第２上クラッド層５ａをＡ
ｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓとなるように構成している。そし
て、図３(c) の工程では、弗化水素（ＨＦ）溶液で、第
２上クラッド層５ａのみをサイドエッチングする。これ
は弗化水素溶液がＡｌＧａＡｓのＡｌ組成が０．２５未
満の層はエッチングせず、それ以上のものについてはエ
ッチングするためである。本実施例においては、上記実
施例１と異なり、第２上クラッド層５ａのサイドエッチ
ングにおいてコンタクト層６はエッチングされずに残る
が、第２上クラッド層５ａの幅が狭くなったことにより
上記第１の実施例と同様の効果が得られる。

【００３２】実施例３ また、図３に示される実施例２の構成において、第１上
クラッド層４をＡｌＧａＡｓとし、第２上クラッド層５
ａをＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＩｎＰで構成し、工程
(b) において、第１上クラッド層４，第２上クラッド層
５ａ，コンタクト層６をブロム−メタノールエッチャン
トでエッチングし、工程(c) における第２上クラッド層
５ａのみのサイドエッチングを塩酸で行ってもよく、こ
のようにしたものが本発明の第３の実施例である。本実
施例においても、コンタクト層６はエッチングされない
が、第２上クラッド層５ａの幅が狭くなったことにより
上記第１の実施例と同様の効果が得られる。

【００３３】実施例４ また、上記実施例３において、第２上クラッド層５ａを
ＡｌＧａＩｎＰにした場合に限り、サイドエッチングは
硫酸で行ってもよく、このようにしたものが本発明の第
４の実施例である。本実施例においても、コンタクト層
６はエッチングされないが、第２上クラッド層５ａの幅
が狭くなったことにより上記第１の実施例と同様の効果
が得られる。

【００３４】実施例５ また図３に示される構成において、第１上クラッド層４
をＧａＩｎＰで構成し、第２上クラッド層５ａをＡｌＧ
ａＩｎＰで構成し、工程(b) の、第１上クラッド層４，
第２上クラッド層５ａ，コンタクト層６のエッチングを
ブロム−メタノールエッチャントで行い、工程(c) の第
２上クラッド層５ａのみのサイドエッチングを硫酸で行
ってもよく、このようにしたものが本発明の第５の実施
例である。本実施例においても、上記第１の実施例と同
様の効果が得られる。

【００３５】なお、上記各実施例では下クラッド層２及
び活性層３がＡｌＧａＡｓ系の材料で構成される場合に
ついて示したが、これらはＡｌＧａＩｎＰ及びＧａＩｎ
Ｐ系の材料で構成してもよく、上記と同様の効果を奏す
る。また、上記各実施例では、工程(b) のリッジ状スト
ライプのエッチングをウェットエッチングにより行った
ものを示したが、これはＲＩＥ（Reactive Ion Ethin
g)，ＲＩＢＥ（Reactive Ionbeam Ething)等のドライエ
ッチングにより行っても良い。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
レーザ装置及びその製造方法によれば、活性層上に活性
層からの光を吸収せず、材料及び組成の異なる２層の上
クラッド層を順次設け、該クラッド層をエッチングによ
り凸状のリッジストライプに加工し、該リッジストライ
プの側面より選択エッチングにより活性層に近接する第
１の上クラッド層はエッチングせず、もう一方の第２の
上クラッド層のみをサイドエッチングし、リッジストラ
イプを部分的に細くするように構成したので、電流の流
れる領域が狭くされ、信頼性が高く、良好な特性を有す
る自励発振レーザを歩留り良く得ることができる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図である。

【図２】この発明の一実施例による半導体レーザ装置の
作製方法を示す断面図である。

【図３】この発明の第２の実施例による半導体レーザ装
置の作製方法を示す断面図である。

【図４】従来の第１例の半導体レーザ装置を示す断面図
である。

【図５】従来の第１例の半導体レーザ装置の作製方法を
示す断面図である。

【図６】従来の第１例の半導体レーザ装置の問題点を示
す断面図である。

【図７】従来の第２例の半導体レーザ装置を示す断面図
である。

【図８】従来の第２例の半導体レーザ装置の作製方法を
示す断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下クラッド層 ３ 活性層 ４ 第１上クラッド層 ５ 第２上クラッド層 ６ コンタクト層 ７ 光導波路 ８ 電流阻止層 １２ 絶縁膜 １３ リッジストライプ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電型を有する基板上に、少なくと
   も第１導電型の下クラッド層，活性層，第２導電型でか
   つ活性層で発光するレーザ光のスポット半径より薄い層
   厚を有する第１上クラッド層，該第１上クラッド層と材
   料が異なりかつ少なくともレーザ光を吸収しない材料で
   構成された第２導電型の第２上クラッド層および第２導
   電型のコンタクト層を順次積層する工程と、 上記第２上クラッド層上に絶縁膜をストライプ状に形成
   する工程と、 上記絶縁膜をマスクとして、該マスク下の両側の部分を
   上記第１上クラッド層までエッチングすることにより上
   記マスク下に上記コンタクト層，第２クラッド層および
   第１クラッド層の一部よりなるストライプリッジを形成
   する工程と、 上記ストライプリッジの両側面より上記第２上クラッド
   層およびコンタクト層のみ、あるいは上記第２クラッド
   層のみを選択的にエッチングすることにより該リッジス
   トライプの幅を部分的に細くする工程とを含むことを特
   徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
2. 【請求項２】 上記第１上クラッド層を構成する材料
   が、Ａｌ組成が０．４２以上のＡｌＧａＡｓであり、上
   記マスク下の両側の部分をエッチングするエッチング液
   が硫酸と過酸化水素水の混合液であり、上記第２上クラ
   ッド層を構成する材料が、Ａｌ組成が０．４２未満のＡ
   ｌＧａＡｓであり、上記コンタクト層を構成する材料が
   ＧａＡｓであり、上記リッジストライプの両側面より上
   記第２上クラッド層およびコンタクト層のみを選択的に
   エッチングするエッチング液がアンモニア水と過酸化水
   素水の混合液であることを特徴とする請求項１記載の半
   導体レーザ装置の製造方法。
3. 【請求項３】 上記第１上クラッド層を構成する材料
   が、Ａｌ組成が０．２５未満のＡｌＧａＡｓであり、上
   記第２上クラッド層を構成する材料が、Ａｌ組成が０．
   ２５以上のＡｌＧａＡｓであり、上記コンタクト層を構
   成する材料がＧａＡｓであり、上記マスク下の両側の部
   分をエッチングするエッチング液が硫酸と過酸化水素水
   の混合液であり、上記リッジストライプの両側面より上
   記第２上クラッド層のみを選択的にエッチングするエッ
   チング液が弗化水素溶液であることを特徴とする請求項
   １記載の半導体レーザ装置の製造方法。
4. 【請求項４】 上記第１上クラッド層を構成する材料が
   ＡｌＧａＡｓであり、上記第２上クラッド層を構成する
   材料がＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰであり、上記コン
   タクト層を構成する材料がＧａＡｓであり、上記マスク
   下の両側の部分をエッチングするエッチング液がブロム
   −メタノールエッチャントであり、上記リッジストライ
   プの両側面より上記第２上クラッド層のみを選択的にエ
   ッチングするエッチング液が塩酸であることを特徴とす
   る請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法。
5. 【請求項５】 上記第１上クラッド層を構成する材料が
   ＡｌＧａＡｓであり、上記第２上クラッド層を構成する
   材料がＡｌＧａＩｎＰであり、上記コンタクト層を構成
   する材料がＧａＡｓであり、上記マスク下の両側の部分
   をエッチングするエッチング液がブロム−メタノールエ
   ッチャントであり、上記リッジストライプの両側面より
   上記第２上クラッド層のみを選択的にエッチングするエ
   ッチング液が硫酸であることを特徴とする請求項１記載
   の半導体レーザ装置の製造方法。
6. 【請求項６】 上記第１上クラッド層を構成する材料が
   ＧａＩｎＰであり、上記第２上クラッド層を構成する材
   料がＡｌＧａＩｎＰであり、上記コンタクト層を構成す
   る材料がＧａＡｓであり、上記マスク下の両側の部分を
   エッチングするエッチング液がブロム−メタノールエッ
   チャントであり、上記ストライプリッジの両側面より上
   記第２上クラッド層のみを選択的にエッチングするエッ
   チング液が硫酸であることを特徴とする請求項１記載の
   半導体レーザ装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の製
   造方法により製造されることを特徴とする半導体レーザ
   装置。