JPH06135728A - 酸化物ガラス薄膜の製造装置 - Google Patents
酸化物ガラス薄膜の製造装置Info
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- JPH06135728A JPH06135728A JP28894792A JP28894792A JPH06135728A JP H06135728 A JPH06135728 A JP H06135728A JP 28894792 A JP28894792 A JP 28894792A JP 28894792 A JP28894792 A JP 28894792A JP H06135728 A JPH06135728 A JP H06135728A
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- oxide glass
- thin film
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- glass thin
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1484—Means for supporting, rotating or translating the article being formed
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 均質な酸化物ガラス薄膜の製造。
【構成】 ターンテーブル２０を回転させ、トーチ１４
を往復移動させつつ、トーチ１４に原料ガス等を供給す
ることにより、酸化物ガラス微粒子を各基板１８上に一
様に供給し堆積する。下部ヒータ２２がターンテーブル
２０に対して相対的に回転しているので、このターンテ
ーブル２０を一様に加熱することができ、各基板１８内
の温度とこれら相互の温度とを比較的均質に保つことが
できる。さらに、各基板１８とターンテーブル２０との
間にこれらに接して均熱板２４が挟まれているので、タ
ーンテーブル２０の半径方向の温度分布を各基板１８ご
とにより均質なものとすることができ、各基板１８上に
堆積される酸化物ガラス微粒子層を同一基板内あるいは
基板相互間で均質かつ一定の厚みにすることができる。
次に、各基板１８を別の炉内で高温に加熱し、堆積され
た酸化物ガラス微粒子層を透明化して酸化物ガラス薄膜
を得る。
を往復移動させつつ、トーチ１４に原料ガス等を供給す
ることにより、酸化物ガラス微粒子を各基板１８上に一
様に供給し堆積する。下部ヒータ２２がターンテーブル
２０に対して相対的に回転しているので、このターンテ
ーブル２０を一様に加熱することができ、各基板１８内
の温度とこれら相互の温度とを比較的均質に保つことが
できる。さらに、各基板１８とターンテーブル２０との
間にこれらに接して均熱板２４が挟まれているので、タ
ーンテーブル２０の半径方向の温度分布を各基板１８ご
とにより均質なものとすることができ、各基板１８上に
堆積される酸化物ガラス微粒子層を同一基板内あるいは
基板相互間で均質かつ一定の厚みにすることができる。
次に、各基板１８を別の炉内で高温に加熱し、堆積され
た酸化物ガラス微粒子層を透明化して酸化物ガラス薄膜
を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路等を構成する
ために用いる酸化物ガラス薄膜の製造装置に関する。
ために用いる酸化物ガラス薄膜の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、酸化物ガラス薄膜の製造装置の
従来例を示す。反応容器６内には、トーチ３からのガラ
ス微粒子を堆積すべき複数の基板１が配置される。基板
１に堆積されなかったガラス微粒子や排気ガスは排気管
４に吸引される。基板１上にガラス微粒子を一様に堆積
するため、基板１を載置したターンテーブル２は反応器
６に対して回転する。また、このターンテーブル２には
下部ヒータ５が設けられていて、ターンテーブル２上に
載置された基板１を一様に加熱する。なお、従来例の具
体的内容については、特開昭５８−１０５１１１号公報
等に記載されている。
従来例を示す。反応容器６内には、トーチ３からのガラ
ス微粒子を堆積すべき複数の基板１が配置される。基板
１に堆積されなかったガラス微粒子や排気ガスは排気管
４に吸引される。基板１上にガラス微粒子を一様に堆積
するため、基板１を載置したターンテーブル２は反応器
６に対して回転する。また、このターンテーブル２には
下部ヒータ５が設けられていて、ターンテーブル２上に
載置された基板１を一様に加熱する。なお、従来例の具
体的内容については、特開昭５８−１０５１１１号公報
等に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の装置で
は、ターンテーブル２と下部ヒータ５とが一体になって
いたため、ターンテーブル２の半径方向および周方向に
温度分布が生じやすかった。このため、基板１上に形成
すべきコア層用及びバッファ層用の多孔質ガラス体の膜
厚に不均質が生じていた。
は、ターンテーブル２と下部ヒータ５とが一体になって
いたため、ターンテーブル２の半径方向および周方向に
温度分布が生じやすかった。このため、基板１上に形成
すべきコア層用及びバッファ層用の多孔質ガラス体の膜
厚に不均質が生じていた。
【０００４】そこで、本発明は、基板上に形成すべき多
孔質ガラス体の膜厚に生じる不均質等を低減することに
よって、より均質な酸化物ガラス薄膜を製造しうる装置
を提供することを目的とする。
孔質ガラス体の膜厚に生じる不均質等を低減することに
よって、より均質な酸化物ガラス薄膜を製造しうる装置
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る酸化物ガラス薄膜の製造装置は、
（ａ）トーチからの酸化物ガラス微粒子を堆積すべき基
板を反応容器内に支持するとともに、トーチに対して相
対的に回転するテーブルと、（ｂ）基板を下方から加熱
するヒータ部材と、（ｃ）基板とヒータ部材との間に配
置された均熱板とを備えることとしている。
め、本発明に係る酸化物ガラス薄膜の製造装置は、
（ａ）トーチからの酸化物ガラス微粒子を堆積すべき基
板を反応容器内に支持するとともに、トーチに対して相
対的に回転するテーブルと、（ｂ）基板を下方から加熱
するヒータ部材と、（ｃ）基板とヒータ部材との間に配
置された均熱板とを備えることとしている。
【０００６】
【作用】上記酸化物ガラス薄膜の製造装置では、基板と
ヒータ部材との間に均熱板を配置している。このため、
テーブルの回転軸を中心とした円周上あるいはその動径
上の各位置で、基板の温度分布を一様に保つことができ
る。この結果、基板上に堆積される酸化物ガラス微粒子
層の厚みを一様に保つことができ、さらに酸化物ガラス
微粒子層をより均質なものとすることができる。
ヒータ部材との間に均熱板を配置している。このため、
テーブルの回転軸を中心とした円周上あるいはその動径
上の各位置で、基板の温度分布を一様に保つことができ
る。この結果、基板上に堆積される酸化物ガラス微粒子
層の厚みを一様に保つことができ、さらに酸化物ガラス
微粒子層をより均質なものとすることができる。
【０００７】この場合、均熱板をテーブル上に配置し、
この均熱板上に基板を載置するならば、均熱板が基板に
近接することとなるので、基板をより均質な温度に保つ
ことができる。また、均熱板をテーブルとヒータ部材と
の間に配置するならば、トーチからの火炎がテーブルに
よって遮られることとなるので、均熱板の腐蝕が余り問
題とならない。
この均熱板上に基板を載置するならば、均熱板が基板に
近接することとなるので、基板をより均質な温度に保つ
ことができる。また、均熱板をテーブルとヒータ部材と
の間に配置するならば、トーチからの火炎がテーブルに
よって遮られることとなるので、均熱板の腐蝕が余り問
題とならない。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
する。
【０００９】図２は、第１実施例に係る酸化物ガラス薄
膜の製造装置の構造を示した側方断面図である。反応容
器１２内には、トーチ１４のガス噴出口と排気管１６の
吸入口とが設けられている。トーチ１４には燃料および
原料ガスが供給される。トーチ１４からは、燃料ガスに
よって生じた酸水素炎とこれによって原料ガスから合成
された酸化物ガラス微粒子とが基板１８上に供給され
る。この基板１８上に堆積されなかったガラス微粒子や
排気ガスは排気管１６に吸引される。
膜の製造装置の構造を示した側方断面図である。反応容
器１２内には、トーチ１４のガス噴出口と排気管１６の
吸入口とが設けられている。トーチ１４には燃料および
原料ガスが供給される。トーチ１４からは、燃料ガスに
よって生じた酸水素炎とこれによって原料ガスから合成
された酸化物ガラス微粒子とが基板１８上に供給され
る。この基板１８上に堆積されなかったガラス微粒子や
排気ガスは排気管１６に吸引される。
【００１０】各基板１８は、ガラス微粒子堆積時におけ
る基板温度を均一に保つため、ＳｉＣ等の材料を円板状
に加工した均熱板２４を介してターンテーブル２０上に
支持されている。すなわち、ターンテーブル２０上には
均熱板２４が適当な間隔で配置され、各均熱板２４上に
は各基板１８がそれぞれ載置されている。
る基板温度を均一に保つため、ＳｉＣ等の材料を円板状
に加工した均熱板２４を介してターンテーブル２０上に
支持されている。すなわち、ターンテーブル２０上には
均熱板２４が適当な間隔で配置され、各均熱板２４上に
は各基板１８がそれぞれ載置されている。
【００１１】ターンテーブル２０は水平面内で回転し、
トーチ１４はターンテーブル２０の回転の半径方向に往
復移動する。この結果、トーチ１４は、ターンテーブル
２０に対して２次元的に走査されることとなる。ターン
テーブル２０の回転速度は、回転装置２１によって制御
されている。すなわち、回転装置２１の動力は、ターン
テーブル２０の回転軸の下端に設けられたギアを介して
ターンテーブル２０に伝達され、ターンテーブル２０を
一定速度で回転させる。
トーチ１４はターンテーブル２０の回転の半径方向に往
復移動する。この結果、トーチ１４は、ターンテーブル
２０に対して２次元的に走査されることとなる。ターン
テーブル２０の回転速度は、回転装置２１によって制御
されている。すなわち、回転装置２１の動力は、ターン
テーブル２０の回転軸の下端に設けられたギアを介して
ターンテーブル２０に伝達され、ターンテーブル２０を
一定速度で回転させる。
【００１２】ターンテーブル２０の下方には、ターンテ
ーブル２０上に支持された各基板１８を一定の高温に保
つため、熱線を発生する下部ヒータ２２が設けられてい
る。この下部ヒータ２２は、ターンテーブル２０に近接
するが、ターンテーブル２０とは接しておらず、反応容
器１２側に固定されている。このため、下部ヒータ２０
はターンテーブル２０に対して相対的に回転している。
ーブル２０上に支持された各基板１８を一定の高温に保
つため、熱線を発生する下部ヒータ２２が設けられてい
る。この下部ヒータ２２は、ターンテーブル２０に近接
するが、ターンテーブル２０とは接しておらず、反応容
器１２側に固定されている。このため、下部ヒータ２０
はターンテーブル２０に対して相対的に回転している。
【００１３】以下、図２の装置を用いた酸化物ガラス薄
膜の製造方法について簡単に説明する。まず、トーチ１
４に燃料および原料ガスを供給することにより、酸化物
ガラス微粒子を各基板１８上に堆積する。これと同時
に、ターンテーブル２０を回転させ、かつ、トーチ１４
を往復移動させているので、トーチ１４からの酸化物ガ
ラス微粒子は各基板１８上に一様に供給される。また、
下部ヒータ２２がターンテーブル２０に対して相対的に
回転しているので、このターンテーブル２０を一様に加
熱することができ、各基板１８内の温度とこれら相互の
温度とを比較的均質に保つことができる。さらに、各基
板１８とターンテーブル２０との間にこれらに接して均
熱板２４が挟まれているので、ターンテーブル２０の半
径方向の温度分布を各基板１８ごとにより均質なものと
することができ、各基板１８上に堆積される酸化物ガラ
ス微粒子層を同一基板内あるいは基板相互間で均質かつ
一定の厚みにすることができる。なお、均熱板２４が存
在しない場合には、ターンテーブル２０の半径方向に関
して各基板１８内の温度分布を一様に保つことが困難と
なる。これは、ターンテーブル２０を下部ヒータ２２に
対して相対的に回転させても、ターンテーブル２０の半
径方向での温度分布の不均質が残存することになること
に起因する。
膜の製造方法について簡単に説明する。まず、トーチ１
４に燃料および原料ガスを供給することにより、酸化物
ガラス微粒子を各基板１８上に堆積する。これと同時
に、ターンテーブル２０を回転させ、かつ、トーチ１４
を往復移動させているので、トーチ１４からの酸化物ガ
ラス微粒子は各基板１８上に一様に供給される。また、
下部ヒータ２２がターンテーブル２０に対して相対的に
回転しているので、このターンテーブル２０を一様に加
熱することができ、各基板１８内の温度とこれら相互の
温度とを比較的均質に保つことができる。さらに、各基
板１８とターンテーブル２０との間にこれらに接して均
熱板２４が挟まれているので、ターンテーブル２０の半
径方向の温度分布を各基板１８ごとにより均質なものと
することができ、各基板１８上に堆積される酸化物ガラ
ス微粒子層を同一基板内あるいは基板相互間で均質かつ
一定の厚みにすることができる。なお、均熱板２４が存
在しない場合には、ターンテーブル２０の半径方向に関
して各基板１８内の温度分布を一様に保つことが困難と
なる。これは、ターンテーブル２０を下部ヒータ２２に
対して相対的に回転させても、ターンテーブル２０の半
径方向での温度分布の不均質が残存することになること
に起因する。
【００１４】次に、各基板１８を別の炉内で高温に加熱
し、堆積された酸化物ガラス微粒子層を透明化して酸化
物ガラス薄膜を得る。また、上記の動作を繰り返し、さ
らに、ＲＩＥ等によるエッチングを組み合わせれば、各
基板１８上に光導波路を形成することができる。
し、堆積された酸化物ガラス微粒子層を透明化して酸化
物ガラス薄膜を得る。また、上記の動作を繰り返し、さ
らに、ＲＩＥ等によるエッチングを組み合わせれば、各
基板１８上に光導波路を形成することができる。
【００１５】以下、図２の製造装置を用いた具体的製造
例について説明する。酸化物ガラス微粒子の多孔質膜を
堆積するにあたって、基板１８として外径７５ｍｍ、厚
さ０．５ｍｍのシリコン基板を用いた。各シリコン基板
は、半径５０ｃｍのターンテーブル２０上に配置された
外径７５ｍｍ、厚さ２ｍｍのＳｉＣ板上にそれぞれ載置
された。
例について説明する。酸化物ガラス微粒子の多孔質膜を
堆積するにあたって、基板１８として外径７５ｍｍ、厚
さ０．５ｍｍのシリコン基板を用いた。各シリコン基板
は、半径５０ｃｍのターンテーブル２０上に配置された
外径７５ｍｍ、厚さ２ｍｍのＳｉＣ板上にそれぞれ載置
された。
【００１６】酸化物ガラス微粒子の堆積条件は、ターン
テーブル２０の回転速度を５ｒｐｍとし、トーチ１４の
移動速度を１ｍｍ／ｓとし、その移動量を１５０ｍｍと
した。また、トーチ１４に供給するＯ2 ガスを５ｌ／ｍ
ｉｎとし、Ｈ2 ガスを２．５ｌ／ｍｉｎとした。このと
き、下部ヒータ２２はターンテーブル２０が８００℃に
なるように設定した。ガラス原料は、次の条件でトーチ
１４に供給した。
テーブル２０の回転速度を５ｒｐｍとし、トーチ１４の
移動速度を１ｍｍ／ｓとし、その移動量を１５０ｍｍと
した。また、トーチ１４に供給するＯ2 ガスを５ｌ／ｍ
ｉｎとし、Ｈ2 ガスを２．５ｌ／ｍｉｎとした。このと
き、下部ヒータ２２はターンテーブル２０が８００℃に
なるように設定した。ガラス原料は、次の条件でトーチ
１４に供給した。
【００１７】１）バッファ層用のガラス微粒子層 ＳｉＣｌ4 ：２５０ｃｃ／ｍｉｎ ＢＣｌ3 ： １０ｃｃ／ｍｉｎ ＰＣｌ3 ： ２５ｃｃ／ｍｉｎ ２）コア層用のガラス微粒子層 ＳｉＣｌ4 ：２５０ｃｃ／ｍｉｎ ＧｅＣｌ4 ： ４０ｃｃ／ｍｉｎ ＰＣｌ3 ： ２０ｃｃ／ｍｉｎ このとき、ターンテーブル２０上の基板１８の温度分布
は、ターンテーブル２０の半径方向に関して８００℃±
１℃であった。なお、均熱板２４を取り除いた装置とし
た場合、温度分布がターンテーブル２０の半径方向に関
して８００℃±４０℃となってしまう。
は、ターンテーブル２０の半径方向に関して８００℃±
１℃であった。なお、均熱板２４を取り除いた装置とし
た場合、温度分布がターンテーブル２０の半径方向に関
して８００℃±４０℃となってしまう。
【００１８】上記のようにして堆積した２重構造の多孔
質膜を、別に用意した電気炉中、ＨｅガスおよびＯ2 の
混合ガス雰囲気下で透明ガラス化した。このとき、炉内
にＨｅガスを５ｌ／ｍｉｎ供給し、Ｏ2 ガスを０．５ｌ
／ｍｉｎ供給し、電気炉内を１３００℃に保持した。実
施例の方法によれば、サンプル数ｎ＝１００（１ロット
あたり２０個）に対してガラス膜厚を調べたところ、３
０μｍ±０．３μｍと良好なものであった。なお、均熱
板２４を取り除いた装置では、同様にして得られたガラ
ス膜厚が３０μｍ±１μｍとなってしまう。
質膜を、別に用意した電気炉中、ＨｅガスおよびＯ2 の
混合ガス雰囲気下で透明ガラス化した。このとき、炉内
にＨｅガスを５ｌ／ｍｉｎ供給し、Ｏ2 ガスを０．５ｌ
／ｍｉｎ供給し、電気炉内を１３００℃に保持した。実
施例の方法によれば、サンプル数ｎ＝１００（１ロット
あたり２０個）に対してガラス膜厚を調べたところ、３
０μｍ±０．３μｍと良好なものであった。なお、均熱
板２４を取り除いた装置では、同様にして得られたガラ
ス膜厚が３０μｍ±１μｍとなってしまう。
【００１９】なお、ＳｉＣ以外の材質からなる均熱板２
４を用いた場合にも、上記実施例と同様の結果が得られ
ることを確認した。
４を用いた場合にも、上記実施例と同様の結果が得られ
ることを確認した。
【００２０】以下、第２実施例に係る酸化物ガラス薄膜
の製造装置について説明する。
の製造装置について説明する。
【００２１】図３は、第２実施例の製造装置の構造を示
した側方断面図である。この装置は、均熱板２４の配置
を除き、第１実施例で用いた装置とほぼ同様であるの
で、同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
した側方断面図である。この装置は、均熱板２４の配置
を除き、第１実施例で用いた装置とほぼ同様であるの
で、同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００２２】下部ヒータ２２上には、各基板１８の温度
を均一に保つため、環状の均熱板１２４が配置されてい
る。この均熱板１２４は、扇状の形状を有する複数の部
材を下部ヒータ２２上に環状に配置することによって構
成される。
を均一に保つため、環状の均熱板１２４が配置されてい
る。この均熱板１２４は、扇状の形状を有する複数の部
材を下部ヒータ２２上に環状に配置することによって構
成される。
【００２３】以下、図３の装置を用いた酸化物ガラス薄
膜の製造方法について簡単に説明する。第２実施例の製
造方法も、第１実施例の方法とほぼ同様である。この場
合、均熱板１２４がターンテーブル２０に近接した下部
ヒータ２２上に設けられているので、各基板１８の下側
におけるターンテーブル２０内での温度分布や各基板１
８の下側に対する熱輻射を均一にすることができ、これ
らの基板１８に堆積される酸化物ガラス微粒子層を同一
基板内あるいは基板相互間で均質かつ一定の厚みにする
ことができる。
膜の製造方法について簡単に説明する。第２実施例の製
造方法も、第１実施例の方法とほぼ同様である。この場
合、均熱板１２４がターンテーブル２０に近接した下部
ヒータ２２上に設けられているので、各基板１８の下側
におけるターンテーブル２０内での温度分布や各基板１
８の下側に対する熱輻射を均一にすることができ、これ
らの基板１８に堆積される酸化物ガラス微粒子層を同一
基板内あるいは基板相互間で均質かつ一定の厚みにする
ことができる。
【００２４】ただし、第１実施例と異なり、均熱板１２
４がトーチ１４からの火炎にさらされない位置に配置さ
れているので、均熱板１２４の腐蝕が問題とならないと
いう利点がある。ただし、各基板１８に均熱板１２４が
直接接触していないので、他の要因によって温度不均質
が生じる可能性が増大する。
４がトーチ１４からの火炎にさらされない位置に配置さ
れているので、均熱板１２４の腐蝕が問題とならないと
いう利点がある。ただし、各基板１８に均熱板１２４が
直接接触していないので、他の要因によって温度不均質
が生じる可能性が増大する。
【００２５】以下、図３の装置を用いた具体的製造例に
ついて説明する。具体的製造条件は、第１実施例の場合
とほぼ同様であった。なお、均熱板１２４である環状の
ＳｉＣ板については、幅を７５ｍｍとし、厚さを２ｍｍ
とした。このとき、ターンテーブル２０上の温度分布
は、ターンテーブル２０の半径方向で８００℃±１℃で
あった。なお、均熱板２４を取り除いた装置では、温度
分布がターンテーブル２０の半径方向で８００℃±４０
℃となってしまう。
ついて説明する。具体的製造条件は、第１実施例の場合
とほぼ同様であった。なお、均熱板１２４である環状の
ＳｉＣ板については、幅を７５ｍｍとし、厚さを２ｍｍ
とした。このとき、ターンテーブル２０上の温度分布
は、ターンテーブル２０の半径方向で８００℃±１℃で
あった。なお、均熱板２４を取り除いた装置では、温度
分布がターンテーブル２０の半径方向で８００℃±４０
℃となってしまう。
【００２６】上記のようにして堆積した２重構造の多孔
質膜を、第１実施例と同様に透明ガラス化した。第２実
施例の方法によれば、サンプル数ｎ＝１００（１ロット
あたり２０個）に対してガラス膜厚を調べたところ、３
０μｍ±０．３μｍと良好なものであった。なお、均熱
板２４を取り除いた装置では、同様にして得られたガラ
ス膜厚が３０μｍ±１μｍとなってしまう。
質膜を、第１実施例と同様に透明ガラス化した。第２実
施例の方法によれば、サンプル数ｎ＝１００（１ロット
あたり２０個）に対してガラス膜厚を調べたところ、３
０μｍ±０．３μｍと良好なものであった。なお、均熱
板２４を取り除いた装置では、同様にして得られたガラ
ス膜厚が３０μｍ±１μｍとなってしまう。
【００２７】本発明は上記実施例に限られるものではな
い。例えば、内部にヒータを備えるターンテーブル上に
均熱板を配置しても均熱板上の基板温度を均一に保つこ
とができる。この場合、温度分布の均一性の観点からは
均熱板を環状の１部材とすることが望ましいが、均熱板
の製造、割れの防止等の観点からは均熱板を複数の部材
で構成することが望ましい。なお、均熱板の形状は、基
板にほぼ対応する面積をカバーするかぎり任意のものと
することができるが、経済性からは実施例のような形状
とすることが望ましい。また、均熱板の厚みも、効果的
な熱伝導を達成するためには、０．１ｍｍ以上とするこ
とが望ましい。
い。例えば、内部にヒータを備えるターンテーブル上に
均熱板を配置しても均熱板上の基板温度を均一に保つこ
とができる。この場合、温度分布の均一性の観点からは
均熱板を環状の１部材とすることが望ましいが、均熱板
の製造、割れの防止等の観点からは均熱板を複数の部材
で構成することが望ましい。なお、均熱板の形状は、基
板にほぼ対応する面積をカバーするかぎり任意のものと
することができるが、経済性からは実施例のような形状
とすることが望ましい。また、均熱板の厚みも、効果的
な熱伝導を達成するためには、０．１ｍｍ以上とするこ
とが望ましい。
【００２８】また、均熱板の材料としては耐熱性と熱伝
導性を具備するものであれば各種の材料を使用すること
ができる。具体的には、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ2 、Ｓｉ2
Ｎ3、３ＳｉＯ2 ・２Ａｌ2 Ｏ3 （ムライト）、２Ｍｇ
Ｏ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 （シャモット）、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ等の材料を使用することができる。均熱板用の
別の材料として、高純度カーボンの表面に気体不透過性
のコーティングを施したものを使用することができる。
このようなコーティングとしては、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｎ
ｂＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の材質を用いることができる。
このようなコーティングに際しては、気密タイトとする
ためコーティング膜厚を２０μｍ以上とすることが望ま
しい。これは、カーボンの酸化劣化をコーティングによ
って防止しているためである。均熱板用のさらに別の材
料として、結晶Ｓｉの表面にＳｉＣをコーティングした
ものや、耐熱ガラス等を使用することができる。
導性を具備するものであれば各種の材料を使用すること
ができる。具体的には、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ2 、Ｓｉ2
Ｎ3、３ＳｉＯ2 ・２Ａｌ2 Ｏ3 （ムライト）、２Ｍｇ
Ｏ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 （シャモット）、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ等の材料を使用することができる。均熱板用の
別の材料として、高純度カーボンの表面に気体不透過性
のコーティングを施したものを使用することができる。
このようなコーティングとしては、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｎ
ｂＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の材質を用いることができる。
このようなコーティングに際しては、気密タイトとする
ためコーティング膜厚を２０μｍ以上とすることが望ま
しい。これは、カーボンの酸化劣化をコーティングによ
って防止しているためである。均熱板用のさらに別の材
料として、結晶Ｓｉの表面にＳｉＣをコーティングした
ものや、耐熱ガラス等を使用することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の酸化物ガ
ラス薄膜の製造装置によれば、基板とヒータ部材との間
に均熱を配置している。このため、トーチに対するテー
ブルの回転軸を中心とした円周上あるいはその動径上の
各位置でテーブルおよびこれに支持される基板の温度分
布を一様に保つことができる。この結果、基板上に堆積
される酸化物ガラス微粒子層の厚みを一様に保つことが
でき、さらに酸化物ガラス微粒子層をより均質なものと
することができる。
ラス薄膜の製造装置によれば、基板とヒータ部材との間
に均熱を配置している。このため、トーチに対するテー
ブルの回転軸を中心とした円周上あるいはその動径上の
各位置でテーブルおよびこれに支持される基板の温度分
布を一様に保つことができる。この結果、基板上に堆積
される酸化物ガラス微粒子層の厚みを一様に保つことが
でき、さらに酸化物ガラス微粒子層をより均質なものと
することができる。
【図１】従来の酸化物ガラス薄膜の製造装置を示す図。
【図２】第１実施例の酸化物ガラス薄膜の製造装置を示
す図。
す図。
【図３】第２実施例の酸化物ガラス薄膜の製造装置を示
す図。
す図。
１２…反応容器、１４…トーチ、１８…基板、２０…テ
ーブル、２１…ヒータ部材、２４…均熱板。
ーブル、２１…ヒータ部材、２４…均熱板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浦野 章 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 広瀬 智財 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 小川 信二 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内
Claims (9)
- 【請求項１】 バーナからの酸化物ガラス微粒子を堆積
すべき基板を反応容器内に支持するとともに、前記バー
ナに対して相対的に回転するテーブルと、 前記基板を下方から加熱するヒータ部材と、 前記基板と前記ヒータ部材との間に配置された均熱板
と、を備える酸化物ガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項２】 前記均熱板は、前記テーブル上に配置さ
れているとともに、前記基板を載置していることを特徴
とする請求項１記載の酸化物ガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項３】 前記均熱板は、前記テーブルと前記ヒー
タ部材との間に配置されていることを特徴とする請求項
１記載の酸化物ガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項４】 前記均熱板は、ＳｉＣ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｚ
ｎＯ2 、Ｓｉ2 Ｎ3、３ＳｉＯ2 ・２Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｍ
ｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、及びＳｉの
内の少なくとも一つから選ばれた材質からなることを特
徴とする請求項１記載の酸化物ガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項５】 前記均熱板は、高純度カーボンの表面に
気体不透過性の材質をコーティングした材料からなり、 前記気体不透過性の材質は、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、
ＴｉＣ、及びＺｒＣの内の少なくとも一つから選ばれた
ものであることを特徴とする請求項１記載の酸化物ガラ
ス薄膜の製造装置。 - 【請求項６】 前記均熱板は、Ｓｉの表面にＳｉＣをコ
ーティングした材料からなることを特徴とする請求項１
記載の酸化物ガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項７】 前記均熱板は、耐熱ガラス材料からなる
ことを特徴とする請求項１記載の酸化物ガラス薄膜の製
造装置。 - 【請求項８】 前記均熱板は、分割可能な複数個の部材
からなることを特徴とする請求項１記載の酸化物ガラス
薄膜の製造装置。 - 【請求項９】 前記均熱板は、前記基板の面積と同等以
上の面積を有することを特徴とする請求項１記載の酸化
物ガラス薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28894792A JPH06135728A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 酸化物ガラス薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28894792A JPH06135728A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 酸化物ガラス薄膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06135728A true JPH06135728A (ja) | 1994-05-17 |
Family
ID=17736871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28894792A Pending JPH06135728A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 酸化物ガラス薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06135728A (ja) |
-
1992
- 1992-10-27 JP JP28894792A patent/JPH06135728A/ja active Pending
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