JPH06132758A - Manufacture of surface acoustic wave device - Google Patents
Manufacture of surface acoustic wave deviceInfo
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- JPH06132758A JPH06132758A JP27602892A JP27602892A JPH06132758A JP H06132758 A JPH06132758 A JP H06132758A JP 27602892 A JP27602892 A JP 27602892A JP 27602892 A JP27602892 A JP 27602892A JP H06132758 A JPH06132758 A JP H06132758A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置の製造
方法に関し、特に、製造工程においてインターデジタル
トランスデューサ（ＩＤＴ）を保護するために放電用ギ
ャップを圧電性基板上に形成してなる弾性表面波装置の
製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device, and more particularly to an elastic device having a discharge gap formed on a piezoelectric substrate to protect an interdigital transducer (IDT) in the manufacturing process. The present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波装置は、圧電基板上に、ある
いは絶縁性基板上に圧電薄膜を形成してなる基板（これ
らを、以下、圧電性基板と総称することにする）上に、
１以上のＩＤＴを形成した構造を有する。ところが、圧
電性基板を構成している圧電材料の中には、焦電性を有
するものがある。焦電性を有する圧電材料を用いた弾性
表面波装置では、焦電効果により温度変化にともなって
電荷が発生し、ＩＤＴの電極指間ギャップにおいて放電
を起こすことがある。特に、高周波用の弾性表面波装置
では、ＩＤＴにおける電極指間ギャップが狭いため、放
電現象が生じ易く、放電によりＩＤＴの電極指が破壊さ
れ、特性の劣化が生じるという問題があった。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave device has a structure in which a piezoelectric thin film is formed on a piezoelectric substrate or an insulating substrate (hereinafter, these substrates are collectively referred to as a piezoelectric substrate).
It has a structure in which one or more IDTs are formed. However, some of the piezoelectric materials forming the piezoelectric substrate have a pyroelectric property. In a surface acoustic wave device using a piezoelectric material having a pyroelectric property, electric charges may be generated due to a change in temperature due to a pyroelectric effect, and a discharge may occur in a gap between electrode fingers of an IDT. In particular, the surface acoustic wave device for high frequency has a problem in that the gap between the electrode fingers in the IDT is narrow, so that a discharge phenomenon is likely to occur, and the electrode fingers of the IDT are destroyed by the discharge, resulting in deterioration of characteristics.
【０００３】弾性表面波装置の実際の使用状態において
は、前記焦電効果により発生した電荷が、弾性表面波装
置に接続された外部回路へ流れていくため、上記放電現
象はさほど問題とはならない。しかしながら、弾性表面
波装置の製造工程においては、ＩＤＴが他の回路には電
気的に接続されていないため、上記放電現象によるＩＤ
Ｔの破壊を防止することが望まれている。In the actual use state of the surface acoustic wave device, the electric charge generated by the pyroelectric effect flows to the external circuit connected to the surface acoustic wave device, so that the above-mentioned discharge phenomenon is not a serious problem. . However, in the manufacturing process of the surface acoustic wave device, since the IDT is not electrically connected to other circuits, the ID caused by the above-mentioned discharge phenomenon.
It is desired to prevent the destruction of T.
【０００４】そこで、従来、図５及び図６に示す構造が
試みられている。図５に示した構造では、まずウエハ上
に複数のＩＤＴ１，２が形成されている。ＩＤＴ１，２
は、それぞれ、互いに間挿しあう複数本の電極指を有す
るくし歯電極１ａ，１ｂ及び２ａ，２ｂを有する。Therefore, conventionally, the structures shown in FIGS. 5 and 6 have been tried. In the structure shown in FIG. 5, first, a plurality of IDTs 1 and 2 are formed on the wafer. IDT1,2
Have comb-tooth electrodes 1a, 1b and 2a, 2b each having a plurality of electrode fingers interleaved with each other.
【０００５】図５に示した構造では、くし歯電極１ａと
くし歯電極１ｂとを短絡するために、並びにくし歯電極
２ａとくし歯電極２ｂとを短絡するために、略格子状の
短絡線路３がウエハ４上に形成されている。すなわち、
短絡線路３により各くし歯電極１ａ，１ｂ間及びくし歯
電極２ａ，２ｂ間を短絡しておき、それによって上記放
電が起こらないようにされている。そして、個々の弾性
表面波装置チップ単位に上記ウエハ４を分割する際に、
短絡線路３が切断されるように、該短絡線路３の位置が
選択されている。In the structure shown in FIG. 5, in order to short-circuit the comb-teeth electrode 1a and the comb-teeth electrode 1b, and to short-circuit the comb-teeth electrode 2a and the comb-teeth electrode 2b, a substantially lattice-shaped short-circuit line 3 is provided. It is formed on the wafer 4. That is,
The short-circuit line 3 short-circuits the comb-teeth electrodes 1a and 1b and the comb-teeth electrodes 2a and 2b so that the above-mentioned discharge does not occur. When dividing the wafer 4 into individual surface acoustic wave device chips,
The position of the short-circuit line 3 is selected so that the short-circuit line 3 is disconnected.
【０００６】他方、図６に示す構造では、圧電性基板５
上に形成されたＩＤＴ１，２の側方に放電ギャップ６
ａ，６ｂが形成されている。すなわち、放電ギャップ６
ａ，６ｂを介して対向された放電用電極７ａ，７ｂ，８
ａ，８ｂが形成されており、各放電用電極７ａ〜８ｂが
くし歯電極１ａ〜２ｂに接続されている。On the other hand, in the structure shown in FIG. 6, the piezoelectric substrate 5
A discharge gap 6 is formed on the side of the IDTs 1 and 2 formed above.
a and 6b are formed. That is, the discharge gap 6
discharge electrodes 7a, 7b, 8 facing each other via a, 6b
a and 8b are formed, and the discharge electrodes 7a to 8b are connected to the comb-teeth electrodes 1a to 2b.
【０００７】図６に示した構造では、上記放電ギャップ
６ａ，６ｂの幅を、ＩＤＴ１，２の電極指間ギャップの
幅よりも小さくすることにより、放電をＩＤＴ１，２で
はなく、上記放電ギャップ６ａ，６ｂで起こさせ、それ
によってＩＤＴ１，２の保護が図っている。上記放電ギ
ャップ６ａ，６ｂをＩＤＴ１，２の側方に配置した構造
は、弾性表面波装置の製造工程だけでなく、製品として
の弾性表面波装置に静電気が加わった場合の問題を解消
するために、従来より試みられている。In the structure shown in FIG. 6, the width of the discharge gaps 6a and 6b is made smaller than the width of the inter-electrode finger gap of the IDTs 1 and 2 so that the discharge is not generated in the IDTs 1 and 2, but the discharge gap 6a. , 6b to protect the IDTs 1 and 2. The structure in which the discharge gaps 6a and 6b are arranged on the sides of the IDTs 1 and 2 is provided in order to solve the problem not only in the manufacturing process of the surface acoustic wave device but also when static electricity is applied to the surface acoustic wave device as a product. , Has been tried from before.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５を
参照して説明した方法、すなわちＩＤＴ１，２のくし歯
電極間を短絡する方法では、確かに放電の発生を防止す
ることはできるものの、電極形成時の欠陥などによりＩ
ＤＴにおける短絡の有無をウエハ段階で調べることがで
きない。従って、弾性表面波装置の製造工程の最終段階
で、短絡線路３を除去することになるため、コストが高
くつくだけでなく、ＩＤＴ１，２の異常を早期に発見で
きないという問題があった。However, although the method described with reference to FIG. 5, that is, the method of short-circuiting the comb-teeth electrodes of the IDTs 1 and 2 can certainly prevent the occurrence of discharge, I due to defects during formation
The presence or absence of a short circuit in DT cannot be examined at the wafer stage. Therefore, since the short-circuit line 3 is removed at the final stage of the manufacturing process of the surface acoustic wave device, there is a problem that not only the cost is high, but also the abnormality of the IDTs 1 and 2 cannot be detected early.
【０００９】他方、図６で示したように放電ギャップ６
ａ，６ｂを設けた場合には、上記のような問題は解決さ
れるものの、保護膜としてＳｉＯ2 などの絶縁性薄膜を
圧電性基板５上にスパッタリングなどにより形成した場
合、放電後に弾性表面波装置の絶縁抵抗が大幅に低下
し、はなはだしき場合には弾性表面波装置の特性にも影
響することがあった。これは、図７に示すように、絶縁
性薄膜９の下面において放電用電極７ａ，７ｂを構成し
ている電極材料１０が分散し、絶縁抵抗が低下している
ためと考えられる。On the other hand, as shown in FIG.
When a and 6b are provided, the above problems are solved, but when an insulating thin film such as SiO 2 is formed as a protective film on the piezoelectric substrate 5 by sputtering or the like, surface acoustic waves are generated after discharge. The insulation resistance of the device is significantly reduced, and in the case of bare-footing, the characteristics of the surface acoustic wave device may be affected. It is considered that this is because the electrode material 10 forming the discharge electrodes 7a and 7b is dispersed on the lower surface of the insulating thin film 9 and the insulation resistance is lowered, as shown in FIG.
【００１０】従って、本発明の目的は、ＩＤＴとは別に
放電ギャップを設けてＩＤＴの製造工程における破壊等
を防止した弾性表面波装置の製造方法において、ＩＤＴ
上に絶縁性薄膜を形成した場合であっても絶縁抵抗の低
下が生じ難い、弾性表面波装置の製造方法を提供するこ
とにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a surface acoustic wave device in which a discharge gap is provided separately from the IDT to prevent breakage or the like in the IDT manufacturing process.
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a surface acoustic wave device, in which the insulation resistance is unlikely to decrease even when an insulating thin film is formed on the surface.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本願の請求項１〜３に記
載の発明は、焦電性を有する圧電性基板上に複数の電極
指が互いに間挿されている構造を有するＩＤＴ及びＩＤ
Ｔを覆う絶縁性薄膜を形成してなる弾性表面波装置の製
造方法であって、下記の工程を備えることを特徴とす
る。The invention according to claims 1 to 3 of the present invention is an IDT and an ID having a structure in which a plurality of electrode fingers are interleaved on a piezoelectric substrate having pyroelectricity.
A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising forming an insulating thin film covering T, characterized by comprising the following steps.
【００１２】すなわち、請求項１に記載の発明は、上記
圧電性基板上に、ＩＤＴと、ＩＤＴの電極指間ギャップ
よりも小さな幅のギャップを介して隔てられた少なくと
も一対の放電用電極とを形成する工程と、前記放電用電
極のギャップ上の領域を除いて、かつ少なくとも前記Ｉ
ＤＴを覆うように絶縁性薄膜を形成する工程とを備え
る。That is, according to the first aspect of the invention, the IDT and at least a pair of discharge electrodes separated by a gap having a width smaller than the inter-electrode finger gap of the IDT are provided on the piezoelectric substrate. Except for the step of forming and the region above the gap of the discharge electrode,
And a step of forming an insulating thin film so as to cover the DT.
【００１３】また、請求項２に記載の発明は、前記圧電
性基板上に、ＩＤＴと、ＩＤＴの電極指間ギャップより
も小さな幅のギャップを介して隔てられた少なくとも一
対の放電用電極を形成する工程と、前記圧電性基板上の
全面に絶縁性薄膜を形成する工程と、前記放電用電極の
ギャップ上の絶縁性薄膜部分を除去する工程とを備え
る。According to a second aspect of the present invention, the IDT and at least a pair of discharge electrodes separated by a gap having a width smaller than the inter-electrode finger gap of the IDT are formed on the piezoelectric substrate. And a step of forming an insulating thin film on the entire surface of the piezoelectric substrate, and a step of removing the insulating thin film portion on the gap of the discharge electrode.
【００１４】さらに、請求項３に記載の発明は、前記圧
電性基板上に、前記ＩＤＴと、ＩＤＴの電極指間ギャッ
プよりも小さな幅のギャップを介して隔てられた少なく
とも一対の放電用電極を形成する工程と、前記圧電性基
板上の全面に絶縁性薄膜を形成する工程と、前記放電用
電極のギャップを挟んで対向している放電用電極部分
と、該放電用電極部分上の絶縁性薄膜部分とを少なくと
も除去する工程とを備える。Further, in the invention according to claim 3, on the piezoelectric substrate, the IDT and at least a pair of discharge electrodes separated by a gap having a width smaller than the inter-electrode finger gap of the IDT. Forming step, forming an insulating thin film on the entire surface of the piezoelectric substrate, discharging electrode portions facing each other with a gap of the discharging electrode interposed therebetween, and insulating properties on the discharging electrode portion. And a step of removing at least the thin film portion.
【００１５】[0015]
【作用】上述したように、放電に伴う絶縁抵抗の低下
は、絶縁性薄膜下において放電用電極材料が分散し、あ
るいは絶縁性薄膜内に放電用電極材料が分散するためと
考えられる。そこで、放電ギャップにおける放電後の絶
縁抵抗の低下を防止するには、放電ギャップを表面に
露出させ、即ち絶縁性薄膜を放電ギャップ上に存在させ
ない方法、あるいは放電ギャップ部分を弾性表面波装
置完成後に除去する方法の二つの方法が考えられる。As described above, it is considered that the decrease in the insulation resistance due to the discharge is due to the dispersion of the discharge electrode material under the insulating thin film or the dispersion of the discharge electrode material in the insulating thin film. Therefore, in order to prevent a decrease in insulation resistance after discharge in the discharge gap, the discharge gap is exposed on the surface, that is, the insulating thin film is not present on the discharge gap, or the discharge gap part is formed after the surface acoustic wave device is completed. There are two possible methods of removal.
【００１６】請求項１，２に記載の発明では、の方法
が採用されており、放電用電極のギャップ上に絶縁性薄
膜を形成しないようにすることにより、あるいは絶縁性
薄膜を放電用電極のギャップ上から除去することによ
り、上記放電電極材料の分散に基づく絶縁抵抗の低下が
防止されている。また、請求項３に記載の発明では、
の方法が採用されており、すなわち放電用ギャップが形
成されている部分、即ち放電用ギャップを挟んで対向し
ている放電用電極部分と、該放電用電極部分上の絶縁性
薄膜を少なくとも除去することにより、絶縁抵抗の低下
が防止されている。According to the invention described in claims 1 and 2, the method (1) is adopted, and by not forming the insulating thin film on the gap of the discharge electrode, or by using the insulating thin film of the discharge electrode. By removing from the gap, the insulation resistance is prevented from lowering due to the dispersion of the discharge electrode material. In the invention according to claim 3,
Method is adopted, that is, at least the part where the discharge gap is formed, that is, the discharge electrode part that faces the discharge gap and the insulating thin film on the discharge electrode part are removed. This prevents the insulation resistance from decreasing.
【００１７】[0017]
【実施例の説明】以下、本発明の実施例を図面を参照し
て説明することにより本発明を明らかにする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be clarified by explaining embodiments of the present invention with reference to the drawings.
【００１８】第１の実施例 図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施例（請求項１に
記載の発明の実施例）を説明するための部分切欠断面図
である。本実施例では、まず焦電性を有する圧電基板１
１の上面にＩＤＴ１２、電極ランド１３及び放電用電極
１４，１５を、蒸着もしくはスパッタリング等の薄膜形
成法に従って形成する。ＩＤＴ１２は、複数本の電極指
１２ａ〜１２ｃを有するくし歯電極と、複数本の電極指
１２ｂ，１２ｄを有するくし歯電極とを、互いの電極指
が間挿し合うように配置することにより構成されてい
る。また、電極ランド１３は、最終的に得られる弾性表
面波装置を他の部分とワイヤボンディングにより接続す
るために設けられている。 First Embodiment FIGS. 1 (a) and 1 (b) are partial cutaway sectional views for explaining an embodiment of the present invention (an embodiment of the invention described in claim 1). In this embodiment, first, the piezoelectric substrate 1 having pyroelectricity is used.
An IDT 12, an electrode land 13, and discharge electrodes 14 and 15 are formed on the upper surface of the substrate 1 by a thin film forming method such as vapor deposition or sputtering. The IDT 12 is configured by arranging a comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers 12a to 12c and a comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers 12b and 12d so that the respective electrode fingers are inserted into each other. ing. The electrode lands 13 are provided to connect the finally obtained surface acoustic wave device to other portions by wire bonding.
【００１９】放電用電極１４，１５は、放電用ギャップ
１６を介して隔てられており、この放電用ギャップ１６
の幅は、複数本の電極指１２ａ〜１２ｅ間のギャップ幅
よりも狭くされている。次に、図１（ｂ）に示すように
マスク１７を用い、蒸着又はスパッタリング等の薄膜形
成法により上記圧電基板１１の上面に絶縁性薄膜１８を
形成する。マスク１７は、電極ランド１３上及び放電用
ギャップ１６の上方部分への絶縁性薄膜１８の付着を防
止するために用いられている。従って、本実施例では、
放電用ギャップ１６の上方に絶縁性薄膜が存在しないた
め、製造工程中において放電用電極１４，１５間で放電
が起こったとしても、絶縁性の低下が生じ難い。The discharge electrodes 14 and 15 are separated by a discharge gap 16, and the discharge gap 16 is provided.
Is narrower than the gap width between the plurality of electrode fingers 12a to 12e. Next, as shown in FIG. 1B, a mask 17 is used to form an insulating thin film 18 on the upper surface of the piezoelectric substrate 11 by a thin film forming method such as vapor deposition or sputtering. The mask 17 is used to prevent the insulating thin film 18 from adhering to the electrode land 13 and the upper portion of the discharge gap 16. Therefore, in this embodiment,
Since the insulating thin film does not exist above the discharge gap 16, even if discharge occurs between the discharge electrodes 14 and 15 during the manufacturing process, it is difficult for the insulation to deteriorate.
【００２０】また、上記電極ランド１３の上面は、外部
との接続のため、あるいは製造工程中における特性測定
のために上面が露出されている必要がある。従って、本
実施例では、従来より電極ランド１３の上面を露出させ
るために用いていたマスクに、上記のように放電ギャッ
プ１６の上方にも絶縁性薄膜を形成しないようにマスク
１７の形状を工夫するだけでよいため、工程を増加させ
ることなく、放電ギャップ１６上への絶縁性薄膜の付着
を防止することができる。Further, the upper surface of the electrode land 13 needs to be exposed for connection with the outside or for characteristic measurement during the manufacturing process. Therefore, in the present embodiment, the shape of the mask 17 is devised so that the insulating thin film is not formed above the discharge gap 16 as described above in the mask used to expose the upper surface of the electrode land 13 conventionally. Therefore, it is possible to prevent the insulating thin film from adhering to the discharge gap 16 without increasing the number of steps.
【００２１】第２の実施例 図２（ａ）〜（ｃ）は、請求項２に記載の発明の実施例
に相当する第２の実施例を説明するための各部分切欠断
面図である。第２の実施例では、圧電基板２１の上面
に、第１の実施例の場合と同様にしてＩＤＴ２２，電極
ランド２３及び放電用電極２４，２５を形成する。本実
施例においても放電用電極２４，２５間の放電ギャップ
２６の幅が、ＩＤＴ２２の複数本の電極指２２ａ〜２２
ｅ間のギャップ幅よりも狭くされている。 Second Embodiment FIGS. 2 (a) to 2 (c) are partial cutaway sectional views for explaining a second embodiment corresponding to the embodiment of the present invention. In the second embodiment, the IDT 22, the electrode land 23 and the discharge electrodes 24 and 25 are formed on the upper surface of the piezoelectric substrate 21 in the same manner as in the first embodiment. Also in this embodiment, the width of the discharge gap 26 between the discharge electrodes 24 and 25 is determined by the plurality of electrode fingers 22a to 22 of the IDT 22.
It is made narrower than the gap width between e.
【００２２】次に、図２（ｂ）に示すように、圧電基板
２１の上面の全面に絶縁性薄膜２７を形成する。絶縁性
薄膜２７は、ＳｉＯ2 などの絶縁性材料をスパッタリン
グまたは蒸着等の薄膜形成法により付与することにより
形成される。次に、図２（ｃ）に示すように、エッチン
グにより、上記絶縁性薄膜２７の一部を除去する。すな
わち、電極ランド２３の上方及び放電ギャップ２６の上
方において絶縁性薄膜２７を除去する。このようにし
て、第１の実施例の場合と同様に放電用ギャップ２６を
挟んで対向されている放電用電極２４，２５の上面が露
出される。よって、放電用電極２４，２５間において放
電が起こったとしても、最終的に絶縁性薄膜が除去され
ることになるため、絶縁抵抗の低下が確実に防止され
る。Next, as shown in FIG. 2B, an insulating thin film 27 is formed on the entire upper surface of the piezoelectric substrate 21. The insulating thin film 27 is formed by applying an insulating material such as SiO 2 by a thin film forming method such as sputtering or vapor deposition. Next, as shown in FIG. 2C, a part of the insulating thin film 27 is removed by etching. That is, the insulating thin film 27 is removed above the electrode land 23 and above the discharge gap 26. In this way, the upper surfaces of the discharge electrodes 24 and 25 facing each other with the discharge gap 26 in between are exposed as in the case of the first embodiment. Therefore, even if discharge occurs between the discharge electrodes 24 and 25, the insulating thin film is finally removed, so that the insulation resistance is reliably prevented from lowering.
【００２３】なお、上記絶縁性薄膜２７のエッチング
は、従来より電極ランド２３の上面を露出させるために
行われていた工程であるため、本実施例においても、こ
の電極ランド２３の上面を露出させるためのエッチング
工程において放電ギャップ２６の上方の絶縁性薄膜２７
を同時に除去すれば、工程を増加させることなく、絶縁
抵抗の低下を防止することができる。Since the etching of the insulating thin film 27 is a step which has been conventionally performed to expose the upper surface of the electrode land 23, the upper surface of the electrode land 23 is also exposed in this embodiment. The insulating thin film 27 above the discharge gap 26 in the etching process for
By removing at the same time, it is possible to prevent the insulation resistance from decreasing without increasing the number of steps.
【００２４】第３の実施例 図３（ａ）〜（ｄ）は、請求項３に記載の発明の実施例
に相当する第３の実施例を説明するための各部分切欠断
面図である。まず、圧電基板３１の上面に、第１，第２
の実施例の場合と同様にして、ＩＤＴ３２、電極ランド
３３及び放電用電極３４，３５を形成する。放電用電極
３４，３５は、放電ギャップ３６を隔てて形成されてお
り、放電用ギャップ３６の幅は、ＩＤＴ３２の電極指３
２ａ〜３２ｅ間のギャップよりも狭くされている。 Third Embodiment FIGS. 3 (a) to 3 (d) are partial cutaway sectional views for explaining a third embodiment corresponding to the third embodiment of the invention. First, on the upper surface of the piezoelectric substrate 31, the first and second
The IDT 32, the electrode land 33, and the discharge electrodes 34 and 35 are formed in the same manner as in the above embodiment. The discharge electrodes 34, 35 are formed with a discharge gap 36 in between, and the width of the discharge gap 36 is the electrode finger 3 of the IDT 32.
It is made narrower than the gap between 2a to 32e.
【００２５】次に、第２の実施例の場合と同様にして、
圧電基板３１の上面の全面に絶縁性薄膜３７を形成す
る。さらに、図３（ｃ）に示すように、エッチングによ
り絶縁性薄膜３７の内、電極ランド３３の上方に位置す
る絶縁性薄膜部分を除去する。次に、図３（ｄ）に示す
ように、例えばダイサーを用い、放電ギャップ３６を含
むように絶縁性薄膜３７、放電用電極３４，３５及び圧
電基板３１を切断する。本実施例では、マザーのウエハ
から個々の弾性表面薄膜装置チップ単位に切り分ける際
に切断除去される部分が、上記ダイサーにより切断除去
される部分に相当するように選択されている。即ち、第
３の実施例では、製造工程中において放電用電極３４，
３５間に放電が生じ、その放電ギャップ３６近傍におい
て電極材料が分散して絶縁抵抗が低下したとしても、最
終的に個々の弾性表面波装置チップを得る際に絶縁抵抗
の低下を招いている部分が取り除かれることになる。よ
って、得られた弾性表面波装置では、絶縁抵抗の低下が
生じ難い。Next, similarly to the case of the second embodiment,
An insulating thin film 37 is formed on the entire upper surface of the piezoelectric substrate 31. Further, as shown in FIG. 3C, the insulating thin film portion of the insulating thin film 37 located above the electrode lands 33 is removed by etching. Next, as shown in FIG. 3D, the insulating thin film 37, the discharge electrodes 34 and 35, and the piezoelectric substrate 31 are cut so as to include the discharge gap 36 using, for example, a dicer. In the present embodiment, the portion cut and removed when the mother wafer is cut into individual elastic surface thin film device chip units is selected so as to correspond to the portion cut and removed by the dicer. That is, in the third embodiment, the discharge electrodes 34,
Even if a discharge is generated between the electrodes 35 and the electrode material is dispersed in the vicinity of the discharge gap 36 to lower the insulation resistance, the insulation resistance is finally reduced when the individual surface acoustic wave device chips are obtained. Will be removed. Therefore, in the obtained surface acoustic wave device, the insulation resistance is unlikely to decrease.
【００２６】上述した第１〜第３の実施例では、圧電基
板１１，２１，３１を用いたが、絶縁性基板上に焦電性
を有する圧電薄膜を形成してなる基板を用いた場合に
も、本発明を適用することができる。また、本発明の方
法は、弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタなどの任
意の弾性表面波装置の製造方法一般に適用することがで
きる。次に、具体的な実験例につき説明する。ＩＤＴを
多数形成してなる、いわゆる多電極形弾性表面波フィル
タを作製した。図４において、４１は圧電基板を示し、
該圧電基板４１上に、多数のＩＤＴ４２〜４６を形成し
た。また、ＩＤＴ４２〜４６と同時に、放電ギャップ４
７，４８を介して対向するように放電用電極４９ａ，４
９ｂ，５０ａ，５０ｂを形成した。上記放電用電極４９
ａ，５０ｂは、格子状の配線パターン５１に連ねられる
ように形成しておいた。他方、放電用電極４９ｂ，５０
ａについては、それぞれ、ＩＤＴ４２，４４，４６及び
ＩＤＴ４３，４５の一方のくし歯電極に配線パターン５
２，５３により接続されるように形成した。In the above-mentioned first to third embodiments, the piezoelectric substrates 11, 21 and 31 are used, but when a substrate formed by forming a piezoelectric thin film having pyroelectricity on an insulating substrate is used. Also, the present invention can be applied. Further, the method of the present invention can be applied to a general method for manufacturing an arbitrary surface acoustic wave device such as a surface acoustic wave resonator or a surface acoustic wave filter. Next, a specific experimental example will be described. A so-called multi-electrode type surface acoustic wave filter formed by forming a large number of IDTs was produced. In FIG. 4, reference numeral 41 denotes a piezoelectric substrate,
A large number of IDTs 42 to 46 were formed on the piezoelectric substrate 41. Further, at the same time as the IDTs 42 to 46, the discharge gap 4
Discharge electrodes 49a, 4 facing each other through 7, 48
9b, 50a, 50b were formed. The discharge electrode 49
A and 50b are formed so as to be connected to the grid-shaped wiring pattern 51. On the other hand, the discharge electrodes 49b, 50
For a, one of the IDTs 42, 44, 46 and IDTs 43, 45 has a wiring pattern 5 on one of the comb-teeth electrodes.
It was formed so as to be connected by 2, 53.
【００２７】なお、上記格子状の配線パターン５１は、
個々の多電極形弾性表面波フィルタをマザーのウエハか
ら切断する部分に相当する部分上に形成されている。マ
ザーの圧電基板４１上において上記のような電極構造を
形成した後、第１〜第３の各実施例の方法に従って、個
々の弾性表面波チップを作製した。その結果、第１の実
施例〜第３の実施例のいずれの方法においても、最終的
に得られた弾性表面波装置チップにおける絶縁抵抗の低
下がほとんど生じなかった。例えば、第２，第３の実施
例の方法を採用した場合には、絶縁性薄膜２７，３７を
形成した後の絶縁抵抗は１０4 Ω程度であったが、絶縁
性薄膜２７を除去したり、ダイサーによる切断除去を行
ったりした後には、絶縁抵抗は１０9 Ω程度に回復する
ことが確かめられた。The grid-shaped wiring pattern 51 is
Each of the multi-electrode surface acoustic wave filters is formed on a portion corresponding to a portion where the mother is cut from the wafer. After forming the above electrode structure on the mother piezoelectric substrate 41, individual surface acoustic wave chips were manufactured according to the methods of the first to third embodiments. As a result, in any of the methods of the first to third embodiments, the insulation resistance of the finally obtained surface acoustic wave device chip was hardly reduced. For example, when the methods of the second and third embodiments are adopted, the insulation resistance after forming the insulating thin films 27 and 37 was about 10 4 Ω, but the insulating thin film 27 may be removed. It was confirmed that the insulation resistance recovered to about 10 9 Ω after cutting and removing with a dicer.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明で
は、放電用ギャップを介して対向している放電用電極間
において放電が生じたとしても、放電用ギャップ上に絶
縁性薄膜が存在しないため、放電用ギャップ部分におけ
る電極材料の分散が生じないためか絶縁抵抗の低下が確
実に防止される。同様に、請求項２，３に記載の発明で
は、放電用電極間において放電がおこり、放電用ギャッ
プ部分近傍において絶縁抵抗が低下したとしても、放電
用ギャップ上の絶縁性薄膜あるいは放電用ギャップを含
む部分が最終的に除去されるため、最終的に得られた弾
性表面波装置における絶縁抵抗の低下が確実に防止され
る。As described above, according to the first aspect of the invention, even if discharge occurs between the discharge electrodes facing each other through the discharge gap, the insulating thin film is formed on the discharge gap. Since the electrode material does not exist, the insulation resistance is surely prevented from decreasing, probably because the electrode material is not dispersed in the discharge gap portion. Similarly, in the inventions described in claims 2 and 3, even if discharge occurs between the discharge electrodes and the insulation resistance decreases in the vicinity of the discharge gap portion, the insulating thin film on the discharge gap or the discharge gap is Since the containing portion is finally removed, a decrease in insulation resistance of the finally obtained surface acoustic wave device is reliably prevented.
【００２９】よって、請求項１〜３に記載の発明によれ
ば、焦電性を有する圧電性基板を用いて表面波装置を作
製した場合においても、製造工程中における放電に基因
するよる絶縁抵抗の低下を確実に防止することができ
る。また、ＩＤＴのくし歯電極間を短絡する従来法で
は、放電は防止し得るものの、ＩＤＴの不良等を製造工
程中に検査することができなかったが、本発明の方法で
は、ＩＤＴを短絡させないため、異常を早期に発見する
ことができる。よって、本発明によれば、絶縁抵抗の低
下が生じ難い、安定な特性の弾性表面波装置を提供する
ことが可能となる。Therefore, according to the first to third aspects of the invention, even when the surface acoustic wave device is manufactured by using the piezoelectric substrate having pyroelectricity, the insulation resistance due to the discharge during the manufacturing process is caused. Can be reliably prevented. Further, although the conventional method of short-circuiting the comb-teeth electrodes of the IDT can prevent electric discharge, it was not possible to inspect for defects in the IDT during the manufacturing process, but the method of the present invention does not short-circuit the IDT. Therefore, the abnormality can be detected early. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a surface acoustic wave device having stable characteristics in which insulation resistance is unlikely to decrease.
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例の製造工程
を説明するための各部分切欠断面図。1A and 1B are partial cutaway sectional views for explaining a manufacturing process of a first embodiment.
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施例の製造工程を
説明するための各部分切欠断面図。2A to 2C are partial cutaway sectional views for explaining a manufacturing process of the second embodiment.
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、第３の実施例の製造工程を
説明するための各部分切欠断面図。3A to 3D are partial cutaway cross-sectional views for explaining the manufacturing process of the third embodiment.
【図４】具体的な実験例において用いた電極構造を説明
するための平面図。FIG. 4 is a plan view for explaining an electrode structure used in a specific experimental example.
【図５】従来の弾性表面波装置の製造方法の一例を説明
するための平面図。FIG. 5 is a plan view for explaining an example of a conventional method of manufacturing a surface acoustic wave device.
【図６】従来の弾性表面波装置の製造方法の他の例を説
明するための平面図。FIG. 6 is a plan view for explaining another example of the conventional method for manufacturing a surface acoustic wave device.
【図７】従来例における問題点を説明するための部分切
欠断面図。FIG. 7 is a partial cutaway sectional view for explaining problems in the conventional example.
１１…圧電基板 １２…ＩＤＴ １２ａ〜１２ｅ…電極指 １４，１５…放電用電極 １６…放電用ギャップ １８…絶縁性薄膜 11 ... Piezoelectric substrate 12 ... IDT 12a-12e ... Electrode fingers 14, 15 ... Discharge electrode 16 ... Discharge gap 18 ... Insulating thin film
Claims (3)
の電極指が互いに間挿されている構造を有するインター
デジタルトランスデューサ及び該インターデジタルトラ
ンスデューサを覆う絶縁性薄膜を形成してなる弾性表面
波装置の製造方法であって、 前記圧電性基板上に、前記インターデジタルトランスデ
ューサと、インターデジタルトランスデューサの電極指
間ギャップよりも小さな幅のギャップを介して隔てられ
た少なくとも一対の放電用電極とを形成する工程と、 前記放電用電極のギャップ上の領域を残して、かつ少な
くともインターデジタルトランスデューサを覆うように
前記絶縁性薄膜を形成する工程とを備える、弾性表面波
装置の製造方法。1. An elasticity obtained by forming an interdigital transducer having a structure in which a plurality of electrode fingers are interleaved, and an insulating thin film covering the interdigital transducer on a piezoelectric substrate having pyroelectricity. A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising: on the piezoelectric substrate, the interdigital transducer, and at least a pair of discharge electrodes separated by a gap having a width smaller than a gap between electrode fingers of the interdigital transducer. And a step of forming the insulating thin film so as to cover at least the interdigital transducer while leaving a region on the gap of the discharge electrode, and a method for manufacturing a surface acoustic wave device.
の電極指が互いに間挿されている構造を有するインター
デジタルトランスデューサ及び該インターデジタルトラ
ンスデューサを覆う絶縁性薄膜を形成してなる弾性表面
波装置の製造方法であって、 前記圧電性基板上に、前記インターデジタルトランスデ
ューサと、インターデジタルトランスデューサの電極指
間ギャップよりも小さな幅のギャップを介して隔てられ
た少なくとも一対の放電用電極とを形成する工程と、 前記圧電性基板上の全面に絶縁性薄膜を形成する工程
と、 前記放電用電極のギャップ上に位置している絶縁性薄膜
部分を除去する工程とを備える、弾性表面波装置の製造
方法。2. An elasticity obtained by forming an interdigital transducer having a structure in which a plurality of electrode fingers are mutually inserted on a piezoelectric substrate having pyroelectricity, and an insulating thin film covering the interdigital transducer. A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising: on the piezoelectric substrate, the interdigital transducer, and at least a pair of discharge electrodes separated by a gap having a width smaller than a gap between electrode fingers of the interdigital transducer. Surface acoustic wave comprising: a step of forming an insulating thin film on the entire surface of the piezoelectric substrate; and a step of removing an insulating thin film portion located on the gap of the discharge electrode. Device manufacturing method.
の電極指が互いに間挿されている構造を有するインター
デジタルトランスデューサ及び該インターデジタルトラ
ンスデューサを覆う絶縁性薄膜を形成してなる弾性表面
波装置の製造方法であって、 前記圧電性基板上に、前記インターデジタルトランスデ
ューサと、インターデジタルトランスデューサの電極指
間ギャップよりも小さな幅のギャップを介して隔てられ
た少なくとも一対の放電用電極を形成する工程と、 前記圧電性基板上の全面に絶縁性薄膜を形成する工程
と、 前記ギャップを挟んで対向している放電用電極部分と、
該ギャップ及び該放電用電極部分上の絶縁性薄膜部分と
を少なくとも除去する工程とを備える、弾性表面波装置
の製造方法。3. An elasticity obtained by forming an interdigital transducer having a structure in which a plurality of electrode fingers are mutually inserted on a piezoelectric substrate having a pyroelectric property, and an insulating thin film covering the interdigital transducer. A method for manufacturing a surface acoustic wave device, comprising: on the piezoelectric substrate, the interdigital transducer, and at least a pair of discharge electrodes separated by a gap having a width smaller than a gap between electrode fingers of the interdigital transducer. A step of forming, a step of forming an insulating thin film on the entire surface of the piezoelectric substrate, and discharge electrode portions facing each other across the gap,
And a step of removing at least the insulating thin film portion on the discharge electrode portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27602892A JPH06132758A (en) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | Manufacture of surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27602892A JPH06132758A (en) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | Manufacture of surface acoustic wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132758A true JPH06132758A (en) | 1994-05-13 |
Family
ID=17563793
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27602892A Pending JPH06132758A (en) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | Manufacture of surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132758A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034578A (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-07 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with closely spaced discharge electrodes electrically independent of the interdigital transducers |
| WO2005002049A1 (en) * | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave element |
| US20120100284A1 (en) * | 2007-03-26 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Switching Element, Method For Manufacturing The Same, And Display Device Including Switching Element |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP27602892A patent/JPH06132758A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034578A (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-07 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with closely spaced discharge electrodes electrically independent of the interdigital transducers |
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| US7282835B2 (en) | 2003-06-26 | 2007-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave element |
| US20120100284A1 (en) * | 2007-03-26 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Switching Element, Method For Manufacturing The Same, And Display Device Including Switching Element |
| US8966731B2 (en) * | 2007-03-26 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a switching element |
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