JPH06132510A - Thin-film optical photosensor - Google Patents
Thin-film optical photosensorInfo
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- JPH06132510A JPH06132510A JP4278341A JP27834192A JPH06132510A JP H06132510 A JPH06132510 A JP H06132510A JP 4278341 A JP4278341 A JP 4278341A JP 27834192 A JP27834192 A JP 27834192A JP H06132510 A JPH06132510 A JP H06132510A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータへの画
像，文字入力、あるいは、ファクシミリへの画像，文字
入力、あるいは、その他の画像情報を扱うものへの画像
情報入力に用いられる１次元あるいは２次元画像入力装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a one-dimensional or two-dimensional image used for image and character input to a computer, image and character input to a facsimile, or image information input to a device that handles other image information. The present invention relates to a three-dimensional image input device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ファクシミリあるいは、コンピュータの
イメージスキャナなど、画像入力装置が広く普及しつつ
ある。近年、これらの画像入力装置用に、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）を用いた薄膜光センサが開発されてい
る。このＴＦＴ型光センサの例が特開昭58−18978 号公
報に見られる。このセンサは、図３に示されるように、
ＴＦＴのソース電極３１及びドレイン電極３２側から光
を入射して、それを非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層３３
に吸収させ、入射光量に応じたソース，ドレイン間電流
を取出すものである。このＴＦＴ型センサは、非晶質シ
リコンを用いるので大面積にわたる２次元化に好適であ
り、かつ、従来の液晶ディスプレイ用のＴＦＴの作製技
術を流用できるという利点がある。また、この型のセン
サでは、暗電流を小さく抑えることができる。その反
面、ゲート電極３４に与える電圧により、光励起電子の
移動が阻害されるため、明電流を大きくすることは容易
ではなかった。2. Description of the Related Art Image input devices such as facsimiles and computer image scanners are becoming widespread. In recent years, thin-film optical sensors using thin film transistors (TFTs) have been developed for these image input devices. An example of this TFT type optical sensor is found in JP-A-58-18978. This sensor, as shown in FIG.
Light is incident from the side of the source electrode 31 and the drain electrode 32 of the TFT, and the light is incident on the amorphous silicon (a-Si) layer 33.
The current between the source and drain is extracted according to the amount of incident light. Since this TFT type sensor uses amorphous silicon, it is suitable for two-dimensionalization over a large area, and has the advantage that the conventional TFT fabrication technology for liquid crystal displays can be used. Further, in this type of sensor, the dark current can be suppressed to be small. On the other hand, since the voltage applied to the gate electrode 34 impedes the movement of photoexcited electrons, it is not easy to increase the bright current.
【０００３】そこで上記のようにＴＦＴ型光センサのゲ
ート電極を複数にし、ゲート電圧の影響の小さい部分で
光を吸収させて光電流を増大する構造の薄膜光センサが
発明された。すなわち、特開平2−215168 号公報に開示
されている。このトランジスタの一例の断面図を図４，
等価回路図を図５に示す。ドレイン側，ソース側のゲー
ト電極にはそれぞれ電圧Ｖｇ(ｄ)，Ｖｇ(ｓ)が印加され
る。図４の非晶質シリコン４３のＡの部分で主として光
を検出する。このセンサは、低い暗電流及び高い明電流
を実現するので、大面積センサ用途に極めて有望な素子
である。Therefore, a thin film optical sensor having a structure in which a plurality of gate electrodes of a TFT type optical sensor are absorbed as described above and light is absorbed at a portion where the influence of the gate voltage is small to increase the photocurrent has been invented. That is, it is disclosed in JP-A-2-215168. A cross-sectional view of an example of this transistor is shown in FIG.
An equivalent circuit diagram is shown in FIG. Voltages Vg (d) and Vg (s) are applied to the drain-side and source-side gate electrodes, respectively. Light is mainly detected at the portion A of the amorphous silicon 43 in FIG. This sensor achieves low dark current and high bright current, which makes it a very promising device for large area sensor applications.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、複数のゲート
電極を有する薄膜光センサでは、電極の数が増えてしま
い、センサアレイを構成したときに取り出すべき引出線
の数が増大するという問題があった。図６は、図４のよ
うな光センサＴＦＴ５１と、スイッチングＴＦＴ５２，
蓄積容量５３からなる画素を２次元配列した場合の等価
回路図の例である。これによれば、センサＴＦＴ用のゲ
ート引出線として、センサＴＦＴのソース電極５４側の
ゲート電極５５に電圧を与える引出線５６とドレイン電
極５７側のゲート電極５８に電圧を与える引出線５９を
設ける必要があり、構造が複雑になった。また、それぞ
れの電極に与える電圧の設定方法も不明な点が多かっ
た。However, in the thin film photosensor having a plurality of gate electrodes, there is a problem that the number of electrodes increases and the number of lead lines to be taken out when the sensor array is constructed increases. It was FIG. 6 shows an optical sensor TFT 51 as shown in FIG.
It is an example of an equivalent circuit diagram in the case where the pixels including the storage capacitors 53 are two-dimensionally arranged. According to this, as a gate lead line for the sensor TFT, a lead line 56 for giving a voltage to the gate electrode 55 on the source electrode 54 side of the sensor TFT and a lead line 59 for giving a voltage to the gate electrode 58 on the drain electrode 57 side are provided. It was necessary, and the structure became complicated. In addition, there were many unclear points about how to set the voltage applied to each electrode.
【０００５】本発明の目的は、簡単な構造で、光センサ
の良好な特性を充分に活用できる駆動法を有する薄膜光
センサを提供することにある。An object of the present invention is to provide a thin film optical sensor having a driving method which has a simple structure and can sufficiently utilize good characteristics of the optical sensor.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明ではドレイン電極側のゲート電極を蓄積容量
の電極に各画素内で接続した。特に、その接続に当たっ
ては、同一金属層で両電極を形成する構造とした。さら
に、それらの電極に与える電圧をセンサＴＦＴのソース
電位以下の一定の電位に設定して駆動した。In order to solve the above problems, in the present invention, the gate electrode on the drain electrode side is connected to the electrode of the storage capacitor in each pixel. In particular, for the connection, both electrodes are formed of the same metal layer. Further, the voltage applied to these electrodes was set to a constant potential equal to or lower than the source potential of the sensor TFT, and the electrodes were driven.
【０００７】[0007]
【作用】光センサの複数のゲート電極のうち、ドレイン
電極側のゲート電極を蓄積容量の電極に各画素内で接続
することにより、センサ領域の外側へ引出配線をする必
要がなくなり、構造が簡易化される。また、その接続に
は同一の金属層が使用可能なので、実現が容易である。
ゲート電極及びそれに接続された蓄積容量の電極の電位
を光センサのソース電極の電位の値以下に設定すると、
暗電流を低く保ったまま高い明電流を得ることができ
る。[Function] By connecting the gate electrode on the drain electrode side of the plurality of gate electrodes of the photosensor to the electrode of the storage capacitor in each pixel, it is not necessary to provide a lead wire outside the sensor region, and the structure is simple. Be converted. Moreover, since the same metal layer can be used for the connection, it is easy to realize.
When the potential of the gate electrode and the electrode of the storage capacitor connected to it is set to be equal to or lower than the value of the potential of the source electrode of the photosensor,
A high bright current can be obtained while keeping the dark current low.
【０００８】[0008]
【実施例】〈実施例１〉以下、本発明の一実施例として
２次元のイメージセンサについて説明する。図１は本実
施例による薄膜光センサの画素部の断面図、図２はその
平面図である。図２のＡ−Ａに沿った断面図が図１であ
る。この光センサの作製プロセスは次の通りである。す
なわち、ガラス基板１上に、光センサ用ＴＦＴの下部遮
光膜２として２００ｎｍのＣｒをスパッタリング法によ
り堆積し、通常のフォトリソグラフィ法を用いてパター
ニングする。ついでＣＶＤ法によりＳｉＯ2(６００ｎ
ｍ）絶縁膜層３を堆積する。その後、再びスパッタリン
グ法により厚さ１５０ｎｍのＣｒによりスイッチングＴ
ＦＴ用のゲート電極４，光センサ用ＴＦＴのゲート電極
５，６、及び蓄積容量の下部電極７を形成する。次に、
ＣＶＤ法によりゲート絶縁膜である窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）８，半導体層の非晶質シリコン(ａ−Ｓｉ)９をそれ
ぞれ３００ｎｍ，３００ｎｍの厚さに堆積する。さらに
同じくプラズマＣＶＤ法により、オーミックコンタクト
を取るためのｎ型ａ−Ｓｉ１０も２層に続いて堆積す
る。厚さは６０ｎｍである。プラズマＣＶＤ法は、真空
容器中にモノシランＳｉＨ4 をベースにしたガスを導入
し、ＲＦパワーを加えることによりプラズマを形成し、
これにより分解したＳｉおよび水素を基板上に堆積す
る。この場合、ａ−Ｓｉが形成されるが、ＳｉＨ4 とと
もに窒素やアンモニアを導入すればＳｉＮが形成され
る。またホスフィン(ＰＨ3）を導入すれば、ｎ型不純物
である燐をドープしたａ−Ｓｉを形成することができ
る。これらは、ゲート絶縁膜やオーミックコンタクト層
となる。膜堆積後のａ−Ｓｉ層はパターニングされる。EXAMPLE 1 A two-dimensional image sensor will be described below as an example of the present invention. FIG. 1 is a sectional view of a pixel portion of a thin film photosensor according to this embodiment, and FIG. 2 is a plan view thereof. FIG. 1 is a sectional view taken along line AA of FIG. The manufacturing process of this optical sensor is as follows. That is, 200 nm of Cr is deposited on the glass substrate 1 as the lower light-shielding film 2 of the photosensor TFT by a sputtering method, and patterned by a normal photolithography method. Then SiO 2 (600n
m) Deposit the insulating film layer 3. After that, switching T is again performed by a 150 nm-thick Cr film by the sputtering method.
The FT gate electrode 4, the photosensor TFT gate electrodes 5 and 6, and the storage capacitor lower electrode 7 are formed. next,
Silicon nitride (Si
N) 8 and amorphous silicon (a-Si) 9 for the semiconductor layer are deposited to a thickness of 300 nm and 300 nm, respectively. Further, also by the plasma CVD method, n-type a-Si 10 for making ohmic contact is also deposited successively in two layers. The thickness is 60 nm. In the plasma CVD method, a gas based on monosilane SiH 4 is introduced into a vacuum container and RF power is applied to form plasma,
The decomposed Si and hydrogen are deposited on the substrate. In this case, a-Si is formed, but SiN is formed by introducing nitrogen or ammonia together with SiH 4 . Further, by introducing phosphine (PH 3 ), a-Si doped with phosphorus, which is an n-type impurity, can be formed. These become a gate insulating film and an ohmic contact layer. The a-Si layer after film deposition is patterned.
【０００９】つぎに光センサＴＦＴやスイッチングＴＦ
Ｔの上部電極として、ソース電極１１，１２とドレイン
電極１３，１４及び蓄積容量の上部電極１５を形成す
る。電極１１，１４及び１５は接続されている。ソース
電極１２は、コンタクトホール（図２）を介して蓄積容
量の下部電極７と接続されている。電極材料はＣｒとＡ
ｌの二層膜を用いる。Ｃｒはａ−ＳｉとＡｌの反応を防
止するためのバッファ層であり、Ａｌは電極の低抵抗化
のためである。各々の膜厚は８０ｎｍ，８００ｎｍであ
る。ＣｒとＡｌの二層膜は、この後、パターニングされ
る。パターン化されたソースおよびドレイン電極をマス
クとしてｎ型ａ−Ｓｉ層もエッチングする。これは、セ
ルファライン工程となる。Next, an optical sensor TFT and a switching TF
As the upper electrode of T, the source electrodes 11 and 12, the drain electrodes 13 and 14, and the upper electrode 15 of the storage capacitor are formed. The electrodes 11, 14 and 15 are connected. The source electrode 12 is connected to the lower electrode 7 of the storage capacitor via a contact hole (FIG. 2). The electrode materials are Cr and A
1 bilayer membrane is used. Cr is a buffer layer for preventing the reaction between a-Si and Al, and Al is for lowering the resistance of the electrode. The film thickness of each is 80 nm and 800 nm. The bilayer film of Cr and Al is then patterned. The n-type a-Si layer is also etched using the patterned source and drain electrodes as a mask. This is a self-alignment process.
【００１０】この後、チャネル保護膜としてプラズマＣ
ＶＤによるＳｉＮを用いてスイッチング用ＴＦＴ及び光
センサ用ＴＦＴの保護膜１６を設け、次にスイッチング
用ＴＦＴの上方にはソース・ドレイン電極と重畳するよ
うにＡｌの１μｍを用いて上部遮光膜１７を形成する。
すなわち、この遮光膜によって、明状態や暗状態にかか
わらずスイッチング用ＴＦＴの良好な動作が可能にな
る。Thereafter, plasma C is used as a channel protective film.
The protective film 16 for the switching TFT and the photosensor TFT is provided by using SiN by VD, and then the upper light-shielding film 17 is formed by using 1 μm of Al so as to overlap with the source / drain electrodes above the switching TFT. Form.
That is, the light-shielding film enables the switching TFT to operate favorably regardless of the bright state or the dark state.
【００１１】このような作製方法で本発明に特徴的なこ
とは、光センサ用ＴＦＴのドレイン側のゲート電極５と
蓄積容量の下部電極７が同一のＣｒ金属層で形成されて
かつ接続されている点である。これにより、引出線の数
を低減することができる。The feature of the present invention in such a manufacturing method is that the gate electrode 5 on the drain side of the photosensor TFT and the lower electrode 7 of the storage capacitor are formed and connected by the same Cr metal layer. That is the point. Thereby, the number of leader lines can be reduced.
【００１２】図７は薄膜光センサを２次元に配列したも
のの等価回路である。各画素は、上述のように光センサ
用ＴＦＴ１０１，スイッチング用ＴＦＴ１０２及び蓄積
容量１０３から成る。光センサ用ＴＦＴの四つの端子の
うち、ドレイン側のゲート電極５は蓄積容量の下部電極
７に接続され、ある電圧Ｖｇ(ｄ)に固定される。ソース
側のゲート電極６は別の電圧Ｖｇ(ｓ)に固定される。ド
レイン電極１４はスイッチングＴＦＴのソース電極１１
と接続される（図２）。ソース電極には上記電圧Ｖｇ
(ｄ)が印加される。スイッチング用ＴＦＴの残りの端子
については、ゲート電極４が垂直走査線１０４に接続さ
れ、ドレイン電極１３が水平走査線１０５に接続されて
いる。水平走査線１０５及び蓄積容量の上部電極１５は
スイッチング用ＴＦＴのソース，ドレイン電極と同時に
形成され、垂直走査線１０４はスイッチング用ＴＦＴの
ゲート電極と同時に形成される。各水平走査線は、水平
走査回路に接続され、また、各垂直走査線は垂直走査回
路に接続されている。FIG. 7 is an equivalent circuit of a two-dimensional array of thin film photosensors. Each pixel includes the photosensor TFT 101, the switching TFT 102, and the storage capacitor 103 as described above. Of the four terminals of the photosensor TFT, the gate electrode 5 on the drain side is connected to the lower electrode 7 of the storage capacitor and fixed to a certain voltage Vg (d). The gate electrode 6 on the source side is fixed to another voltage Vg (s). The drain electrode 14 is the source electrode 11 of the switching TFT.
(Fig. 2). The above voltage Vg is applied to the source electrode.
(d) is applied. Regarding the remaining terminals of the switching TFT, the gate electrode 4 is connected to the vertical scanning line 104 and the drain electrode 13 is connected to the horizontal scanning line 105. The horizontal scanning line 105 and the upper electrode 15 of the storage capacitor are formed simultaneously with the source and drain electrodes of the switching TFT, and the vertical scanning line 104 is formed simultaneously with the gate electrode of the switching TFT. Each horizontal scanning line is connected to a horizontal scanning circuit, and each vertical scanning line is connected to a vertical scanning circuit.
【００１３】この２次元薄膜光センサの走査方法は、次
の通りである。The scanning method of this two-dimensional thin film optical sensor is as follows.
【００１４】垂直走査線Ｇ１に接続された全てのスイ
ッチングＴＦＴを所定時間ｔ0 だけオン状態にする。こ
の走査により垂直走査線Ｇ１に接続された各画素の蓄積
容量が充電される。この走査を垂直走査線Ｇ２からＧｎ
まで、順次、行う。All the switching TFTs connected to the vertical scanning line G1 are turned on for a predetermined time t 0 . By this scanning, the storage capacitance of each pixel connected to the vertical scanning line G1 is charged. This scanning is performed from the vertical scanning lines G2 to Gn.
Until step by step.
【００１５】Ｔ＝(ｎ−１)×ｔ0 後に垂直走査線Ｇ１
に接続されたスイッチングＴＦＴが再びオン状態にな
る。この期間Ｔの間に光センサ用ＴＦＴが蓄積容量に保
持された電荷を放電する。この放電電荷量は、光センサ
に入射する光の量によって決まる。さて、２度目のＧ１
の選択時間は、ｔ1 である。この時間ｔ1 の間に水平走
査線Ｄ１〜Ｄｍを通じて、放電電荷量が読み出される。
この場合の電荷量の読み出し方は、時間ｔ1 をｍ分割し
て各水平走査線毎に順次読み出す（すなわち、水平走査
線一本あたりの読み出し時間はｔ1 ／ｍ秒）方法と、各
水平走査線の読み出しに時間ｔ1 を充てて、垂直走査線
Ｇ１に連なる画素の充電電荷量を同時に読み出す方法が
ある。本発明による光センサでは、いずれの方式も可能
である。[0015] T = (n-1) × t vertical scanning lines after 0 G1
The switching TFT connected to is turned on again. During this period T, the photosensor TFT discharges the electric charge held in the storage capacitor. This discharge charge amount is determined by the amount of light that enters the photosensor. Now, the second G1
The selection time of is t 1 . During this time t 1 , the discharge charge amount is read out through the horizontal scanning lines D1 to Dm.
In this case, the charge amount is read out by dividing the time t 1 into m and sequentially reading out for each horizontal scanning line (that is, the reading time per horizontal scanning line is t 1 / msec) and each horizontal scanning line. There is a method of spending time t 1 for reading the scanning line and simultaneously reading the amount of charge charged in the pixels connected to the vertical scanning line G1. With the optical sensor according to the present invention, either method is possible.
【００１６】垂直走査線Ｇ１に接続された全てのスイ
ッチングＴＦＴをオフ状態にする。All the switching TFTs connected to the vertical scanning line G1 are turned off.
【００１７】次段の垂直走査線Ｇ２に接続された全て
のスイッチングＴＦＴを時間ｔ1 だけオン状態にし、上
記と同じ操作を行った後、スイッチングＴＦＴをオフ
状態にする。All the switching TFTs connected to the vertical scanning line G2 in the next stage are turned on for a time t 1 , and after performing the same operation as described above, the switching TFTs are turned off.
【００１８】同様に上記〜を、垂直走査線Ｇｎま
で行い、読み出しが完了する。画面一枚あたりの読み出
し時間はｎ×(ｔ0＋ｔ1)秒である。Similarly, the above steps 1 to 3 are repeated up to the vertical scanning line Gn to complete the reading. The readout time for one screen is n × (t 0 + t 1 ) seconds.
【００１９】ところで、光センサＴＦＴのゲート電圧
は、走査時間にわたり一定の電圧に保たれる。この電圧
が上に述べたＶｇ(ｄ)，Ｖｇ(ｓ)である。この電圧の値
は、明電流と暗電流の比ができるだけ大きくなるように
設定される。By the way, the gate voltage of the photosensor TFT is maintained at a constant voltage over the scanning time. This voltage is Vg (d) and Vg (s) described above. The value of this voltage is set so that the ratio of the bright current to the dark current is as large as possible.
【００２０】図８は、その電圧条件を定めるのに必要な
光センサＴＦＴの電流−電圧特性図である。暗電流を低
くするには、Ｖｇ(ｓ)の値としては負電圧に設定するの
が望ましい。しかもその場合のＶｇ(ｄ)の値は、０Ｖ以
下とするのが望ましい。本実施例では、Ｖｇ(ｓ)＝−１
０Ｖ，Ｖｇ(ｄ)＝０Ｖとした。FIG. 8 is a current-voltage characteristic diagram of the photosensor TFT required to determine the voltage condition. In order to reduce the dark current, it is desirable to set the value of Vg (s) to a negative voltage. In addition, the value of Vg (d) in that case is preferably 0 V or less. In this embodiment, Vg (s) =-1
0V and Vg (d) = 0V were set.
【００２１】さて、本実施例では、上に述べたように、
光センサＴＦＴのソース電極と蓄積容量の下部電極は、
絶縁膜に設けられたコンタクトホールを通じて画素内で
接続されている（図２）ので、電圧供給線の数は一層低
減されている。Now, in this embodiment, as described above,
The source electrode of the photosensor TFT and the lower electrode of the storage capacitor are
The number of voltage supply lines is further reduced because they are connected in the pixel through the contact holes provided in the insulating film (FIG. 2).
【００２２】〈実施例２〉本発明の他の実施例として、
図９を用いて１次元イメージセンサについて説明する。
光センサＴＦＴ１０１，スイッチングＴＦＴ１０２，蓄
積容量１０３一組で画素を構成する点や各電極の接続方
法及び電圧条件は、実施例１の場合と同じである。セン
サの走査は、まず主走査回路により、スイッチングＴＦ
Ｔのゲートを順次オンして、主走査方向の走査を行う。
次に副走査としてセンサあるいは原稿を微少量動かす。
以下、順次、主走査，副走査を繰り返すことにより、画
像読み取りが完了する。<Embodiment 2> As another embodiment of the present invention,
The one-dimensional image sensor will be described with reference to FIG.
The point that a pixel is composed of one set of the photosensor TFT 101, the switching TFT 102, and the storage capacitor 103, the connection method of each electrode, and the voltage condition are the same as those in the first embodiment. The scanning of the sensor is first performed by the main scanning circuit by the switching TF.
The gates of T are sequentially turned on to perform scanning in the main scanning direction.
Next, as a sub-scan, the sensor or the document is moved by a small amount.
After that, image reading is completed by sequentially repeating the main scanning and the sub-scanning.
【００２３】さて、本発明は蓄積容量を用いた複数ゲー
トを有するＴＦＴ型光センサの構成に関するものであ
る。この意味において、本発明は実施例に限定されな
い。例えば、ゲート電極はＣｒに限らずＡｌやＴａであ
ってもよいし、ゲート絶縁膜はＳｉＮやＳｉＯ2 に限ら
ずＡｌ2Ｏ3やＴａ2Ｏ5あるいはこれらの組合せであって
もよい。またＴＦＴの半導体材料は、非晶質シリコンに
限らず多結晶シリコンであってもよい。The present invention relates to the structure of a TFT type optical sensor having a plurality of gates using storage capacitors. In this sense, the invention is not limited to the examples. For example, the gate electrode is not limited to Cr and may be Al or Ta, and the gate insulating film is not limited to SiN or SiO 2 and may be Al 2 O 3 or Ta 2 O 5 or a combination thereof. Further, the semiconductor material of the TFT is not limited to amorphous silicon and may be polycrystalline silicon.
【００２４】[0024]
【発明の効果】光センサの複数のゲート電極のうち、ド
レイン電極側のゲート電極を蓄積容量の電極に各画素内
で接続することにより、センサ領域の外側へ引出配線の
数を低減することができる。また、その接続に同一の金
属層を使用することにより、画素構成を簡単にすること
ができる。さらにゲート電極及びそれに接続された蓄積
容量の電極の電位を光センサのソース電極の電位の値以
下に設定すると、暗電流を低く保ったまま高い明電流を
得ることができる。特に、それらの電位を等しく設定す
ると構造をより簡単にすることができる。By connecting the gate electrode on the drain electrode side of the plurality of gate electrodes of the photosensor to the electrode of the storage capacitor in each pixel, it is possible to reduce the number of lead wires outside the sensor region. it can. Further, the pixel structure can be simplified by using the same metal layer for the connection. Further, by setting the potential of the gate electrode and the electrode of the storage capacitor connected thereto to be equal to or lower than the potential value of the source electrode of the photosensor, a high bright current can be obtained while keeping the dark current low. In particular, the structure can be made simpler by setting the potentials thereof to be equal.
【図１】本発明の実施例を説明するためセンサの断面
図。FIG. 1 is a sectional view of a sensor for explaining an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例による２次元センサの平面図。FIG. 2 is a plan view of a two-dimensional sensor according to an embodiment of the present invention.
【図３】従来技術によるＴＦＴ型光センサの断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a TFT type optical sensor according to a conventional technique.
【図４】複数ゲートを有するＴＦＴ型光センサの断面
図。FIG. 4 is a cross-sectional view of a TFT photosensor having a plurality of gates.
【図５】複数ゲートを有するＴＦＴ型光センサの等価回
路図。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a TFT photosensor having a plurality of gates.
【図６】従来技術によるＴＦＴ型光センサを用いた２次
元センサの等価回路図。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a two-dimensional sensor using a TFT type optical sensor according to a conventional technique.
【図７】本発明の実施例による２次元センサの等価回路
図。FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a two-dimensional sensor according to an embodiment of the present invention.
【図８】光センサＴＦＴの電流−電圧特性図。FIG. 8 is a current-voltage characteristic diagram of the optical sensor TFT.
【図９】本発明の実施例による１次元センサの等価回路
図。FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of a one-dimensional sensor according to an embodiment of the present invention.
１…ガラス基板、２…下部遮光膜、３…絶縁膜層、４，
５，６…ゲート電極、７…蓄積容量の下部電極、８…ゲ
ート絶縁膜、９…非晶質シリコン、１０…ｎ型非晶質シ
リコン、１１，１２…ソース電極、１３，１４…ドレイ
ン電極、１５…蓄積容量の上部電極、１６…保護膜、１
７…遮光膜。1 ... Glass substrate, 2 ... Lower light-shielding film, 3 ... Insulating film layer, 4,
5, 6 ... Gate electrode, 7 ... Storage capacitor lower electrode, 8 ... Gate insulating film, 9 ... Amorphous silicon, 10 ... N-type amorphous silicon, 11, 12 ... Source electrode, 13, 14 ... Drain electrode , 15 ... upper electrode of storage capacitor, 16 ... protective film, 1
7 ... Shading film.
Claims (6)
トランジスタと、スイッチング用薄膜トランジスタと、
前記光センサ用薄膜トランジスタおよび前記スイッチン
グ用薄膜トランジスタに接続された蓄積容量からなる画
素とを含む薄膜光センサにおいて、前記光センサ用薄膜
トランジスタのドレイン電極側の前記ゲート電極と前記
蓄積容量の電極とが接続され同一電位に保たれることを
特徴とする薄膜光センサ。1. A thin film transistor for an optical sensor having a plurality of gate electrodes, and a thin film transistor for switching,
In a thin film optical sensor including a pixel composed of a storage capacitor connected to the thin film transistor for photosensor and the switching thin film transistor, the gate electrode on the drain electrode side of the thin film transistor for photosensor and the electrode of the storage capacitor are connected. A thin film optical sensor characterized by being kept at the same potential.
ランジスタのドレイン側の前記ゲート電極に接続された
蓄積容量の電極に一定の電位を与えて駆動する薄膜光セ
ンサ。2. The thin-film photosensor according to claim 1, wherein the thin-film photosensor is driven by applying a constant potential to an electrode of a storage capacitor connected to the gate electrode on the drain side of the photosensor thin film transistor.
ランジスタのドレイン側の前記ゲート電極に接続された
蓄積容量の電極に与える一定の電位は、光センサ用薄膜
トランジスタのソース電位以下である薄膜光センサ。3. The thin film photosensor according to claim 2, wherein a constant potential applied to the electrode of the storage capacitor connected to the gate electrode on the drain side of the photosensor thin film transistor is equal to or lower than the source potential of the photosensor thin film transistor. .
ング用薄膜トランジスタ及び前記光センサ用薄膜トラン
ジスタの半導体層が非晶質シリコンからなる薄膜光セン
サ。4. The thin film photosensor according to claim 1, wherein the semiconductor layers of the switching thin film transistor and the photosensor thin film transistor are made of amorphous silicon.
用いた１次元イメージセンサ。5. A one-dimensional image sensor using the thin film photosensor according to claim 1.
用いた２次元イメージセンサ。6. A two-dimensional image sensor using the thin film photosensor according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4278341A JPH06132510A (en) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | Thin-film optical photosensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4278341A JPH06132510A (en) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | Thin-film optical photosensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132510A true JPH06132510A (en) | 1994-05-13 |
Family
ID=17595984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4278341A Pending JPH06132510A (en) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | Thin-film optical photosensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132510A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040044588A (en) * | 2002-11-21 | 2004-05-31 | (주) 제이.에스.씨.앤.아이 | A light sensing device using a thin film transistor |
| KR100443901B1 (en) * | 1998-12-08 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Thin film transistor type photo sensor and method for fabricating the same |
| KR100583589B1 (en) * | 1998-12-15 | 2006-09-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Thin film transistor type optical sensor and its manufacturing method |
| US7462863B2 (en) | 2002-07-11 | 2008-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film phototransistor, active matrix substrate using the phototransistor, and image scanning device using the substrate |
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| JP2012060124A (en) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Organic light-emitting display device |
| JP2012231138A (en) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Optical sensing device and driving method for the same |
-
1992
- 1992-10-16 JP JP4278341A patent/JPH06132510A/en active Pending
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| US8704148B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-sensing apparatus having a conductive light-shielding film on a light-incident surface of a switch transistor and method of driving the same |
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