JPH06132424A - Switching semiconductor device - Google Patents
Switching semiconductor deviceInfo
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- JPH06132424A JPH06132424A JP27758692A JP27758692A JPH06132424A JP H06132424 A JPH06132424 A JP H06132424A JP 27758692 A JP27758692 A JP 27758692A JP 27758692 A JP27758692 A JP 27758692A JP H06132424 A JPH06132424 A JP H06132424A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング電源,イ
ンバータなどに用いるスイッチングパワーデバイスを対
象としたスイッチング半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switching semiconductor device intended for a switching power device used in a switching power supply, an inverter and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】スイッチング電源,PWM制御インバー
タなどでは小型,高効率化を押し進めるために、スイッ
チング素子にパワートランジスタを用いたスイッチング
パワーデバイスが広く採用されている。また、かかるス
イッチングパワーデバイスは、高機能化とともにスイッ
チング周波数がますます高くなる傾向にあるが、一方で
は、スイッチングパワーデバイスのスイッチング動作に
伴って高周波ノイズの発生し、これが誘導ノイズとして
周囲に伝播して周辺回路,周辺機器にノイズ障害を及ぼ
すことが知られており、しかもスイッチング周波数の高
まりに伴いノイズ障害の影響も大きくなることから、そ
のノイズ低減対策がスイッチング半導体装置に課せられ
た重要課題の一つとなっている。2. Description of the Related Art In switching power supplies, PWM control inverters and the like, switching power devices using power transistors as switching elements are widely adopted in order to promote miniaturization and high efficiency. In addition, such switching power devices tend to have higher switching frequencies with higher functionality, but on the other hand, high-frequency noise is generated with the switching operation of the switching power devices and propagates as inductive noise to the surroundings. It is known that the noise disturbance affects peripheral circuits and peripheral devices, and the influence of the noise disturbance increases with the increase of switching frequency. Therefore, the noise reduction measure is one of the important issues imposed on switching semiconductor devices. It is one.
【0003】一方、スイッチング半導体装置のノイズ低
減対策として、スイッチングパワーデバイスのリード端
子にフェライトビーズ(チョークコイルの一種)を挿入
したり、ゲート抵抗を接続して調整するなどしたノイズ
低減策が従来より知られている。On the other hand, as a noise reduction measure for a switching semiconductor device, noise reduction measures such as inserting ferrite beads (a kind of choke coil) into the lead terminal of a switching power device or connecting a gate resistor for adjustment have been adopted. Are known.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来のノイズ低減対策では、部品点数,組立,調整工数が
増えるのみならず、スイッチングパワーデバイスのスイ
ッチング特性の面でスイッチング周波数が低く抑えられ
たり、スイッチング損失の増加を招くといった問題があ
る。By the way, in the above-mentioned conventional noise reduction measures, not only the number of parts, assembly and adjustment man-hours increase, but also the switching frequency can be suppressed low in terms of the switching characteristics of the switching power device, There is a problem that it causes an increase in switching loss.
【0005】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は本来のスイッチング特性を損なうこ
となしに、スイッチング動作に伴って発生するノイズの
大幅な低減化が図れるようにしたスイッチング半導体装
置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a switching semiconductor which is capable of significantly reducing noise generated by a switching operation without impairing the original switching characteristics. To provide a device.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のスイッチング半導体装置は、スイッチング
半導体素子とフレームとの組立体を樹脂で封止するとと
もに、その周囲にシールド用金属ケースを被覆して構成
するものとする。また、前記構成の実施態様として、金
属ケースにグランド端子を設けた構成がある。To achieve the above object, in a switching semiconductor device of the present invention, an assembly of a switching semiconductor element and a frame is sealed with resin, and a shield metal case is coated around the assembly. Shall be configured. Further, as an embodiment of the above configuration, there is a configuration in which a ground terminal is provided in the metal case.
【0007】[0007]
【作用】上記の構成によれば、スイッチング半導体素子
と金属ケースとの間には封止樹脂を誘電体とする静電容
量が形成され、ここで金属ケースをグランドに接地する
ことにより金属ケースはゼロ電位(大地電位)に保持さ
れる。したがってスイッチング素子のスイッチング動作
により発生したノイズは前記静電容量,金属ケースを介
してグランド側に逃げる。つまり、金属ケースが電磁シ
ールドとして機能するので、特にフェライトビーズなど
のノイズ抑制部品などを使用することなく、スイッチン
グ半導体装置から周辺に伝播するノイズを大幅に低減で
きる。なお、該金属ケースは外来ノイズに対する電磁シ
ールドとしても機能し、スイッチング素子を外来ノイズ
から保護するように働く。According to the above structure, an electrostatic capacitance having a sealing resin as a dielectric is formed between the switching semiconductor element and the metal case, and the metal case is grounded here so that the metal case is It is held at zero potential (ground potential). Therefore, the noise generated by the switching operation of the switching element escapes to the ground side through the capacitance and the metal case. That is, since the metal case functions as an electromagnetic shield, the noise propagating from the switching semiconductor device to the surroundings can be significantly reduced without using noise suppressing parts such as ferrite beads. The metal case also functions as an electromagnetic shield against external noise, and acts to protect the switching element from external noise.
【0008】また、金属ケースに設けたグランド端子
は、スイッチング半導体装置をスイッチング電源などに
組み込む際のアース端子として使用される。The ground terminal provided on the metal case is used as a ground terminal when the switching semiconductor device is incorporated in a switching power supply or the like.
【0009】[0009]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1,図2において、1はパワートランジスタな
どのスイッチング半導体素子、2はリードフレーム、2
aはリードフレーム2から引出した外部リード、3はス
イッチング半導体素子1とリードフレーム2の組立体周
囲を封止したモールド樹脂、4はモールド樹脂3の周囲
を取り囲んだシールド用の金属ケースであり、該金属ケ
ース4には外部リード2aと同方向にグランド端子4a
が引出してある。そして、当該スイッチング半導体装置
をスイッチング電源,インバータなどのプリント配線板
に実装する際に同時にグランド端子4aがグランド側に
接続される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2, 1 is a switching semiconductor element such as a power transistor, 2 is a lead frame, 2
a is an external lead drawn from the lead frame 2, 3 is a molding resin that seals the periphery of the assembly of the switching semiconductor element 1 and the lead frame 2, and 4 is a metal case for shielding that surrounds the periphery of the molding resin 3, The metal case 4 has a ground terminal 4a in the same direction as the external lead 2a.
Has been pulled out. Then, when the switching semiconductor device is mounted on a printed wiring board such as a switching power supply and an inverter, the ground terminal 4a is simultaneously connected to the ground side.
【0010】[0010]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ス
イッチング半導体素子とフレームとの組立体を樹脂で封
止するとともに、その周囲にシールド用金属ケースを被
覆して構成したことにより、高いスイッチング特性を維
持しつつ、しかもスイッチング動作に伴って発生するノ
イズをグランド側に逃がして周辺に伝播するのを防止す
ることができるとともに、金属ケースは外来ノイズに対
するシールドとしても機能してスイッチング半導体素子
を保護する。これにより、従来装置におけるフェライト
ビーズ,ゲート抵抗などの部品を省ぶくことができ、安
価で、ノイズに対する信頼性の高いスイッチング半導体
装置が提供できる。As described above, according to the present invention, the assembly of the switching semiconductor element and the frame is sealed with the resin, and the metal case for shielding is covered around the assembly, whereby While maintaining high switching characteristics, it is possible to prevent noise generated by switching operation from escaping to the ground side and propagating to the surrounding area, and the metal case also functions as a shield against external noise. Protect the element. As a result, parts such as ferrite beads and gate resistance in the conventional device can be omitted, and a switching semiconductor device that is inexpensive and highly reliable against noise can be provided.
【図1】本発明の実施例によるスイッチング半導体装置
の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of a switching semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1の断面図FIG. 2 is a sectional view of FIG.
1 スイッチング半導体素子 2 リードフレーム 2a 外部リード 3 モールド樹脂 4 金属ケース 4a グランド端子 1 Switching semiconductor element 2 Lead frame 2a External lead 3 Mold resin 4 Metal case 4a Ground terminal
Claims (2)
立体を樹脂で封止するとともに、その周囲にシールド用
金属ケースを被覆して構成したことを特徴とするスイッ
チング半導体装置。1. A switching semiconductor device characterized in that an assembly of a switching semiconductor element and a frame is sealed with a resin, and a metal case for shielding is covered around the assembly.
おいて、金属ケースにグランド端子を設けたことを特徴
とするスイッチング半導体装置。2. The switching semiconductor device according to claim 1, wherein the metal case is provided with a ground terminal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27758692A JPH06132424A (en) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | Switching semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27758692A JPH06132424A (en) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | Switching semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06132424A true JPH06132424A (en) | 1994-05-13 |
Family
ID=17585532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27758692A Pending JPH06132424A (en) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | Switching semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06132424A (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06254633A (en) * | 1993-03-08 | 1994-09-13 | Uchinuki:Kk | Punching machine |
JP2000091475A (en) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Semiconductor device |
JP2001083174A (en) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Acceleration sensor |
WO2002063695A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated-gate bipolar transistor, semiconductor device, method of manufacturing insulated-gate bipolar transistor, and method of manufacturing semiconductor device |
US6538319B2 (en) | 1997-09-02 | 2003-03-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7205574B2 (en) | 2003-10-16 | 2007-04-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device |
WO2010147202A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | 株式会社安川電機 | Power converter |
CN102460694A (en) * | 2009-06-19 | 2012-05-16 | 株式会社安川电机 | Power conversion device |
JP2018117256A (en) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 新電元工業株式会社 | Clamp type semiconductor device and switching power supply device |
-
1992
- 1992-10-16 JP JP27758692A patent/JPH06132424A/en active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06254633A (en) * | 1993-03-08 | 1994-09-13 | Uchinuki:Kk | Punching machine |
KR100404159B1 (en) * | 1997-09-02 | 2004-02-05 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | Semiconductor device |
US6538319B2 (en) | 1997-09-02 | 2003-03-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2000091475A (en) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Semiconductor device |
JP2001083174A (en) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Acceleration sensor |
US6734497B2 (en) | 2001-02-02 | 2004-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate bipolar transistor, semiconductor device, method of manufacturing insulated-gate bipolar transistor, and method of manufacturing semiconductor device |
WO2002063695A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated-gate bipolar transistor, semiconductor device, method of manufacturing insulated-gate bipolar transistor, and method of manufacturing semiconductor device |
JPWO2002063695A1 (en) * | 2001-02-02 | 2004-06-10 | 三菱電機株式会社 | Insulated gate bipolar transistor, semiconductor device, method of manufacturing insulated gate bipolar transistor, and method of manufacturing semiconductor device |
JP4657578B2 (en) * | 2001-02-02 | 2011-03-23 | 三菱電機株式会社 | Insulated gate bipolar transistor, semiconductor device, method for manufacturing insulated gate bipolar transistor, and method for manufacturing semiconductor device |
US7205574B2 (en) | 2003-10-16 | 2007-04-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device |
WO2010147202A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | 株式会社安川電機 | Power converter |
CN102460694A (en) * | 2009-06-19 | 2012-05-16 | 株式会社安川电机 | Power conversion device |
JP2018117256A (en) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 新電元工業株式会社 | Clamp type semiconductor device and switching power supply device |
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