JPH0613018A - イオン注入装置 - Google Patents
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- JPH0613018A JPH0613018A JP4196474A JP19647492A JPH0613018A JP H0613018 A JPH0613018 A JP H0613018A JP 4196474 A JP4196474 A JP 4196474A JP 19647492 A JP19647492 A JP 19647492A JP H0613018 A JPH0613018 A JP H0613018A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 例えば半導体ウエハに対して効率のよいイオ
ン注入を行うこと。 【構成】 イオン源３１の出口側にイオン引き出し電極
３２を配置し、イオンビームの下流側に順次、質量分析
器５、スリット部６、加速管７を配置し、ここから出る
イオンビームの照射領域にウエハＷを設定する。引き出
し電極３２よりも若干イオンビームの下流側位置に、イ
オンビームに臨むようにプラズマ発生装置４を配置す
る。従ってプラズマ発生装置４にて発生したプラズマ中
の電子がイオンビームの正電荷に引き寄せられ、イオン
ビーム内には電子と正のイオンとが混在するため正のイ
オンの反発力が小さくなって、イオンビームの発散が抑
えられる。
ン注入を行うこと。 【構成】 イオン源３１の出口側にイオン引き出し電極
３２を配置し、イオンビームの下流側に順次、質量分析
器５、スリット部６、加速管７を配置し、ここから出る
イオンビームの照射領域にウエハＷを設定する。引き出
し電極３２よりも若干イオンビームの下流側位置に、イ
オンビームに臨むようにプラズマ発生装置４を配置す
る。従ってプラズマ発生装置４にて発生したプラズマ中
の電子がイオンビームの正電荷に引き寄せられ、イオン
ビーム内には電子と正のイオンとが混在するため正のイ
オンの反発力が小さくなって、イオンビームの発散が抑
えられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入技術は、イオン源で発生する
不純物イオンを高電界で加速し、その運動エネルギーを
利用して機械的に半導体ウエハ内に不純物を導入する方
法であり、ウエハ内に導入された不純物の総量を電荷量
として精度よく測定できる点で非常に有効な方法であ
る。
不純物イオンを高電界で加速し、その運動エネルギーを
利用して機械的に半導体ウエハ内に不純物を導入する方
法であり、ウエハ内に導入された不純物の総量を電荷量
として精度よく測定できる点で非常に有効な方法であ
る。
【０００３】従来このようなイオン注入は、例えば図４
に示す装置を用いて行われている。即ちイオン源１内に
てガスや固体の蒸気をプラズマ化し、このプラズマ内の
正イオンを引出し電極１１により所定のエネルギーで引
き出した後、質量分析器１２によりイオンビームに対し
て質量分析を行って所望のイオンを分離し、更に分解ス
リット１３によりイオン分離を完全に行う。そして分離
された所望のイオンのイオンビームを加速管１４を通し
て最終エネルギーまで加速した後ウエハＷに照射し、以
てウエハＷの表面に所望の不純物を導入する。
に示す装置を用いて行われている。即ちイオン源１内に
てガスや固体の蒸気をプラズマ化し、このプラズマ内の
正イオンを引出し電極１１により所定のエネルギーで引
き出した後、質量分析器１２によりイオンビームに対し
て質量分析を行って所望のイオンを分離し、更に分解ス
リット１３によりイオン分離を完全に行う。そして分離
された所望のイオンのイオンビームを加速管１４を通し
て最終エネルギーまで加速した後ウエハＷに照射し、以
てウエハＷの表面に所望の不純物を導入する。
【０００４】また例えばウエハＷの前面側（イオン源１
側）にファラデーカップ１５を配置しておくことによ
り、イオンビーム電流を測定することができるが、この
電流値はウエハＷに打ち込まれた不純物の量に対応する
ため、この電流を測定することで不純物の導入量を制御
でき、例えば２０ｍＡの電流値（ファラデーカップ１５
に流れる電流検出値）を得るためにイオン源１からのイ
オンの引き出し電圧（エネルギー）を１００ｋＶ程度の
大きさに設定している。
側）にファラデーカップ１５を配置しておくことによ
り、イオンビーム電流を測定することができるが、この
電流値はウエハＷに打ち込まれた不純物の量に対応する
ため、この電流を測定することで不純物の導入量を制御
でき、例えば２０ｍＡの電流値（ファラデーカップ１５
に流れる電流検出値）を得るためにイオン源１からのイ
オンの引き出し電圧（エネルギー）を１００ｋＶ程度の
大きさに設定している。
【０００５】ところでＤＲＡＭが４Ｍから１６Ｍ、３２
Ｍ、６４Ｍへと大容量化しつつあるように、デバイスが
増々高集積化する傾向にあり、このためウエハ内に不純
物を非常に浅く打ち込まなければならない場合もある。
従来この場合には加速管１４における電圧を、加速する
ときとは逆の電圧に設定して、この中を通るイオンビー
ムを減速してイオンのエネルギーを低くし、これにより
イオンを浅く打ち込むようにしていた。
Ｍ、６４Ｍへと大容量化しつつあるように、デバイスが
増々高集積化する傾向にあり、このためウエハ内に不純
物を非常に浅く打ち込まなければならない場合もある。
従来この場合には加速管１４における電圧を、加速する
ときとは逆の電圧に設定して、この中を通るイオンビー
ムを減速してイオンのエネルギーを低くし、これにより
イオンを浅く打ち込むようにしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらイオンビ
ームが通過する通路は、真空雰囲気とはいっても、完全
な真空ではなく例えば５×１０-6Ｔｏｒｒ程度の圧力の
ガス分子が存在し、このためイオンビームの一部がこの
ガス分子と衝突して中性化される。そして中性化された
粒子は減速電圧によっては減速されないので、大きな運
動エネルギーのままウエハ内に打ち込まれ、この結果不
純物粒子の一部が予定よりも深くウエハ内に打ち込まれ
てしまい、不純物粒子の打ち込み深さにばらつきが生
じ、デバイスに対して所定の特性が得られないという問
題があった。
ームが通過する通路は、真空雰囲気とはいっても、完全
な真空ではなく例えば５×１０-6Ｔｏｒｒ程度の圧力の
ガス分子が存在し、このためイオンビームの一部がこの
ガス分子と衝突して中性化される。そして中性化された
粒子は減速電圧によっては減速されないので、大きな運
動エネルギーのままウエハ内に打ち込まれ、この結果不
純物粒子の一部が予定よりも深くウエハ内に打ち込まれ
てしまい、不純物粒子の打ち込み深さにばらつきが生
じ、デバイスに対して所定の特性が得られないという問
題があった。
【０００７】一方ウエハへの衝突時におけるイオンの運
動エネルギーを小さくするために、イオン源からのイオ
ンの引き出し電圧を１０ｋＶ程度と小さくする方法も考
えられるが、イオンビームは正イオンの反発により先に
行く程広がっていくため、例えば引き出し電圧を１０ｋ
Ｖに設定してイオンを低速で打ち込む場合、ファラデー
カップにおける電流検出値は予定の電流値例えば１０〜
２０ｍＡよりも可成り低い０．５ｍＡ程度となってしま
い、効率的なイオン注入を行うことができない。
動エネルギーを小さくするために、イオン源からのイオ
ンの引き出し電圧を１０ｋＶ程度と小さくする方法も考
えられるが、イオンビームは正イオンの反発により先に
行く程広がっていくため、例えば引き出し電圧を１０ｋ
Ｖに設定してイオンを低速で打ち込む場合、ファラデー
カップにおける電流検出値は予定の電流値例えば１０〜
２０ｍＡよりも可成り低い０．５ｍＡ程度となってしま
い、効率的なイオン注入を行うことができない。
【０００８】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は、低エネルギーのイオンビーム
でありながら、被処理体に流れる電流値を大きくするこ
とができ、効率のよいイオン注入を行うことができるイ
オン注入装置を提供することにある。
ものであり、その目的は、低エネルギーのイオンビーム
でありながら、被処理体に流れる電流値を大きくするこ
とができ、効率のよいイオン注入を行うことができるイ
オン注入装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明はイオン
源から被処理体にイオンビームを照射して当該被処理体
にイオンを注入する装置において、前記イオンビームに
電子を供給して当該イオンビームの電荷を中和するため
の電子供給手段を設けたことを特徴とする。
源から被処理体にイオンビームを照射して当該被処理体
にイオンを注入する装置において、前記イオンビームに
電子を供給して当該イオンビームの電荷を中和するため
の電子供給手段を設けたことを特徴とする。
【００１０】請求項２の発明は、イオン源からのイオン
ビームを質量分析器及び加速管を順次通して被処理体に
照射して当該被処理体にイオンを注入する装置におい
て、前記イオンビームに電子を供給して当該イオンビー
ムの電荷を中和するための電子供給手段を、前記イオン
源と加速管との間に設けたことを特徴とする。
ビームを質量分析器及び加速管を順次通して被処理体に
照射して当該被処理体にイオンを注入する装置におい
て、前記イオンビームに電子を供給して当該イオンビー
ムの電荷を中和するための電子供給手段を、前記イオン
源と加速管との間に設けたことを特徴とする。
【００１１】請求項３の発明は、イオン源からのイオン
ビームを加速管及び質量分析器を順次通して被処理体に
照射して当該被処理体にイオンを注入する装置におい
て、前記イオンビームに電子を供給して当該イオンビー
ムの電荷を中和するための電子供給手段を、前記イオン
源と質量分析器との間に設けたことを特徴とする。
ビームを加速管及び質量分析器を順次通して被処理体に
照射して当該被処理体にイオンを注入する装置におい
て、前記イオンビームに電子を供給して当該イオンビー
ムの電荷を中和するための電子供給手段を、前記イオン
源と質量分析器との間に設けたことを特徴とする。
【００１２】
【作用】電子供給手段として例えばプラズマ発生装置を
用いることができ、この場合イオン源から発せられたイ
オンビームにプラズマ中の電子が引き寄せられ、イオン
ビーム中には正の電荷と負の電荷とが混在することにな
る。この結果イオンビームのビーム断面の電圧分布が平
坦化され、正電荷の反発力が弱まるためイオンビームの
発散が抑えられる。従ってイオン源からのイオンビーム
の引き出しエネルギーを小さくしても、イオンビームの
照射により被処理体に流れる電流を大きくすることがで
きる。
用いることができ、この場合イオン源から発せられたイ
オンビームにプラズマ中の電子が引き寄せられ、イオン
ビーム中には正の電荷と負の電荷とが混在することにな
る。この結果イオンビームのビーム断面の電圧分布が平
坦化され、正電荷の反発力が弱まるためイオンビームの
発散が抑えられる。従ってイオン源からのイオンビーム
の引き出しエネルギーを小さくしても、イオンビームの
照射により被処理体に流れる電流を大きくすることがで
きる。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明の実施例の全体構成を示す構
成図である。図１中２は第１の真空室であり、この真空
室２内には、固体原料を収納して加熱手段により不純物
成分を昇華させるベーパライザ３が外部から着脱自在に
装着されると共に、このベーパライザ３にはイオン源３
１が連結されている。
成図である。図１中２は第１の真空室であり、この真空
室２内には、固体原料を収納して加熱手段により不純物
成分を昇華させるベーパライザ３が外部から着脱自在に
装着されると共に、このベーパライザ３にはイオン源３
１が連結されている。
【００１４】前記イオン源３１は、例えば棒状のフィラ
メントとアノード電極間に電圧を印加してベーパライザ
３よりの原料ガスをプラズマ化するフリーマン型の装置
や、不活性ガスをプラズマ化してそのプラズマ中の電子
を原料ガスに衝突させる電子励起型の装置などを用いる
ことができる。前記イオン源３１の出口側にはイオン引
き出し電極３２が配置され、当該引き出し電極３２とイ
オン源３１の装置本体との間に引き出し電圧を印加する
ことにより前記プラズマ中の正のイオンがイオンビーム
として引き出される。
メントとアノード電極間に電圧を印加してベーパライザ
３よりの原料ガスをプラズマ化するフリーマン型の装置
や、不活性ガスをプラズマ化してそのプラズマ中の電子
を原料ガスに衝突させる電子励起型の装置などを用いる
ことができる。前記イオン源３１の出口側にはイオン引
き出し電極３２が配置され、当該引き出し電極３２とイ
オン源３１の装置本体との間に引き出し電圧を印加する
ことにより前記プラズマ中の正のイオンがイオンビーム
として引き出される。
【００１５】前記引き出し電極３２のイオンビームの下
流側にはスリット幅を可変できる可変スリット部３３が
設けられると共に、引き出し電極３２と可変スリット部
３３との間には、イオンビームの通路に臨む位置に、イ
オンビームに電子を供給するための電子供給手段例えば
プラズマ発生装置４が配設されている。このプラズマ発
生装置４は、図２に示すように例えばモリブデンなどか
らなるプラズマ発生室４１内にタングステンなどからな
るフィラメント４２を設け、フィラメント４２の両端に
電圧Ｖｆの直流電源を接続すると共にフィラメント４２
とプラズマ発生室４１の壁部との間に電圧Ｖｄの直流電
源を接続して構成される。プラズマ発生室４１には、放
電ガス例えばアルゴンガスやキセノンガス、クリプトン
ガスなどを導入する放電ガス導入口４３と、放電ガスの
放電によって、形成されたプラズマ中の電子の引き出し
口４４とが形成されている。
流側にはスリット幅を可変できる可変スリット部３３が
設けられると共に、引き出し電極３２と可変スリット部
３３との間には、イオンビームの通路に臨む位置に、イ
オンビームに電子を供給するための電子供給手段例えば
プラズマ発生装置４が配設されている。このプラズマ発
生装置４は、図２に示すように例えばモリブデンなどか
らなるプラズマ発生室４１内にタングステンなどからな
るフィラメント４２を設け、フィラメント４２の両端に
電圧Ｖｆの直流電源を接続すると共にフィラメント４２
とプラズマ発生室４１の壁部との間に電圧Ｖｄの直流電
源を接続して構成される。プラズマ発生室４１には、放
電ガス例えばアルゴンガスやキセノンガス、クリプトン
ガスなどを導入する放電ガス導入口４３と、放電ガスの
放電によって、形成されたプラズマ中の電子の引き出し
口４４とが形成されている。
【００１６】前記第１の真空室３におけるイオンビーム
の下流側には、質量分析器５、第２の真空室６、加速管
７及び処理室８がこの順に設置されている。前記質量分
析器５は、質量分析用マグネット５１により、イオンビ
ームを屈曲通路管５２内でその軌道を曲げ、イオンの質
量に応じた曲り方の程度の差を利用して所望のイオンの
みを取り出す働きをする。また質量分析器５にて質量分
析されたイオンビーム中には、互いに質量が近いイオン
が混在している場合もあるため、必要なイオン以外のイ
オンを排除するための分離スリット部６１が第２の真空
室６内に設けられている。
の下流側には、質量分析器５、第２の真空室６、加速管
７及び処理室８がこの順に設置されている。前記質量分
析器５は、質量分析用マグネット５１により、イオンビ
ームを屈曲通路管５２内でその軌道を曲げ、イオンの質
量に応じた曲り方の程度の差を利用して所望のイオンの
みを取り出す働きをする。また質量分析器５にて質量分
析されたイオンビーム中には、互いに質量が近いイオン
が混在している場合もあるため、必要なイオン以外のイ
オンを排除するための分離スリット部６１が第２の真空
室６内に設けられている。
【００１７】前記加速管７は、イオンビームに加速電圧
を印加してイオンビームを加速する機能を有する。前記
処理室８内には、被処理体であるウエハＷを周方向に配
置し、水平な回転軸８１により縦に回転可能で、イオン
ビームの照射位置に各ウエハを順次停止させる回転ディ
スク８２が設置されており、この回転ディスク８２と対
向する位置に、イオンビームを取り囲むようにファラデ
ーカップ８３が配設されている。なお図１では回転ディ
スク８２の下部を切欠して描いてあり、回転軸８１は回
転ディスク８２の中心に位置している。このファラデー
カップ８３は、イオン注入時に発生する２次電子を外部
に流出しないように閉じ込めてビーム電流を正確に測定
するものである。なお図中Ｇａ、Ｇｂはゲートバルブ、
８４はファラデーカップ８３側へのイオンビームの照
射、遮断を制御するビームゲートである。
を印加してイオンビームを加速する機能を有する。前記
処理室８内には、被処理体であるウエハＷを周方向に配
置し、水平な回転軸８１により縦に回転可能で、イオン
ビームの照射位置に各ウエハを順次停止させる回転ディ
スク８２が設置されており、この回転ディスク８２と対
向する位置に、イオンビームを取り囲むようにファラデ
ーカップ８３が配設されている。なお図１では回転ディ
スク８２の下部を切欠して描いてあり、回転軸８１は回
転ディスク８２の中心に位置している。このファラデー
カップ８３は、イオン注入時に発生する２次電子を外部
に流出しないように閉じ込めてビーム電流を正確に測定
するものである。なお図中Ｇａ、Ｇｂはゲートバルブ、
８４はファラデーカップ８３側へのイオンビームの照
射、遮断を制御するビームゲートである。
【００１８】次に上述実施例の作用について説明する。
先ず真空室２をはじめイオンビームの通路に係わる領域
を例えば５×１０-6Ｔｏｒｒの真空度まで減圧してお
き、回転ディスク８２上に保持されているウエハＷ（図
１では１枚のみ図示してある）をイオンビームの照射位
置に設定すると共にビームゲート８４を閉じておき、引
き出し電極３２とイオン源３１の装置本体との間に例え
ば５ｋＶの引き出し電圧を印加して、イオン源３１から
例えば砒素イオンを含むイオンビームを引き出す。
先ず真空室２をはじめイオンビームの通路に係わる領域
を例えば５×１０-6Ｔｏｒｒの真空度まで減圧してお
き、回転ディスク８２上に保持されているウエハＷ（図
１では１枚のみ図示してある）をイオンビームの照射位
置に設定すると共にビームゲート８４を閉じておき、引
き出し電極３２とイオン源３１の装置本体との間に例え
ば５ｋＶの引き出し電圧を印加して、イオン源３１から
例えば砒素イオンを含むイオンビームを引き出す。
【００１９】一方プラズマ発生装置４のプラズマ発生室
４１内にアルゴンガスなどの放電ガスを例えば流量０．
１ＳＣＣＭで導入して例えば３Ｖのフィラメント電圧Ｖ
ｆ及び２０〜３０Ｖの放電電圧Ｖｄを所定の端子間に印
加し、これによりフィラメント４２から発生した熱電子
により放電ガスを励起してプラズマを発生させる。プラ
ズマ発生室４１の引き出し口４４の前にはイオンビーム
ＩＢが形成されているため、プラズマ発生室４１内のプ
ラズマ中の電子はイオンビームＩＢに引き寄せられ、こ
の結果イオンビームＩＢは、正のイオンと電子とが混在
した状態となる。
４１内にアルゴンガスなどの放電ガスを例えば流量０．
１ＳＣＣＭで導入して例えば３Ｖのフィラメント電圧Ｖ
ｆ及び２０〜３０Ｖの放電電圧Ｖｄを所定の端子間に印
加し、これによりフィラメント４２から発生した熱電子
により放電ガスを励起してプラズマを発生させる。プラ
ズマ発生室４１の引き出し口４４の前にはイオンビーム
ＩＢが形成されているため、プラズマ発生室４１内のプ
ラズマ中の電子はイオンビームＩＢに引き寄せられ、こ
の結果イオンビームＩＢは、正のイオンと電子とが混在
した状態となる。
【００２０】ここでイオンビームのビーム断面における
電荷の分布及び電圧の分布を夫々図３（Ａ）、（Ｂ）に
示す。ただし図中横軸はイオンビームの左右方向の位置
を表し、点線、実線は夫々イオンビームに電子を供給し
ない場合、供給する場合に対応する。この結果からわか
るようにイオンビームの電荷分布及び電圧分布は点線で
示すように両端部から急峻に立ち上がっているが、本実
施例のようにイオンビーム中に電子を供給して電荷を中
和することによって前記電荷分布及び電圧分布は平坦化
される。従ってイオンビーム中の正イオンの反発力は小
さくなるからイオンビームの発散が抑えられる。
電荷の分布及び電圧の分布を夫々図３（Ａ）、（Ｂ）に
示す。ただし図中横軸はイオンビームの左右方向の位置
を表し、点線、実線は夫々イオンビームに電子を供給し
ない場合、供給する場合に対応する。この結果からわか
るようにイオンビームの電荷分布及び電圧分布は点線で
示すように両端部から急峻に立ち上がっているが、本実
施例のようにイオンビーム中に電子を供給して電荷を中
和することによって前記電荷分布及び電圧分布は平坦化
される。従ってイオンビーム中の正イオンの反発力は小
さくなるからイオンビームの発散が抑えられる。
【００２１】そして上述のようにプラズマ発生装置４か
ら電子が供給されたイオンビームは、可変スリット部３
３を通った後質量分析マグネット５１により質量分析さ
れて所望のイオンのみが取り出され、更に分離スリット
部６１にて、所望のイオンの質量に極めて近い質量のイ
オン（例えばイオン源の内壁からスパッタされた粒子な
どのイオン）が排除される。その後イオンビームは加速
管７にて加速された後回転ディスク８２上のウエハＷ内
に打ち込まれる。そして例えば回転ディスク８２側をイ
オンビ−ムと直交する方向に動かすことによってウエハ
Ｗの表面に所定のパタ−ンで不純物が導入される。なお
ビームゲート８４は例えばプラズマ発生装置４内にプラ
ズマが着火した後開かれる。
ら電子が供給されたイオンビームは、可変スリット部３
３を通った後質量分析マグネット５１により質量分析さ
れて所望のイオンのみが取り出され、更に分離スリット
部６１にて、所望のイオンの質量に極めて近い質量のイ
オン（例えばイオン源の内壁からスパッタされた粒子な
どのイオン）が排除される。その後イオンビームは加速
管７にて加速された後回転ディスク８２上のウエハＷ内
に打ち込まれる。そして例えば回転ディスク８２側をイ
オンビ−ムと直交する方向に動かすことによってウエハ
Ｗの表面に所定のパタ−ンで不純物が導入される。なお
ビームゲート８４は例えばプラズマ発生装置４内にプラ
ズマが着火した後開かれる。
【００２２】このような実施例によれば、イオンビーム
の発散が抑えられるためイオン源の引き出しエネルギー
を小さくしながら、例えば引き出し電極３２とイオン源
３１の装置本体との間の引き出し電圧を５ｋＶ程度に設
定してもウエハＷには１０〜２０ｍＡ程度の電流（ファ
ラデーカップ８３に流れる電流）を流すことができ、効
率のよいイオンの打ち込みを行うことができる。そして
イオンのエネルギーを小さくしながらウエハＷ内に大き
な電流で不純物を導入できるので、不純物の浅い打ち込
みを行う場合、打ち込み深さが均一であり、かつ効率の
よいイオンの打ち込みを行うことができるので非常に有
効である。
の発散が抑えられるためイオン源の引き出しエネルギー
を小さくしながら、例えば引き出し電極３２とイオン源
３１の装置本体との間の引き出し電圧を５ｋＶ程度に設
定してもウエハＷには１０〜２０ｍＡ程度の電流（ファ
ラデーカップ８３に流れる電流）を流すことができ、効
率のよいイオンの打ち込みを行うことができる。そして
イオンのエネルギーを小さくしながらウエハＷ内に大き
な電流で不純物を導入できるので、不純物の浅い打ち込
みを行う場合、打ち込み深さが均一であり、かつ効率の
よいイオンの打ち込みを行うことができるので非常に有
効である。
【００２３】以上の実施例では、電子供給装置は、イオ
ン源３１の出口付近に配置されているが、この位置に限
らずイオン源３１と加速管７（加速管７内も含む）との
間であれば任意の位置に設けることができる。
ン源３１の出口付近に配置されているが、この位置に限
らずイオン源３１と加速管７（加速管７内も含む）との
間であれば任意の位置に設けることができる。
【００２４】また本発明は加速管７が質量分析器５の前
側（イオンビ−ムの上流側）に設置されているイオン注
入装置に適用してもよく、この場合には電子供給装置は
イオン源３１と質量分析器５（質量分析器５内も含む）
との間に設ければ同様の効果を得ることができる。
側（イオンビ−ムの上流側）に設置されているイオン注
入装置に適用してもよく、この場合には電子供給装置は
イオン源３１と質量分析器５（質量分析器５内も含む）
との間に設ければ同様の効果を得ることができる。
【００２５】そしてまた本発明は、加速管７を設けない
装置や、ファラデーカップ８３が回転ディスク８２の裏
側に配置されている装置についても適用することがで
き、更にまた１枚づつ処理室８内にウエハを導入する装
置についても適用できるし、ウエハ以外の被処理体にイ
オンを注入する場合にも適用できる。
装置や、ファラデーカップ８３が回転ディスク８２の裏
側に配置されている装置についても適用することがで
き、更にまた１枚づつ処理室８内にウエハを導入する装
置についても適用できるし、ウエハ以外の被処理体にイ
オンを注入する場合にも適用できる。
【００２６】以上において本発明は、砒素のイオン注入
を行う場合に限らず、リンやボロンなどを注入する場合
にも適用することができるし、また不純物のイオンを得
るためには、ベーパライザを用いる代りに原料ガスを直
接イオン源内に導入してもよい。
を行う場合に限らず、リンやボロンなどを注入する場合
にも適用することができるし、また不純物のイオンを得
るためには、ベーパライザを用いる代りに原料ガスを直
接イオン源内に導入してもよい。
【００２７】なお電子供給装置としては、プラズマ発生
装置４に限らずイオンビームに電子を供給できるもので
あればよい。
装置４に限らずイオンビームに電子を供給できるもので
あればよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明によればイオン源から引き出され
たイオンビームに電子を供給してビーム断面の電圧分布
を平坦化するようにしているため、イオンビームの発散
を抑えることができ、被処理体に対して効率のよいイオ
ン注入を行うことができる。
たイオンビームに電子を供給してビーム断面の電圧分布
を平坦化するようにしているため、イオンビームの発散
を抑えることができ、被処理体に対して効率のよいイオ
ン注入を行うことができる。
【図１】本発明の実施例の全体構成を示す構成図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例の作用を説明するための概略斜
視図である。
視図である。
【図３】本発明の実施例と比較例とに係わるイオンビー
ムの電荷分布および電圧分布を示す特性図である。
ムの電荷分布および電圧分布を示す特性図である。
【図４】従来のイオン注入装置を示す構成図である。
３１ イオン源 ３２ 引き出し電極 ４ プラズマ発生装置 ４１ プラズマ発生室 ４２ フィラメント ５ 質量分析器 ７ 加速管 ８３ ファラデーカップ Ｗ ウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】 イオン源から被処理体にイオンビームを
照射して当該被処理体にイオンを注入する装置におい
て、 前記イオンビームに電子を供給して当該イオンビームの
電荷を中和するための電子供給手段を設けたことを特徴
とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 イオン源からのイオンビームを質量分析
器及び加速管を順次通して被処理体に照射して当該被処
理体にイオンを注入する装置において、 前記イオンビームに電子を供給して当該イオンビームの
電荷を中和するための電子供給手段を、前記イオン源と
加速管との間に設けたことを特徴とするイオン注入装
置。 - 【請求項３】 イオン源からのイオンビームを加速管及
び質量分析器を順次通して被処理体に照射して当該被処
理体にイオンを注入する装置において、 前記イオンビームに電子を供給して当該イオンビームの
電荷を中和するための電子供給手段を、前記イオン源と
質量分析器との間に設けたことを特徴とするイオン注入
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19647492A JP3264987B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | イオン注入装置 |
| US08/082,454 US5343047A (en) | 1992-06-27 | 1993-06-25 | Ion implantation system |
| KR1019930011795A KR0158235B1 (ko) | 1992-06-27 | 1993-06-26 | 이온 주입 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19647492A JP3264987B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613018A true JPH0613018A (ja) | 1994-01-21 |
| JP3264987B2 JP3264987B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=16358406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19647492A Expired - Fee Related JP3264987B2 (ja) | 1992-06-27 | 1992-06-29 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3264987B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002255518A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Japan Atom Energy Res Inst | イオン注入法による同位元素選択的原子内包フラーレンの製造方法 |
| KR20160077679A (ko) | 2014-12-24 | 2016-07-04 | 주식회사 포스코 | 판재 정렬장치 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP19647492A patent/JP3264987B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002255518A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Japan Atom Energy Res Inst | イオン注入法による同位元素選択的原子内包フラーレンの製造方法 |
| KR20160077679A (ko) | 2014-12-24 | 2016-07-04 | 주식회사 포스코 | 판재 정렬장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3264987B2 (ja) | 2002-03-11 |
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