JPH06128733A - Ion beam device - Google Patents
Ion beam deviceInfo
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- JPH06128733A JPH06128733A JP9472892A JP9472892A JPH06128733A JP H06128733 A JPH06128733 A JP H06128733A JP 9472892 A JP9472892 A JP 9472892A JP 9472892 A JP9472892 A JP 9472892A JP H06128733 A JPH06128733 A JP H06128733A
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- JP
- Japan
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- anode
- ion beam
- plasma
- cathode
- sheet
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は幅の広いシート状のイ
オンビームが得られるイオンビーム装置に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion beam device capable of obtaining a wide sheet-shaped ion beam.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のイオンビーム装置は図3に示され
ており、同図において、水平方向をz軸、垂直方向をy
軸、図面に対して垂直な方向をx軸としている。カソー
ド収納室1内にはカソード2が配設され、また、カソー
ド収納室1の先端には内部を角錐台の空洞にした複数の
浮動電極3が絶縁物(図示せず)を介してz軸方向に同
軸上に連設され、連設された複数の浮動電極3の内部が
先細の空洞にされている。複数の浮動電極3の先端に
は、x軸方向に長辺、y軸方向に短辺をした矩形断面の
スリット4aを中心部に有する同形の複数の浮動電極4
が絶縁物(図示せず)を介してx軸方向に同軸上に連設
され、各スリット4aによりz軸方向に矩形断面の放電
路4bが形成されている。浮動電極4の先端部には絶縁
物(図示せず)を介してアノード5がz軸方向に連設さ
れ、そのアノード5の中心部には浮動電極4のスリット
4aと同形の開口5aが設けられ、その開口5aは放電
路4bと連通している。アノード5の前方には引き出し
電極6が配設され、その引き出し電極6の中央部にはイ
オン引き出し口6aが設けられている。z軸方向に同軸
上に連設された複数の浮動電極4の上方にはシートプラ
ズマ形成用マグネット7が配設され、また、下方にもシ
ートプラズマ形成用マグネット8が配設されている。そ
して、これらシートプラズマ形成用マグネット7、8に
よって、放電路4b内でz軸と平行になるような平行磁
場が形成されている。シートプラズマ形成用マグネット
7はコ字型ポールピース7aの周囲にコイル7bを巻回
して形成され、また、シートプラズマ形成用マグネット
8もコ字型ポールピース8aの周囲にコイル8bを巻回
して形成されている。2. Description of the Related Art A conventional ion beam apparatus is shown in FIG. 3, in which the horizontal direction is the z-axis and the vertical direction is the y-axis.
The x-axis is the direction perpendicular to the axis and the drawing. A cathode 2 is arranged in the cathode housing chamber 1, and a plurality of floating electrodes 3 each having a truncated pyramidal cavity are provided at the tip of the cathode housing chamber 1 via an insulator (not shown) along the z-axis. The insides of the plurality of floating electrodes 3 which are continuously provided coaxially in the direction are tapered hollows. A plurality of floating electrodes 4 of the same shape having a rectangular cross section slit 4a having a long side in the x-axis direction and a short side in the y-axis direction at the center of the tips of the plurality of floating electrodes 3
Are connected coaxially in the x-axis direction via an insulator (not shown), and each slit 4a forms a discharge path 4b having a rectangular cross section in the z-axis direction. An anode 5 is connected to the tip of the floating electrode 4 in the z-axis direction via an insulator (not shown), and an opening 5a having the same shape as the slit 4a of the floating electrode 4 is provided at the center of the anode 5. The opening 5a communicates with the discharge path 4b. An extraction electrode 6 is arranged in front of the anode 5, and an ion extraction port 6a is provided in the center of the extraction electrode 6. A sheet plasma forming magnet 7 is disposed above the plurality of floating electrodes 4 coaxially arranged in the z-axis direction, and a sheet plasma forming magnet 8 is disposed below the floating electrodes 4. The sheet plasma forming magnets 7 and 8 form a parallel magnetic field that is parallel to the z axis in the discharge path 4b. The sheet plasma forming magnet 7 is formed by winding a coil 7b around the U-shaped pole piece 7a, and the sheet plasma forming magnet 8 is also formed by winding a coil 8b around the U-shaped pole piece 8a. Has been done.
【0003】なお、図中、9はカソード側カスプ磁場領
域、10はアノード側カスプ磁場領域、11はカソード
収納室1内に動作ガスを導入するガス導入管である。In the figure, 9 is a cusp magnetic field region on the cathode side, 10 is a cusp magnetic field region on the anode side, and 11 is a gas introducing pipe for introducing an operating gas into the cathode housing chamber 1.
【0004】このようなイオンビーム装置において、カ
ソード2とアノード5との間の電位差により放電が起こ
り、プラズマがカソード収納室1内および放電路4b内
に生成されるようになる。しかしながら、放電路4b内
のプラズマは、放電路4bの矩形断面や、シートプラズ
マ形成用マグネット7、8によって形成される放電路4
b内の平行磁場により、放電路4bの幅一杯に広がった
厚みの薄いシート状になる。そして、アノード側カスプ
磁場領域10で一旦磁場の拘束を解くことにより、プラ
ズマの幅方向の密度分布を均一化させ、アノード5の開
口5aにおいて幅方向の一様性の良い、高密度のプラズ
マを形成する。その後、この高密度のプラズマ中のイオ
ンが引き出し電極6によって引き出され、イオン引き出
し口6aを通過するようになる。In such an ion beam apparatus, discharge occurs due to the potential difference between the cathode 2 and the anode 5, and plasma is generated in the cathode housing chamber 1 and the discharge path 4b. However, the plasma in the discharge path 4b is formed by the rectangular cross section of the discharge path 4b and the sheet plasma forming magnets 7 and 8.
Due to the parallel magnetic field in b, the discharge path 4b becomes a thin sheet having a wide width. Then, by temporarily releasing the magnetic field constraint in the cusp magnetic field region 10 on the anode side, the density distribution in the width direction of the plasma is made uniform, and a high density plasma having good width direction uniformity is formed in the openings 5a of the anode 5. Form. After that, the ions in the high-density plasma are extracted by the extraction electrode 6 and pass through the ion extraction port 6a.
【0005】なお、複数の浮動電極4は、放電路4bの
ガスコンダクタンスを小さくして、ガス導入管11より
カソード収納室1内に導入される動作ガスの量を少なく
する働きがある。The plurality of floating electrodes 4 have a function of reducing the gas conductance of the discharge path 4b to reduce the amount of working gas introduced into the cathode housing chamber 1 from the gas introducing pipe 11.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来のイオンビーム装
置は、上記のように放電路4bの矩形断面と、シートプ
ラズマ形成用マグネット7、8による放電路4b内の平
行磁場とにより、放電路4bの幅一杯に広がった厚みの
薄いシート状のプラズマを形成するとともに、アノード
側カスプ磁場領域10で一旦磁場の拘束を解くことによ
り、プラズマの幅方向の密度分布を均一化させ、アノー
ド5の開口5aにおいて幅方向の一様性の良い、高密度
のプラズマを形成するようにしている。In the conventional ion beam apparatus, the discharge path 4b is formed by the rectangular cross section of the discharge path 4b and the parallel magnetic field in the discharge path 4b by the sheet plasma forming magnets 7 and 8 as described above. A thin sheet-like plasma that spreads over the entire width of the plasma is formed, and the magnetic field is once restrained in the cusp magnetic field region 10 on the anode side to make the density distribution of the plasma uniform in the width direction and to open the anode 5 In 5a, a high density plasma having good uniformity in the width direction is formed.
【0007】その場合、放電路4bの幅一杯に広がった
厚みの薄いシート状のプラズマを形成するためには、放
電路4bの中心軸を含む面(X−Z面)と、磁場の中心
軸を含む面(X−Z面)とを正確に一致させ、磁場と電
場との相互作用によるプラズマの偏りが起こらないよう
にする必要がある。In this case, in order to form a thin sheet-like plasma that spreads to the full width of the discharge path 4b, the plane including the central axis of the discharge path 4b (XZ plane) and the central axis of the magnetic field. It is necessary to exactly match the plane including X (XZ plane) so that the bias of the plasma due to the interaction between the magnetic field and the electric field does not occur.
【0008】しかしながら、数十cm幅の放電路4bに
おいて、上記2つの面を放電路4bの全領域にわたって
一致させることは非常に困難であるため、プラズマが放
電路4bの一部分に偏るようになる。また、アノード側
カスプ磁場領域10が連設された複数の浮動電極4群の
途中にあるため、プラズマを十分に拡散させる領域が確
保されず、プラズマの幅方向の密度分布を均一化するこ
とが十分になされなかった。その結果、プラズマの幅方
向の密度分布は図3の破線で示されるような形状にな
り、幅方向に一様性の良いイオンビームを得ることが出
来ない問題があった。However, in the discharge path 4b having a width of several tens of cm, it is very difficult to make the above two surfaces coincide with each other over the entire area of the discharge path 4b, so that the plasma is biased to a part of the discharge path 4b. . In addition, since the anode-side cusp magnetic field region 10 is located in the middle of the plurality of floating electrode groups 4 in series, a region for sufficiently diffusing the plasma is not secured, and the plasma density distribution in the width direction can be made uniform. It wasn't done enough. As a result, the density distribution of the plasma in the width direction has a shape shown by the broken line in FIG. 3, and there is a problem that an ion beam with good uniformity in the width direction cannot be obtained.
【0009】この発明の目的は、従来の問題を解決し
て、幅方向に一様性の良い大電流のイオンビームを得る
ことの出来るイオンビーム装置を提供することである。It is an object of the present invention to provide an ion beam device which solves the conventional problems and is capable of obtaining a large current ion beam with good uniformity in the width direction.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、内部にカソードを配設したカソード収
納室に絶縁物を介してイオンビーム幅と同じ幅の矩形断
面の放電路をもつ複数の浮動電極を連設すると共に、浮
動電極群の前方に矩形断面の開口を持つアノードを配設
し、更に、そのアノードの前方に引き出し電極を配設
し、更にその上、浮動電極群の上下又は左右にシートプ
ラズマ形成用マグネットを配置して、矩形断面の放電路
内に磁場を形成するイオンビーム装置において、上記複
数の浮動電極とアノードとの間に拡散チャンバーおよび
スリット電極を設け、浮動電極、拡散チャンバー、スリ
ット電極、アノードの順序で配置したことを特徴とする
ものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a discharge passage having a rectangular cross section having the same width as the ion beam width in an inside of a cathode accommodating chamber in which a cathode is arranged via an insulator. A plurality of floating electrodes are provided in series, an anode having an opening with a rectangular cross section is arranged in front of the floating electrode group, and an extraction electrode is arranged in front of the anode. In the ion beam device in which the sheet plasma forming magnets are arranged above and below or on the left and right to form a magnetic field in the discharge path having a rectangular cross section, a diffusion chamber and a slit electrode are provided between the plurality of floating electrodes and the anode, It is characterized in that the floating electrode, the diffusion chamber, the slit electrode and the anode are arranged in this order.
【0011】[0011]
【作用】この発明においては、カソードとアノードとの
間の電位差により放電が起こり、プラズマがカソード収
納室内および放電路内に生成されるようになるが、その
プラズマは、拡散チャンバー付近のカスプ磁場領域にお
いて磁場拘束力が低下するため、一旦縦方向(y軸方
向)および横方向(x軸方向)に拡がった後、アノード
に向かって再び集束しシート状になる。その際、拡散チ
ャンバーとアノードとの電位差を調節することにより、
プラズマは高密度になる。更に、拡散チャンバとアノー
ドとの間にスリット電極を配置することにり、プラズマ
は更に高密度になると共に、横方向の密度の一様性が向
上するようになる。上記放電状態ではカソード収納室内
および放電路内のプラズマは偏っている。この現象を利
用して、放電路を幅の狭い矩形断面または円形断面形状
にして放電路のガスコンダクタンスをさらに小さくし、
動作ガスの量を少なくすることができる。In the present invention, a discharge is generated due to the potential difference between the cathode and the anode, and plasma is generated in the cathode accommodating chamber and the discharge path. The plasma is generated in the cusp magnetic field region near the diffusion chamber. Since the magnetic field restraining force is reduced in, the magnetic field restraint force is once expanded in the vertical direction (y-axis direction) and the horizontal direction (x-axis direction), and then converges again toward the anode to form a sheet. At that time, by adjusting the potential difference between the diffusion chamber and the anode,
The plasma becomes dense. Further, by disposing the slit electrode between the diffusion chamber and the anode, the density of the plasma becomes higher and the uniformity of the lateral density is improved. In the discharge state, the plasma in the cathode storage chamber and the discharge passage is biased. Utilizing this phenomenon, the discharge path is made into a narrow rectangular cross section or circular cross section shape to further reduce the gas conductance of the discharge path.
The amount of working gas can be reduced.
【0012】[0012]
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例のイオンビーム装
置は図1に示されている。同図において、水平方向をz
軸、垂直方向をy軸、図面に対して垂直な方向をx軸と
している。カソード収納室1内にはカソード2が配設さ
れ、また、カソード収納室1の先端には内部を角錐台の
空洞にした複数の浮動電極3が絶縁物(図示せず)を介
してz軸方向に同軸上に連設され、連設された複数の浮
動電極3の内部が先細の空洞にされている。複数の浮動
電極3の先端には、x軸方向に長辺、y軸方向に短辺を
した矩形断面のスリット4aを中心部に有する同形の複
数の浮動電極4が絶縁物(図示せず)を介してz軸方向
に同軸上に連設され、複数の浮動電極4の繋がりによ
り、z軸方向に各スリット4aによる矩形断面の放電路
4bが形成されている。浮動電極4の前方のz軸方向に
はアノード5が配設され、そのアノード5は浮動電極4
のスリット4aと同形の開口5aを持っている。浮動電
極4とアノード5との間には拡散チャンバー21が配置
され、また、その拡散チャンバー21とアノード5との
間にはスリット電極22が配置されている。そのため、
浮動電極4、拡散チャンバー21、スリット電極22、
アノード5の順序でz軸方向に配列されている。アノー
ド5の前方には引き出し電極6が配設され、その引き出
し電極6の中央部にはイオン引き出し口6aが設けられ
ている。z軸方向に同軸上に連設された複数の浮動電極
4の上方にはシートプラズマ形成用マグネット7が配設
され、また、下方にもシートプラズマ形成用マグネット
8が配設されている。そして、これられシートプラズマ
形成用マグネット7、8によって、放電路4b内で平行
磁場が形成されている。シートプラズマ形成用マグネッ
ト7はコ字型ポールピース7aの周囲にコイル7bを巻
回して形成され、また、シートプラズマ形成用マグネッ
ト8もコ字型ポールピース8aの周囲にコイル8bを巻
回して形成されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. An ion beam device according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. In the figure, the horizontal direction is z
The axis is perpendicular to the y-axis, and the direction perpendicular to the drawing is the x-axis. A cathode 2 is arranged in the cathode housing chamber 1, and a plurality of floating electrodes 3 each having a truncated pyramidal cavity are provided at the tip of the cathode housing chamber 1 via an insulator (not shown) along the z-axis. The insides of the plurality of floating electrodes 3 which are continuously provided coaxially in the direction are tapered hollows. At the tips of the floating electrodes 3, a plurality of floating electrodes 4 of the same shape having a slit 4a having a rectangular cross section having a long side in the x-axis direction and a short side in the y-axis direction at the center are made of an insulator (not shown). Via a plurality of the floating electrodes 4 connected coaxially in the z-axis direction, a discharge path 4b having a rectangular cross section is formed by the slits 4a in the z-axis direction. An anode 5 is arranged in front of the floating electrode 4 in the z-axis direction.
It has an opening 5a having the same shape as the slit 4a. A diffusion chamber 21 is arranged between the floating electrode 4 and the anode 5, and a slit electrode 22 is arranged between the diffusion chamber 21 and the anode 5. for that reason,
Floating electrode 4, diffusion chamber 21, slit electrode 22,
The anodes 5 are arranged in the z-axis direction in this order. An extraction electrode 6 is arranged in front of the anode 5, and an ion extraction port 6a is provided in the center of the extraction electrode 6. A sheet plasma forming magnet 7 is disposed above the plurality of floating electrodes 4 coaxially arranged in the z-axis direction, and a sheet plasma forming magnet 8 is disposed below the floating electrodes 4. A parallel magnetic field is formed in the discharge path 4b by the sheet plasma forming magnets 7 and 8. The sheet plasma forming magnet 7 is formed by winding a coil 7b around the U-shaped pole piece 7a, and the sheet plasma forming magnet 8 is also formed by winding a coil 8b around the U-shaped pole piece 8a. Has been done.
【0013】なお、図中、9はカソード側カスプ磁場領
域、10はアノード側カスプ磁場領域で、拡散チャンバ
ー21の付近に形成されている。11はカソード収納室
1内に動作ガスを導入するガス導入管である。In the figure, 9 is a cathode side cusp magnetic field region and 10 is an anode side cusp magnetic field region, which is formed near the diffusion chamber 21. Reference numeral 11 is a gas introduction pipe for introducing the working gas into the cathode housing chamber 1.
【0014】このような実施例においては、カソード2
とアノード5との間の電位差により放電が起こり、プラ
ズマがカソード収納室1内および放電路4b内に生成さ
れるようになるが、そのプラズマは、拡散チャンバー2
1付近のアノード側カスプ磁場領域10において磁場拘
束力が低下するため、一旦縦方向(y軸方向)および横
方向(x軸方向)に拡がった後、アノード5に向かって
再び集束してシート状になる。その際、拡散チャンバー
21とアノード5との電位差を調節することにより、プ
ラズマは高密度になる。更に、拡散チャンバー21とア
ノード5との間にスリット電極22を配置することに
り、プラズマは更に高密度になると共に、横方向(x軸
方向)の密度の一様性が向上するようになる。図3の実
線は実施例におけるプラズマの幅方向の密度分布を示し
ている。In such an embodiment, the cathode 2
Discharge occurs due to the potential difference between the anode 5 and the anode 5, and plasma is generated in the cathode storage chamber 1 and the discharge path 4b.
Since the magnetic field restraint force decreases in the anode-side cusp magnetic field region 10 in the vicinity of 1, the magnetic field restraining force once spreads in the vertical direction (y-axis direction) and the horizontal direction (x-axis direction) and then converges again toward the anode 5 to form a sheet. become. At that time, the plasma has a high density by adjusting the potential difference between the diffusion chamber 21 and the anode 5. Further, by disposing the slit electrode 22 between the diffusion chamber 21 and the anode 5, the density of plasma is further increased and the uniformity of the density in the lateral direction (x-axis direction) is improved. . The solid line in FIG. 3 shows the density distribution in the width direction of plasma in the example.
【0015】ところで、上記実施例は放電路4bを幅の
広い矩形断面にしているが、放電路4b内のプラズマは
放電路内の一部に偏っているため、この代わりに、幅の
狭い矩形断面又は円形断面にしてもよい。そうすること
によって、動作ガスの量を少なくすることができるよう
になる。カソード収納室1の先端に複数の浮動電極3を
連設して、複数の浮動電極3の内部を角推台の空洞にし
ているが、複数の浮動電極3の代わりに、カソード収納
室1自体で先端部を角推台の空洞にしたものであっても
よい。By the way, in the above embodiment, the discharge path 4b has a wide rectangular cross section. However, since the plasma in the discharge path 4b is concentrated in a part of the discharge path, a narrow rectangular shape is used instead. It may have a cross section or a circular cross section. By doing so, it becomes possible to reduce the amount of working gas. A plurality of floating electrodes 3 are connected to the tip of the cathode housing chamber 1 to form a hollow space inside the plurality of floating electrodes 3. However, instead of the plurality of floating electrodes 3, the cathode housing chamber 1 itself. Alternatively, the tip may be a cavity of a rectangular support.
【0016】[0016]
【発明の効果】この発明においては、上記のように複数
の浮動電極とアノードとの間に拡散チャンバーおよびス
リット電極を設け、浮動電極、拡散チャンバー、スリッ
ト電極、アノードの順序に配置しているので、プラズマ
密度が濃く、かつ、横方向の密度の一様性の良い幅広の
シート状プラズマが生成され、一様性の良い幅広の大電
流イオンビームが得られるようになる。According to the present invention, the diffusion chamber and the slit electrode are provided between the plurality of floating electrodes and the anode as described above, and the floating electrode, the diffusion chamber, the slit electrode and the anode are arranged in this order. A wide sheet-like plasma having a high plasma density and good lateral density uniformity is generated, and a wide high-current ion beam with good uniformity can be obtained.
【図1】この発明の実施例を示す説明図FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of the present invention.
【図2】従来のシートプラズマ形成用イオン源を示す説
明図FIG. 2 is an explanatory view showing a conventional ion source for sheet plasma formation.
【図3】プラズマの幅方向の密度分布を示すグラフFIG. 3 is a graph showing the density distribution of plasma in the width direction.
1・・・・・・・・・・カソード収納室 2・・・・・・・・・・カソード 3・・・・・・・・・・浮遊電極 4・・・・・・・・・・浮遊電極 4a・・・・・・・・・スリット 5・・・・・・・・・・アノード 6・・・・・・・・・・引き出し電極 6a・・・・・・・・・イオン引き出し口 7・・・・・・・・・・シートプラズマ形成用マグネッ
ト 7a・・・・・・・・・コ字型ポールピース 7b・・・・・・・・・コイル 8・・・・・・・・・・シートプラズマ形成用マグネッ
ト 8a・・・・・・・・・コ字型ポールピース 8b・・・・・・・・・コイル 9・・・・・・・・・・カソード側カスプ磁場領域 10・・・・・・・・・アノード側カスプ磁場領域 11・・・・・・・・・ガス導入管 21・・・・・・・・・拡散チャンバー 22・・・・・・・・・スリット電極1 Cathode storage chamber 2 Cathode 3 Floating electrode 4 Floating electrode 4a ... Slit 5 ... Anode 6 ... Extractor electrode 6a ... Ion extraction Mouth 7: Magnet for sheet plasma formation 7a: C-shaped pole piece 7b: Coil 8:・ ・ ・ ・ Sheet plasma forming magnet 8a ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ C-shaped pole piece 8b ・ ・ ・ ・ ・ Coil 9 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Cathode side cusp magnetic field Area 10 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Anode side cusp magnetic field area 11 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Gas introduction tube 21 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Diffusion chamber Over 22 ......... slit electrode
Claims (1)
に絶縁物を介してイオンビーム幅と同じ幅の矩形断面の
放電路をもつ複数の浮動電極を連設すると共に、浮動電
極群の前方に矩形断面の開口を持つアノードを配設し、
更に、そのアノードの前方に引き出し電極を配設し、更
にその上、浮動電極群の上下又は左右にシートプラズマ
形成用マグネットを配置して、矩形断面の放電路内に磁
場を形成するイオンビーム装置において、上記複数の浮
動電極とアノードとの間に拡散チャンバーおよびスリッ
ト電極を設け、浮動電極、拡散チャンバー、スリット電
極、アノードの順序で配置したことを特徴とするイオン
ビーム装置。1. A plurality of floating electrodes having a discharge path of a rectangular cross section having the same width as the ion beam width are connected in series to a cathode housing chamber having a cathode inside through an insulator and in front of the floating electrode group. Arrange an anode with an opening of rectangular cross section,
Further, an extraction electrode is arranged in front of the anode, and further, sheet plasma forming magnets are arranged above and below or on the left and right of the floating electrode group to form a magnetic field in a discharge path having a rectangular cross section. 2. An ion beam apparatus, wherein a diffusion chamber and a slit electrode are provided between the plurality of floating electrodes and the anode, and the floating electrode, the diffusion chamber, the slit electrode and the anode are arranged in this order.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9472892A JPH06128733A (en) | 1992-03-20 | 1992-03-20 | Ion beam device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9472892A JPH06128733A (en) | 1992-03-20 | 1992-03-20 | Ion beam device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06128733A true JPH06128733A (en) | 1994-05-10 |
Family
ID=14118180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9472892A Pending JPH06128733A (en) | 1992-03-20 | 1992-03-20 | Ion beam device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06128733A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8081503B1 (en) * | 2009-02-27 | 2011-12-20 | Altera Corporation | Volatile memory elements with minimized area and leakage current |
KR101319497B1 (en) * | 2006-11-28 | 2013-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Ion beam irradiation for forming an alignment layer |
KR101353773B1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-01-22 | 주식회사 포스코 | Ion beam source |
-
1992
- 1992-03-20 JP JP9472892A patent/JPH06128733A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101319497B1 (en) * | 2006-11-28 | 2013-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Ion beam irradiation for forming an alignment layer |
US8081503B1 (en) * | 2009-02-27 | 2011-12-20 | Altera Corporation | Volatile memory elements with minimized area and leakage current |
KR101353773B1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-01-22 | 주식회사 포스코 | Ion beam source |
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