JPH0612624A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】基板と、該基板上に形成され下部磁性膜、磁気
ギャップ層、コイル導体層、絶縁層及び上部磁性膜を少
くとも有する電磁変換素子とを備える薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記基板が１５０Ω・ｃｍ以下の固有電気抵抗
を有する材料から成り、前記下部磁性膜が基板に直接付
着される薄膜磁気ヘッド。 【効果】電磁変換素子の下部磁性膜に帯電した静電荷が
直ちに基板を経由して薄膜磁気ヘッドを支持するアーム
等を経由して外部に放出されるので、静電荷による絶縁
層の絶縁破壊の恐れを除き、従って静電気に起因する絶
縁破壊の恐れを除いた薄膜磁気ヘッドの提供が可能とな
った。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに関
し、特に第１の見地によれば、静電気に起因する絶縁破
壊を防止可能な構造を有する薄膜磁気ヘッドに関し、第
２の見地によれば、更に薄膜磁気ヘッドの下部磁性膜の
構造の改良に関する。

【０００２】

【技術的背景及び関連技術】近年、磁気記録信号の高密
度化の進展に伴い、記録信号波長の短縮及び記録トラッ
ク幅の狭小化が進み、更には記録媒体へのアクセスの高
速化も進んできており、このため従来のバルクの磁性材
料を用いた磁気ヘッドより小型で且つ高周波特性にも優
れた薄膜磁気ヘッドが多用される傾向にある。

【０００３】第１の見地に関連して、一般に薄膜磁気ヘ
ッドは、基板上に絶縁層を介して形成される下部磁性
膜、コイル導体層、絶縁層、ギャップ層及び上部磁性膜
から成る各層及び薄膜によって構成されている。これら
の膜及び層の厚みは例えばミクロンオーダーであり、前
述の如き各性能の一層の向上等を目的としてますます薄
膜化、薄層化が要請されている。

【０００４】薄膜磁気ヘッドが磁気記憶装置に組み込ま
れ、磁気記録媒体上を浮上し或いはこれに摺接して磁気
情報を読み書きしているときには、記録媒体で発生した
静電気が磁気ヘッド側に移行したり、或いはこれらの間
で静電気が発生し、このため電磁変換素子が帯電するこ
とがしばしば生ずる。

【０００５】電磁変換素子が静電気を帯びる場合には、
この静電荷は電磁変換素子の構造のため、下部磁性膜に
集まりやすく、下部磁性膜に集まった静電荷は、下部磁
性膜の電位を上昇させ往々にして、基板との間に配され
る絶縁層を破壊して基板に達し、これにより薄膜磁気ヘ
ッドを損傷することとなる。

【０００６】また静電気はときとして、薄膜磁気ヘッド
を磁気記憶装置に組込む前の単体のままでの一時貯蔵中
に、或いは運搬中においても発生し、このような静電荷
は、磁気ヘッドを磁気記憶装置に組込む際に瞬間的に放
電し、上記同様薄膜磁気ヘッドを損傷するに至ることも
知られている。

【０００７】特開平１−１１６９１０号公報には、上記
の如き下部磁性膜に帯電した静電荷による絶縁層の絶縁
破壊を防止可能な薄膜磁気ヘッドが開示されており、こ
の公報の薄膜磁気ヘッドの場合、本願添付図面の図３に
示すように基板２と電磁変換素子９の下部磁性膜２４と
の間に介在する絶縁層３３を短絡する金属膜１４がスラ
イダの浮上面と反対側の面（反浮揚面）１２側の面取り
部（Ａ部）に設けられている。

【０００８】本発明の第２の見地に関連して、ハードデ
ィスク装置用として用いられている従来の薄膜磁気ヘッ
ドを図１１及び図１２を参照して説明する。磁性又は非
磁性材料から成る基板２上には、軟磁性材料から成る下
部磁性膜３、有機物レジスト材料から成る絶縁層４、Ｃ
ｕ等の導電材料から成るコイル導体層５、及び下部磁性
膜３と同様の軟磁性材料から成る上部磁性膜６が順次形
成され、上部磁性膜６から成る上部磁極と下部磁性膜３
から成る下部磁極との間には基板２の磁気記録媒体との
対向面である浮動面２１側に磁気ギャップ７が形成され
ている。

【０００９】上記薄膜磁気ヘッドの製作にあたっては、
基板２上に、図８に示された形状の所定の磁極パターン
を有機材料からなるレジスト（フォトレジスト）によっ
て形成し、そのパターン上にまず下部磁性膜３をメッキ
法等で形成し、その後残されて硬化したレジスト面域と
下部磁性膜表面域とが平坦面を形成するよう同じ有機材
料から成るレジストが塗布される。この平坦面４ａ上に
コイル部５ａ及びコイル部からの一方のリード線部分５
ｂとからなるコイル導体層５、絶縁層４、更にコイル部
５ａ並びに他方のリード線部分５ｃと順次に形成され、
次に下部磁極３と対向する範囲に上部磁極となる上部磁
性膜６が形成される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】第１の見地に関連し
て、上記公報の薄膜磁気ヘッドの場合、本願図３からも
容易に理解できるように、予め基板２及び電磁変換素子
９の部分に対し機械加工によって面取りを施し、然る後
に金属膜１４を形成させるという工程が必要である。こ
の面取り（Ａ部）及び金属膜１４の形成は、工程の簡素
化及び低コスト化を要請されている薄膜磁気ヘッドにお
いて、この要請に反し不可避的にコストアップを招来す
るという問題がある。

【００１１】本発明は、第１の見地において、上記問題
点に鑑み、上記の従来法の如き別の工程を付加すること
も或いはコストアップを招くこともなく、静電気に起因
する絶縁層の絶縁破壊によって損傷を受ける恐れのない
薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【００１２】また、第２の見地において、従来の薄膜磁
気ヘッドでは上記の通り、コイル導体層５の各相間並び
にコイル導体層と上部及び下部の磁性膜との間の絶縁物
として有機材料から成るレジストが使用されている。有
機材料は、一般に耐熱性、耐湿性及び耐薬品性に劣る等
の欠点を有し、長年の使用により経年劣化を生じ易く、
導体層と磁性層との間で絶縁破壊に至る等の問題があ
り、このため薄膜磁気ヘッドの信頼性を損うという欠点
がある。

【００１３】本発明は、第２の見地において、薄膜磁気
ヘッドの絶縁層に無機材料を使用し、ヘッドの信頼性の
向上を図るとともに従来の薄膜磁気ヘッドの構造を改良
し、製作時間や工数の増加を招いたりすることなく上記
信頼性の向上を図ることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の見地にお
いて前記目的は、基板と、該基板上に形成され下部磁性
膜、磁気ギャップ層、コイル導体層、絶縁層及び上部磁
性膜を少くとも有する電磁変換素子とを備える薄膜磁気
ヘッドにおいて、前記基板が１５０Ω・ｃｍ以下の固有
電気抵抗を有する材料から成り、前記下部磁性膜が基板
に直接付着されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドによ
って達成される。

【００１５】本発明の第２の見地において前記目的は、
基板上に形成された上部及び下部磁性膜と、該上部及び
下部磁性膜の間に形成されるコイル導体層及び絶縁層
と、を備える薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁性膜が少
くともコイル導体層が形成される範囲に亘って一様な平
坦面として形成され、下部磁性膜の磁気ギャップの範囲
以外の媒体対向面側の端面の少なくとも一部が該対向面
から後退して配されており、前記絶縁層が無機材料によ
って形成されること、を特徴とする薄膜磁気ヘッドによ
って達成される。

【００１６】更に、下部磁性膜の前記対向面側の端面
が、磁気ギャップの範囲以外で該対向面に対して角度を
なして後退する傾斜面を有する構成を採用することによ
り、ヘッドトラック幅方向へのもれ磁束が少ない薄膜磁
気ヘッドとすることができる。

【００１７】

【好適な実施態様】

【第１の見地】基板材料としては、非磁性又は磁性材料
が用いられる。下部磁性膜は、好ましくは蒸着若しくは
スパッタリング法等の薄膜成形法で形成され、特に好ま
しくはスパッタリング法で形成される。

【００１８】基板材料としては、固有電気抵抗が0.002
Ω・ｃｍであるＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ、3.0Ω・ｃｍである
Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂、１５０Ω・ｃｍであるＭｎ−Ｚｎ
フェライト等が使用される。固有電気抵抗が１０００Ω
・ｃｍ以上もある非磁性フェライト、或いは１０⁶Ω・
ｃｍ以上もあるＮｉ−Ｚｎフェライトのような絶縁性の
基板材料の場合は、本発明の目的を達成しないので、本
発明の基板材料から除かれる。

【００１９】本発明の上記構成を得るにあたっては以下
のことを確認した。

【００２０】導電性の基板として、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ
（アルミナチタンカーバイド）、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＯ
₂（アルミナチタニア）、Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＣ、Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト及び非磁性フェラ
イト基板を用い、夫々の基板上に直接、下部磁性膜、絶
縁層、コイル導体層、磁気ギャップ層、上記磁性膜及び
保護層を順次スパッタ法や蒸着によって積層せしめるこ
とにより薄膜ヘッドを試作しＨＧＡ（ヘッドジンバルア
ッセンブリ）した後に、静電気破壊により磁気ヘッドス
ライダーに静電気を与えて薄膜磁気ヘッド素子の破壊の
有無を調べた。この結果を表１に示す。

【００２１】表１に示されているように電気抵抗が１５
０Ω・ｃｍ以下の基板を用いた薄膜磁気ヘッド素子は静
電気により絶縁破壊されるものが皆無であることが確認
された。基板の抵抗は、好ましくは3.0Ω・ｃｍ以下で
ある。

【００２２】

【表１】 基板上に直接付着形成された下部磁性膜に帯電した静電
荷は、下部磁性膜の電位を上昇させることなく直ちに基
板側に移り、固有電気抵抗が１５０Ω・ｃｍ以下の導電
性基板材料を経由して、薄膜磁気ヘッドを保持するアー
ム等に導かれ接地側に流れ去る。従って、薄膜磁気ヘッ
ドの破損に至るような静電気に起因する絶縁破壊は生じ
ない。しかも、このような簡略化した構成にも拘わらず
下部磁性膜は所定の磁気特性を発揮できると共に、その
形成工程として、スパッタリング法等の気相析着法によ
り基板上に直接薄膜形成できる。

【００２３】

【第１の見地による実施例】図面を参照して本発明につ
いて更に説明する。

【００２４】図１は、本発明の一実施例に係る浮上型薄
膜磁気ヘッドを、その浮上面側を上にして空気流出端側
から見た立面図である。同図においてこの薄膜磁気ヘッ
ド１はスライダを構成する基板２と、この基板２の空気
流出端端面側に薄膜形成技術によって形成された二つの
電磁変換素子２９とから構成される。基板２には双方の
電磁変換素子２９の間に空気流方向の溝２３が形成され
ている。各電磁変換素子２９のコイル導体層は夫々の端
子３６に接続されこれを経由して外部に接続できる構造
を備える。

【００２５】図１のII−II断面図である図２に示したよ
うに、夫々の電磁変換素子２９は、基板２の浮上面（対
向面）２１側に磁気ギャップ層２５を備えており、磁性
材料又は非磁性材料から成る基板２の空気流下流側の端
面に直接スパッタリングで形成された下部磁性膜２４
と、下部磁性膜２４上に形成されたコイル絶縁層３０及
びコイル導体層２６と、コイル絶縁層３０及びコイル導
体層２６上に配されると共に下部磁性体２４との間に磁
気ギャップ層２５が形成された上部磁性膜２７と、上部
磁性膜２７の上からこれを覆って形成され上記各層を全
体として保護する保護層２８とから構成される。

【００２６】基板２上には、従来のように絶縁膜を介在
させることをしないで、直接下部磁性膜２４であるセン
ダスト又はパーマロイ等の金属磁性膜がスパッタリング
によって形成される。この場合蒸着等の薄膜成形技術も
使用可能である。しかし、メッキプロセスでこの金属膜
を形成すると基板との間で熱膨張係数が異なるため所望
の磁気特性が得られない恐れも生ずるので、好ましくな
い。

【００２７】下部磁性膜２４上にはＳｉＯ₂等の絶縁材
料によって各コイル相互間及び各磁性膜との間を絶縁さ
れたコイル導体層２６がＣｕ或いはＣｕ合金等によって
形成されており、このコイル導体層２６は前記の如く、
引出しリードを経て導体層２６と同様に製膜技術で形成
される前記端子部３６に接続されている。

【００２８】上部磁性膜２７は下部磁性膜２４と同じ材
質の金属磁性材料で形成されており、下部磁性膜２４と
の間に形成された磁気ギャップ層２５を介して、図示し
ない記録媒体との間で信号の授受を行ない、この信号は
コイル導体層２６に授受され、外部端子３６を介して外
部機器との間で授受される。

【００２９】上記の構成を有する薄膜磁気ヘッドにおい
ては、磁気ヘッドが記録媒体上を浮上或いはこれと摺接
して記録又は再生を行っている際に記録媒体から下部磁
性膜２４に進入した静電荷、或いは単体での一時貯蔵中
や運搬中にこの薄膜磁気ヘッドが互いにこすれあった
り、容器との間でこすれあったりすることにより発生し
て下記磁性膜２４に帯電することとなった静電荷は、直
ちに基板２側に達し、導電性の基板を経由して外部に放
電するため、下部磁性膜と基板との間の絶縁層に絶縁破
壊が生じた従来の薄膜磁気ヘッドとは異なり、静電気に
起因する破損の恐れがない。

【００３０】なお、本実施例では下部磁性膜を、メッキ
法を採用することなくスパッタ法等の製膜技術で形成し
ているので、下部磁性膜の磁気特性が基板との接合面で
変化する恐れがなく、下部磁性膜の磁気特性の制御が容
易となり、大量生産においても所望の磁気特性の維持が
容易な磁気ヘッドとすることが可能である。

【００３１】また、添付図面においてはコイル導体層が
２層のものを示したが、一層又は３層以上のコイル導体
層を有する薄膜磁気ヘッドについて本発明を適用しても
同様の効果が得られることは勿論である。

【００３２】

【第２の見地】本発明は下記の知見に基く。

【００３３】従来の薄膜磁気ヘッドでは、絶縁材料とし
て使用されるフォトレジスト等の有機材料が経年劣化を
生じ易く薄膜磁気ヘッドの信頼性を損う原因となってい
たことに鑑み、絶縁材料として、経年劣化を生じ難い無
機材料を採用することとする。しかし、このようにレジ
ストを使用しない場合には、基板面と基板面上に形成さ
れ一定の厚み（通例約３〜６μｍ）を備える下部磁性膜
との間の段差を従来の薄膜磁気ヘッドのように、絶縁材
料の塗布によって平坦化することができず、次の工程で
あるコイル導体層をスパッタリング或いは蒸着法等によ
り形成するための平坦面が得られない。

【００３４】例えば無機材料のスパッタリング法によっ
てこの平坦面を得ようとすると、約７〜８μｍ厚みの膜
を形成し、これをエッチバック等の方法で除去しなけれ
ば上記段差を解消して平坦面とすることができず、かか
る７〜８μｍもの厚みの膜をスパッタリングで得ようと
すると極めて長時間のスパッタリング工程を要し、製造
コストの大幅な増加を招く。

【００３５】本発明においては、上記の事実に着目し下
部磁性膜を、従来とは異なり上部磁性膜に比べてきわめ
て大きな平坦面として基板上に形成することとした。下
部磁性膜を、好ましくは基板の空気流出端の端面全面に
亘って、或いは少なくともコイル導体層を形成すべき範
囲の全面に亘って、一様な平坦面として形成することと
し、これにより従来の様にコイル導体層形成のための平
坦面形成の工程を要しないで済むこととした。従って、
絶縁材料である無機材料の層厚をその絶縁性能に従って
薄くすることができ、スパッタリング等の薄膜法によっ
て短時間で形成することが可能となる。

【００３６】一方、上記の如く下部磁性膜（下部磁極）
を基板上の一定範囲全面に亘って形成すると、下部磁極
の磁気ギャップ以外の部分が磁気記録媒体面に近接する
結果、磁気ギャップ端面から見た磁束Φ_lの様子を模式
的に示した図１３に示されているように、磁気ギャップ
付近での漏洩磁束が増加する結果、磁気記録媒体の隣接
トラック上の記録との干渉が問題となる。このため本発
明においては、下部磁極の磁気ギャップの範囲以外の部
分で対向面側の端面のギャップに近接する部分を対向面
から後退させて形成する構成を採用することとし、この
構成を採用すればトラック幅方向の信号干渉に関して実
用上十分小さな薄膜磁気ヘッドとなることを確認した。

【００３７】下部磁性膜が少くともコイル導体層が形成
される範囲に亘って一様な平坦面として形成されること
でレジスト塗布等による平坦面形成の必要性を除き、ス
パッタリング等により下部磁性膜の平坦面上に形成され
る無機絶縁層の表面が容易に平坦面として得られ、コイ
ル導体層はこの平坦面上に直接形成可能となる。

【００３８】

【第２の見地による実施例】本発明の第２の見地による
一実施例の薄膜磁気ヘッドの構造について図４〜図６を
参照して説明する。これらの図の薄膜磁気ヘッド１は従
来例として示した図１１の薄膜磁気ヘッド同様ハードデ
ィスク装置用の磁気ヘッドとして構成してある。なお、
図４はこの実施例の薄膜磁気ヘッドの姿図、図５は電磁
変換素子部分の模式的平面図、図６は図５のVI−VI断面
図としてある。

【００３９】図４〜図６において磁性或いは非磁性材料
から成る基板２の空気流出端の後端面２２上にはほぼ全
面に亘って下部磁性膜３がスパッタ法によって形成して
ある。下部磁性膜３上には無機材料から成る絶縁層４が
スパッタリングで形成され、その上にコイル導体層５の
内の一層が形成される。このコイル導体層５の一層は磁
極との間で信号変換を行うコイル部５ａ及びコイル部５
ａと外部端子９、９′とを接続するリード部の一方５ｂ
とから成る。

【００４０】コイル導体層５は一層又は２層以上として
形成することができ、その場合絶縁層４とコイル導体層
５とが交互に薄膜法で形成される。コイル部５ａの中央
部からの他方のリード線５ｃはコイル部５ａの上層部分
が形成された後に形成される。その後媒体対向面側の下
部磁極の一部はエッチングによって除去され、傾斜面３
ａ及び後退面３ｂが形成される。コイル導体層５及び絶
縁層４が形成された後、上部磁極が形成される。下部磁
極３及び上部磁極６は最終的に磁気ギャップ７の範囲に
おいて同じ形状となるようエッチング等によって形状加
工される。

【００４１】下部磁性膜３の前記傾斜面３ａは、上記実
施例の薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部分を模式的に平
面図として示した図５に示されているように、対向面２
１とのなす角αが３０度となるように形成されており、
対向面２１から所定範囲離れた位置において下部磁性膜
の端面は対向面と平行な後退面３ｂとしてトラック幅方
向に延長している。磁気ギャップ７の各部寸法は、一例
としてトラック幅ｗが１０μｍ、ギャップデプスｄが２
μｍ、ギャップ長が0.25μｍとなっている。ギャップデ
プスは、磁気記録媒体との対向面21側から上部磁性膜６
の厚み方向の屈曲点６ａまでの距離として規定される。
上部磁性膜６及び下部磁性膜３の厚みは共に４〜６μ
ｍ、対向面２１と下部磁性膜の対向面に平行な後退面３
ｂとの離隔距離は１５μｍであり、また、磁気ギャップ
前端面と磁性膜のリアコンタクト部８との間の間隔は約
２００μｍである。

【００４２】上部磁性膜６の幅は一般に１００〜２５０
μｍの値が選定される。またほぼ全面に下部磁性膜３が
形成される基板端面２２のトラック幅方向の横幅は２ｍ
ｍ、これと直角方向の高さは 0.6ｍｍとして選定されて
いる。図示が省略されているが、従来の薄膜磁気ヘッド
と同様電磁変換素子全体を覆って保護層が形成される。

【００４３】本発明の、更には上記実施例の薄膜磁気ヘ
ッドは、下記の検討を経てその形状が選定されたもので
ある。

【００４４】下部磁性膜を上記実施例の如く基板面の幅
方向全面に亘って形成した薄膜磁気ヘッドと、従来の磁
気ヘッドとについてその記録性能を電子計算機により三
次元のシュミレーションを行った結果を図７に示す。

【００４５】図７は、従来の薄膜磁気ヘッド及び基板の
幅方向全面に亘って形成した二種類の形状の下部磁性膜
を有する薄膜磁気ヘッドに、一定の記録電流（30mAｐ−
ｐ）を通じた時において、トラック幅方向の中心からの
位置寸法と、その位置で且つ基板の対向面から0.15μｍ
離れた点における磁界の強さ（Ｏｅ）との関係として示
している。なお、同グラフ下部に示した図はこれら下部
磁性膜の形状、寸法をグラフの値と対比するために示し
た下部磁性膜の形状である。磁性膜は、流された電流で
飽和し始める。

【００４６】0.15μｍは浮動ヘッドスライダの通常の浮
上高さであり、従って上記点は磁気記録媒体面の位置と
して想定したものである。記録性能としてはトラック幅
の範囲内に大きな磁界を生じ、かつトラック幅以外の範
囲で小さな磁界を生ずることが好ましいことは言うまで
もない。なお、磁気ギャップのトラック幅は１０μｍ、
ギャップデプスは２μｍであり、磁性膜の厚みは全て４
μｍとしてある。記録媒体の保磁力Ｈｃは１５００（Ｏ
ｅ）として計算されている。

【００４７】図７において、実線Ａは上部及び下部磁極
がほぼ同じ大きさの従来の磁気ヘッドであって図８に示
した端面形状の上部及び下部磁性膜３、６を有する磁気
ヘッドについての、一点鎖線Ｂは図９に示した対向面側
の端面形状を有する下部磁性膜３と図８の上部磁性膜６
とを備える本発明の一実施例の磁気ヘッド１について
の、一点鎖線Ｃ′は図１０の対向面側の端面形状を有す
る下部磁性膜と図８の端面形状の上部磁性膜とを有する
本発明の実施例の磁気ヘッドについての、夫々の記録性
能についてのシュミレーションを行った結果得られた値
のグラフである。なお、図８に示した従来の磁性膜は上
部、下部共に同一形状であり、磁気ギャップに隣接する
範囲では傾斜面３ａ′を有している。

【００４８】図７から容易に理解できるように、従来の
磁気ヘッドと本発明の図９の実施例の磁気ヘッドではほ
ぼ同等の記録性能を有しているが（曲線Ａ及びＢ）、図
１０に示した、下部磁極の対向面側の端面がトラック幅
の範囲外において浮動面側に対向面側の端面と同一面を
なして浮動面側に突出する露出部分３ｃを有する磁気ヘ
ッドの場合、露出部分３ｃの磁気ギャップ側端部Ｐの磁
気ギャップ中心からの距離ｗ₁が２０μｍの場合には、
露出部分３ｃの端部Ｐで強い漏洩磁界を生ずることとな
り（図７の曲線Ｃ）、薄膜磁気ヘッドとして使用した場
合には、トラック幅以外の部分の漏洩磁界が大きく、従
って隣接するトラックとの干渉が生じるため磁気ヘッド
として不適当である。このためｗ₁≧４０μｍとして下
部磁極露出部３ｃを磁気ギャップ中心から４０μｍ以上
はなす必要がある。なお、図７に示す通り、上記シュミ
レーションにおいて、磁気ギャップ中心からトラック幅
方向に７μｍを越えて、即ちトラック幅の範囲から２μ
ｍを越えてなお記録磁界が大きな値を有する場合には、
記録媒体上の隣接するトラックとの干渉を避け得ない。
即ち、曲線Ａは、トラック幅（光学的トラック幅）が１
０μｍの従来の薄膜磁気ヘッドを表わしている。その実
効トラック幅は、両側でそれぞれ２μｍ広がり、１４μ
ｍ程度になる。漏洩磁界強度は、干渉を避けるために
は、７μｍの距離における曲線Ａの値より低い値にすべ
きである。曲線Ｃのピークは、７μｍの距離における曲
線Ａの値とほぼ同じ水準である。したがって、このピー
クのないようにすべきである。

【００４９】上記シュミレーションの結果、下記のこと
が判明した。一点鎖線Ｃ′のグラフも記録性能として良
好であるため、保磁力Ｈｃが１５００Ｏｅの磁気記録媒
体に使用する薄膜磁気ヘッドの場合には、下部磁性膜を
対向面から最低限２μｍ離せば、記録再生時において隣
接するトラックとの干渉を避けることができ、実用上使
用に耐える薄膜磁気ヘッドとすることができる。上記離
隔（後退）距離は好ましくは１０μｍ程度であり、この
上限はコイル導体層が配される位置の離隔距離として規
定される。

【００５０】保磁力Ｈｃが１０００Ｏｅの記録媒体の場
合には、保磁力Ｈｃが１５００Ｏｅの場合の類推から対
向面と下部磁性膜の前記端面との好ましい離隔（後退）
距離の値は約５μｍ程度となる。

【００５１】本実施例の薄膜磁気ヘッドでは、コイル導
体層５の形式に先立って下部磁性膜３上に、例えば１〜
２μｍ厚の無機材料から成る絶縁層４をスパッタリング
等により形成させることで十分であり、その後にコイル
導体層５のための平坦面形成の工程を必要としない。従
って下部磁性膜形成後、レジストを全面塗布し、これを
再度均一に除去して平坦面とする等の工程を必要として
いた従来の薄膜磁気ヘッドに比べると工程が簡素とな
る。

【００５２】

【発明の効果】本発明の第１の見地による薄膜磁気ヘッ
ドの構成において、基板を１５０Ω・ｃｍ以下の固有電
気抵抗を有する材料から形成し、この基板上に直接電磁
変換素子の下部磁性膜を付着形成したことにより、電磁
変換素子の下部磁性膜に帯電した静電荷が直ちに基板を
経由して薄膜磁気ヘッドを支持するアーム等を経由して
外部に放出されるので、静電荷による絶縁層の絶縁破壊
の恐れを除き、従って静電気に起因する絶縁破壊の恐れ
を除いた薄膜磁気ヘッドの提供が可能となった。

【００５３】本発明の第２の見地に係る薄膜磁気ヘッド
において、下部磁性膜を少なくともコイル導体層が形成
される範囲全面に亘って一様な平坦面として形成し、こ
の平坦面上に無機材料から成る絶縁層を形成した構成に
より、コイル導体層を形成すべき平坦面が下部磁性膜の
平坦面によって容易に得られることとなり、レジスト材
料等によるコイル導体層形式のための平坦化工程を要し
ないこととなったので、耐湿性、耐薬品性に優れる無機
材料の採用によって絶縁材料の経年劣化を防止可能であ
ると共に、磁気ギャップの範囲以外の下部磁性膜の対向
面側の端面を対向面から後退させる構成を採用したこと
により、薄膜磁気ヘッドの記録再生性能を実用上十分な
範囲に維持できることとなったので、下部磁性膜形成後
の加工範囲を最小にとどめると共に所要の性能を有する
薄膜磁気ヘッドとすることができ、従って上記双方の構
成の採用により記録再生性能を一定に維持しながら構造
が簡単で経年劣化の恐れがなく信頼性の高い薄膜磁気ヘ
ッドの提供が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の見地による一実施例に係る浮上
型薄膜磁気ヘッドを、浮上面側を上にして空気流出端面
側から見た立面図である。

【図２】図１の実施例の薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子
部の構造を主として示すための断面図で、図１のII−II
断面図である。

【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部の構造
を主として示すための断面図である。

【図４】本発明の第２の見地による一実施例に係る薄膜
磁気ヘッドの姿図である。

【図５】図４の薄膜磁気ヘッドの構造を説明するための
電磁変換素子部分の模式的平面図である。

【図６】図５のIII−III断面図である。

【図７】各薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子の記録性能を
比較するための計算機によるシュミレーション結果のグ
ラフである。

【図８】従来の磁気ヘッドの上部及び下部磁性膜の媒体
対向面側の形状を摸した平面図である。

【図９】本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの下部磁
性膜の対向面側の端面形状を示すための平面図である。

【図１０】本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの下部
磁性膜の対向面側の端面形状を示すための平面図であ
る。

【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子の構造
を示すための姿図である。

【図１２】図１０の薄膜磁気ヘッドの構造を示すための
当該部分の断面図である。

【図１３】磁気ギャップ部での磁束漏洩を示すための説
明図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板と、該基板上に形成され下部磁性膜、
   磁気ギャップ層、コイル導体層、絶縁層及び上部磁性膜
   を少くとも有する電磁変換素子とを備える薄膜磁気ヘッ
   ドにおいて、 前記基板が１５０Ω・ｃｍ以下の固有電気抵抗を有する
   材料から成り、前記下部磁性膜が基板に直接付着される
   ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】基板上に形成された上部及び下部磁性膜
   と、該上部及び下部磁性膜の間に形成されるコイル導体
   層及び絶縁層と、を備える薄膜磁気ヘッドにおいて、 下部磁性膜が少くともコイル導体層が形成される範囲に
   亘って一様な平坦面として形成され、下部磁性膜の磁気
   ギャップの範囲以外の媒体対向面側の端面の少なくとも
   一部が該対向面から後退して配されており、 前記絶縁層が無機材料によって形成されること、 を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】下部磁性膜の媒体対向面側の端面が、磁気
   ギャップの範囲以外で該対向面に対して角度をなして後
   退する傾斜面を有することを特徴とする請求項２記載の
   薄膜磁気ヘッド。