JPH06119676A - 光ヘッド装置 - Google Patents
光ヘッド装置Info
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- JPH06119676A JPH06119676A JP4267431A JP26743192A JPH06119676A JP H06119676 A JPH06119676 A JP H06119676A JP 4267431 A JP4267431 A JP 4267431A JP 26743192 A JP26743192 A JP 26743192A JP H06119676 A JPH06119676 A JP H06119676A
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- JP
- Japan
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- light
- optical path
- substrate
- path branching
- unit
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】光ヘッドを一体化し、装置を小型化して製造を
容易にするとともに、半導体レーザの入射光量のロスを
抑えかつ４５度偏光検波を行うことのできる光ヘッドを
提供する。 【構成】基板１上に支持手段１２が固定され、この支持
手段１２上に発光手段９が配置され、光路分岐手段５が
基板１と所定の角度を有し、光路分岐手段５と対向して
いる支持手段１２の面の基板１と交わる辺が、光路分岐
手段５の基板１と交わる辺に対して所定の傾きを有し、
光路分岐手段５と対向している支持手段の面の基板１と
対向する辺が、基板１と平行な面に対して所定の傾きを
有する。発光手段９から出射した光が、光路分岐手段５
で反射され、記録媒体上で反射された後に、往路を逆に
戻り、光路分岐手段５で透過され、偏光手段３によりＰ
偏光は透過され、第１受光器６で受光され、Ｓ偏光は反
射され、第２受光器８で受光される。
容易にするとともに、半導体レーザの入射光量のロスを
抑えかつ４５度偏光検波を行うことのできる光ヘッドを
提供する。 【構成】基板１上に支持手段１２が固定され、この支持
手段１２上に発光手段９が配置され、光路分岐手段５が
基板１と所定の角度を有し、光路分岐手段５と対向して
いる支持手段１２の面の基板１と交わる辺が、光路分岐
手段５の基板１と交わる辺に対して所定の傾きを有し、
光路分岐手段５と対向している支持手段の面の基板１と
対向する辺が、基板１と平行な面に対して所定の傾きを
有する。発光手段９から出射した光が、光路分岐手段５
で反射され、記録媒体上で反射された後に、往路を逆に
戻り、光路分岐手段５で透過され、偏光手段３によりＰ
偏光は透過され、第１受光器６で受光され、Ｓ偏光は反
射され、第２受光器８で受光される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光磁気ディスク
装置の光ヘッドなどに用いて好適な光ヘッド装置に関す
るものである。
装置の光ヘッドなどに用いて好適な光ヘッド装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の磁界変調方式の光磁気デ
ィスク装置の構成例を示している。図６に示すように、
半導体レーザ６０から射出された光ビームはコリメータ
レンズ６５で平行光に変換され、偏光ビームスプリッタ
６１を透過または反射される。透過された光ビームは、
立ち上げミラー６２で反射され、対物レンズ６３で光磁
気ディスク７０上に集光される。また半導体レーザ６０
から射出され、偏光ビームスプリッタ６１で反射された
光は、さらに半導体レーザ６０の射出光量を検出するた
めに、光検出器であるモニタ６７に入射される。
ィスク装置の構成例を示している。図６に示すように、
半導体レーザ６０から射出された光ビームはコリメータ
レンズ６５で平行光に変換され、偏光ビームスプリッタ
６１を透過または反射される。透過された光ビームは、
立ち上げミラー６２で反射され、対物レンズ６３で光磁
気ディスク７０上に集光される。また半導体レーザ６０
から射出され、偏光ビームスプリッタ６１で反射された
光は、さらに半導体レーザ６０の射出光量を検出するた
めに、光検出器であるモニタ６７に入射される。
【０００３】光磁気ディスク７０への情報の記録時にお
いては、このように光磁気ディスク７０上に光ビームが
集光されるとともに、記録する情報（信号０、または
１）に対応して光磁気ディスク７０に対向した磁石７１
が変化し、いわゆるキュリー点記録方式により光磁気デ
ィスク７０が垂直方向に磁化される。
いては、このように光磁気ディスク７０上に光ビームが
集光されるとともに、記録する情報（信号０、または
１）に対応して光磁気ディスク７０に対向した磁石７１
が変化し、いわゆるキュリー点記録方式により光磁気デ
ィスク７０が垂直方向に磁化される。
【０００４】光磁気ディスク７０に記録された情報の再
生時においては磁気カー効果により、光磁気ディスク７
０に集光された光ビームが反射するときに、その偏光面
すなわち光の振動方向が光磁気ディスク７０の磁化方向
に対応して、右または左にθｋ回転するので、光磁気デ
ィスク７０からの反射光の偏光面の回転角の変化を検出
される。
生時においては磁気カー効果により、光磁気ディスク７
０に集光された光ビームが反射するときに、その偏光面
すなわち光の振動方向が光磁気ディスク７０の磁化方向
に対応して、右または左にθｋ回転するので、光磁気デ
ィスク７０からの反射光の偏光面の回転角の変化を検出
される。
【０００５】即ち、光磁気ディスク７０からの反射光
は、対物レンズ６３を透過し、偏光ビームスプリッタ６
１で反射され、λ／２波長板６４により偏波の４５度回
転を行い、偏光ビームプリズム６８によりカー効果によ
って生じた偏光面の回転θｋを逆成分として含むＳ偏光
とＰ偏光に分離される。分離されたＳ偏光およびＰ偏光
は、光検出器６９ａ，６９ｂに入射され、両光検出器６
９ａ，６９ｂの出力の加減算を適宜行うことによってＲ
Ｆ信号（ＭＯ信号）、プッシュプル法によりトラッキン
グエラー信号、差動同心円法によりフォーカスエラー信
号がそれぞれ得られる。
は、対物レンズ６３を透過し、偏光ビームスプリッタ６
１で反射され、λ／２波長板６４により偏波の４５度回
転を行い、偏光ビームプリズム６８によりカー効果によ
って生じた偏光面の回転θｋを逆成分として含むＳ偏光
とＰ偏光に分離される。分離されたＳ偏光およびＰ偏光
は、光検出器６９ａ，６９ｂに入射され、両光検出器６
９ａ，６９ｂの出力の加減算を適宜行うことによってＲ
Ｆ信号（ＭＯ信号）、プッシュプル法によりトラッキン
グエラー信号、差動同心円法によりフォーカスエラー信
号がそれぞれ得られる。
【０００６】ところで、このような装置では半導体レー
ザ６０、コリメータレンズ６５をはじめとする複数の光
学部品を個別に配置しなければならず、しかも対物レン
ズ６３に追従するための立ち上げミラー６２が余分に必
要となり、小型化が困難であった。
ザ６０、コリメータレンズ６５をはじめとする複数の光
学部品を個別に配置しなければならず、しかも対物レン
ズ６３に追従するための立ち上げミラー６２が余分に必
要となり、小型化が困難であった。
【０００７】さらに、各部品を配置するときは各部品の
位置の調整を高精度に行う必要があり、組立が容易でな
く製造に時間がかかる課題もあった。また、例えば温
度、湿度、および外部からの振動などの外的要因によ
り、各部品が変化したり、その配置位置がずれたりし
て、光学特性が容易に変化してしまうので装置の信頼性
に問題があった。
位置の調整を高精度に行う必要があり、組立が容易でな
く製造に時間がかかる課題もあった。また、例えば温
度、湿度、および外部からの振動などの外的要因によ
り、各部品が変化したり、その配置位置がずれたりし
て、光学特性が容易に変化してしまうので装置の信頼性
に問題があった。
【０００８】そこで、上記課題を解決するために半導体
基板に図６に示した偏光ビームスプリッタ６１と偏光ビ
ームプリズム６８と光検出器６９ａ，６９ｂとを一体化
した図７に示す光ヘッド装置が提案された。図７に示す
光ヘッド装置では、半導体基板１０１上に半導体レーザ
１０４を固着するための台座１０５およびプリズム１０
２が固定されている。半導体レーザ１０４から出射され
た光束は、偏光分離半透過膜１０２ａで反射され対物レ
ンズにより光磁気ディスク上に集束された後、光磁気デ
ィスクから反射される。反射された光は往路を逆に戻
り、偏光分離半透過膜１０２ａで透過され、偏光分離膜
１２１でＰ偏光が透過された後に、光検出器１１１に入
射される。偏光分離膜１２１で反射されたＳ偏光は反射
膜１０２ｂで反射された後に、光検出器１１２に入射さ
れる。Ｓ偏光およびＰ偏光を光検出器１１１，１１２で
検出し、その差動をとり光磁気信号（ＭＯ信号）を得、
またプッシュプル法によりトラッキングエラー信号、ま
た差動同心円法によりフォーカスエラー信号を得る。
基板に図６に示した偏光ビームスプリッタ６１と偏光ビ
ームプリズム６８と光検出器６９ａ，６９ｂとを一体化
した図７に示す光ヘッド装置が提案された。図７に示す
光ヘッド装置では、半導体基板１０１上に半導体レーザ
１０４を固着するための台座１０５およびプリズム１０
２が固定されている。半導体レーザ１０４から出射され
た光束は、偏光分離半透過膜１０２ａで反射され対物レ
ンズにより光磁気ディスク上に集束された後、光磁気デ
ィスクから反射される。反射された光は往路を逆に戻
り、偏光分離半透過膜１０２ａで透過され、偏光分離膜
１２１でＰ偏光が透過された後に、光検出器１１１に入
射される。偏光分離膜１２１で反射されたＳ偏光は反射
膜１０２ｂで反射された後に、光検出器１１２に入射さ
れる。Ｓ偏光およびＰ偏光を光検出器１１１，１１２で
検出し、その差動をとり光磁気信号（ＭＯ信号）を得、
またプッシュプル法によりトラッキングエラー信号、ま
た差動同心円法によりフォーカスエラー信号を得る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記一体化し
た光ヘッド装置は次のような点を考慮しなければいけな
い。
た光ヘッド装置は次のような点を考慮しなければいけな
い。
【００１０】（１）半導体レーザ１０４から出射した光
量に対して、偏光分離半透過膜１０２ａへの入射光量の
ロスを少なくするために半導体レーザ１０４の偏光方向
は偏光分離半透過膜１０２ａの入射面と平行あるいは直
交しなければいけない。
量に対して、偏光分離半透過膜１０２ａへの入射光量の
ロスを少なくするために半導体レーザ１０４の偏光方向
は偏光分離半透過膜１０２ａの入射面と平行あるいは直
交しなければいけない。
【００１１】（２）磁気によるカー回転角を有効に検出
するためには、４５度偏光検波を行う必要があり、その
ために偏光分離膜１２１の入射面に対し、入射光の偏光
方向が４５度でなければいけない。
するためには、４５度偏光検波を行う必要があり、その
ために偏光分離膜１２１の入射面に対し、入射光の偏光
方向が４５度でなければいけない。
【００１２】ところが、図７に示した光ヘッド装置で
は、半導体レーザ１０４、偏光分離半透過膜１０２ａ、
偏光分離膜１２１の配置が十分考慮されていなく、上記
（１）および（２）を満足しない。従って、これらを満
足することが課題として残されていた。
は、半導体レーザ１０４、偏光分離半透過膜１０２ａ、
偏光分離膜１２１の配置が十分考慮されていなく、上記
（１）および（２）を満足しない。従って、これらを満
足することが課題として残されていた。
【００１３】そこで、本発明は光ヘッド装置を一体化
し、装置を小型化して製造を容易にするとともに、半導
体レーザの入射光量のロスを抑えかつ４５度偏光検波を
行うことのできる光ヘッド装置を提案することを目的と
する。
し、装置を小型化して製造を容易にするとともに、半導
体レーザの入射光量のロスを抑えかつ４５度偏光検波を
行うことのできる光ヘッド装置を提案することを目的と
する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、基板上に固定された支持手段と、前記支持手段上に
配置された、光を発光するための発光手段と、前記基板
上に固定され、前記発光手段からの光を反射して記録媒
体に照射し、前記記録媒体からの反射光を透過する光路
分岐手段と、前記基板と前記光路分岐手段とが対接して
いる面の一方に形成された、前記光路分岐手段を透過し
た光を反射または透過し、Ｐ偏光とＳ偏光に光路分岐す
る偏光手段と、前記偏光手段により反射または透過され
た光をそれぞれ受光する第１または第２の受光手段を備
えた光ヘッド装置において、前記光路分岐手段が基板に
対して所定の傾きを有し、前記光路分岐手段と対向して
いる前記支持手段の面の前記基板と交わる辺が、前記光
路分岐手段の基板と交わる辺に対して所定の傾きを有
し、前記光路分岐手段と対向している前記支持手段の面
の前記基板と対向する辺が、前記基板と平行な面に対し
て所定の傾きを有することを特徴とする光ヘッド装置に
よって解決される。
ば、基板上に固定された支持手段と、前記支持手段上に
配置された、光を発光するための発光手段と、前記基板
上に固定され、前記発光手段からの光を反射して記録媒
体に照射し、前記記録媒体からの反射光を透過する光路
分岐手段と、前記基板と前記光路分岐手段とが対接して
いる面の一方に形成された、前記光路分岐手段を透過し
た光を反射または透過し、Ｐ偏光とＳ偏光に光路分岐す
る偏光手段と、前記偏光手段により反射または透過され
た光をそれぞれ受光する第１または第２の受光手段を備
えた光ヘッド装置において、前記光路分岐手段が基板に
対して所定の傾きを有し、前記光路分岐手段と対向して
いる前記支持手段の面の前記基板と交わる辺が、前記光
路分岐手段の基板と交わる辺に対して所定の傾きを有
し、前記光路分岐手段と対向している前記支持手段の面
の前記基板と対向する辺が、前記基板と平行な面に対し
て所定の傾きを有することを特徴とする光ヘッド装置に
よって解決される。
【００１５】
【作用】本発明によれば、図１に示すように光路分岐手
段５が基板１に対して所定の傾き（２５度≦θ1≦３５
度）有し、この光路分岐手段５と対向している支持手段
１２の面の基板１と交わる辺が、光路分岐手段５の基板
１と交わる辺に対して所定の傾き（７０度≦θ2≦８０
度）を有し、光路分岐手段５と対向している支持手段１
２の面の基板１と対向する辺が、基板１と平行な面に対
して所定の傾き（４０度≦θ3≦５０度）を有する。こ
れらθ1〜θ3により発光手段９の入射偏光方向と光路分
岐手段５の入射面とのなす角度を平行もしくは直角に、
光路分岐手段５への入射角を約４５度となることが実験
により確認することができた。
段５が基板１に対して所定の傾き（２５度≦θ1≦３５
度）有し、この光路分岐手段５と対向している支持手段
１２の面の基板１と交わる辺が、光路分岐手段５の基板
１と交わる辺に対して所定の傾き（７０度≦θ2≦８０
度）を有し、光路分岐手段５と対向している支持手段１
２の面の基板１と対向する辺が、基板１と平行な面に対
して所定の傾き（４０度≦θ3≦５０度）を有する。こ
れらθ1〜θ3により発光手段９の入射偏光方向と光路分
岐手段５の入射面とのなす角度を平行もしくは直角に、
光路分岐手段５への入射角を約４５度となることが実験
により確認することができた。
【００１６】また、θ1，θ2，θ3の角度が上述の値で
あるとき光路分岐手段５を透過し、偏光手段３に至るま
での媒質の屈折率が１．６〜１．８であると偏光手段３
に対する偏光方向と入射面とのなす角度が約４５度、入
射角が約４５度となることが実験により確認できた。
あるとき光路分岐手段５を透過し、偏光手段３に至るま
での媒質の屈折率が１．６〜１．８であると偏光手段３
に対する偏光方向と入射面とのなす角度が約４５度、入
射角が約４５度となることが実験により確認できた。
【００１７】また本発明によれば、図４に示すように偏
光手段３と基板１との間に透過手段１３が配設されてい
るので偏光手段３で反射した光の光路と第１受光手段６
の表面上で反射した光の光路を好適に分離することがで
きるので、第１受光手段から反射した光が第２受光手段
８に入射することを防止することができる。
光手段３と基板１との間に透過手段１３が配設されてい
るので偏光手段３で反射した光の光路と第１受光手段６
の表面上で反射した光の光路を好適に分離することがで
きるので、第１受光手段から反射した光が第２受光手段
８に入射することを防止することができる。
【００１８】また本発明によれば、図１および図２に示
すように発光手段９からの光が光路分岐手段５で透過し
た後、第３受光手段１０に入射するので、この第３受光
手段１０に入射した光を検出することにより発光手段９
の出射光量をモニタすることができる。
すように発光手段９からの光が光路分岐手段５で透過し
た後、第３受光手段１０に入射するので、この第３受光
手段１０に入射した光を検出することにより発光手段９
の出射光量をモニタすることができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００２０】図１は本発明の一実施例を示す光磁気ディ
スク装置の斜視図であり、図２は図１の三面図であり特
に図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側面図、図２
（ｃ）は正面図である。図１に示すように半導体基板１
上に、半導体レーザ９を固着するための台座１２および
屈折率が約１．７６の台形ビームスプリッタ４が固定さ
れている。図３は、台形ビームスプリッタ４の断面図で
あり、側面に光路分岐用偏光分離半透過膜５、底面には
偏光分離膜３、上面には反射膜７が形成されている。ま
た台形ビームスプリッタ４と半導体基板１とは接着剤に
より接着層１４を介して接着されている。偏光分離半透
過膜５と偏光分離膜３とは約３０度（θ1）だけ傾いて
いる。
スク装置の斜視図であり、図２は図１の三面図であり特
に図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側面図、図２
（ｃ）は正面図である。図１に示すように半導体基板１
上に、半導体レーザ９を固着するための台座１２および
屈折率が約１．７６の台形ビームスプリッタ４が固定さ
れている。図３は、台形ビームスプリッタ４の断面図で
あり、側面に光路分岐用偏光分離半透過膜５、底面には
偏光分離膜３、上面には反射膜７が形成されている。ま
た台形ビームスプリッタ４と半導体基板１とは接着剤に
より接着層１４を介して接着されている。偏光分離半透
過膜５と偏光分離膜３とは約３０度（θ1）だけ傾いて
いる。
【００２１】偏光分離半透過膜５に対向する台座１２の
面の半導体基板１と交差する辺と偏光分離半透過膜５の
半導体基板１と交差する辺とは約７５度の傾き（θ2）
をなす。偏光分離膜３と対向している台座１２の面の半
導体基板１と対向する辺が、半導体基板１と平行な面に
対して約４５度（θ3）の傾きをなす。半導体基板１内
には、光を受光するための光検出器６，８，１０がそれ
ぞれ平行に配置され、また図５に示す信号処理回路が配
置されている。
面の半導体基板１と交差する辺と偏光分離半透過膜５の
半導体基板１と交差する辺とは約７５度の傾き（θ2）
をなす。偏光分離膜３と対向している台座１２の面の半
導体基板１と対向する辺が、半導体基板１と平行な面に
対して約４５度（θ3）の傾きをなす。半導体基板１内
には、光を受光するための光検出器６，８，１０がそれ
ぞれ平行に配置され、また図５に示す信号処理回路が配
置されている。
【００２２】図１および図２に示すように、半導体レー
ザ９から射出された光束は光路分岐用偏光分離半透過膜
５に対してＳ偏光で入射する。この時、θ1が約３０
度、θ2が約７５度、θ3が約４５度であるので、入射偏
光方向は光路分岐用偏光分離半透過膜５に対してほぼ直
角にかつ、入射方向は光路分岐用偏光分離半透過膜５に
対して約４５度で入射されることが実験により確認でき
た。
ザ９から射出された光束は光路分岐用偏光分離半透過膜
５に対してＳ偏光で入射する。この時、θ1が約３０
度、θ2が約７５度、θ3が約４５度であるので、入射偏
光方向は光路分岐用偏光分離半透過膜５に対してほぼ直
角にかつ、入射方向は光路分岐用偏光分離半透過膜５に
対して約４５度で入射されることが実験により確認でき
た。
【００２３】光路分岐用偏光分離半透過膜５で反射され
た光束は、対物レンズ（図示せず）により光磁気ディス
ク（図示せず）上に集光され、光磁気ディスク上に記録
された磁区でカー効果により偏光面が回転しながら反射
され、往路を逆に戻って、光路分岐用偏光分離半透過膜
５で透過される。
た光束は、対物レンズ（図示せず）により光磁気ディス
ク（図示せず）上に集光され、光磁気ディスク上に記録
された磁区でカー効果により偏光面が回転しながら反射
され、往路を逆に戻って、光路分岐用偏光分離半透過膜
５で透過される。
【００２４】θ1，θ2，θ3が上述の値をとり、台形ビ
ームスプリッタ４の屈折率が約１．７６であることによ
り、光路分岐用偏光分離半透過膜５を透過した戻り光
は、台形ビームスプリッタ４の底面に形成された偏光分
離膜３に対して、約４５度傾いた偏光方向でかつ入射角
が約４５度で入射することが実験により確認できた。
ームスプリッタ４の屈折率が約１．７６であることによ
り、光路分岐用偏光分離半透過膜５を透過した戻り光
は、台形ビームスプリッタ４の底面に形成された偏光分
離膜３に対して、約４５度傾いた偏光方向でかつ入射角
が約４５度で入射することが実験により確認できた。
【００２５】偏光分離膜３でＰ偏光成分は透過され、Ｓ
偏光成分は反射される。この時、偏光分離膜３に対して
約４５度傾いた偏光方向で入射するための、分離された
Ｐ，Ｓ各偏光成分は各々カー効果によって生じた偏光面
の回転θｋを逆成分として含む。Ｐ偏光成分は、光検出
器６に入射され、Ｓ偏光成分は反射膜７で反射された
後、光検出器８に入射される。これら光検出器６と８の
出力の差動をとることにより光磁気ディスク上の記録磁
区を検出することができる。
偏光成分は反射される。この時、偏光分離膜３に対して
約４５度傾いた偏光方向で入射するための、分離された
Ｐ，Ｓ各偏光成分は各々カー効果によって生じた偏光面
の回転θｋを逆成分として含む。Ｐ偏光成分は、光検出
器６に入射され、Ｓ偏光成分は反射膜７で反射された
後、光検出器８に入射される。これら光検出器６と８の
出力の差動をとることにより光磁気ディスク上の記録磁
区を検出することができる。
【００２６】また記録、再生時における出射光束の光量
検出は、半導体レーザ９から出射した光が光路分岐用偏
光分離半透過膜５を透過した後、光検出器１０に入射す
るので、この光検出器１０に入射した光量検出によりで
きる。
検出は、半導体レーザ９から出射した光が光路分岐用偏
光分離半透過膜５を透過した後、光検出器１０に入射す
るので、この光検出器１０に入射した光量検出によりで
きる。
【００２７】光検出器６上で反射されたＰ偏光成分は反
射膜７上で反射されて、光検出器８に入射（迷光）する
とその分誤差となり、信号検出の精度が悪くなる。図４
は、この迷光を防止するための第２実施例による光磁気
ディスク装置である。図４に示すように、光検出器６，
８と偏光分離膜３との間にガラス板１３が配設されてい
る。このガラス板１３により偏光分離膜３で反射された
Ｓ偏光と検出器６上で反射されたＰ偏光の２つの光路を
分離することができるので、光検出器８に検出器６での
反射光の入射を防止することができる。
射膜７上で反射されて、光検出器８に入射（迷光）する
とその分誤差となり、信号検出の精度が悪くなる。図４
は、この迷光を防止するための第２実施例による光磁気
ディスク装置である。図４に示すように、光検出器６，
８と偏光分離膜３との間にガラス板１３が配設されてい
る。このガラス板１３により偏光分離膜３で反射された
Ｓ偏光と検出器６上で反射されたＰ偏光の２つの光路を
分離することができるので、光検出器８に検出器６での
反射光の入射を防止することができる。
【００２８】図５は、第１実施例によるＲＦ信号（ＭＯ
信号）、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信
号を得るための回路構成図である。
信号）、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信
号を得るための回路構成図である。
【００２９】図５に示すように、光検出器６および８は
それぞれ３分割されたフォトディテクタ６ａ，６ｂ，６
ｃ，８ａ，８ｂ，８ｃから構成され、フォトディテクタ
６ａ，６ｂ，６ｃおよび８ａ，８ｂ，８ｃは信号Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ａ′，Ｂ′，Ｃ′が各々出力されこれらのフォ
トディテクタ６ａ〜６ｃ，８ａ〜８ｃの各端子は加算器
２１〜２６に入力されている。
それぞれ３分割されたフォトディテクタ６ａ，６ｂ，６
ｃ，８ａ，８ｂ，８ｃから構成され、フォトディテクタ
６ａ，６ｂ，６ｃおよび８ａ，８ｂ，８ｃは信号Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ａ′，Ｂ′，Ｃ′が各々出力されこれらのフォ
トディテクタ６ａ〜６ｃ，８ａ〜８ｃの各端子は加算器
２１〜２６に入力されている。
【００３０】まずＲＦ信号は、カー効果によって生じた
偏光面の回転を逆成分として含むため光検出器６および
８により検出された光量の差動をとることにより得られ
る。すなわち光検出器６のフォトディテクタ６ａ，６
ｂ，６ｃのそれぞれの光量の和を加算器２４によりと
り、光検出器８のフォトディテクタ８ａ，８ｂ，８ｃの
それぞれの光量の和を加算器２３によりとり、これら加
算器２３，２４からの出力を差動増幅器２８に供給し、
その差動をとることによりＲＦ信号（(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)−
(Ａ′＋Ｂ′＋Ｃ′)）が得られる。
偏光面の回転を逆成分として含むため光検出器６および
８により検出された光量の差動をとることにより得られ
る。すなわち光検出器６のフォトディテクタ６ａ，６
ｂ，６ｃのそれぞれの光量の和を加算器２４によりと
り、光検出器８のフォトディテクタ８ａ，８ｂ，８ｃの
それぞれの光量の和を加算器２３によりとり、これら加
算器２３，２４からの出力を差動増幅器２８に供給し、
その差動をとることによりＲＦ信号（(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)−
(Ａ′＋Ｂ′＋Ｃ′)）が得られる。
【００３１】さらに本実施例では、集束された光束の集
束点が光磁気ディスク上に位置しているとき、図１およ
び図２に示すように、この集束点の共役点が反射膜７上
に位置するように台形ビームスプリッタ４および対物レ
ンズなどが配置されている。従って光検出器６における
Ｐ偏光スポットまたはＳ偏光スポットは、集束点が光磁
気ディスク上に位置しているときは互いに等しくなり、
集束点が光磁気ディスク上に位置していないときはいず
れか一方が大きくなる。よってフォトディテクタ８ａ，
８ｃ，６ｂの光量の和（Ａ＋Ｃ＋Ｂ′）を加算器２１で
とり、フォトディテクタ６ａ，６ｃ，８ｂの光量の和
（Ａ′＋Ｃ′＋Ｂ）を加算器２２でとり、これらを差動
増幅器２７に供給し差分をとることにより差動同心円法
によりフォーカスエラー信号（(Ａ＋Ｃ−Ｂ)−(Ａ′＋
Ｃ′−Ｂ′)）が得られる。
束点が光磁気ディスク上に位置しているとき、図１およ
び図２に示すように、この集束点の共役点が反射膜７上
に位置するように台形ビームスプリッタ４および対物レ
ンズなどが配置されている。従って光検出器６における
Ｐ偏光スポットまたはＳ偏光スポットは、集束点が光磁
気ディスク上に位置しているときは互いに等しくなり、
集束点が光磁気ディスク上に位置していないときはいず
れか一方が大きくなる。よってフォトディテクタ８ａ，
８ｃ，６ｂの光量の和（Ａ＋Ｃ＋Ｂ′）を加算器２１で
とり、フォトディテクタ６ａ，６ｃ，８ｂの光量の和
（Ａ′＋Ｃ′＋Ｂ）を加算器２２でとり、これらを差動
増幅器２７に供給し差分をとることにより差動同心円法
によりフォーカスエラー信号（(Ａ＋Ｃ−Ｂ)−(Ａ′＋
Ｃ′−Ｂ′)）が得られる。
【００３２】トラッキングエラー信号はトラック方向で
あるフォトディテクタ６ｂとフォトディテクタ８ｂを挟
んだフォトディテクタ６ａとフォトディテクタ６ｃとの
光量の差と、フォトディテクタ８ａとフォトディテクタ
８ｃとの光量の差との和をとることにより、プッシュプ
ル法により得られる。すなわちフォトディテクタ６ａ，
８ｃとの光量の和（Ａ′＋Ｃ）を加算器２６でとり、フ
ォトディテクタ８ａ，６ｃとの光量の和（Ａ＋Ｃ′）を
加算器２５でとり、これらを差動増幅器２９に供給し、
差動をとることによりトラッキングエラー信号（(Ａ−
Ｃ)＋(Ｃ′−Ａ′)）得られる。
あるフォトディテクタ６ｂとフォトディテクタ８ｂを挟
んだフォトディテクタ６ａとフォトディテクタ６ｃとの
光量の差と、フォトディテクタ８ａとフォトディテクタ
８ｃとの光量の差との和をとることにより、プッシュプ
ル法により得られる。すなわちフォトディテクタ６ａ，
８ｃとの光量の和（Ａ′＋Ｃ）を加算器２６でとり、フ
ォトディテクタ８ａ，６ｃとの光量の和（Ａ＋Ｃ′）を
加算器２５でとり、これらを差動増幅器２９に供給し、
差動をとることによりトラッキングエラー信号（(Ａ−
Ｃ)＋(Ｃ′−Ａ′)）得られる。
【００３３】本実施例においては、光磁気ディスク装置
の場合について適用したが、コンパクトディスクにおい
ても適用可能であり、コンパクトディスクにおける位相
ピット検出信号（再生信号）はフォトディテクタ６ａ，
６ｂ，６ｃ，８ａ，８ｂ，８ｃからの光量の和（(Ａ＋
Ｂ＋Ｃ)＋(Ａ′＋Ｂ′＋Ｃ′)）をとることにより得ら
れる。
の場合について適用したが、コンパクトディスクにおい
ても適用可能であり、コンパクトディスクにおける位相
ピット検出信号（再生信号）はフォトディテクタ６ａ，
６ｂ，６ｃ，８ａ，８ｂ，８ｃからの光量の和（(Ａ＋
Ｂ＋Ｃ)＋(Ａ′＋Ｂ′＋Ｃ′)）をとることにより得ら
れる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば台
形ビームスプリッタおよび半導体レーザなどの各部品が
基板に対して一体的に構成されているので、装置を小型
化することができ、環境の変化による部品の位置ずれが
少ないので信頼性を向上させることができる。さらに、
各部品で調整するための工数を削減することができる。
また半導体レーザから出射された光束が光路分岐用偏光
分離膜に対して、偏光方向がほぼ平行または直角である
ので半導体レーザの入射光量のロスを小さくすることが
できる。しかも偏光分離膜に対して、偏光方向が約４５
度傾いているので光磁気ディスク装置において記録磁区
を有効に検出することができる。
形ビームスプリッタおよび半導体レーザなどの各部品が
基板に対して一体的に構成されているので、装置を小型
化することができ、環境の変化による部品の位置ずれが
少ないので信頼性を向上させることができる。さらに、
各部品で調整するための工数を削減することができる。
また半導体レーザから出射された光束が光路分岐用偏光
分離膜に対して、偏光方向がほぼ平行または直角である
ので半導体レーザの入射光量のロスを小さくすることが
できる。しかも偏光分離膜に対して、偏光方向が約４５
度傾いているので光磁気ディスク装置において記録磁区
を有効に検出することができる。
【図１】本発明の実施例による光磁気ディスク装置斜視
図である。
図である。
【図２】図１の光磁気ディスク装置三面図である。
【図３】台形ビームスプリッタ断面図である。
【図４】第２実施例による光磁気ディスク装置主要断面
図である。
図である。
【図５】実施例による信号処理回路構成図である。
【図６】第１の従来例による光磁気ディスク装置であ
る。
る。
【図７】第２の従来例による光磁気ディスク装置であ
る。
る。
１ 半導体基板（基板） ３ 偏光分離膜（偏光手段） ４ 台形ビームスプリッタ ５ 偏光分離半透過膜（光路分岐手段） ６ 光検出器（第１受光手段） ６ａ，６ｂ，６ｃ フォトディテクタ ７ 反射膜 ８ 光検出器（第２受光手段） ８ａ，８ｂ，８ｃ フォトディテクタ ９ 半導体レーザ １０ 光検出器（第３受光手段） １２ 台座（支持手段） １３ ガラス板（光透過手段） １４ 接着層 ２１〜２６ 加算器 ２７〜２９ 差動増幅器 ６０ 半導体レーザ ６１ 偏光ビーム ６２ 立ち上げミラー ６３ 対物レンズ ６４ λ／２波長板 ７０ 光磁気ディスク ７１ 磁石 １０１ 半導体基板 １０２ プリズム １０２ａ 偏光分離半透過膜 １０２ｂ 反射膜 １０４ 半導体レーザ １０５ 台座 １１１，１１２ 光検出器
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に固定された支持手段と、 前記支持手段上に配置された、光を発光するための発光
手段と、 前記基板上に固定され、前記発光手段からの光を反射し
て記録媒体に照射し、前記記録媒体からの反射光を透過
する光路分岐手段と、 前記基板と前記光路分岐手段とが対接している面の一方
に形成された、前記光路分岐手段を透過した光を反射ま
たは透過し、Ｐ偏光とＳ偏光に光路分岐する偏光手段
と、 前記偏光手段により反射または透過された光をそれぞれ
受光する第１または第２の受光手段を備えた光ヘッド装
置において、 前記光路分岐手段が基板に対して所定の傾きを有し、前
記光路分岐手段と対向している前記支持手段の面の前記
基板と交わる辺が、前記光路分岐手段の基板と交わる辺
に対して所定の傾きを有し、 前記光路分岐手段と対向している前記支持手段の面の前
記基板と対向する辺が、前記基板と平行な面に対して所
定の傾きを有することを特徴とする光ヘッド装置。 - 【請求項２】 前記光路分岐手段が基板に対して２５度
〜３５度の傾きを有し、 前記光路分岐手段と対向している前記支持手段の面の、
前記基板と交わる辺が、前記光路分岐手段の基板と交わ
る辺に対して７０度〜８０度の傾きを有し、 前記光路分岐手段と対向している前記支持手段の面の、
前記基板と対向する辺が、前記基板と平行な面に対して
４０度〜５０度の傾きを有することを特徴とする請求項
１記載の光ヘッド装置。 - 【請求項３】 前記光路分岐手段を透過し、前記偏光手
段に至るまでの媒質の屈折率が１．６〜１．８であるこ
とを特徴とする請求項１，２記載の光ヘッド装置。 - 【請求項４】 前記発光手段からの光が一部前記光路分
岐手段を透過するようになされ、 該光路分岐手段を透過した光を受光する第３受光手段を
備えてなることを特徴とする請求項１，２または３に記
載の光ヘッド装置。 - 【請求項５】 前記偏光手段と前記第１受光手段との間
に、光透過手段を備えてなることを特徴とする請求項
１，２，３または４に記載の光ヘッド装置。 - 【請求項６】 前記第１または第２の受光手段の出力を
信号処理する、前記基板上に形成された信号処理手段を
さらに備えることを特徴とする請求項１，２，３，４，
５に記載の光ヘッド装置。 - 【請求項７】 前記信号処理手段は、前記第１または第
２の受光手段の出力から、フォーカスエラー信号、トラ
ッキングエラー信号または前記記録媒体からの再生信号
を検出することを特徴とする請求項６記載の光ヘッド装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267431A JPH06119676A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 光ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267431A JPH06119676A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 光ヘッド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119676A true JPH06119676A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17444753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4267431A Pending JPH06119676A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 光ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06119676A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6819637B1 (en) | 1999-12-14 | 2004-11-16 | Fujitsu Limited | Magneto-optical apparatus and optical head |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP4267431A patent/JPH06119676A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6819637B1 (en) | 1999-12-14 | 2004-11-16 | Fujitsu Limited | Magneto-optical apparatus and optical head |
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