JPH06116723A - Formation of aluminum thin film - Google Patents
Formation of aluminum thin filmInfo
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- JPH06116723A JPH06116723A JP26981092A JP26981092A JPH06116723A JP H06116723 A JPH06116723 A JP H06116723A JP 26981092 A JP26981092 A JP 26981092A JP 26981092 A JP26981092 A JP 26981092A JP H06116723 A JPH06116723 A JP H06116723A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング法によ
るアルミニウム薄膜の形成方法に係わるものであり、詳
しくは表面の平滑性を改善するためのアルミニウム薄膜
の形成方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming an aluminum thin film by a sputtering method, and more particularly to a method for forming an aluminum thin film for improving surface smoothness.
【０００２】[0002]
【従来の技術】アルミニウム薄膜は、各種薄膜デバイス
の配線材料として使用されている。そこで先ず、薄膜デ
バイスの例として、液晶ディスプレー用薄膜トランジス
タ（以下ＴＦＴと略す）の構成を簡単に説明する。2. Description of the Related Art Aluminum thin films are used as wiring materials for various thin film devices. Therefore, first, as an example of a thin film device, a configuration of a thin film transistor for liquid crystal display (hereinafter abbreviated as TFT) will be briefly described.
【０００３】図１２はＴＦＴの概略構成図であり、ＴＦ
Ｔ１はゲート配線２に印加される走査信号のオン／オフ
によってドレイン配線３に入力された画像信号をソース
配線４に選択的に伝達し、画素電極５上の液晶層６を駆
動するものである。なお、図中の７は半導体であるアモ
ルファスシリコン薄膜、８はゲート絶縁膜であり、９は
これらの薄膜が形成されたガラス基板である。ここで、
配線材料であるゲート配線２は、スパッタリング法によ
って成膜される。FIG. 12 is a schematic block diagram of a TFT,
T1 selectively transmits the image signal input to the drain wiring 3 to the source wiring 4 by turning on / off the scanning signal applied to the gate wiring 2, and drives the liquid crystal layer 6 on the pixel electrode 5. . In the figure, 7 is an amorphous silicon thin film which is a semiconductor, 8 is a gate insulating film, and 9 is a glass substrate on which these thin films are formed. here,
The gate wiring 2 which is a wiring material is formed by a sputtering method.
【０００４】図１３は、金属配線の成膜に用いられるマ
グネトロンスパッタリング装置の概略構成図を示してい
る。この装置は、真空容器１０内に配線材料となるター
ゲット１１と基板１２とを対向して配置し、放電ガス１
３としてアルゴンガスを供給しながら、ターゲット１１
に負電圧を印加してプラズマ１４を発生させることによ
ってターゲット１１をスパッタリングし、基板１２上に
配線材料を成膜するものである。なお、図中の１５は真
空ポンプへの排気口、１６は高密度のプラズマを発生す
るためのマグネット、１７はシャッターである。図では
このシャッター１７は閉じた状態であるが、成膜時には
開くようになっている。FIG. 13 shows a schematic configuration diagram of a magnetron sputtering apparatus used for forming a metal wiring. In this apparatus, a target 11 serving as a wiring material and a substrate 12 are arranged to face each other in a vacuum container 10, and a discharge gas 1
While supplying argon gas as 3, the target 11
A target 11 is sputtered by applying a negative voltage to the substrate 11 to generate plasma 14, and a wiring material is deposited on the substrate 12. In the figure, 15 is an exhaust port to a vacuum pump, 16 is a magnet for generating high-density plasma, and 17 is a shutter. Although the shutter 17 is closed in the figure, it is opened during film formation.
【０００５】このスパッタリング装置を用いて100 nmの
膜厚のアルミニウム薄膜を成膜する手順を、以下に示
す。なお、ターゲット１１には、シリコンを１〜２％混
入したアルミニウムを用いた。The procedure for forming an aluminum thin film having a film thickness of 100 nm using this sputtering apparatus will be described below. As the target 11, aluminum containing 1 to 2% of silicon was used.
【０００６】１）真空容器１０内に基板１２を配置し、
真空容器１０内を10-6Torr台まで真空引きする。 ２）放電ガス１３としてアルゴンガスを供給し、真空容
器１０内の真空度を0.02Torrに調整する。1) A substrate 12 is placed in a vacuum container 10,
The inside of the vacuum container 10 is evacuated to the level of 10 −6 Torr. 2) Argon gas is supplied as the discharge gas 13 to adjust the degree of vacuum in the vacuum container 10 to 0.02 Torr.
【０００７】３）シャッター１７を閉じた状態で放電を
行い、５分間のプリスパッタリングを行う。ここで、プ
リスパッタリングはターゲット１１の表面をクリーニン
グするために行なうものである。3) Discharge with the shutter 17 closed and perform pre-sputtering for 5 minutes. Here, pre-sputtering is performed to clean the surface of the target 11.
【０００８】４）シャッター１７を開いてスパッタリン
グを行うことにより、基板１２上にアルミニウム薄膜を
成膜する。4) An aluminum thin film is formed on the substrate 12 by opening the shutter 17 and performing sputtering.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来のマグネトロンスパッタリング法でアルミニウム薄
膜を成膜すると、その表面が凸凹になってしまい、平滑
な膜表面が得られないという課題があった。具体的に
は、上記従来例で記した方法で成膜した厚さ100 nmのア
ルミニウム薄膜の表面粗さを測定した結果、図１４に示
したように、10nm程度の凸凹が生じている。なお、表面
粗さは触針式の表面粗さ計を用いて測定した。However, when an aluminum thin film is formed by the conventional magnetron sputtering method as described above, there is a problem that the surface becomes uneven and a smooth film surface cannot be obtained. . Specifically, as a result of measuring the surface roughness of an aluminum thin film having a thickness of 100 nm formed by the method described in the above-mentioned conventional example, as shown in FIG. 14, irregularities of about 10 nm occur. The surface roughness was measured using a stylus type surface roughness meter.
【００１０】一方、ゲート絶縁膜とアモルファスシリコ
ン膜との界面の凸凹が大きいと、ＴＦＴの性能が低下す
ることが知られている（例えば、J.J.Appl.Phy.,30巻12
B号3691頁 1991年を参照）。ゲート絶縁膜の下に形成さ
れるゲート配線の表面が凸凹であれば当然、ゲート絶縁
膜とアモルファスシリコン薄膜との界面も凸凹になって
しまい、ＴＦＴの性能が低下してしまう。そのため、こ
れまではゲート絶縁膜の下のゲート配線にアルミニウム
配線を使用することができず、高抵抗ではあっても表面
の平滑な高融点金属材料を使用せざるを得ないという課
題があった。On the other hand, it is known that if the interface between the gate insulating film and the amorphous silicon film is large, the performance of the TFT is deteriorated (eg, JJAppl.Phy., Vol. 30, 12
No. B, page 3691, 1991). If the surface of the gate wiring formed under the gate insulating film is uneven, the interface between the gate insulating film and the amorphous silicon thin film is naturally uneven, and the performance of the TFT is deteriorated. Therefore, until now, the aluminum wiring could not be used for the gate wiring below the gate insulating film, and there was a problem that a refractory metal material having a smooth surface but a high resistance had to be used. .
【００１１】しかし近年、液晶ディスプレーの大面積
化、高精細度化の要求が高く、そのために低抵抗のアル
ミニウム配線の使用の必要性が高まってきた。本発明は
上記課題を解決するもので、表面の平滑なアルミニウム
薄膜を形成することを目的とするものである。However, in recent years, there has been a strong demand for a liquid crystal display having a large area and high definition, and therefore, the necessity of using aluminum wiring having a low resistance has increased. The present invention solves the above problems, and an object of the present invention is to form an aluminum thin film having a smooth surface.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ため本発明では、第１の手段として、アルゴンガスから
なる放電ガスを供給する真空容器内に、アルミニウムを
主成分とするターゲット材料と、薄膜を形成する基板と
を対向して配置し、前記ターゲット材料をスパッタリン
グすることにより前記基板にアルミニウム薄膜を形成す
る第１の工程と、この第１の工程の後に前記真空容器内
に酸素ガスまたは窒素ガスを供給する第２の工程と、前
記酸素ガスまたは窒素ガスの供給を停止し再び前記ター
ゲット材料をスパッタリングすることにより前記基板に
アルミニウム薄膜を形成する第３の工程とでアルミニウ
ム薄膜を形成する。In order to solve these problems, the present invention provides, as a first means, a target material containing aluminum as a main component in a vacuum container for supplying a discharge gas consisting of argon gas, A first step of forming an aluminum thin film on the substrate by arranging a substrate on which a thin film is formed so as to face the target material, and sputtering the target material; and oxygen gas or oxygen gas in the vacuum container after the first step. An aluminum thin film is formed by a second step of supplying nitrogen gas and a third step of forming an aluminum thin film on the substrate by stopping the supply of oxygen gas or nitrogen gas and sputtering the target material again. .
【００１３】さらに第２の手段として、放電ガスを供給
する真空容器内に、アルミニウムを主成分とするターゲ
ット材料と、薄膜を形成する基板とを対向して配置し、
前記ターゲット材料をスパッタリングすることにより前
記基板にアルミニウム薄膜を形成する工程において、前
記スパッタリングの際に真空容器内に酸素ガスまたは窒
素ガスを供給する。As a second means, a target material containing aluminum as a main component and a substrate on which a thin film is to be formed are arranged to face each other in a vacuum container for supplying a discharge gas,
In the step of forming an aluminum thin film on the substrate by sputtering the target material, oxygen gas or nitrogen gas is supplied into the vacuum container during the sputtering.
【００１４】[0014]
【作用】アルミニウム薄膜の表面が凸凹になってしまう
理由は、アルミニウムが低融点を有するために成膜中で
多結晶化し、結晶粒が成長してしまうためである。従っ
て、成膜中の結晶粒の成長を抑制しながら成膜すれば、
平滑な表面性を有するアルミニウム薄膜を形成すること
ができる。The reason why the surface of the aluminum thin film becomes uneven is that aluminum has a low melting point and thus becomes polycrystalline during film formation and crystal grains grow. Therefore, if the film is formed while suppressing the growth of crystal grains during film formation,
An aluminum thin film having a smooth surface property can be formed.
【００１５】また、形成膜厚が薄い場合は結晶粒の大き
さも小さいため、表面は平滑である。そこで、この微結
晶膜の表面に、膜を形成する元素と異なる成分を吸着さ
せて結晶の表面を覆ってしまうと、その上に形成される
膜は結晶成長できず、表面の平滑な微結晶膜となる。Further, when the formed film thickness is thin, the size of the crystal grains is small, so that the surface is smooth. Therefore, if a component different from the element forming the film is adsorbed on the surface of the microcrystalline film to cover the surface of the crystal, the film formed on it cannot grow crystals, and the microcrystal with a smooth surface is formed. It becomes a film.
【００１６】従って、本発明の第１の手段のように、所
定の膜厚のアルミニウム薄膜の成膜を複数回に分けて行
い、その各成膜工程の間に酸素ガスまたは窒素ガスを供
給してこれらのガスをアルミニウム薄膜の表面に吸着さ
せ、その上に再び成膜する工程を繰り返せば、結晶粒の
成長を抑制でき、表面の平滑なアルミニウム薄膜を形成
することができる。Therefore, like the first means of the present invention, the film formation of the aluminum thin film having a predetermined film thickness is performed in a plurality of times, and oxygen gas or nitrogen gas is supplied during each film forming step. By adsorbing these gases on the surface of the aluminum thin film and repeating the step of forming a film again thereon, the growth of crystal grains can be suppressed and an aluminum thin film having a smooth surface can be formed.
【００１７】薄膜の多結晶化を抑制し非晶質化する手段
としては、薄膜中に非晶質な部分を分散する方法もあ
る。従って、本発明の第２の手段のように、アルミニウ
ムの成膜時に例えば少量の酸素ガスを混入すると、アル
ミニウム薄膜の中に非晶質である酸化アルミニウムが分
散され、アルミニウムの結晶成長が阻害されるため、表
面の平滑な非晶質に近い膜を形成する事ができる。混入
するガスはアルミニウムと反応して固体を形成するもの
であればよく、窒素ガスでもよい。As a means for suppressing the polycrystallization of the thin film and making it amorphous, there is also a method of dispersing an amorphous portion in the thin film. Therefore, as in the second means of the present invention, when a small amount of oxygen gas is mixed during the film formation of aluminum, amorphous aluminum oxide is dispersed in the aluminum thin film and the crystal growth of aluminum is hindered. Therefore, it is possible to form a film with a smooth surface and close to an amorphous film. The gas to be mixed may be any gas as long as it reacts with aluminum to form a solid, and may be nitrogen gas.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本発明で
使用する成膜装置の構成は従来のものと同一であるた
め、従来法の説明で用いた図１３のマグネトロンスパッ
タリング装置を用いて説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. Since the structure of the film forming apparatus used in the present invention is the same as the conventional one, the description will be made using the magnetron sputtering apparatus of FIG. 13 used in the description of the conventional method.
【００１９】（実施例１）本実施例では約100 nmの膜厚
のアルミニウム薄膜を３回に分けて成膜し、その各成膜
工程の間で放電を止めて酸素ガスを供給した。この方法
の詳細な手順は、以下のとおりである。(Example 1) In this example, an aluminum thin film having a thickness of about 100 nm was formed in three steps, and the discharge was stopped during each film forming step to supply oxygen gas. The detailed procedure of this method is as follows.
【００２０】１）真空容器１０内に基板１２を配置し、
真空容器１０内を10-6Torr台まで真空引きする。 ２）放電ガス１３としてアルゴンガスを供給し、真空容
器１０内の真空度を0.02Torrに調整する。1) The substrate 12 is placed in the vacuum container 10,
The inside of the vacuum container 10 is evacuated to the level of 10 −6 Torr. 2) Argon gas is supplied as the discharge gas 13 to adjust the degree of vacuum in the vacuum container 10 to 0.02 Torr.
【００２１】３）シャッター１７を閉じた状態で放電を
行い、５分間のプリスパッタリングを行う。 ４）シャッター１７を開いてスパッタリングを行うこと
により、基板１２上に約33nmのアルミニウム薄膜を成膜
する。3) Discharge with the shutter 17 closed and perform pre-sputtering for 5 minutes. 4) The shutter 17 is opened and sputtering is performed to form an aluminum thin film of about 33 nm on the substrate 12.
【００２２】５）放電と放電ガスの供給を止め、真空容
器１０内を真空引きする。 ６）真空容器１０内に酸素ガスを供給する。本実施例で
は真空度が約0.1 Torrになるまで酸素ガスを供給する。5) The discharge and the supply of the discharge gas are stopped, and the inside of the vacuum container 10 is evacuated. 6) Supply oxygen gas into the vacuum container 10. In this embodiment, oxygen gas is supplied until the degree of vacuum reaches about 0.1 Torr.
【００２３】７）酸素ガスの供給を止め、真空容器１０
内を10-6Torr台まで真空引きする。 ８）上記２）から７）までの工程を繰り返す。7) The supply of oxygen gas is stopped and the vacuum container 10
The inside is evacuated to the level of 10 -6 Torr. 8) Repeat steps 2) to 7) above.
【００２４】９）上記２）から４）までの工程を実行す
る。この方法で形成した厚さ約100 nmのアルミニウム薄
膜の表面粗さを図１に示す。図示のように、本発明の方
法で形成した薄膜の表面粗さは2 nm程度以下であり、前
述の従来例で示した図１４に比べて、表面の平滑性が大
きく向上している。なお、本実施例では上記工程６）で
酸素ガスを0.1 Torrになるまで供給したが、本発明はこ
の真空度を限定するものではない。また、１回に成膜す
る膜厚は薄い方が望ましく、上記実施例の33nmに限定す
るものではない。さらに、供給するガスも酸素ガスだけ
ではなく窒素ガスでもよい。9) Perform steps 2) to 4) above. The surface roughness of an aluminum thin film with a thickness of about 100 nm formed by this method is shown in FIG. As shown in the figure, the surface roughness of the thin film formed by the method of the present invention is about 2 nm or less, and the smoothness of the surface is greatly improved as compared with FIG. 14 shown in the above-mentioned conventional example. Although oxygen gas was supplied to 0.1 Torr in the above step 6) in this example, the present invention does not limit the degree of vacuum. Further, it is desirable that the film thickness formed at one time is thin, and the film thickness is not limited to 33 nm in the above embodiment. Further, the gas to be supplied may be not only oxygen gas but also nitrogen gas.
【００２５】（実施例２）本発明の第２の手段を用いて
約100 nmの膜厚のアルミニウム薄膜を成膜した場合の実
施例の手順を、以下に説明する。ターゲット１１は従来
例と同じものを用いた。(Embodiment 2) A procedure of an embodiment when an aluminum thin film having a thickness of about 100 nm is formed by using the second means of the present invention will be described below. The target 11 used was the same as that of the conventional example.
【００２６】１）真空容器１０内に基板１２を配置し、
真空容器１０内を10-6Torr台まで真空引きする。 ２）放電ガス１３としてアルゴンガスと窒素ガスとの混
合ガスを供給し、真空容器１０内の真空度を0.02Torrに
調整する。1) The substrate 12 is placed in the vacuum container 10,
The inside of the vacuum container 10 is evacuated to the level of 10 −6 Torr. 2) A mixed gas of argon gas and nitrogen gas is supplied as the discharge gas 13, and the degree of vacuum in the vacuum container 10 is adjusted to 0.02 Torr.
【００２７】３）シャッター１７を閉じた状態で放電を
行い、５分間のプリスパッタリングを行う。４）シャッ
ター１７を開いてスパッタリングを行い、基板１２上に
アルミニウム薄膜を成膜する。3) Discharge with the shutter 17 closed and perform pre-sputtering for 5 minutes. 4) The shutter 17 is opened and sputtering is performed to form an aluminum thin film on the substrate 12.
【００２８】この方法で、窒素ガスの混合割合を0.3%、
0.8%、1.3%、2.6%、5.8%とした場合のアルミニウム薄膜
の表面粗さを、それぞれ図２から図６に示す。従来例で
示した図１４と比べると、窒素ガスを混入したことによ
り表面の平滑性が向上していることがわかる。With this method, the mixing ratio of nitrogen gas is 0.3%,
The surface roughness of the aluminum thin film when 0.8%, 1.3%, 2.6% and 5.8% are shown in FIGS. 2 to 6, respectively. As compared with FIG. 14 shown in the conventional example, it can be seen that the surface smoothness is improved by mixing the nitrogen gas.
【００２９】しかし、窒素ガスの混入量に伴って薄膜の
抵抗値も、図７に示すように増大する。そこで、表面粗
さと抵抗値とを鑑みて、本スパッタリング装置を用いた
場合、窒素ガスの混入濃度は0.3%から3%程度が最適とい
える。ただし、この最適濃度はスパッタリング装置の種
類や成膜速度等の成膜条件によって変動するため、絶対
的なものではない。However, the resistance value of the thin film also increases as shown in FIG. 7 with the amount of nitrogen gas mixed. Therefore, in view of the surface roughness and the resistance value, it can be said that the optimum concentration of nitrogen gas is 0.3% to 3% when the present sputtering device is used. However, this optimum concentration is not absolute because it varies depending on the film forming conditions such as the type of sputtering apparatus and the film forming rate.
【００３０】（実施例３）本発明の第２の手段を用いて
約100 nmの膜厚のアルミニウム薄膜を成膜した場合の他
の実施例の手順を、以下に説明する。この場合もターゲ
ット１１は従来例と同一のものを用いた。(Embodiment 3) A procedure of another embodiment in which an aluminum thin film having a thickness of about 100 nm is formed by using the second means of the present invention will be described below. In this case as well, the same target 11 as the conventional example was used.
【００３１】１）真空容器１０内に基板１２を配置し、
真空容器１０内を10-6Torr台まで真空引きする。 ２）放電ガスとしてアルゴンガスと酸素との混合ガスを
供給し、真空容器１０内の真空度を0.02Torrに調整す
る。1) The substrate 12 is placed in the vacuum container 10,
The inside of the vacuum container 10 is evacuated to the level of 10 −6 Torr. 2) A mixed gas of argon gas and oxygen is supplied as a discharge gas, and the degree of vacuum in the vacuum container 10 is adjusted to 0.02 Torr.
【００３２】３）シャッター１７を閉じた状態で放電を
行い、５分間のプリスパッタリングを行う。 ４）シャッター１７を開いてスパッタリングを行い、基
板１２上にアルミニウム薄膜を成膜する。3) Discharge with the shutter 17 closed and perform pre-sputtering for 5 minutes. 4) The shutter 17 is opened and sputtering is performed to form an aluminum thin film on the substrate 12.
【００３３】この方法で、酸素ガスの混合割合を0.2%、
0.5%、1.0%とした場合のアルミニウム薄膜の表面粗さ
を、それぞれ図８から図１０に示す。従来例で示した図
１４と比べると、酸素ガスを混入したことにより表面の
平滑性が向上していることがわかる。With this method, the mixing ratio of oxygen gas is 0.2%,
The surface roughness of the aluminum thin film when 0.5% and 1.0% are shown in FIGS. 8 to 10, respectively. As compared with FIG. 14 shown in the conventional example, it can be seen that the smoothness of the surface is improved by mixing oxygen gas.
【００３４】しかしこの場合も実施例２と同様に、酸素
ガスの混入量の増大に伴って薄膜の抵抗値も図１１に示
すように増大する。そこで、表面粗さと抵抗値とを鑑み
て、本スパッタリング装置を用いた場合、窒素ガスの混
入濃度は0.2%から1%程度が最適といえる。ただし、この
最適濃度もスパッタリング装置の種類や成膜速度等の成
膜条件によって変動するため、絶対的なものではない。However, also in this case, as in the second embodiment, the resistance value of the thin film increases as shown in FIG. 11 as the amount of oxygen gas mixed increases. Therefore, considering the surface roughness and the resistance value, it can be said that the optimum concentration of nitrogen gas is 0.2% to 1% when the present sputtering apparatus is used. However, this optimum concentration is also not absolute because it varies depending on the film forming conditions such as the type of sputtering apparatus and the film forming rate.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来に比
べて表面平滑性の向上したアルミニウム薄膜を形成する
ことができる。その結果、ＴＦＴのゲート絶縁膜の下の
ゲート配線にアルミニウム薄膜を利用することが可能と
なり、大面積、高精細度の液晶ディスプレーの実現を可
能とすることができる。As described above, according to the present invention, it is possible to form an aluminum thin film having an improved surface smoothness as compared with the conventional one. As a result, it is possible to use the aluminum thin film for the gate wiring below the gate insulating film of the TFT, and it is possible to realize a liquid crystal display with a large area and high definition.
【図１】本発明の第１の実施例によるアルミニウム薄膜
の表面粗さの測定結果である。FIG. 1 is a measurement result of surface roughness of an aluminum thin film according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例によるアルミニウム薄膜
の表面粗さの測定結果である。FIG. 2 is a measurement result of surface roughness of an aluminum thin film according to a second embodiment of the present invention.
【図３】同アルミニウム薄膜の表面粗さの測定結果であ
る。FIG. 3 is a measurement result of surface roughness of the aluminum thin film.
【図４】同アルミニウム薄膜の表面粗さの測定結果であ
る。FIG. 4 is a measurement result of surface roughness of the aluminum thin film.
【図５】同アルミニウム薄膜の表面粗さの測定結果であ
る。FIG. 5 is a measurement result of surface roughness of the aluminum thin film.
【図６】同アルミニウム薄膜の表面粗さの測定結果であ
る。FIG. 6 is a measurement result of the surface roughness of the aluminum thin film.
【図７】本発明の第２の実施例による供給ガス中の窒素
混入量とアルミニウム薄膜の膜抵抗値との関係を示した
グラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the amount of nitrogen mixed in the supply gas and the film resistance value of the aluminum thin film according to the second embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第３の実施例によるアルミニウム薄膜
の表面粗さの測定結果である。FIG. 8 is a measurement result of surface roughness of an aluminum thin film according to a third embodiment of the present invention.
【図９】同アルミニウム薄膜の表面粗さの測定結果であ
る。FIG. 9 is a measurement result of the surface roughness of the aluminum thin film.
【図１０】同アルミニウム薄膜の表面粗さの測定結果で
ある。FIG. 10 is a measurement result of the surface roughness of the aluminum thin film.
【図１１】本発明の第３の実施例による供給ガス中の酸
素混入量とアルミニウム薄膜の膜抵抗値との関係を示し
たグラフである。FIG. 11 is a graph showing the relationship between the amount of oxygen mixed in the supply gas and the film resistance of the aluminum thin film according to the third example of the present invention.
【図１２】本発明の方法および従来の方法に適用可能な
マグネトロンスパッタリング装置の概略構成図である。FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a magnetron sputtering apparatus applicable to the method of the present invention and the conventional method.
【図１３】薄膜トランジスタの概略構成図である。FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a thin film transistor.
【図１４】従来の方法によるアルミニウム薄膜の表面粗
さの測定結果である。FIG. 14 is a result of measuring the surface roughness of an aluminum thin film by a conventional method.
１０ 真空容器 １１ ターゲット １２ 基板 １３ 放電ガス 10 Vacuum container 11 Target 12 Substrate 13 Discharge gas
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Claims (3)
る真空容器内に、アルミニウムを主成分とするターゲッ
ト材料と、薄膜を形成する基板とを対向して配置し、前
記ターゲット材料をスパッタリングすることにより前記
基板にアルミニウム薄膜を形成する第１の工程と、この
第１の工程の後に前記真空容器内に酸素ガスまたは窒素
ガスを供給する第２の工程と、前記酸素ガスまたは窒素
ガスの供給を停止し再び前記ターゲット材料をスパッタ
リングすることにより前記基板にアルミニウム薄膜を形
成する第３の工程とを有するアルミニウム薄膜の形成方
法。1. A target material containing aluminum as a main component and a substrate on which a thin film is formed are arranged to face each other in a vacuum container for supplying a discharge gas composed of argon gas, and the target material is sputtered. A first step of forming an aluminum thin film on the substrate, a second step of supplying oxygen gas or nitrogen gas into the vacuum container after the first step, and a stop of supply of the oxygen gas or nitrogen gas And a third step of forming an aluminum thin film on the substrate by again sputtering the target material.
ミニウムを主成分とするターゲット材料と、薄膜を形成
する基板とを対向して配置し、前記ターゲット材料をス
パッタリングすることにより前記基板にアルミニウム薄
膜を形成する工程において、前記スパッタリングの際に
真空容器内に酸素ガスまたは窒素ガスを供給するアルミ
ニウム薄膜の形成方法。2. A target material containing aluminum as a main component and a substrate on which a thin film is formed are arranged to face each other in a vacuum container for supplying a discharge gas, and the target material is sputtered to form aluminum on the substrate. A method of forming an aluminum thin film, which comprises supplying oxygen gas or nitrogen gas into a vacuum container during the sputtering in the step of forming the thin film.
量に対して、酸素ガスを0.2%から1%、または窒素ガスを
0.3%から3%混入した請求項２記載のアルミニウム薄膜の
形成方法。3. Oxygen gas is 0.2% to 1%, or nitrogen gas is relative to the amount of discharge gas supplied into the vacuum vessel.
The method for forming an aluminum thin film according to claim 2, wherein 0.3% to 3% is mixed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26981092A JPH06116723A (en) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | Formation of aluminum thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26981092A JPH06116723A (en) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | Formation of aluminum thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116723A true JPH06116723A (en) | 1994-04-26 |
Family
ID=17477493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26981092A Pending JPH06116723A (en) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | Formation of aluminum thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06116723A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5998730A (en) * | 1997-05-13 | 1999-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method for deposited film, production method for photoelectric conversion element, production apparatus for deposited film, production apparatus for photoelectric conversion element |
-
1992
- 1992-10-08 JP JP26981092A patent/JPH06116723A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5998730A (en) * | 1997-05-13 | 1999-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method for deposited film, production method for photoelectric conversion element, production apparatus for deposited film, production apparatus for photoelectric conversion element |
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