JPH06116097A - 不純物が添加された有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜及びその製造方法 - Google Patents
不純物が添加された有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜及びその製造方法Info
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- JPH06116097A JPH06116097A JP4269891A JP26989192A JPH06116097A JP H06116097 A JPH06116097 A JP H06116097A JP 4269891 A JP4269891 A JP 4269891A JP 26989192 A JP26989192 A JP 26989192A JP H06116097 A JPH06116097 A JP H06116097A
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- silicon carbide
- organic
- impurity
- organopolysilane
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 不純物が添加された有機ポリシラン薄膜又は
炭化ケイ素薄膜並びに有機シラン原料を減圧下で加熱す
ることにより、基板上に蒸着して得られた有機ポリシラ
ン薄膜に不純物を添加するかもしくはその薄膜形成時に
不純物を共存させることにより不純物が添加された有機
ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜を製造すること。
炭化ケイ素薄膜並びに有機シラン原料を減圧下で加熱す
ることにより、基板上に蒸着して得られた有機ポリシラ
ン薄膜に不純物を添加するかもしくはその薄膜形成時に
不純物を共存させることにより不純物が添加された有機
ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜を製造すること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不純物が添加された有
機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜及びその製造方法
に関する。
機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】従来、有機ポリシランは加
熱することによりシリコン系電子材料等に有用な炭化ケ
イ素が得られることが知られているが、主に繊維状、粉
末状の形態で得られてきた。このうち薄膜状のものは、
プラズマＣＶＤ（化学蒸着）法、熱ＣＶＤ法、スパッタ
リング等の方法で製造されているが、これらの方法では
いずれも薄膜の成長速度が１時間に約１ミクロンという
低速度であり、工業化が難しいことの他、特にＣＶＤ法
では原料としてシランを用いるため、毒性や火災の危険
が大きい。またメチルポリシラン等には溶媒に溶かして
塗布するための適当な有機溶媒がない。このような理由
のため、有機ポリシラン薄膜を量産するに足る製造法は
得られていなかった。
熱することによりシリコン系電子材料等に有用な炭化ケ
イ素が得られることが知られているが、主に繊維状、粉
末状の形態で得られてきた。このうち薄膜状のものは、
プラズマＣＶＤ（化学蒸着）法、熱ＣＶＤ法、スパッタ
リング等の方法で製造されているが、これらの方法では
いずれも薄膜の成長速度が１時間に約１ミクロンという
低速度であり、工業化が難しいことの他、特にＣＶＤ法
では原料としてシランを用いるため、毒性や火災の危険
が大きい。またメチルポリシラン等には溶媒に溶かして
塗布するための適当な有機溶媒がない。このような理由
のため、有機ポリシラン薄膜を量産するに足る製造法は
得られていなかった。
【０００３】
【問題を解決するための手段】このような問題点を解決
するため、本発明者は真空槽中での加熱蒸着を行なった
ところ、驚くべきことに、１分程度で数十ミクロンとい
う極めて高速度で有機ポリシラン薄膜を得ることができ
た。このような簡便な方法により、有機シランのうち、
芳香環を有さず、適切な溶媒のないメチルポリシラン、
パーメチルポリシラン等、多くの有機シラン化合物の薄
膜形成が容易に可能になった。また、得られた薄膜を更
に加熱するか、または予め基板を加熱することにより、
様々な組成の有機ポリシラン薄膜、または炭化ケイ素の
薄膜を得ることができる。更には、この様な薄膜の形成
時に不純物を共存させるか、又は得られた薄膜に、各種
の方法で不純物を添加することにより不純物がドーピン
グされた有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜が得ら
れることを見出し、本発明に到達した。
するため、本発明者は真空槽中での加熱蒸着を行なった
ところ、驚くべきことに、１分程度で数十ミクロンとい
う極めて高速度で有機ポリシラン薄膜を得ることができ
た。このような簡便な方法により、有機シランのうち、
芳香環を有さず、適切な溶媒のないメチルポリシラン、
パーメチルポリシラン等、多くの有機シラン化合物の薄
膜形成が容易に可能になった。また、得られた薄膜を更
に加熱するか、または予め基板を加熱することにより、
様々な組成の有機ポリシラン薄膜、または炭化ケイ素の
薄膜を得ることができる。更には、この様な薄膜の形成
時に不純物を共存させるか、又は得られた薄膜に、各種
の方法で不純物を添加することにより不純物がドーピン
グされた有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜が得ら
れることを見出し、本発明に到達した。
【０００４】すなわち本発明の要旨は、不純物が添加さ
れた有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜に存し、更
には有機シラン原料を減圧下で加熱することにより基板
上に蒸着して得られた有機ポリシラン薄膜に不純物を添
加するかもしくは、その薄膜形成時に不純物を共存させ
ることを特徴とする不純物が添加された有機ポリシラン
薄膜又は炭化ケイ素薄膜の製造方法に存する。
れた有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜に存し、更
には有機シラン原料を減圧下で加熱することにより基板
上に蒸着して得られた有機ポリシラン薄膜に不純物を添
加するかもしくは、その薄膜形成時に不純物を共存させ
ることを特徴とする不純物が添加された有機ポリシラン
薄膜又は炭化ケイ素薄膜の製造方法に存する。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いる有機シラン原料は、好ましくは有機ポリシランで
あって、例えばパーメチルポリシラン（〔Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）2 〕ｎ）、ポリシラスチレン（〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）
（Ｃ6 Ｈ5 ）〕ｎ）の他、メチルプロピルポリシラン
等、パーメチルポリシランのメチル基の一部をプロピル
基等のＣ3 以上の低級アルキル基で置換した、各種の有
機ポリシランの粉末を用いることができる。本発明では
特に側鎖に芳香環を持たない原料ポリシランを使用する
場合に好適であり、その場合得られるポリシラン薄膜も
当然ながら側鎖に芳香環を持たないポリシラン薄膜とな
る。
用いる有機シラン原料は、好ましくは有機ポリシランで
あって、例えばパーメチルポリシラン（〔Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）2 〕ｎ）、ポリシラスチレン（〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）
（Ｃ6 Ｈ5 ）〕ｎ）の他、メチルプロピルポリシラン
等、パーメチルポリシランのメチル基の一部をプロピル
基等のＣ3 以上の低級アルキル基で置換した、各種の有
機ポリシランの粉末を用いることができる。本発明では
特に側鎖に芳香環を持たない原料ポリシランを使用する
場合に好適であり、その場合得られるポリシラン薄膜も
当然ながら側鎖に芳香環を持たないポリシラン薄膜とな
る。
【０００６】添加する不純物は、通常用いられるカルシ
ウム、アルミニウム等のアルカリ土類金属、III 族、ナ
トリウム、カリウム、セシウム、ルビジウム等のアルカ
リ金属等、またテトラチオフルバレン（ＴＴＦ）等の有
機物ドーパント、フッ化ヒ素、塩化ヒ素、臭化ヒ素等の
ハロゲン化ヒ素、フッ素、ヨウ素等があり、このうちカ
ルシウム、アルミニウム等の元素はイオンプレーティン
グ、スパッタリング等の常法により、またハロゲン化ヒ
素、ヨウ素、ＴＴＦ等は、原料有機シランと共に共蒸
着、又は得られた薄膜上に蒸着することができる。
ウム、アルミニウム等のアルカリ土類金属、III 族、ナ
トリウム、カリウム、セシウム、ルビジウム等のアルカ
リ金属等、またテトラチオフルバレン（ＴＴＦ）等の有
機物ドーパント、フッ化ヒ素、塩化ヒ素、臭化ヒ素等の
ハロゲン化ヒ素、フッ素、ヨウ素等があり、このうちカ
ルシウム、アルミニウム等の元素はイオンプレーティン
グ、スパッタリング等の常法により、またハロゲン化ヒ
素、ヨウ素、ＴＴＦ等は、原料有機シランと共に共蒸
着、又は得られた薄膜上に蒸着することができる。
【０００７】これらの原料粉末を、真空槽中で加熱す
る。加熱方法は、場合に応じて種々の方法を採用して良
いが、一般的には通電発熱体の利用、例えばボート型ヒ
ーターに原料粉末をのせて、通電する方法が簡便であ
る。温度は材料により異なるが、粉末が融けて液状にな
る程度で充分である。真空槽内であるので比較的短時間
で液化するが、具体的には数分間、数十アンペア通電の
オーダーで液化する。
る。加熱方法は、場合に応じて種々の方法を採用して良
いが、一般的には通電発熱体の利用、例えばボート型ヒ
ーターに原料粉末をのせて、通電する方法が簡便であ
る。温度は材料により異なるが、粉末が融けて液状にな
る程度で充分である。真空槽内であるので比較的短時間
で液化するが、具体的には数分間、数十アンペア通電の
オーダーで液化する。
【０００８】本発明の薄膜製造は、減圧下で行なうこと
を特徴とする。この場合の「減圧下」とは、具体的には
１０-2Ｔｏｒｒ程度の減圧下であれば、常圧で行なった
場合に比べ成長速度が大きく速まるが、１０-4Ｔｏｒｒ
程度まで減圧すれば、残存気体中の不純物の薄膜への混
入の危険もほとんどなくなり、また膜の成長速度の面か
らも大変好ましい。１０-6Ｔｏｒｒ以下の、実質的真空
状態で行なえば、成長速度も飛躍的に高まる。このよう
に、本発明の薄膜製造は真空状態で行なうのが最も望ま
しい。
を特徴とする。この場合の「減圧下」とは、具体的には
１０-2Ｔｏｒｒ程度の減圧下であれば、常圧で行なった
場合に比べ成長速度が大きく速まるが、１０-4Ｔｏｒｒ
程度まで減圧すれば、残存気体中の不純物の薄膜への混
入の危険もほとんどなくなり、また膜の成長速度の面か
らも大変好ましい。１０-6Ｔｏｒｒ以下の、実質的真空
状態で行なえば、成長速度も飛躍的に高まる。このよう
に、本発明の薄膜製造は真空状態で行なうのが最も望ま
しい。
【０００９】蒸着に際しては、真空槽中に、原料粉末を
のせたヒーターに対向した近接位置に基板を置く。原料
粉末との距離は、特に限定されるものではないが通常２
０ｃｍ以下、より好ましくは１〜１５ｃｍが適当であ
る。基板の種類は、用途に応じて広い範囲から選択され
るが、例えば石英ガラス、シリコンウェハーの他、スラ
イドガラス等を用いることができる。その他、有機ポリ
シランを蒸着しようとするものであって、加熱温度で変
形、変質、変態等の変化をしないものであれば使用する
ことができる。
のせたヒーターに対向した近接位置に基板を置く。原料
粉末との距離は、特に限定されるものではないが通常２
０ｃｍ以下、より好ましくは１〜１５ｃｍが適当であ
る。基板の種類は、用途に応じて広い範囲から選択され
るが、例えば石英ガラス、シリコンウェハーの他、スラ
イドガラス等を用いることができる。その他、有機ポリ
シランを蒸着しようとするものであって、加熱温度で変
形、変質、変態等の変化をしないものであれば使用する
ことができる。
【００１０】また蒸着の際、基板を加熱することにより
得られる薄膜中のケイ素骨格の方向、及び薄膜の組成を
変化させることができる。高温になるほど高分子中の水
素原子が抜けるため、蒸着時の基板温度を変化させるこ
とにより、薄膜の組成と同時に薄膜の発光波長も変化さ
せることができ、発光素子の製造の際は好都合である。
また蒸着時に基板を加熱する方法の他、既に得られた薄
膜を更に加熱することによっても、加熱方法によって様
々な組成の薄膜を得ることができる。
得られる薄膜中のケイ素骨格の方向、及び薄膜の組成を
変化させることができる。高温になるほど高分子中の水
素原子が抜けるため、蒸着時の基板温度を変化させるこ
とにより、薄膜の組成と同時に薄膜の発光波長も変化さ
せることができ、発光素子の製造の際は好都合である。
また蒸着時に基板を加熱する方法の他、既に得られた薄
膜を更に加熱することによっても、加熱方法によって様
々な組成の薄膜を得ることができる。
【００１１】この場合、不活性ガス雰囲気下、特にアル
ゴン、ヘリウム雰囲気下で加熱することにより、酸素原
子、窒素原子等の薄膜中への導入を防ぐことができる。
８００〜１０００℃まで加熱すれば、炭化ケイ素薄膜を
得ることができる。
ゴン、ヘリウム雰囲気下で加熱することにより、酸素原
子、窒素原子等の薄膜中への導入を防ぐことができる。
８００〜１０００℃まで加熱すれば、炭化ケイ素薄膜を
得ることができる。
【００１２】蒸着の際、原料有機シランと共に、不純物
も同時に蒸着することができる。例えば常法で昇華する
ヨウ素は最も簡便で安価であり特に加熱等の処置をしな
くとも容器内に共存させておくだけで薄膜中に添加する
ことができる。その他有機物ドーパントと称されている
ＴＴＦ，ＢＥＤＴ，ＴＣＮＱ、フッ化ヒ素、塩化ヒ素、
臭化ヒ素等ヒ素化合物を用いることができる。これらの
物質は適宜加熱等により原料有機シランと共蒸着するこ
とができる。
も同時に蒸着することができる。例えば常法で昇華する
ヨウ素は最も簡便で安価であり特に加熱等の処置をしな
くとも容器内に共存させておくだけで薄膜中に添加する
ことができる。その他有機物ドーパントと称されている
ＴＴＦ，ＢＥＤＴ，ＴＣＮＱ、フッ化ヒ素、塩化ヒ素、
臭化ヒ素等ヒ素化合物を用いることができる。これらの
物質は適宜加熱等により原料有機シランと共蒸着するこ
とができる。
【００１３】また、本発明の薄膜製造においては、有機
ポリシラン薄膜を得た後、改めて不純物を蒸着すること
もできる。得られた薄膜を上記の方法で用いた不純物と
共に容器に封入し、蒸着を行なう。この際の温度は、用
いる不純物の蒸着のしやすさ、希望の蒸着速度により適
宜選択することができる。すなわち不純物の蒸気圧の大
小により蒸着速度は異なってくるが、この際温度が高い
程一般に蒸着速度は大きく、しかし有機物ドーパントの
場合化合物が分解してしまう程の高温でないことが必要
である。蒸着によるドーピングの他にも、例えばスパッ
タリング、イオンプレーティング等、不純物添加の常法
によりドーピングを行なうこともできる。このような方
法を採れば、蒸着の困難なカルシウム、アルミニウム等
の元素を添加することができる。
ポリシラン薄膜を得た後、改めて不純物を蒸着すること
もできる。得られた薄膜を上記の方法で用いた不純物と
共に容器に封入し、蒸着を行なう。この際の温度は、用
いる不純物の蒸着のしやすさ、希望の蒸着速度により適
宜選択することができる。すなわち不純物の蒸気圧の大
小により蒸着速度は異なってくるが、この際温度が高い
程一般に蒸着速度は大きく、しかし有機物ドーパントの
場合化合物が分解してしまう程の高温でないことが必要
である。蒸着によるドーピングの他にも、例えばスパッ
タリング、イオンプレーティング等、不純物添加の常法
によりドーピングを行なうこともできる。このような方
法を採れば、蒸着の困難なカルシウム、アルミニウム等
の元素を添加することができる。
【００１４】
【実施例】本発明を実施例により更に詳細に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り、これに限定され
るものではない。 実施例１ パーメチルポリシラン（〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 〕ｎ、ｎ〜
２０００）粉末約１ｇをモリブデンボート型ヒーターに
のせ、１０ｃｍ離して石英ガラス基板及び単結晶（１０
０）シリコンウェハー基板とともに液体窒素トラップの
ついた油拡散ポンプ及び油回転ポンプにより排気できる
真空槽中に配し、槽内を１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気し
た。排気後、基板を４７０Ｋに加熱、次に、モリブデン
ボート型ヒーターに直流電流を流して、ポリシラン粉末
を蒸発させた。得られた薄膜の膜厚は４２μｍであり、
この薄膜を薄膜（ａ）とする。次に、薄膜（ａ）をヨウ
素とともに箱内に封入し、３５０Ｋに保持し、ヨウ素を
薄膜にドーピングした。ドーピング時間を２０時間と４
０時間として２種のヨウ素ドープド薄膜を得、これらを
それぞれ薄膜（ｂ），薄膜（ｃ）とする。なお薄膜
（ｂ）の膜厚は５９μｍであった。単結晶シリコンウェ
ハー基板上の３種の薄膜（ａ），（ｂ），（ｃ）をＸ線
回折及び赤外吸収測定（４００−４６００ｃｍ-1）で、
又、石英ガラス上の３種の薄膜を可視吸収（２００−８
００ｎｍ）により測定した。結果を図−１，２，３及び
４に示す。図１はＸ線回折図であるが、同図において、
薄膜（ａ）は多量のジメチルポリシラン結晶を有してい
ることを示しているが、薄膜（ｂ）は３つのピーク強度
が減少し、薄膜（ｃ）になると極めて弱くなっており、
結局いずれもヨウ素がドープされたことにより結晶部分
が減少したことを示している。図２は赤外吸収スペクト
ルであるが、同図において薄膜（ａ）には８３０ｃｍ -1
の位置にＳｉ（ＣＨ3 ）2 に基づくピークが認められる
が、それが薄膜（ｂ）になると８００ｃｍ-1と８３０ｃ
ｍ-1に分離し、更に薄膜（ｃ）では、８００ｃｍ-1のピ
ークが成長していることが明らかである。図３は図２と
は異なる波数帯域の赤外吸収スペクトルであるが、同図
において薄膜（ａ）にはＣＨ3 に基づく１２５０ｃｍ-1
のピークが存在し、これが薄膜（ｂ），（ｃ）では同様
に２つのピークに分割されている。図２、図３より薄膜
（ｂ），（ｃ）にはヨウ素がドープされたことが示唆さ
れている。図４は、可視光吸収スペクトルである。同図
において薄膜（ａ）の３００ｎｍのピークが薄膜
（ｂ），（ｃ）では、殆んど消失しており、明らかにヨ
ウ素がドープされたことによりシリコン鎖に関するエレ
クトロン構成が変化したことを示している。
が、本発明はその要旨を越えない限り、これに限定され
るものではない。 実施例１ パーメチルポリシラン（〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 〕ｎ、ｎ〜
２０００）粉末約１ｇをモリブデンボート型ヒーターに
のせ、１０ｃｍ離して石英ガラス基板及び単結晶（１０
０）シリコンウェハー基板とともに液体窒素トラップの
ついた油拡散ポンプ及び油回転ポンプにより排気できる
真空槽中に配し、槽内を１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気し
た。排気後、基板を４７０Ｋに加熱、次に、モリブデン
ボート型ヒーターに直流電流を流して、ポリシラン粉末
を蒸発させた。得られた薄膜の膜厚は４２μｍであり、
この薄膜を薄膜（ａ）とする。次に、薄膜（ａ）をヨウ
素とともに箱内に封入し、３５０Ｋに保持し、ヨウ素を
薄膜にドーピングした。ドーピング時間を２０時間と４
０時間として２種のヨウ素ドープド薄膜を得、これらを
それぞれ薄膜（ｂ），薄膜（ｃ）とする。なお薄膜
（ｂ）の膜厚は５９μｍであった。単結晶シリコンウェ
ハー基板上の３種の薄膜（ａ），（ｂ），（ｃ）をＸ線
回折及び赤外吸収測定（４００−４６００ｃｍ-1）で、
又、石英ガラス上の３種の薄膜を可視吸収（２００−８
００ｎｍ）により測定した。結果を図−１，２，３及び
４に示す。図１はＸ線回折図であるが、同図において、
薄膜（ａ）は多量のジメチルポリシラン結晶を有してい
ることを示しているが、薄膜（ｂ）は３つのピーク強度
が減少し、薄膜（ｃ）になると極めて弱くなっており、
結局いずれもヨウ素がドープされたことにより結晶部分
が減少したことを示している。図２は赤外吸収スペクト
ルであるが、同図において薄膜（ａ）には８３０ｃｍ -1
の位置にＳｉ（ＣＨ3 ）2 に基づくピークが認められる
が、それが薄膜（ｂ）になると８００ｃｍ-1と８３０ｃ
ｍ-1に分離し、更に薄膜（ｃ）では、８００ｃｍ-1のピ
ークが成長していることが明らかである。図３は図２と
は異なる波数帯域の赤外吸収スペクトルであるが、同図
において薄膜（ａ）にはＣＨ3 に基づく１２５０ｃｍ-1
のピークが存在し、これが薄膜（ｂ），（ｃ）では同様
に２つのピークに分割されている。図２、図３より薄膜
（ｂ），（ｃ）にはヨウ素がドープされたことが示唆さ
れている。図４は、可視光吸収スペクトルである。同図
において薄膜（ａ）の３００ｎｍのピークが薄膜
（ｂ），（ｃ）では、殆んど消失しており、明らかにヨ
ウ素がドープされたことによりシリコン鎖に関するエレ
クトロン構成が変化したことを示している。
【００１５】
【発明の効果】本発明により、有機発光素子、光ＩＣ、
スイッチ等の光非線形材料、絶縁膜、センサー、感光体
ドラムとして有用な不純物がドープされた有機ポリシラ
ン及び炭化ケイ素の薄膜を、極めて高速度で得ることが
できる。
スイッチ等の光非線形材料、絶縁膜、センサー、感光体
ドラムとして有用な不純物がドープされた有機ポリシラ
ン及び炭化ケイ素の薄膜を、極めて高速度で得ることが
できる。
【図１】実施例１で得られた薄膜のＸ線回折パターンを
示す図。
示す図。
【図２】赤外吸収スペクトルを示す図。
【図３】赤外吸収スペクトルを示す図。
【図４】可視吸収スペクトルを示す図。
Claims (5)
- 【請求項１】 不純物が添加された有機ポリシラン薄膜
又は炭化ケイ素薄膜。 - 【請求項２】 不純物が添加された、側鎖に芳香環を含
まない有機ポリシラン薄膜。 - 【請求項３】 有機シラン原料を減圧下で加熱すること
により基板上に蒸着して得られた有機ポリシラン薄膜
に、不純物を添加することを特徴とする不純物が添加さ
れた有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜の製造方
法。 - 【請求項４】 有機シラン原料と不純物とを減圧下で加
熱することにより基板上に蒸着することを特徴とする不
純物が添加された有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄
膜の製造方法。 - 【請求項５】 有機シラン原料が側鎖に芳香環を有しな
いことを特徴とする請求項３又は請求項４の有機ポリシ
ラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269891A JPH06116097A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 不純物が添加された有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269891A JPH06116097A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 不純物が添加された有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116097A true JPH06116097A (ja) | 1994-04-26 |
Family
ID=17478661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4269891A Pending JPH06116097A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 不純物が添加された有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06116097A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008308766A (ja) * | 2001-12-12 | 2008-12-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜方法 |
| US8674126B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-03-18 | Battelle Memorial Institute | Rubidium and cesium compounds for two-photon absorption |
-
1992
- 1992-10-08 JP JP4269891A patent/JPH06116097A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008308766A (ja) * | 2001-12-12 | 2008-12-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜方法 |
| US8674126B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-03-18 | Battelle Memorial Institute | Rubidium and cesium compounds for two-photon absorption |
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