JPH06113443A - Overcurrent detection and protective circuit - Google Patents
Overcurrent detection and protective circuitInfo
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- JPH06113443A JPH06113443A JP25603192A JP25603192A JPH06113443A JP H06113443 A JPH06113443 A JP H06113443A JP 25603192 A JP25603192 A JP 25603192A JP 25603192 A JP25603192 A JP 25603192A JP H06113443 A JPH06113443 A JP H06113443A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、過電流検出保護回路
に関し特にトランジスタの保護回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overcurrent detection protection circuit, and more particularly to a transistor protection circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の過電流検出保護回路派図
３に示すように出力用トランジスタＱ0 とミラー接続す
るトランジスタＱ1 に接続された電流検出用抵抗Ｒ1 に
発生した電圧を、第１の入力端子を過電流用リファレン
ス電圧Ｖroc に接続したコンパレータＣＭＰの第２の入
力端子に入力し、そのコンパレータの出力をゲート制御
回路１に入力することにより出力用トランジスタＱ0 の
ゲート電圧を制御し出力用トランジスタＱ0 に流れる電
流Ｉ0 を制限し、保護していた。2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIG. 3, an overcurrent detection protection circuit of this type, a voltage generated in a current detection resistor R 1 connected to a transistor Q 1 mirror-connected to an output transistor Q 0 is By inputting the first input terminal to the second input terminal of the comparator CMP connected to the overcurrent reference voltage V roc and inputting the output of the comparator to the gate control circuit 1, the gate voltage of the output transistor Q 0 . Is controlled to limit and protect the current I 0 flowing through the output transistor Q 0 .
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
過電流検出保護回路は、出力用トランジスタに流れる電
流を制限し、保護するためにコンパレータ、過電流用リ
ファレンス電圧、ゲート制御回路が必要となり回路規模
も大きいと云う欠点があった。By the way, the above-mentioned conventional overcurrent detection protection circuit requires a comparator, an overcurrent reference voltage, and a gate control circuit to limit and protect the current flowing through the output transistor. It had the drawback of being large in scale.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】この発明の過電流検出保
護回路は出力用トランジスタのドレイン・ソース間に、
電流検出用トランジスタとドレイン・ゲートを接続した
第３のトランジスタとの直列回路を並列に接続し、前記
第３のトランジスタのゲートにゲートを接続し、ドレイ
ンを出力用トランジスタのゲートに接続し、ソースを出
力用トランジスタのソースに接続した第４のトランジス
タで構成されている。SUMMARY OF THE INVENTION An overcurrent detection protection circuit of the present invention is provided between a drain and a source of an output transistor,
A series circuit of a current detection transistor and a third transistor having a drain and a gate connected is connected in parallel, a gate is connected to the gate of the third transistor, a drain is connected to the gate of the output transistor, and a source is connected. Is connected to the source of the output transistor.
【０００５】[0005]
【作用】上記構成によると、過電流時の電流検出用トラ
ンジスタに流れる電流に応じて、すなわち過電流時の出
力電流の大小に応じて、第４のトランジスタが出力用ト
ランジスタのゲートより電流を引きこみ、ゲート電圧が
変化するため、出力電流を制限し、出力用トランジスタ
を保護することができる。従って、従来の基準電圧源Ｖ
roc 及びコンパレータＣＭＰにかえて２個のトランジス
タとすることができる。According to the above structure, the fourth transistor draws a current from the gate of the output transistor in accordance with the current flowing through the current detection transistor during overcurrent, that is, in accordance with the magnitude of the output current during overcurrent. Since the gate voltage changes, the output current can be limited and the output transistor can be protected. Therefore, the conventional reference voltage source V
Two transistors can be used instead of the roc and the comparator CMP.
【０００６】[0006]
【実施例】以下、この発明について図面を参照して、説
明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【０００７】図１はこの発明の実施例の回路図である。
図１において、Ｑ0 は出力用トランジスタ、Ｑ1 は電流
検出用トランジスタＱ2 はドレイン・ゲートを接続した
第３のトランジスタ、Ｑ3 は出力ゲート電流引込み用の
第４のトランジスタ、Ｉ0 は出力電流、ＩG はゲート電
流、ＶDDは電源である。次に上記の回路図の動作につい
て説明する。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
In FIG. 1, Q 0 is an output transistor, Q 1 is a current detection transistor Q 2 is a third transistor whose drain and gate are connected, Q 3 is a fourth transistor for pulling the output gate current, and I 0 is an output A current, I G is a gate current, and V DD is a power supply. Next, the operation of the above circuit diagram will be described.
【０００８】この図において、負荷が重くなり、出力電
流Ｉ0 が大きくなると、出力トランジスタＱ0 のドレイ
ン−ソース間電圧が大きくなって第３のトランジスタＱ
2 のしきい値電圧以下になった時、ゲート電流ＩG が第
４のトランジスタＱ3 に流れ、出力用トランジスタＱ0
のゲート・ソース間電圧は降下し出力電流Ｉ0 は制限さ
れ出力トランジスタは保護される。In this figure, when the load becomes heavy and the output current I 0 increases, the drain-source voltage of the output transistor Q 0 increases and the third transistor Q 0 increases.
When the voltage becomes equal to or lower than the threshold voltage of 2 , the gate current I G flows through the fourth transistor Q 3 and the output transistor Q 0.
The voltage between the gate and the source of the output voltage drops, the output current I 0 is limited, and the output transistor is protected.
【０００９】[0009]
【実施例２】図２はこの発明の第２実施例をハイサイド
スイッチに適用したもので、第１実施例と同じ効果が得
られる。Second Embodiment FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention applied to a high side switch, and the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
【００１０】[0010]
【発明の効果】以上説明したように、過電流時ゲート電
流ＩG が、流れることにより出力用トランジスタのゲー
ト電圧が低下し、出力電流は制限され、小規模な回路で
出力用トランジスタを保護することができる。As described above, when the overcurrent gate current I G flows, the gate voltage of the output transistor is lowered, the output current is limited, and the output transistor is protected by a small-scale circuit. be able to.
【図１】 この発明の第１の実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention.
【図２】 この発明の第２の実施例の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention.
【図３】 従来の回路図である。FIG. 3 is a conventional circuit diagram.
Ｑ 出力用トランジスタ Ｑ1 電流検出用トランジスタ Ｑ2 ドレイン・ゲートを接続したトランジスタ（第３
のトランジスタ） Ｑ3 出力ゲート電流引込み用トランジスタ（第４のト
ランジスタ） Ｉ0 出力電流 ＩG ゲート電流 ＶDD 電源電圧Q output transistor Q 1 current detection transistor Q 2 drain-gate connected transistor (3rd
Transistor) Q 3 Output gate current pull-in transistor (4th transistor) I 0 Output current I G Gate current V DD Power supply voltage
Claims (3)
に並列に電流検出用トランジスタとドレインゲートを接
続した第３のトランジスタとの直列回路を接続し、その
第３のトランジスタのゲートにゲートを接続し、ドレイ
ンを出力用トランジスタのゲートに接続し、ソースを出
力用トランジスタのソースに接続した第４のトランジス
タを設けたことを特徴とする過電流検出保護回路。1. A series circuit of a current detection transistor and a third transistor having a drain gate connected in parallel is connected between the drain and source of the output transistor, and the gate is connected to the gate of the third transistor. An overcurrent detection and protection circuit comprising: a fourth transistor having a drain connected to the gate of the output transistor and a source connected to the source of the output transistor.
力用トランジスタのドレイン−ソース間に並列に電流検
出用トランジスタとドレインゲートを接続した第３のト
ランジスタとの直列回路を接続し、その第３のトランジ
スタで検出した電流により前記出力用トランジスタを保
護する回路において、前記第３のトランジスタのゲート
にゲートを接続し、ドレインを出力用トランジスタのゲ
ートに接続し、ソースを接地した第４のトランジスタを
設けたことを特徴とする過電流検出保護回路。2. A series circuit of a current detection transistor and a third transistor having a drain gate connected in parallel is connected between the drain and source of an output transistor whose drain is an output and whose source is grounded. In a circuit that protects the output transistor by the current detected by the transistor, the gate of the third transistor is connected to the gate, the drain is connected to the gate of the output transistor, and the source is grounded to the fourth transistor. An overcurrent detection protection circuit characterized by being provided.
した出力用トランジスタのドレイン−ソース間に並列
に、電流検出用トランジスタとドレイン・ゲートを接続
した第３のトランジスタとの直列回路を接続し、その第
３のトランジスタで検出した電流により前記出力用トラ
ンジスタを保護する回路において、前記第３のトランジ
スタのゲートにゲートを接続し、ドレインを出力用トラ
ンジスタのゲートに接続し、ソースを出力用トランジス
タの出力に接続した第４のトランジスタを設けたことを
特徴とする過電流検出保護回路。3. A series circuit of a current detecting transistor and a third transistor having a drain and gate connected in parallel between the drain and the source of an output transistor whose drain is connected to a power source and whose source is an output. In the circuit that protects the output transistor by the current detected by the third transistor, the gate is connected to the gate of the third transistor, the drain is connected to the gate of the output transistor, and the source is used for the output. An overcurrent detection and protection circuit comprising a fourth transistor connected to the output of the transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25603192A JPH06113443A (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Overcurrent detection and protective circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25603192A JPH06113443A (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Overcurrent detection and protective circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06113443A true JPH06113443A (en) | 1994-04-22 |
Family
ID=17286961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25603192A Pending JPH06113443A (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Overcurrent detection and protective circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06113443A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199606B2 (en) | 2004-01-27 | 2007-04-03 | Nec Electronics Corporation | Current limiter of output transistor |
| WO2013161483A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | セイコーインスツル株式会社 | Output driver circuit |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP25603192A patent/JPH06113443A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199606B2 (en) | 2004-01-27 | 2007-04-03 | Nec Electronics Corporation | Current limiter of output transistor |
| DE102005003643B4 (en) * | 2004-01-27 | 2007-08-23 | Nec Electronics Corp., Kawasaki | Circuit device with a current limiter of an output transistor |
| WO2013161483A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | セイコーインスツル株式会社 | Output driver circuit |
| CN104247267A (en) * | 2012-04-27 | 2014-12-24 | 精工电子有限公司 | Output driver circuit |
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