JPH06105806B2 - 導波路型レ−ザ - Google Patents
導波路型レ−ザInfo
- Publication number
- JPH06105806B2 JPH06105806B2 JP60262270A JP26227085A JPH06105806B2 JP H06105806 B2 JPH06105806 B2 JP H06105806B2 JP 60262270 A JP60262270 A JP 60262270A JP 26227085 A JP26227085 A JP 26227085A JP H06105806 B2 JPH06105806 B2 JP H06105806B2
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- waveguide
- thin film
- type laser
- waveguide type
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、溶接、切断などを行うレーザ加工分野や、コ
ヒーレント光通信、大気汚染物質の検出などの分野に有
用なレーザ、特に小型高効率の導波路型気体レーザに関
するものである。
ヒーレント光通信、大気汚染物質の検出などの分野に有
用なレーザ、特に小型高効率の導波路型気体レーザに関
するものである。
[従来の技術] 横方向に高周波放電を励起するための対向する一対の金
属電極と、ガラス・アルミナなどの対向する一対の誘電
体とで囲まれた矩形の中空導波路からなる導波路型レー
ザが種々提案されている(米国特許第4,169,251号明細
書、米国特許第4,352,188号明細書)。
属電極と、ガラス・アルミナなどの対向する一対の誘電
体とで囲まれた矩形の中空導波路からなる導波路型レー
ザが種々提案されている(米国特許第4,169,251号明細
書、米国特許第4,352,188号明細書)。
このような横方向RF放電励起導波路型レーザは、縦方向
DC放電励起導波路型レーザと比較して次のような特徴を
もつ。
DC放電励起導波路型レーザと比較して次のような特徴を
もつ。
小型である。
発振波長同調範囲が広い。
高効率である(正抵抗放電で安定抵抗を必要としな
い)。
い)。
高電圧を必要としない。
封止長寿命化が期待される。
一方、金属電極が導波路壁の一部を構成する金属−誘電
体複合導波路構造の導波路型レーザとは別に、全てをア
ルミナやガラスなどの誘電体で導波路を構成し、金属電
極と封入ガスとを非接触にしてRF放電を行う方式も検討
されている(C.P.Christenser,F.X.Powell,and N.Djeu,
IEEE J.Quantum Electron.,QE-16,949(1980))。
体複合導波路構造の導波路型レーザとは別に、全てをア
ルミナやガラスなどの誘電体で導波路を構成し、金属電
極と封入ガスとを非接触にしてRF放電を行う方式も検討
されている(C.P.Christenser,F.X.Powell,and N.Djeu,
IEEE J.Quantum Electron.,QE-16,949(1980))。
[発明が解決しようとする問題点] 金属電極が導波路の一部を構成する導波路型レーザで
は、導波路幅が小さい程、あるいは導波路長が長い程、
導波損失が無視できなくなり、高効率のレーザ出力が得
られない。導波損失を小さくすべく、対向する電極間隔
を離して偏平の矩形導波路を構成し、電極は導波特性に
寄与しない構造とする試みもなされているが、長辺方向
に多モード発振したり、出射ビームが楕円になるという
問題が生じる。
は、導波路幅が小さい程、あるいは導波路長が長い程、
導波損失が無視できなくなり、高効率のレーザ出力が得
られない。導波損失を小さくすべく、対向する電極間隔
を離して偏平の矩形導波路を構成し、電極は導波特性に
寄与しない構造とする試みもなされているが、長辺方向
に多モード発振したり、出射ビームが楕円になるという
問題が生じる。
導波路の全てを誘電体で構成した導波路型レーザでは、
放電が安定に行われ、スパッタリングや酸化による金属
電極の劣化がないという特徴を有するが、冷却効果とい
う点では有利でない。アルミナは比較的熱伝導が良好な
誘電体であるが、アルミニウムや銅などの金属ではさら
に熱伝導率が大きく、金属電極が導波路の一部を構成す
る構造の方がより大きな冷却効果が期待できる。ガラ
ス、アルミナ、アルミニウム、銅の熱伝導率はそれぞれ
3.2×10-3cal/cm sec℃、0.06cal/cm sec℃、0.487cal/
cm sec℃、0.923cal/cm sec℃である。ベリリアは熱伝
導率が0.5cal/cm sec℃と高く、アルミナやガラスのか
わりに導波路を構成するには最良の材料であるが、有毒
物質であることから、レーザ製作上問題があり、導波路
型レーザの材料としては敬遠されている。
放電が安定に行われ、スパッタリングや酸化による金属
電極の劣化がないという特徴を有するが、冷却効果とい
う点では有利でない。アルミナは比較的熱伝導が良好な
誘電体であるが、アルミニウムや銅などの金属ではさら
に熱伝導率が大きく、金属電極が導波路の一部を構成す
る構造の方がより大きな冷却効果が期待できる。ガラ
ス、アルミナ、アルミニウム、銅の熱伝導率はそれぞれ
3.2×10-3cal/cm sec℃、0.06cal/cm sec℃、0.487cal/
cm sec℃、0.923cal/cm sec℃である。ベリリアは熱伝
導率が0.5cal/cm sec℃と高く、アルミナやガラスのか
わりに導波路を構成するには最良の材料であるが、有毒
物質であることから、レーザ製作上問題があり、導波路
型レーザの材料としては敬遠されている。
本発明は以上述べた従来技術の問題点を解決すべく創案
されたもので、効率の高い発振が可能であり、しかも冷
却効果に優れた導波路型レーザの提供を目的とするもの
である。
されたもので、効率の高い発振が可能であり、しかも冷
却効果に優れた導波路型レーザの提供を目的とするもの
である。
[問題点を解決するための手段] 本発明では、対向する一対の金属電極および対向する一
対の誘電体とで中空導波路を形成する導波路型レーザに
おいて、対向する一対の金属電極の表面に発振波長での
吸収損失が小さな薄膜を形成し、導波路幅が小さくと
も、導波損失を小さくでき、高効率発振を実現できるよ
うにした。
対の誘電体とで中空導波路を形成する導波路型レーザに
おいて、対向する一対の金属電極の表面に発振波長での
吸収損失が小さな薄膜を形成し、導波路幅が小さくと
も、導波損失を小さくでき、高効率発振を実現できるよ
うにした。
金属電極に使用される材料としては、複素屈折率の絶対
値が誘電体のそれよりも十分大きいか、又は複素屈折率
の虚数部が実数部よりも十分大きい材料であり、例えば
Cu、Ag、Au、Alなどがあげられる。
値が誘電体のそれよりも十分大きいか、又は複素屈折率
の虚数部が実数部よりも十分大きい材料であり、例えば
Cu、Ag、Au、Alなどがあげられる。
波長10.6μmにおけるこれらの各材料の複素屈折率は、
Cu:14.1−j64.5、Ag:13.5−j75.2、Au:17.2−j56.0、A
l:20.5−j58.6である。これらの材料は熱伝導率も高
く、大きな冷却効果をあげることができる。
Cu:14.1−j64.5、Ag:13.5−j75.2、Au:17.2−j56.0、A
l:20.5−j58.6である。これらの材料は熱伝導率も高
く、大きな冷却効果をあげることができる。
誘電体に使用される材料としては、表面が滑らかなガラ
ス、熱伝導率が比較的良好なアルミナ等のセラミック、
ガスの封じ込めに適したふっ素樹脂等の高分子樹脂など
の用いられる。
ス、熱伝導率が比較的良好なアルミナ等のセラミック、
ガスの封じ込めに適したふっ素樹脂等の高分子樹脂など
の用いられる。
金属電極の表面に形成する薄膜は発振波長帯において複
素屈折率の虚数部が実数部に比較して十分無視できる吸
収の小さな材料であり、例えば波長10.6μmにおいては
ZnSe、Ge、NaCl、KCl、KRS−5、CdTe、Si、ZnS、PbF2
などの他、カルコゲナイドガラスなどがあげられる。光
波帯では電磁波の重要な伝送媒体となりうるこのような
物質は全て誘導体としてふるまうが、金属表面に形成し
てもPR放電であるため安定に放電がなされる。
素屈折率の虚数部が実数部に比較して十分無視できる吸
収の小さな材料であり、例えば波長10.6μmにおいては
ZnSe、Ge、NaCl、KCl、KRS−5、CdTe、Si、ZnS、PbF2
などの他、カルコゲナイドガラスなどがあげられる。光
波帯では電磁波の重要な伝送媒体となりうるこのような
物質は全て誘導体としてふるまうが、金属表面に形成し
てもPR放電であるため安定に放電がなされる。
このように、金属電極が吸収の小さい薄膜でコーティン
グされることにより、単に電極の役目だけでなく、低損
失な導波路壁が構成され、さらに高い冷却効果を保ちな
がら電極表面の劣化を防止し、より小型で高効率の導波
路型レーザが得られる。
グされることにより、単に電極の役目だけでなく、低損
失な導波路壁が構成され、さらに高い冷却効果を保ちな
がら電極表面の劣化を防止し、より小型で高効率の導波
路型レーザが得られる。
[実施例] 第1図は本発明の一実施例の説明図であり、導波路型レ
ーザの導波路断面の概略を示したものである。
ーザの導波路断面の概略を示したものである。
1は金属電極、2は誘電体、3は金属電極1の表面にコ
ーティングにより形成された薄膜、4は中空導波路であ
る。
ーティングにより形成された薄膜、4は中空導波路であ
る。
金属電極1は整合回路を介してRF電源と接続され横方向
にRF放電を行う。金属電極1は例えば熱伝導率が良好な
銅が用いられる。
にRF放電を行う。金属電極1は例えば熱伝導率が良好な
銅が用いられる。
誘電体2は例えば表面が滑らかなガラスが用いられる。
薄膜3は例えばセレン化亜鉛(ZnSe)が用いられ、スパ
ッタリングや真空蒸着により容易に形成できる。ゲルマ
ニウム(Ge)を用いる場合にはめっきによっても容易に
形成できる。
ッタリングや真空蒸着により容易に形成できる。ゲルマ
ニウム(Ge)を用いる場合にはめっきによっても容易に
形成できる。
レーザ放電路としての導波路4は、薄膜3がコーティン
グされた金属電極1と誘電体2とで囲まれ、出力強度分
布を円形分布に近づけるため断面が正方形状に近い(2a
2b)形状になっている。導波路4内には例えばガス圧
約100〜200torrのHe、CO2、N2などの混合ガスが封入さ
れる。導波路4の両端には平板あるいは凹面状の全反射
鏡と部分透過鏡がとりつけられ、レーザ光は部分透過鏡
を通して出力される。
グされた金属電極1と誘電体2とで囲まれ、出力強度分
布を円形分布に近づけるため断面が正方形状に近い(2a
2b)形状になっている。導波路4内には例えばガス圧
約100〜200torrのHe、CO2、N2などの混合ガスが封入さ
れる。導波路4の両端には平板あるいは凹面状の全反射
鏡と部分透過鏡がとりつけられ、レーザ光は部分透過鏡
を通して出力される。
導波路型レーザにおいて、レーザの出力Pは、 と表される。
ここで、T1、T2は導波路両端の鏡における透過率であ
り、一方の鏡が全反射鏡(T1=0)のときT2=2Tであ
る。Lc1、Lc2は導波路両端の鏡における結合損失であ
り、平面鏡を導波路端に十分近接して置けば、Lc1.5
%とすることができる。1は導波路長であり、Aはモー
ドの断面積で、導波路断面が正方形(2a=2b)のとき、 A=(0.49a)2π (4) で与えちれる。g0は小信号利得で、圧力拡がりのときの
相似則によれば、g0は導波路幅に依存しない。Isは飽和
強度で、圧力pの2乗に比例し、導波路幅の2乗に反比
例する。Lwは導波損失である。第1図に示すような導波
路型レーザでは、このLwを従来のものより小さくするこ
とができるので小型高効率のレーザを得ることができ
る。矩形導波路における導波損失Lwは、2次元中空スラ
ブ導波路におけるTEモードとTMモードとの導波損失の和
によって評価される。
り、一方の鏡が全反射鏡(T1=0)のときT2=2Tであ
る。Lc1、Lc2は導波路両端の鏡における結合損失であ
り、平面鏡を導波路端に十分近接して置けば、Lc1.5
%とすることができる。1は導波路長であり、Aはモー
ドの断面積で、導波路断面が正方形(2a=2b)のとき、 A=(0.49a)2π (4) で与えちれる。g0は小信号利得で、圧力拡がりのときの
相似則によれば、g0は導波路幅に依存しない。Isは飽和
強度で、圧力pの2乗に比例し、導波路幅の2乗に反比
例する。Lwは導波損失である。第1図に示すような導波
路型レーザでは、このLwを従来のものより小さくするこ
とができるので小型高効率のレーザを得ることができ
る。矩形導波路における導波損失Lwは、2次元中空スラ
ブ導波路におけるTEモードとTMモードとの導波損失の和
によって評価される。
第2図に銅、ガラス、そしてセレン化亜鉛(ZnSe)をコ
ーティングした銅によって構成した各種中空スラブ導波
路のTMoモード(A,C,E)とTEoモード(B,D,F)の伝送損
失の計算値を示す。このように金属の表面に適当な膜厚
をもつ吸収の小さい薄膜がコーティングされた金属中空
導波路(E,F)では、TEモードとTMモードとの伝送損失
が逆転したり、あるいはともに誘電体中空導波路(C,
D)のTE、TMモードよりも低損失になることが示される
(M.Miyagi,A.Hongo,and S.Kawakami,IEEE J.Quantum E
lectron.,QE-19,136(1983))。
ーティングした銅によって構成した各種中空スラブ導波
路のTMoモード(A,C,E)とTEoモード(B,D,F)の伝送損
失の計算値を示す。このように金属の表面に適当な膜厚
をもつ吸収の小さい薄膜がコーティングされた金属中空
導波路(E,F)では、TEモードとTMモードとの伝送損失
が逆転したり、あるいはともに誘電体中空導波路(C,
D)のTE、TMモードよりも低損失になることが示される
(M.Miyagi,A.Hongo,and S.Kawakami,IEEE J.Quantum E
lectron.,QE-19,136(1983))。
まず、従来の導波路型レーザ(第1図において薄膜3が
存在しない場合)の導波損失について検討する。
存在しない場合)の導波損失について検討する。
電界が金属電極1に対し平行な最低次モードを▲EX 11▼
モード、電界が金属電極に対し垂直成分をもつモードを
▲EY 11▼モードを呼ぶことにする。
モード、電界が金属電極に対し垂直成分をもつモードを
▲EY 11▼モードを呼ぶことにする。
▲EX 11▼モードの伝送損失α(▲EX 11▼)は、 と表される。ここで、λは波長でλ=10.6μmとしてい
る。nm−jKmは金属電極1の複素屈折率で銅を選びnm−j
Km=14.1−j64.5としている。nd−jKdは金属電極1を絶
縁する誘電体2の複素屈折率で、ガラスを選びnd−jKd
=2.1−j1.15としている。2aおよび2bはそれぞれ誘電体
2,2間、金属電極1,1間の導波路幅である。また、Reは複
素数の実数部を表している。式(5)の第1項は銅スラ
ブ導波路のTEoモードの導波損失、第2項はガラススラ
ブ導波路のTMoモードの導波損失に相当する。
る。nm−jKmは金属電極1の複素屈折率で銅を選びnm−j
Km=14.1−j64.5としている。nd−jKdは金属電極1を絶
縁する誘電体2の複素屈折率で、ガラスを選びnd−jKd
=2.1−j1.15としている。2aおよび2bはそれぞれ誘電体
2,2間、金属電極1,1間の導波路幅である。また、Reは複
素数の実数部を表している。式(5)の第1項は銅スラ
ブ導波路のTEoモードの導波損失、第2項はガラススラ
ブ導波路のTMoモードの導波損失に相当する。
一方、▲EY 11▼モードの伝送損失α(▲EY 11▼)は、 と表される。式(6)の第1項は銅スラブ導波路のTMo
モードの導波損失、第2項はガラススラブ導波路のTEo
モードの導波損失に相当する。
モードの導波損失、第2項はガラススラブ導波路のTEo
モードの導波損失に相当する。
以上より2a2bの従来の導波路型レーザでは、より低損
失な▲EX 11▼モードが伝搬モードとなりその損失は誘電
体スラブ導波路のTMモードの損失で主に評価される。
失な▲EX 11▼モードが伝搬モードとなりその損失は誘電
体スラブ導波路のTMモードの損失で主に評価される。
次に第1図に示すように薄膜3をコーティングした導波
路型レーザの導波損失を検討する。吸収の小さな薄膜を
コーティングした金属スラズ導波路のTE,TMモードの伝
送損失は、第2図に示してあるように薄膜の膜厚によっ
て周期的に変化する。薄膜の厚さtが、 を満足するとき、▲EX 11▼モードの伝送損失α(▲EX 11
▼)は、 と表される。ここで、nfは金属電極1にコーティングす
る薄膜3の屈折率であり、セレン化亜鉛を選びnf=2.4
としている。式(8)の第1項はセレン化亜鉛内装銅ス
ラブ導波路のTEoモードの導波損失、第2項はガラスス
ラブ導波路のTMoモードの導波損失に相当する。ただ
し、第2図よりわかるとおり、第1項はセレン化亜鉛の
膜厚に対し敏感に変動する。
路型レーザの導波損失を検討する。吸収の小さな薄膜を
コーティングした金属スラズ導波路のTE,TMモードの伝
送損失は、第2図に示してあるように薄膜の膜厚によっ
て周期的に変化する。薄膜の厚さtが、 を満足するとき、▲EX 11▼モードの伝送損失α(▲EX 11
▼)は、 と表される。ここで、nfは金属電極1にコーティングす
る薄膜3の屈折率であり、セレン化亜鉛を選びnf=2.4
としている。式(8)の第1項はセレン化亜鉛内装銅ス
ラブ導波路のTEoモードの導波損失、第2項はガラスス
ラブ導波路のTMoモードの導波損失に相当する。ただ
し、第2図よりわかるとおり、第1項はセレン化亜鉛の
膜厚に対し敏感に変動する。
一方、▲EV 11▼モードの伝送損失α(▲EV 11▼)は、 と表される。式(9)の第1項はセレン化亜鉛内装銅ス
ラブ導波路のTMoモードの導波損失、第2項はガラスス
ラブ導波路のTEoモードの導波損失に相当する。
ラブ導波路のTMoモードの導波損失、第2項はガラスス
ラブ導波路のTEoモードの導波損失に相当する。
以上より、2a2bの薄膜コーティング導波路型レーザで
は、より低損失な▲EV 11▼モードが伝搬モードとなり、
その損失は誘電体スラブ導波路のTEモードの損失で主に
評価される。薄膜コーティング導波路型レーザにおい
て、薄膜3の膜厚に対する導波損失は極小値付近で変化
がゆるやかなので、膜厚が式(7)から多少ずれたとし
ても同様のことが言える。
は、より低損失な▲EV 11▼モードが伝搬モードとなり、
その損失は誘電体スラブ導波路のTEモードの損失で主に
評価される。薄膜コーティング導波路型レーザにおい
て、薄膜3の膜厚に対する導波損失は極小値付近で変化
がゆるやかなので、膜厚が式(7)から多少ずれたとし
ても同様のことが言える。
金属電極の複素屈折率nm−jKmの絶対値が大きい程、あ
るいは複素屈折率の実数部nmが虚数部Kmに対して十分小
さい程、式(9)の第1項は小さくなる。その意味では
銅よりも銀(Ag)を用いた方が有利である。しかし、銀
を用いて電極全体を構成することは経済的でない。従っ
て、銀を用いる場合には銅電極1と薄膜3との間に銀薄
膜を介在させることが経済的である。また、介在させる
金属薄膜材料には銀の他、化学的に安定な金(Au)の使
用も有効である。
るいは複素屈折率の実数部nmが虚数部Kmに対して十分小
さい程、式(9)の第1項は小さくなる。その意味では
銅よりも銀(Ag)を用いた方が有利である。しかし、銀
を用いて電極全体を構成することは経済的でない。従っ
て、銀を用いる場合には銅電極1と薄膜3との間に銀薄
膜を介在させることが経済的である。また、介在させる
金属薄膜材料には銀の他、化学的に安定な金(Au)の使
用も有効である。
また、金属電極1の表面上に、異なる屈折率をもった2
種類以上の吸収損失が小さい薄膜を交互に積層させるこ
とによって、さらに導波損失を小さくすることができ
る。この場合、各薄膜の厚さtiは一層のときと同様、 を満足するように選んだとき最も効果的に導波路の損失
を低減することができる。ここでnfiは薄膜の屈折率で
ある。
種類以上の吸収損失が小さい薄膜を交互に積層させるこ
とによって、さらに導波損失を小さくすることができ
る。この場合、各薄膜の厚さtiは一層のときと同様、 を満足するように選んだとき最も効果的に導波路の損失
を低減することができる。ここでnfiは薄膜の屈折率で
ある。
一方、誘電体の複素屈折率nd−jKdの絶対値が大きい
程、あるいは複素屈折率の実数部ndが虚数部Kdに比して
十分小さい程、式(9)の第2項は小さくなる。上記実
施例では表面が滑らかという理由でガラスを材料として
選んだが、表面が滑らかなその他の誘電体、あるいは比
較的熱伝導が良好な誘電体の表面にこれら誘電体よりも
複素屈折率の絶対値が大きいか、あるいは複素屈折率の
実数部が虚数部に比して十分小さい薄膜を誘電体2の表
面にコーティングしてもよい。
程、あるいは複素屈折率の実数部ndが虚数部Kdに比して
十分小さい程、式(9)の第2項は小さくなる。上記実
施例では表面が滑らかという理由でガラスを材料として
選んだが、表面が滑らかなその他の誘電体、あるいは比
較的熱伝導が良好な誘電体の表面にこれら誘電体よりも
複素屈折率の絶対値が大きいか、あるいは複素屈折率の
実数部が虚数部に比して十分小さい薄膜を誘電体2の表
面にコーティングしてもよい。
λ=10.6μmにおいて、従来の導波路型レーザでは式
(5)の第2項を小さくすべく、アルミナやベリリアの
使用も検討されているが、本発明の薄膜コーティング導
波路型レーザではnd,Kdの小さな材料を選ぶ必要はな
く、電極間を絶対する誘電体材料の選択の自由度が大き
いのでガラスやふっ素樹脂なども使用することが可能と
なる。
(5)の第2項を小さくすべく、アルミナやベリリアの
使用も検討されているが、本発明の薄膜コーティング導
波路型レーザではnd,Kdの小さな材料を選ぶ必要はな
く、電極間を絶対する誘電体材料の選択の自由度が大き
いのでガラスやふっ素樹脂なども使用することが可能と
なる。
第3図に出力鏡の透過率Tに対する出力パワーPの計算
値を示す。ここで、2a=2b=1.5mm、1=40cm、go=0.0
05cm-1、Is=20kw/cm2としている(R.L.Abrams and W.
B.Bridges,IEEE J.Quantum Electron.,QE-9,940(197
3))。このとき式(5)より従来の導波路型レーザで
はLw3%、式(9)より本発明の薄膜コーティング導
波路型レーザではLw0.5%となる。第3図では、結合
損失Lcが0%と1.5%を仮定し、Lw+Lc=0.5、2,3,4.5
%のときの値を示した。
値を示す。ここで、2a=2b=1.5mm、1=40cm、go=0.0
05cm-1、Is=20kw/cm2としている(R.L.Abrams and W.
B.Bridges,IEEE J.Quantum Electron.,QE-9,940(197
3))。このとき式(5)より従来の導波路型レーザで
はLw3%、式(9)より本発明の薄膜コーティング導
波路型レーザではLw0.5%となる。第3図では、結合
損失Lcが0%と1.5%を仮定し、Lw+Lc=0.5、2,3,4.5
%のときの値を示した。
式(1)において、ЭP/AЭT=すなわち、 のとき出力パワーPは最適出力Poptとなり、 と表される。
出力鏡の透過率Tを式(11)を満足するようにしたとき
の導波路半幅a(2a=2bとする)に対する最適出力を第
4図および第5図に示す。第4図はLc=0%、第5図は
Lc=1.5%のときである。また、飽和強度Isは圧力拡が
りにおける相似則によりIs=11.25/a2kw/cm2とした。第
4図、第5図において破線は従来の導波路型レーザの最
適出力、実線は本発明による薄膜コーティング導波路型
レーザの最適出力である。本発明の効果は、導波路幅が
狭い程、また導波路長が長い程顕著に現れる。
の導波路半幅a(2a=2bとする)に対する最適出力を第
4図および第5図に示す。第4図はLc=0%、第5図は
Lc=1.5%のときである。また、飽和強度Isは圧力拡が
りにおける相似則によりIs=11.25/a2kw/cm2とした。第
4図、第5図において破線は従来の導波路型レーザの最
適出力、実線は本発明による薄膜コーティング導波路型
レーザの最適出力である。本発明の効果は、導波路幅が
狭い程、また導波路長が長い程顕著に現れる。
[発明の効果] 以上説明してきたように本発明によれば、従来の導波路
型レーザと比較して次のような顕著な作用効果が発揮さ
れる。
型レーザと比較して次のような顕著な作用効果が発揮さ
れる。
導波損失が小さいので、高出力発振が可能である。
熱伝導率の高い金属で導波路壁を構成するため、冷却
効果を大きくできる。
効果を大きくできる。
スパッタや酸化による金属電極の劣化を抑制できる。
電極間を絶縁する誘電体材料の選択の自由度が大き
い。
い。
また、金属電極に対し電界が垂直成分をもつモードで発
振することも本発明の導波路型レーザの特徴の一つであ
る。
振することも本発明の導波路型レーザの特徴の一つであ
る。
第1図は本発明の一実施例の横断面説明図、第2図は各
種中空スラブ導波路のTMoモード、TEoモードの導波損失
の計算値を表すグラフ、第3図は出力鏡の透過率に対す
る出力パワーの計算値を表すグラフ、第4図はLc=0%
としたときの導波路幅に対する最適出力パワーの計算値
を表すグラフ、第5図はLc=1.5%としたときの導波路
幅に対する最適出力パワーの計算値を表すグラフであ
る。 1:金属電極、2:誘電体、3:薄膜、4:中空導波路。
種中空スラブ導波路のTMoモード、TEoモードの導波損失
の計算値を表すグラフ、第3図は出力鏡の透過率に対す
る出力パワーの計算値を表すグラフ、第4図はLc=0%
としたときの導波路幅に対する最適出力パワーの計算値
を表すグラフ、第5図はLc=1.5%としたときの導波路
幅に対する最適出力パワーの計算値を表すグラフであ
る。 1:金属電極、2:誘電体、3:薄膜、4:中空導波路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−216481(JP,A) IEEE Journal of Qu antum Electronics,Q E−19,No.2(1983−2)(米)P. 136−145
Claims (8)
- 【請求項1】高周波放電を励起するための対向する一対
の金属電極および対向する一対の誘電体とで囲まれて中
空導波路が形成され、前記対向する一対の金属電極の表
面には発振波長での吸収損失が小さな薄膜が設けられ、
該薄膜の厚さtは、 を満足するように設定されていることを特徴とする導波
路型レーザ。 ただし、λは発振波長、qは正の奇数(1,3,5・・
・)、nfは薄膜の屈折率である。 - 【請求項2】前記金属電極間幅と前記誘電体間幅とはほ
ぼ等しく設定されている特許請求の範囲第1項記載の導
波路型レーザ。 - 【請求項3】前記金属電極はCu、Ag、AuまたはAlのいず
れかから選ばれた材料からなる特許請求の範囲第1項記
載の導波路型レーザ。 - 【請求項4】前記誘電体はガラス、セラミックまたは高
分子樹脂から選ばれた材料からなる特許請求の範囲第1
項記載の導波路型レーザ。 - 【請求項5】前記薄膜はZnSe、Ge、KCl、KRS−5、NaC
l、CdTe、Si、ZnS、PbF2またはカルコゲナイドガラスの
いずれかから選ばれた材料からなる特許請求の範囲第1
項記載の導波路型レーザ。 - 【請求項6】前記金属電極と前記薄膜との間には、前記
金属電極よりも複素屈折率の絶対値が大きいかあるいは
複素屈折率の実数部が虚数部に比して十分小さい金属薄
膜が介在さている特許請求の範囲第1項記載の導波路型
レーザ。 - 【請求項7】前記誘電体の表面には前記誘電体よりも複
素屈折率の絶対値が大きいかあるいは複素屈折率の実数
部が虚数部に比して十分小さい薄膜が設けられている特
許請求の範囲第1項記載の導波路型レーザ。 - 【請求項8】高周波放電を励起するための対向する一対
の金属電極および対向する一対の誘電体とで囲まれて中
空導波路が形成され、前記対向する一対の金属電極の表
面にはそれぞれが異なる屈折率である発振波長での吸収
損失が小さな薄膜が多層に設けられ、該各薄膜の厚さti
は、 を満足するように設定されていることを特徴とする導波
路型レーザ。 ただし、λは発振波長、qは正の奇数(1,3,5・・
・)、nfiは各薄膜の屈折率である。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60262270A JPH06105806B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 導波路型レ−ザ |
US06/837,120 US4875218A (en) | 1985-05-29 | 1986-03-07 | Thin-film coated waveguide laser |
US07/392,800 US4972421A (en) | 1985-05-29 | 1989-08-11 | Thin-film coated waveguide laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60262270A JPH06105806B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 導波路型レ−ザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62122186A JPS62122186A (ja) | 1987-06-03 |
JPH06105806B2 true JPH06105806B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=17373458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60262270A Expired - Lifetime JPH06105806B2 (ja) | 1985-05-29 | 1985-11-21 | 導波路型レ−ザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06105806B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU624323B2 (en) * | 1987-07-22 | 1992-06-11 | Synrad, Inc. | RF excited all metal gas laser |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58216481A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-16 | Nippon Sekigaisen Kogyo Kk | 高周波放電封じ切り型ガスレ−ザ |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP60262270A patent/JPH06105806B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IEEEJournalofQuantumElectronics,QE−19,No.2(1983−2)(米)P.136−145 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62122186A (ja) | 1987-06-03 |
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