JPH06104945A - 2相位相変調回路 - Google Patents

2相位相変調回路

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Publication number
JPH06104945A
JPH06104945A JP25271392A JP25271392A JPH06104945A JP H06104945 A JPH06104945 A JP H06104945A JP 25271392 A JP25271392 A JP 25271392A JP 25271392 A JP25271392 A JP 25271392A JP H06104945 A JPH06104945 A JP H06104945A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
main line
admittance
stub
phase
Prior art date
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Pending
Application number
JP25271392A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Kaneko
一男 金子
Seiji Kado
誠司 嘉戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication of JPH06104945A publication Critical patent/JPH06104945A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】質問器と、これから発射されたマイクロ波に対
して応答すべき情報に則った変調を施して送り返す応答
器からなる非接触IDカードシステムの応答器用変調回
路において、安価なショットキーバリアダイオード1個
で2相PSKを行える安価で簡単な構造の2相PSK回
路を提供すること。 【構成】その一端を電気的に接地したダイオードの他端
に主線路を介してマイクロ波信号を導き、変調信号に対
応する波形の電流を該ダイオードに印加し、このダイオ
ードのON時のインピーダンスとOFF時のインピーダ
ンスの差を利用して上記のダイオードから反射される反
射波に2相位相変調を行う回路において、接続点から上
記ダイオード側を見たON時のアドミタンスYonとOF
F時のアドミタンスYoffがYon・Yoff=1なる関係を
満足する先端接地のショートスタブまたは先端開放のオ
ープンスタブを上記主線路に並列に接続したこと。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は質問器と、これから発射
されたマイクロ波に対して応答すべき情報に則った変調
を施して送り返す応答器からなる非接触IDカードシス
テムの応答器用変調回路に関する。
【0002】
【従来の技術】ICカードシステムの応答器要変調回路
としては「トランジスタ技術」、May、1992、C
Q出版社、別冊付録p27に示されるように、PINダ
イオードまたはEET等で構成された二つのマイクロ波
スイッチから成る回路で2相位相変調(以下、2相PS
Kと称す)を行っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記文献に示される変
調回路は、PINダイオードまたはEET等比較的高価
な素子を2個使用する必要があった。本発明は安価なシ
ョットキーバリアダイオード1個で2相PSKを行える
安価で簡単な構造の2相PSK回路を提供するものであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の2相位相変調回
路は、その一端を電気的に接地したダイオードの他端に
主線路を介してマイクロ波信号を導き、変調信号に対応
する波形の電流を該ダイオードに印加し、このダイオー
ドのON時のインピーダンスとOFF時のインピーダン
スの差を利用して上記のダイオードから反射される反射
波に2相位相変調を行う回路において、接続点から上記
ダイオード側を見たON時のアドミタンスYonとOFF
時のアドミタンスYoffがYon・Yoff=1なる関係を満
足する先端接地のショートスタブまたは先端開放のオー
プンスタブを上記主線路に並列に接続したことを特徴と
する。一般に、ダイオードをマイクロ波帯のスイッチン
グ素子として使用する場合は、ダイオードにDC電流を
流した時(ON時)のマイクロ波帯でみたインピーダン
スZdonと、電流を流さない時(OFF時)のインピー
ダンスZdoffを利用する。この場合、合理的なZdon
は、図5に示すZshであり、同様に理想的なZdoffはZ
opである。すなわち、Zshは完全ショート、Zopは完全
オープンで両者の位相差が180°(スミスチャートの
中心に対して点対称)となる。このような理想的ダイオ
ードを非接触IDカードシステムの応答器用2相PSK
回路に用いることができればON時の反射波とOFF時
の反射波は位相が反転し、同時に反射損失がないため1
個のダイオードで理想的な2相PSKを得ることができ
る。しかるに、通常のダイオードではZdonとZdoffの
位相差は180°にはならず、また、反射損失が大きい
ものが一般的である。例えば、ショットキーバリアダイ
オードの2.5GHz帯における代表的なZdonとZdof
fは同図に示すような値が一般的である。両者の位相差
は180°ではない上に、特にZdonはかなりスミスチ
ャートの内側に入っていることから反射損失が大きいこ
とを示している。
【0005】このようなZdon、Zdoffの値を示すダイ
オード1個で、より理想的に近い2相PSKを得るため
の手段として次のような方法を用いた。すなわち、ダイ
オード近傍の主線路にショートスタブまたはオープンス
タブを並列に付加するという簡単な方法である。ただ
し、ダイオードのON、OFF時の位相が180°異な
り且つ、反射損失が等しくなるためのスタブの付加位
置、長さ及び特性インピーダンス等の条件を求めなけれ
ばならない。以下、その条件抽出方法を図6及び図7を
用いて説明する。図7はマイクロストリップ線路で構成
した2相PSK回路の概略図である。主線路2の右端に
置かれたダイオード1は一端が接地されていて、主線路
のダイオードから距離l1の位置に先端が接地された長
さl2のショートスタブ3が設けられている。図には示
されていないがダイオード1には直流電流が流されてO
N、OFFするようになっている。主線路2の特性アド
ミタンスはY0、ショートスタブ3の特性アドミタンス
はYstである。
【0006】いま、ダイオード1のON時のアトドタン
スをYdonとして主線路2とショートスタブ3が交わる
a点からダイオード側を見たアドミタンスをYon、また
同様にOFF時のダイオードのアドミタンスをYdoffと
してa点から見たアドミタンスをYoffとすると、Yon
とYoffはそれぞれ次式で示される。
【0007】
【数1】
【0008】
【数2】 ただし、β0は主線路の位相定数、βstbはスタブを構成
する線路の位相定数である。この結果から、ON、OF
F時で位相が180°異なり反射損失が等しくなる条件
は、
【0009】
【数3】 Yon・Yoff=1 (3) である。なんとなれば、位相が180°異なり反射損失
が等しくなる条件は、2つのインピーダンスがスミスチ
ャートの中心に対して点対称になることに他ならないか
らである。従って、(3)式を満足するl1、l2、Zo
ならびにZstbを求めれば良いこととなる。
【0010】図7は先端開放のオープンスタブを付加し
た場合である。ダイオードのON、OFF時に主線路2
とオープンスタブ4が交わるb点からダイオード側を見
たアドミタンスは(1)、(2)式とほぼ同様で、第2
項のみ+jYstb・tan(βstbl2)に代わるだけであるか
ら、ここでは割愛する。また、位相が180°異なり反
射損失が等しくなる条件も(3)同じである。
【0011】
【実施例】本発明の実施例を図1に示す。図6で述べた
ショートスタブで構成した2相PSK回路のパターン図
である。6はダイオードの一端マイクロ波帯域で等価的
に接地するための1/4波長オープンスタブ、5はマイ
クロストリップ線路の誘電体を貫通して裏面導体と電気
的に接続されたスルーホールである。このスルーホール
によりショートスタブ3が形成されている。端子10と
裏面導体間に印加された電圧(変調波)により電流は抵
抗9、長さ1/4波長の高インピーダンス線路7を通り
ダイオード1に流れ、主線路2、ショートスタブ3、ス
ルーホール5を経て裏面導体への流れる。この時ダイオ
ード1はONとなり、電圧が印加されない時はOFFと
なることは言うまでもない。オープンスタブ8と高イン
ピーダンス線路7は、端子10と抵抗9の存在がマイク
ロ波帯域でダイオード1に影響しないために設けられて
いる。この実施例においては図5で示したZdoとZdoff
の値を持つダイオードを用い、(1)、(2)式を求め
て(3)式から Zo =Zstb=47Ω l1=0.06λg l2=0.10λg の値を選ぶことにより良い結果が得られることが解っ
た。
【0012】図2はこの結果に対して、l1を変化させ
た時の反射損失Lrと位相差△φである。l1=0.0
6λgで△φは180°になり。LrはON、OFF時
で等しく約−1.7dBであることが確認された。従っ
て、図1のアンテナ11で受信された入射波12は反射
波13となってアンテナ11から再び外部に放射される
が、ダイオード1がON時とOFF時とでは反射波13
は位相が180°異なることと、反射波13は入射波1
2よりレベルが約1.7dB低下することを示してい
る。
【0013】図3は本発明の他の実施例である。図7で
述べたオープンスタブで構成した2相PSK回路のパタ
ーン図である。ダイオード1は図1と同じダイオードを
用いたので基本的には図1と変わらないが、違いはショ
ートスタブ3ガオープンスタブ4に代わったことと、長
さ1/4波長の高インピーダンス線路14が追加され、
その先端にスルーホール15が設けられたことである。
スルーホール15はダイオード1に電流を流すために設
けられている。この実施例に対する最適条件を図1の場
合と同様に求めた結果 Zo=Zstb=47Ω l1=0.22λg l2=0.15λg であることが解った。さらに、図2と同様にl1の変化
に対する反射損失Lrと位相差△φは図4のようにな
り、図2と同等の性能が得られた。
【0014】以上述べた実施例はいずれもマイクロスト
リップ線路で構成した場合について述べたが、本発明は
マイクロストリップ線路に限るものでなく、トリプレー
ト線路で構成しても同等の性能が得られることは言うま
でもない。
【0015】
【発明の効果】以上に説明したごとく、本発明によれば
のダイオード1個による簡単な構造で安価な2相SK回
路を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す概略図である。
【図2】本発明の一実施例の特性を示す線図である。
【図3】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図4】本発明の他の実施例の特性を示す線図である。
【図5】本発明の原理を説明するためのダイオードのイ
ンピーダンスを示すスミスチャート図である。
【図6】本発明の原理を示す概略図である。
【図7】本発明の原理を示す概略図である。
【符号の説明】
1.ダイオード 2.主線路 3.ショートスタブ 4.オープンスタブ 5.スルーホール 6.1/4波長オープンスタプ 15.スルーホール

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】その一端を電気的に接地したダイオードの
    他端に主線路を介してマイクロ波信号を導き、変調信号
    に対応する波形の電流を該ダイオードに印加し、このダ
    イオードのON時のインピーダンスとOFF時のインピ
    ーダンスの差を利用して上記のダイオードから反射され
    る反射波に2相位相変調を行う回路において、接続点か
    ら上記ダイオード側を見たON時のアドミタンスYonと
    OFF時のアドミタンスYoffがYon・Yoff=1なる関
    係を満足する先端接地のショートスタブまたは先端開放
    のオープンスタブを上記主線路に並列に接続したことを
    特徴とする2相位相変調回路。
JP25271392A 1992-09-22 1992-09-22 2相位相変調回路 Pending JPH06104945A (ja)

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JP25271392A JPH06104945A (ja) 1992-09-22 1992-09-22 2相位相変調回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7046957B1 (en) 1999-06-25 2006-05-16 Adrian N Farr Reflecting modulator circuit comprising a negative impedance amplifier

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7046957B1 (en) 1999-06-25 2006-05-16 Adrian N Farr Reflecting modulator circuit comprising a negative impedance amplifier
US7551903B2 (en) 1999-06-25 2009-06-23 Adrian N Farr Reflecting modulator circuit comprising a negative impedance amplifier

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