JPH06104263A - Bump forming tool and bump forming method - Google Patents

Bump forming tool and bump forming method

Info

Publication number
JPH06104263A
JPH06104263A JP4253153A JP25315392A JPH06104263A JP H06104263 A JPH06104263 A JP H06104263A JP 4253153 A JP4253153 A JP 4253153A JP 25315392 A JP25315392 A JP 25315392A JP H06104263 A JPH06104263 A JP H06104263A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
bump
ball
bump forming
tool
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4253153A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Ushijima
彰 牛島
Tetsuo Ando
鉄男 安藤
Koichiro Atsumi
幸一郎 渥美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP4253153A priority Critical patent/JPH06104263A/en
Publication of JPH06104263A publication Critical patent/JPH06104263A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a bump forming tool capable of forming better a bump. CONSTITUTION:In a bump forming tool 10, a wire 2 is inserted into a lower end surface 10b in the vertical direction, and a ball 2a is formed at a tip part of this wire 2 on the lower end surface 10b and abutted against and connected with an electrode pad 5. Afterward, the ball 2a is slided slightly in the lateral direction to twist the wire 2 directly above the ball 2a to cut it off in this part, whereby a bump 12 is formed on the electrode pad 5. Flat parts (a), (b) which are abutted against the upper surface of the ball 2a when the tool is slightly slided in the lateral direction are provided in the lower end surface 10b.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子の電極上
にバンプ(突起電極)を形成するバンプ形成用ツ−ルお
よびバンプ形成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bump forming tool and a bump forming method for forming bumps (projection electrodes) on electrodes of a semiconductor element.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子をフィルムキャリアや回路基
板に実装する場合において、半導体素子の電極パッド上
にバンプ(突起電極)を形成し、このバンプを介して上
記半導体素子の電極パッドと上記フィルムキャリアや回
路基板上に形成された外部電極(リ−ド)とを接続する
ということが行われている。
2. Description of the Related Art In the case of mounting a semiconductor element on a film carrier or a circuit board, bumps (projection electrodes) are formed on the electrode pads of the semiconductor element, and the electrode pads of the semiconductor element and the film carrier are connected via the bumps. The connection with external electrodes (leads) formed on the circuit board or the circuit board is performed.

【0003】このようなバンプを形成する方法として、
金ワイヤを用いて成形する方法がある。この方法は、図
5(a)に1で示すキャピラリを用いる。このキャピラ
リ1内には、金ワイヤ2が挿通されている。また、この
キャピラリ1の上方には、このキャピラリ1と共に移動
し、かつ上記金ワイヤ2をクランプ・アンクランプ可能
なクランプ装置3が設けられている。
As a method of forming such bumps,
There is a method of molding using a gold wire. This method uses the capillary indicated by 1 in FIG. A gold wire 2 is inserted into the capillary 1. A clamp device 3 that moves with the capillary 1 and that can clamp / unclamp the gold wire 2 is provided above the capillary 1.

【0004】上記金ワイヤ2は上記キャピラリ1の下端
から取り出され、半導体素子4の電極パッド5の上方に
対向位置決めされる。そして、この金ワイヤ2の先端に
は、電気ト−チ6によってボ−ル2aが形成される。
The gold wire 2 is taken out from the lower end of the capillary 1 and is positioned above the electrode pad 5 of the semiconductor element 4 so as to face it. At the tip of the gold wire 2, a ball 2a is formed by an electric torch 6.

【0005】ついで、図5(b)に示すように、上記キ
ャピラリ1は下降駆動され、上記ボ−ル2aを上記電極
パッド5に押し付け、このボ−ル2aを上記電極パッド
5に接合する。
Next, as shown in FIG. 5 (b), the capillary 1 is driven downward, the ball 2a is pressed against the electrode pad 5, and the ball 2a is joined to the electrode pad 5.

【0006】次に、図5(c)に示すように、上記キャ
ピラリ1は、上記金ワイヤ2を繰り出しつつ上昇駆動さ
れ僅かにX方向に移動する。そして、図5(d)に示す
ように、再び上記キャピラリ1は下降駆動され、下端面
を上記ボ−ル2aの上面に押し付ける。このことで、こ
のキャピラリ1は、上記ボ−ル2aの直上のワイヤ2に
括れを生じさせる。上記ワイヤ2に括れが形成されたな
らば、上記クランプ装置3は上記ワイヤ2をクランプす
る。
Next, as shown in FIG. 5 (c), the capillary 1 is driven upward while feeding the gold wire 2, and slightly moves in the X direction. Then, as shown in FIG. 5D, the capillary 1 is again driven downward, and the lower end surface is pressed against the upper surface of the ball 2a. As a result, the capillary 1 causes the wire 2 immediately above the ball 2a to be constricted. When the wire 2 has a constriction, the clamp device 3 clamps the wire 2.

【0007】そして、図5(e)に示すように、上記キ
ャピラリ1およびクランプ装置3は上昇駆動され、上記
ワイヤ2を上記括れの部分で切断する。このことによっ
て上記電極パッド5上には、ボ−ルバンプ7が形成され
る。
Then, as shown in FIG. 5 (e), the capillary 1 and the clamp device 3 are driven up, and the wire 2 is cut at the constricted portion. As a result, ball bumps 7 are formed on the electrode pads 5.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のバン
プ形成方法には以下に説明する解決すべき課題があっ
た。
The conventional bump forming method has the following problems to be solved.

【0009】すなわち、上述のバンプ形成方法によれ
ば、図4(a)に示すように上記キャピラリ1の先端部
1a(下端部)が曲面であるため、図5(e)に示すよ
うに、形成されたバンプ7の上面は、平坦にならず傾斜
したものとなる。このため、このバンプ7にインナ−リ
−ドをボンディングする場合には、上記インナリ−ドが
このバンプ7の上面に沿って、横滑りしてずれ落ちると
いうことがある。
That is, according to the above bump forming method, since the tip portion 1a (lower end portion) of the capillary 1 is a curved surface as shown in FIG. 4 (a), as shown in FIG. 5 (e), The upper surface of the formed bump 7 is not flat but inclined. Therefore, when the inner lead is bonded to the bump 7, the inner lead may slip and slide along the upper surface of the bump 7.

【0010】また、図4(b)に示すように、上記バン
プ7の成形間隔が狭くなると、キャピラリ1の先端部が
すでに形成したバンプ7に干渉し、このバンプ7を破損
させるということがある。
Further, as shown in FIG. 4B, when the molding interval of the bumps 7 becomes narrow, the tip of the capillary 1 may interfere with the bumps 7 already formed, and the bumps 7 may be damaged. .

【0011】この発明は、このような事情に鑑みて成さ
れたもので、より良好にバンプを形成することができる
バンプ形成用ツ−ルを提供することを目的とするもので
ある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a bump forming tool capable of forming bumps more favorably.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この発明の第1の手段
は、上下方向にワイヤが挿通され下端面でこのワイヤの
先端部に形成されたボ−ルを電極パッドに押し付けて接
合した後、横方向に僅かにずれることで、上記ボ−ルの
直上のワイヤに括れを生じさせ、この部分で上記ワイヤ
を切断することで上記電極パッド上にバンプを形成する
バンプ形成用ツ−ルであって上記下端面に横方向に僅か
にずれたときに、上記ボ−ルの上面に当接する平坦部を
設けたことを特徴とするものである。
According to a first means of the present invention, a wire is inserted in the vertical direction and a ball formed at the lower end surface of the tip of the wire is pressed against an electrode pad to join the wire. It is a bump forming tool for forming a bump on the electrode pad by cutting the wire right above the ball by slightly shifting in the lateral direction and cutting the wire at this portion. The lower end surface is provided with a flat portion that comes into contact with the upper surface of the ball when slightly displaced in the lateral direction.

【0013】第2の手段は、上記第1の手段のバンプ形
成用ツ−ルにおいて、上記下端面の一部に、このツ−ル
の下端部がすでに形成されたバンプに干渉しないように
逃げ部を設けたことを特徴とするものである。
A second means is, in the bump forming tool of the first means, a part of the lower end surface is escaped so that the lower end portion of the tool does not interfere with the already formed bumps. It is characterized in that a section is provided.

【0014】第3の手段は、ワイヤが挿通されたバンプ
形成用ツ−ルの下端面で、このワイヤの先端部に形成さ
れたボ−ルを半導体素子の電極パッドの接合面に押し付
け接合する第1の工程と、このバンプ形成用ツ−ルを上
記接合面の面方向に僅かにずらすことで、上記バンプ形
成用ツ−ルの下端面に形成された平坦部で上記ボ−ルの
上面を略平坦にすると共に上記ボ−ルの直上のワイヤに
括れを生じさせこの部分で上記ワイヤを切断する第2の
工程とを具備することを特徴とするものである。
A third means is a lower end surface of a bump forming tool in which a wire is inserted, and a ball formed at a tip portion of the wire is pressed and bonded to a bonding surface of an electrode pad of a semiconductor element. In the first step, the bump forming tool is slightly displaced in the surface direction of the bonding surface so that the flat surface formed on the lower end surface of the bump forming tool forms the upper surface of the ball. The second step of making the wire substantially flat and constricting the wire immediately above the ball and cutting the wire at this portion.

【0015】第4の手段は、上記第3の手段のバンプ形
成方法において、上記バンプ形成用ツ−ルの下端面に設
けられた逃げ部を用いて、すでに形成されたバンプを避
けながら、順次バンプを形成することを特徴とするもの
である。
A fourth means is, in the bump forming method of the third means, sequentially using the relief portions provided on the lower end surfaces of the bump forming tools while avoiding the bumps already formed. It is characterized in that bumps are formed.

【0016】[0016]

【作用】第1の手段および第3の手段によれば、平坦部
をバンプの上面に当接させてバンプの上面の形状を略平
坦に成形することができる。
According to the first means and the third means, the shape of the upper surface of the bump can be made substantially flat by bringing the flat portion into contact with the upper surface of the bump.

【0017】第2の手段および第4の手段によれば、ツ
−ルの下端部がすでに形成されたバンプに干渉すること
が少なくなる。
According to the second means and the fourth means, the lower end portion of the tool is less likely to interfere with the bumps already formed.

【0018】[0018]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。なお、従来例で説明した構成要素と同一の構
成要素には同一符号を付してその説明は省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same components as those described in the conventional example are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0019】この発明のバンプ形成用ツ−ル10(以下
「ツ−ル」と略す。)は、図1(a)に示すように、先
端部(下端部)に向かって次第に細くなる形状に形成さ
れ、かつこのキャピラリ10の中央部には、金ワイヤ2
が上下方向に挿通される貫通孔10aが上下方向に形成
されている。
The bump forming tool 10 (hereinafter abbreviated as "tool") of the present invention has a shape that gradually becomes thinner toward the tip (lower end) as shown in FIG. 1 (a). The gold wire 2 is formed in the center of the capillary 10.
A through hole 10a is formed in the up-down direction, through which is inserted in the up-down direction.

【0020】そしてこのツ−ル10の先端部には、この
先端部がすでに形成されたバンプに干渉しないための逃
げ部としての段差9が設けられ、先端面10bは中心角
45°の略扇形状になるよう形成されている。また、こ
の先端面10bは、略平坦になるように成形されてい
る。
The tip of the tool 10 is provided with a step 9 as an escape portion for preventing the tip from interfering with the bumps already formed, and the tip surface 10b is a fan having a central angle of 45 °. It is formed to have a shape. The tip surface 10b is formed to be substantially flat.

【0021】また、このツ−ル10の上端部は、図示し
ない超音波ホ−ンによって保持されている。そして、ボ
ンディング時にはこの超音波ホ−ンによって、先端部を
超音波域で振動させ、上記先端面10bに超音波エネル
ギを発生させるようになっている。
The upper end of the tool 10 is held by an ultrasonic horn (not shown). At the time of bonding, the ultrasonic horn vibrates the tip portion in the ultrasonic range to generate ultrasonic energy on the tip surface 10b.

【0022】一方、図3(a)に示すように、このツ−
ル10の上方には、このツ−ル10と共に移動し、かつ
上記ワイヤ2をクランプ・アンクランプ可能なクランプ
装置11が設けられている。
On the other hand, as shown in FIG.
Above the tool 10, there is provided a clamp device 11 that moves with the tool 10 and can clamp / unclamp the wire 2.

【0023】次に、このツ−ル10を用いてバンプを形
成する場合の動作について説明する。2図中4は半導体
素子であり、この半導体素子4の4辺の上面には、所定
間隔で電極パッド5…が形成されている。これら各電極
パッド5…上に、上記ツ−ル10を用いて図に矢印で示
すXおよびY方向に沿ってバンプ12…(図1(b)に
示す)を順次形成するものとする。以下、Y方向にバン
プ12を形成していく場合について、図1〜図3を参照
して説明する。
Next, the operation of forming a bump using the tool 10 will be described. Reference numeral 4 in FIG. 2 denotes a semiconductor element, and electrode pads 5 ... Are formed at predetermined intervals on the upper surface of the four sides of the semiconductor element 4. It is assumed that bumps 12 (shown in FIG. 1B) are sequentially formed on each of the electrode pads 5 by using the tool 10 along the X and Y directions indicated by arrows in the drawing. Hereinafter, the case of forming the bumps 12 in the Y direction will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

【0024】図3(a)に示すように、上記ツ−ル10
が上記電極パッド5に対向位置決めされると、上記ワイ
ヤ2の先端部には電気ト−チ6によりボ−ル2aが形成
される。ついで、図3(b)に示すように、上記ツ−ル
10は下降駆動され、上記ボ−ル2aを上記半導体素子
4の電極パッド5上に押し付け、これを接合する。
As shown in FIG. 3 (a), the tool 10 described above is used.
Is positioned opposite to the electrode pad 5, a ball 2a is formed at the tip of the wire 2 by an electric torch 6. Then, as shown in FIG. 3 (b), the tool 10 is driven downward, and the ball 2a is pressed onto the electrode pad 5 of the semiconductor element 4 to join them.

【0025】ついで、図3(c)に示すように、上記ツ
−ル10はワイヤ2を繰り出しつつ上昇駆動されると共
に、−X方向に僅かに駆動された後、図3(d)に示す
ように再び下降駆動される。このことで上記ツ−ル10
は、下端面10aで上記ボ−ル2a上面を押さえ付ける
と共に、上記ボ−ルの直上のワイヤに括れを形成する。
なお、このとき上記ツ−ル10の下端面10bの図1
(a)に(イ)で示す平坦部で上記ボ−ル2aを押さえ
付けることとなる。
Then, as shown in FIG. 3 (c), the tool 10 is driven upward while feeding out the wire 2 and slightly driven in the -X direction, and then shown in FIG. 3 (d). Is driven downward again. This makes the tool 10
Presses the upper surface of the ball 2a with the lower end surface 10a and forms a constriction in the wire immediately above the ball.
At this time, the lower end surface 10b of the tool 10 shown in FIG.
The ball 2a is pressed by the flat part shown in (a) to (a).

【0026】ついで、上記クランプ装置11は、上記ワ
イヤ2をクランプする。そして、図3(e)に示すよう
に、上記ツ−ル10および上記クランプ装置11が上昇
駆動されることで、上記ワイヤ2は括れの部分で破断
し、引き上げられる。このことで、上記半導体素子4の
電極パッド5上には、バンプ12が形成される。
Next, the clamp device 11 clamps the wire 2. Then, as shown in FIG. 3 (e), when the tool 10 and the clamp device 11 are driven to rise, the wire 2 is broken at the constricted portion and pulled up. As a result, the bump 12 is formed on the electrode pad 5 of the semiconductor element 4.

【0027】このようにして、上記ツ−ル10は、一つ
の電極パッド5について、上下移動および−X方向への
移動を繰り返しつつ、Y方向に並ぶ各電極パッド5…に
順次バンプ12を形成していく。
In this way, the tool 10 repeats the vertical movement and the movement in the -X direction for one electrode pad 5, and sequentially forms the bumps 12 on the electrode pads 5 arranged in the Y direction. I will do it.

【0028】また、同様に、X方向に並ぶ各電極パッド
5についても、上記ツ−ル10は、上下移動およびY方
向への移動を繰り返して、順次バンプ12を形成する。
なお、この場合、上記ボ−ル2aの上面を押圧するため
に、上記ツ−ル10の下端面10bの図1(a)に
(ロ)で示す平坦部を用いる。
Similarly, for each of the electrode pads 5 arranged in the X direction, the tool 10 is repeatedly moved up and down and moved in the Y direction to sequentially form bumps 12.
In this case, in order to press the upper surface of the ball 2a, the flat portion of the lower end surface 10b of the tool 10 shown in (b) of FIG. 1 (a) is used.

【0029】このような構成によれば、まず、第1に、
ツ−ル10の下端面を略平坦にしたため、このツ−ル1
0によって形成するバンプ12の上面の形状を略平坦に
成形することができる。このことにより、ボンディング
時にリ−ドが横ずれするということが有効に防止される
から、より良好なバンプ形成を行うことが可能になる。
According to this structure, first of all,
Since the lower end surface of the tool 10 is made substantially flat, this tool 1
The shape of the upper surface of the bump 12 formed by 0 can be formed to be substantially flat. As a result, lateral displacement of the lead during bonding can be effectively prevented, and better bump formation can be performed.

【0030】第2に、ツ−ル10の先端部に、すでに形
成したバンプ12に干渉しないよう、逃げ部としての段
差9を設けたので、すでに形成したバンプ12を破壊す
ることが少なくなる。このことにより、狭ピッチでバン
プ12…を形成する場合でも良質なバンプを形成するこ
とができる。
Second, since the step 9 is provided at the tip of the tool 10 as an escape portion so as not to interfere with the bump 12 already formed, the already formed bump 12 is less likely to be broken. As a result, high-quality bumps can be formed even when the bumps 12 are formed with a narrow pitch.

【0031】なお、この発明は、上記一実施例に限定さ
れるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々
変形可能である。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but can be variously modified without departing from the spirit of the invention.

【0032】例えば、上記一実施例では、上記ツ−ル1
0の下端面の形状は扇形状としたが、これに限定される
ものではない。下端面のうち、バンプを電極パッドに接
合するために用いる上記挿通孔の周辺部と、図に示す
(イ)および(ロ)の平坦部が確保できれば外形はどの
ような形状であっても良い。また、上記平坦部(イ)、
(ロ)は少なくともワイヤ2の外径以上の径を有すれば
良い。
For example, in the above embodiment, the tool 1 is
Although the shape of the lower end surface of 0 is a fan shape, the shape is not limited to this. Of the lower end surface, the outer shape may be any shape as long as the peripheral portion of the insertion hole used for bonding the bump to the electrode pad and the flat portions (a) and (b) shown in the figure can be secured. . In addition, the flat portion (a),
It is sufficient that (b) has a diameter that is at least larger than the outer diameter of the wire 2.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上述べたように、この発明の第1の構
成は、上下方向にワイヤが挿通され下端面でこのワイヤ
の先端部に形成されたボ−ルを電極パッドに押し付けて
接合した後、横方向に僅かにずれることで、上記ボ−ル
の直上のワイヤに括れを生じさせ、この部分で上記ワイ
ヤを切断することで上記電極パッド上にバンプを形成す
るバンプ形成用ツ−ルであって、上記下端面に、上記ツ
−ルが横方向に僅かにずれたときに上記ボ−ルの上面に
当接する平坦部を設けたことを特徴とするものである。
As described above, in the first structure of the present invention, the wire is inserted in the vertical direction, and the ball formed at the lower end surface of the tip of the wire is pressed against the electrode pad to be joined. After that, a slight lateral displacement causes the wire directly above the ball to be constricted, and the wire is cut at this portion to form a bump on the electrode pad. The lower end surface is provided with a flat portion that comes into contact with the upper surface of the ball when the tool is slightly displaced laterally.

【0034】第1の構成によれば、上記平坦部を用いる
ことによって、形成するバンプの上面を略平坦にするこ
とができるので、このバンプの上面にボンディングされ
るリ−ドの横ずれが有効に防止でき、より良好なバンプ
形成を行うことができる。
According to the first structure, by using the flat portion, the upper surface of the bump to be formed can be made substantially flat, so that the lateral displacement of the lead bonded to the upper surface of the bump is effective. It is possible to prevent the bumps from being formed, and the bumps can be formed more favorably.

【0035】第2の構成は、上記第1の構成のバンプ形
成用ツ−ルにおいて、上記下端面の一部に、このツ−ル
の下端部がすでに形成されたバンプに干渉しないように
逃げ部を設けたことを特徴とするものである。
The second structure is such that, in the bump forming tool of the first structure, a part of the lower end surface is escaped so that the lower end portion of the tool does not interfere with the already formed bumps. It is characterized in that a section is provided.

【0036】第2の構成によれば、すでに形成したバン
プを破壊することが少なくなるので、狭ピッチでバンプ
を形成する場合でも良質なバンプを形成することができ
る。
According to the second structure, the bumps already formed are less likely to be destroyed, so that high quality bumps can be formed even when the bumps are formed with a narrow pitch.

【0037】第3の構成は、ワイヤが挿通されたバンプ
形成用ツ−ルの下端面で、このワイヤの先端部に形成さ
れたボ−ルを半導体素子の電極パッドの接合面に押し付
け接合する第1の工程と、このバンプ形成用ツ−ルを上
記接合面の面方向に僅かにずらすことで、上記バンプ形
成用ツ−ルの下端面に形成された平坦部で上記ボ−ルの
上面を略平坦にすると共に上記ボ−ルの直上のワイヤに
括れを生じさせこの部分で上記ワイヤを切断する第2の
工程とを具備するものである。
In the third structure, the lower end surface of the bump forming tool in which the wire is inserted, the ball formed at the tip end of the wire is pressed and bonded to the bonding surface of the electrode pad of the semiconductor element. In the first step, the bump forming tool is slightly displaced in the surface direction of the bonding surface so that the flat surface formed on the lower end surface of the bump forming tool forms the upper surface of the ball. The second step of making the wire substantially flat and constricting the wire immediately above the ball and cutting the wire at this portion.

【0038】第3の構成によれば、形成するバンプの上
面を略平坦にすることができるので、このバンプの上面
にボンディングされるリ−ドの横ずれが有効に防止で
き、より良好なバンプ形成を行うことができる。
According to the third structure, since the upper surface of the bump to be formed can be made substantially flat, lateral displacement of the lead bonded to the upper surface of the bump can be effectively prevented, and a better bump can be formed. It can be performed.

【0039】第4の手段は、上記第3の手段のバンプ形
成方法において、上記バンプ形成用ツ−ルの下端面に設
けられた逃げ部を用いて、すでに形成されたバンプを避
けながら、順次バンプを形成することを特徴とするもの
である。
The fourth means is, in the bump forming method of the third means, sequentially using the relief portions provided on the lower end surfaces of the bump forming tools while avoiding the bumps already formed. It is characterized in that bumps are formed.

【0040】第4の構成によれば、すでに形成したバン
プを破壊することが少なくなるので、上記バンプを狭ピ
ッチで順次形成してゆく場合でも良質なバンプを形成す
ることができる。
According to the fourth structure, the bumps already formed are less likely to be destroyed, so that high quality bumps can be formed even when the bumps are successively formed at a narrow pitch.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)は、この発明の一実施例を示す縦断面図
および下面図、(b)は、同じくバンプ形成を示す縦断
面図。
FIG. 1A is a vertical cross-sectional view and a bottom view showing an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a vertical cross-sectional view showing the same bump formation.

【図2】同じく、半導体素子を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing a semiconductor element.

【図3】(a)〜(e)は、同じく、バンプ形成を示す
工程図。
FIG. 3A to FIG. 3E are process diagrams similarly showing bump formation.

【図4】(a)は、従来例を示す縦断面図および下面
図、(b)は、同じくバンプ形成を示す縦断面図。
FIG. 4A is a vertical cross-sectional view and a bottom view showing a conventional example, and FIG. 4B is a vertical cross-sectional view showing the same bump formation.

【図5】(a)〜(e)は、同じく、バンプ形成を示す
工程図。
FIG. 5A to FIG. 5E are process diagrams showing the bump formation similarly.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…ワイヤ、2a…ボ−ル、4…半導体素子、5…電極
パッド、10…バンプ形成用ツ−ル、9…段差部(逃げ
部)、10b…先端面(下端面)、(イ)…平坦部、
(ロ)…平坦部。
2 ... Wire, 2a ... Ball, 4 ... Semiconductor element, 5 ... Electrode pad, 10 ... Bump forming tool, 9 ... Stepped portion (escaping portion), 10b ... Tip surface (lower end surface), (A) … Flat part,
(B) ... Flat part.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ワイヤが挿通され、下端面でこのワイヤ
の先端部に形成されたボ−ルを半導体素子の電極パッド
の接合面に押し付けて接合したあと、接合面の面方向に
僅かにずらすことで、上記ボ−ルの直上のワイヤに括れ
を生じさせ、この部分で上記ワイヤを切断することで上
記電極パッド上にバンプを形成するバンプ形成用ツ−ル
であって、上記下端面に、上記ツ−ルが接合面の面方向
に僅かにずれたときに上記ボ−ルの上面に当接する平坦
部を設けたことを特徴とするバンプ形成用ツ−ル。
1. A wire is inserted, and a ball formed at the lower end face of the wire at the tip thereof is pressed against the bonding surface of the electrode pad of the semiconductor element to bond it, and then slightly displaced in the surface direction of the bonding surface. This is a bump forming tool for forming a bump on the electrode pad by causing a constriction in the wire directly above the ball and cutting the wire at this portion. A bump forming tool, characterized in that a flat portion is provided so as to come into contact with the upper surface of the ball when the tool is slightly displaced in the surface direction of the bonding surface.
【請求項2】 請求項1記載のバンプ形成用ツ−ルにお
いて、上記下端面に、すでに形成されたバンプに干渉し
ないよう逃げ部を設けたことを特徴とするバンプ形成用
ツ−ル
2. The bump forming tool according to claim 1, wherein a relief portion is provided on the lower end surface so as not to interfere with an already formed bump.
【請求項3】 ワイヤが挿通されたバンプ形成用ツ−ル
の下端面で、このワイヤの先端部に形成されたボ−ルを
半導体素子の電極パッドの接合面に押し付け接合する第
1の工程と、このバンプ形成用ツ−ルを上記接合面の面
方向に僅かにずらすことで、上記バンプ形成用ツ−ルの
下端面に形成された平坦部で上記ボ−ルの上面を略平坦
にすると共に上記ボ−ルの直上のワイヤに括れを生じさ
せこの部分で上記ワイヤを切断する第2の工程とを具備
することを特徴とするバンプ形成方法。
3. A first step of pressing and bonding a ball formed at the tip of the wire at the lower end surface of the bump forming tool having the wire inserted therethrough to the bonding surface of the electrode pad of the semiconductor element. By slightly shifting the bump forming tool in the surface direction of the bonding surface, the upper surface of the ball is made substantially flat by the flat portion formed on the lower end surface of the bump forming tool. And a second step of causing the wire just above the ball to be constricted and cutting the wire at this portion.
【請求項4】 請求項3記載のバンプ形成方法におい
て、上記バンプ形成用ツ−ルの下端面に設けられた逃げ
部を用いて、すでに形成されたバンプを避けながら、順
次バンプを形成することを特徴とするバンプ形成方法。
4. The bump forming method according to claim 3, wherein bumps are sequentially formed while avoiding bumps already formed by using a relief portion provided on a lower end surface of the bump forming tool. And a bump forming method.
JP4253153A 1992-09-22 1992-09-22 Bump forming tool and bump forming method Pending JPH06104263A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4253153A JPH06104263A (en) 1992-09-22 1992-09-22 Bump forming tool and bump forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4253153A JPH06104263A (en) 1992-09-22 1992-09-22 Bump forming tool and bump forming method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06104263A true JPH06104263A (en) 1994-04-15

Family

ID=17247267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4253153A Pending JPH06104263A (en) 1992-09-22 1992-09-22 Bump forming tool and bump forming method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06104263A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6260753B1 (en) * 1998-08-07 2001-07-17 Stmicroelectronics S.R.L. Gold bumps bonding on connection pads and subsequent coining of their vertex

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6260753B1 (en) * 1998-08-07 2001-07-17 Stmicroelectronics S.R.L. Gold bumps bonding on connection pads and subsequent coining of their vertex

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10275827A (en) Lead frame for facedown bonding
JP2004221257A (en) Wire bonding method and device thereof
JP2004088005A (en) Capillary for wire bonding and wire-bonding method using same
JPH06104263A (en) Bump forming tool and bump forming method
JP2000195894A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH0794556A (en) Wire bonding method
JPH11214451A (en) Semiconductor device, and apparatus and manufacture thereof
JP3100710B2 (en) Bonding tool and bonding method
JPH0697350A (en) Lead frame
JP3202193B2 (en) Wire bonding method
JPH06333988A (en) Bonding tool and bonding method
JPH0512855B2 (en)
JP3372313B2 (en) Wire bonding equipment
JPH07263477A (en) Capillary for connecting coated bonding fine wire
JPH02163951A (en) Capillary tip and wire bonding of semiconductor device
JP2846095B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JPH06232132A (en) Bump forming device
JPH10199913A (en) Wire-bonding method
JP2002313834A (en) Bonding stage, wire bonder and method for mounting circuit board mounting unit
JPH01286450A (en) Bump forming method
JPH03233946A (en) Wire bonding method
JPH06260525A (en) Wire bonding device
JPH11288960A (en) Wire-bonding connection and tool for bonding surface removal removal
JP3987164B2 (en) Method for forming protruding electrodes on IC PAD
JPH09148358A (en) Chip-protective capillary for wire bonding