JPH06103776B2 - 光増幅装置 - Google Patents
光増幅装置Info
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- JPH06103776B2 JPH06103776B2 JP26084087A JP26084087A JPH06103776B2 JP H06103776 B2 JPH06103776 B2 JP H06103776B2 JP 26084087 A JP26084087 A JP 26084087A JP 26084087 A JP26084087 A JP 26084087A JP H06103776 B2 JPH06103776 B2 JP H06103776B2
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- optical amplifier
- polarization
- optical
- gain
- light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5009—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement being polarisation-insensitive
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光増幅装置に関し、特に光通信，光交換等の分
野で使用する半導体レーザ型光増幅器を用いた光増幅装
置に関する。
野で使用する半導体レーザ型光増幅器を用いた光増幅装
置に関する。
従来、光増幅器は光通信の長距離化，大容量化，光交換
システムの大規模化等の目的のために不可欠なデバイス
である。かかる光増幅器としては、光ファイバ内の非線
形散乱を利用したものも可能であるが、小型，高効率，
他の半導体光デバイスと集積化可能性等の利点から半導
体レーザ（LD）型が用いられている。このLD型光増幅器
は内部利得として20〜30dB,入出力端に光ファイバを接
続した状態での光ファイバ間利得でも20dB程度の値が得
られている。また、近年端面への無反射（AR）コート技
術の進歩により、飽和光出力，利得波長帯域も大幅に拡
大され、実用に近いデバイスとなっている。
システムの大規模化等の目的のために不可欠なデバイス
である。かかる光増幅器としては、光ファイバ内の非線
形散乱を利用したものも可能であるが、小型，高効率，
他の半導体光デバイスと集積化可能性等の利点から半導
体レーザ（LD）型が用いられている。このLD型光増幅器
は内部利得として20〜30dB,入出力端に光ファイバを接
続した状態での光ファイバ間利得でも20dB程度の値が得
られている。また、近年端面への無反射（AR）コート技
術の進歩により、飽和光出力，利得波長帯域も大幅に拡
大され、実用に近いデバイスとなっている。
しかしながら、従来のLD光増幅器ではその特性が入射光
の偏光状態に大きく依存するという問題がある。すなわ
ち、通常の使用状態における長距離単一モード光ファイ
バ（SMF）では、入射光の偏光状態が保存されず、しか
も外部の温度や圧力等により伝搬光の偏光状態は大きく
変化する。従って、LD光増幅器をSMFの途中に挿入する
場合には、何らかの偏光制御手段を併用しないと、出力
光強度が大きく変動してしまう。
の偏光状態に大きく依存するという問題がある。すなわ
ち、通常の使用状態における長距離単一モード光ファイ
バ（SMF）では、入射光の偏光状態が保存されず、しか
も外部の温度や圧力等により伝搬光の偏光状態は大きく
変化する。従って、LD光増幅器をSMFの途中に挿入する
場合には、何らかの偏光制御手段を併用しないと、出力
光強度が大きく変動してしまう。
かかるLD光増幅器の特性が入射偏光依存性を有する原因
としては、次の３つが考えられる。
としては、次の３つが考えられる。
（１）利得自体の偏光依存性 （２）活性層への閉じ込め係数の偏光による違い （３）端面反射率の偏光依存性 通常の二重ヘテロ構造のLD光増幅器において、（１）の
ような利得自体には偏光依存性は生じない。また、原理
的には活性層の導波構造の等方化，端面反射率の低減に
より、（２），（３）の問題を解決可能である。しかし
ながら、かかる問題は、例えば1986年７月東京で開催さ
れた第１回オプト・エレクトロニクス・コンファレンス
（First Opto-electronics Conference）における「ポ
スト−デッドライン・ペーパズ・テクニカル・ダイジェ
スト」（Post Deadline Papers Technical Digest）B11
-2,12-13頁にも記載されており、この掲載論文によれ
ば、導波路構造を等方化した埋込みヘテロ構造のLDの両
端面に、反射率Ｒ＝0.04％という極めて良質なARコート
を施した進行波型LD光増幅器に於ても、水平偏波（TE）
および垂直偏波（TM）の両偏光の間で最大10dB以上の利
得差が観測されている。
ような利得自体には偏光依存性は生じない。また、原理
的には活性層の導波構造の等方化，端面反射率の低減に
より、（２），（３）の問題を解決可能である。しかし
ながら、かかる問題は、例えば1986年７月東京で開催さ
れた第１回オプト・エレクトロニクス・コンファレンス
（First Opto-electronics Conference）における「ポ
スト−デッドライン・ペーパズ・テクニカル・ダイジェ
スト」（Post Deadline Papers Technical Digest）B11
-2,12-13頁にも記載されており、この掲載論文によれ
ば、導波路構造を等方化した埋込みヘテロ構造のLDの両
端面に、反射率Ｒ＝0.04％という極めて良質なARコート
を施した進行波型LD光増幅器に於ても、水平偏波（TE）
および垂直偏波（TM）の両偏光の間で最大10dB以上の利
得差が観測されている。
第３図は上述した通常の進行波型LD光増幅器のTE,TM両
偏光に対する利得特性図である。
偏光に対する利得特性図である。
第３図に示すように、従来のLD光増幅器の信号利得はTE
がTMよりも最大で10dB以上も高くなっている。
がTMよりも最大で10dB以上も高くなっている。
すなわち、導波路構造の等方化，端面反射率の低減だけ
ではLD光増幅器の特性の偏光依存性を低減することは困
難である。
ではLD光増幅器の特性の偏光依存性を低減することは困
難である。
この問題を解決するための一つの方法は、偏光制御器を
組合せて用いることである。しかしながら、半導体材料
では小型，低電圧（低電流）の偏光制御器を実現するこ
とが難しいのでモノリシック集積化は困難になり、した
がって複雑な最適制御系を用いなければならないという
問題がある。
組合せて用いることである。しかしながら、半導体材料
では小型，低電圧（低電流）の偏光制御器を実現するこ
とが難しいのでモノリシック集積化は困難になり、した
がって複雑な最適制御系を用いなければならないという
問題がある。
本発明の目的は、このような問題点を除き、半導体材料
でモノリシックに構成でき、複雑な制御系を必要とせず
に且つ特性の入射偏光依存性のない光増幅装置を提供す
ることにある。
でモノリシックに構成でき、複雑な制御系を必要とせず
に且つ特性の入射偏光依存性のない光増幅装置を提供す
ることにある。
本発明の光増幅装置は、半導体レーザの利得機構を利用
した半導体レーザ光増幅器と、前記半導体レーザ光増幅
器への入力光の偏光状態を水平偏波，垂直偏波の各々半
分の状態に固定するために増幅すべき信号の速度に比べ
て充分高い速度で回転させる手段とを含んで構成され
る。
した半導体レーザ光増幅器と、前記半導体レーザ光増幅
器への入力光の偏光状態を水平偏波，垂直偏波の各々半
分の状態に固定するために増幅すべき信号の速度に比べ
て充分高い速度で回転させる手段とを含んで構成され
る。
第３図に示すように、通常の進行波型LD光増幅器のTE,T
M両偏光に対する信号利得は、一般にTEモードの方がTM
モードよりも活性層内への光の閉じ込め係数が高いため
利得も高い。そこで、LD光増幅器のかかる利得の入射偏
光依存性が問題になるのは、先にも述べたように、通常
のSMF内伝搬光の偏光状態が外部条件により時間的に変
動する可能性があり、それが出力光の強度変動となるた
めである。第３図からもわかるように、TM偏光に対して
も可成り大きな利得が得られる。従って、入力光の偏光
状態が必ずしも最大利得を与える偏光状態（この場合T
E）に一致していなくても、時間的に変動さえしなけれ
ば出力光強度の変動は生じず、実用上大きな問題は生じ
ない。
M両偏光に対する信号利得は、一般にTEモードの方がTM
モードよりも活性層内への光の閉じ込め係数が高いため
利得も高い。そこで、LD光増幅器のかかる利得の入射偏
光依存性が問題になるのは、先にも述べたように、通常
のSMF内伝搬光の偏光状態が外部条件により時間的に変
動する可能性があり、それが出力光の強度変動となるた
めである。第３図からもわかるように、TM偏光に対して
も可成り大きな利得が得られる。従って、入力光の偏光
状態が必ずしも最大利得を与える偏光状態（この場合T
E）に一致していなくても、時間的に変動さえしなけれ
ば出力光強度の変動は生じず、実用上大きな問題は生じ
ない。
本発明の光増幅装置は、この事実を利用し、LD光増幅器
への入力光の偏光状態をTE,TM半々の状態に固定するも
のである。このTE,TM成分がそれぞれ1/2ずつという偏光
状態は、入力信号の信号速度に対して充分速い速度で且
つLD光増幅器の入力信号の偏光状態を強制的に変動させ
ることにより得ることができる。しかも、本発明の光増
幅装置は通常の偏光制御器で必要な複雑な帰還制御系は
不要である。すなわち、このような偏光状態を変化させ
る手段は半導体材料を用いて容易に作ることができるた
め、LD光増幅器とのモノリシック化も可能になる。従っ
て、入力光の偏光状態をTE,TM成分がそれぞれ1/2ずつに
することにより、LD光増幅器において得られる利得は両
偏光状態に対する利得の平均値となるが、それでも充分
高い値が得られる。
への入力光の偏光状態をTE,TM半々の状態に固定するも
のである。このTE,TM成分がそれぞれ1/2ずつという偏光
状態は、入力信号の信号速度に対して充分速い速度で且
つLD光増幅器の入力信号の偏光状態を強制的に変動させ
ることにより得ることができる。しかも、本発明の光増
幅装置は通常の偏光制御器で必要な複雑な帰還制御系は
不要である。すなわち、このような偏光状態を変化させ
る手段は半導体材料を用いて容易に作ることができるた
め、LD光増幅器とのモノリシック化も可能になる。従っ
て、入力光の偏光状態をTE,TM成分がそれぞれ1/2ずつに
することにより、LD光増幅器において得られる利得は両
偏光状態に対する利得の平均値となるが、それでも充分
高い値が得られる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を説明するための光増幅装置
の正面図である。
の正面図である。
第１図に示すように、単一モード光ファイバ（SMF）1a
から伝送された信号光２は結合手段（図示省略）により
偏光回転器３の導波路５に結合される。この偏光回転器
３は駆動信号に応じて偏光方向が回転するものである
が、この部分の詳細は後に説明する。偏光回転器３の出
力光はLD光増幅器４の導波路５へ結合され、このLD光増
幅器４を直流駆動することにより入力信号光２は増幅さ
れる。この増幅された信号光２は再び結合手段によりSM
F1bに結合され伝送される。ここで、伝送されている信
号速度（ここでは140Mb/S）に対し充分速い速度（ここ
では1GHz）で偏光回転器３を駆動すれば、LD光増幅器４
への入力光の偏光状態は平均的にはTEとTM成分とをそれ
ぞれ半分ずつ有するものになる。この状態はSMF1a内で
の伝送状態が外乱により変化しても影響を受けることは
ない。従って、外乱による出力光強度の変動なしに安定
な光増幅が可能になる。
から伝送された信号光２は結合手段（図示省略）により
偏光回転器３の導波路５に結合される。この偏光回転器
３は駆動信号に応じて偏光方向が回転するものである
が、この部分の詳細は後に説明する。偏光回転器３の出
力光はLD光増幅器４の導波路５へ結合され、このLD光増
幅器４を直流駆動することにより入力信号光２は増幅さ
れる。この増幅された信号光２は再び結合手段によりSM
F1bに結合され伝送される。ここで、伝送されている信
号速度（ここでは140Mb/S）に対し充分速い速度（ここ
では1GHz）で偏光回転器３を駆動すれば、LD光増幅器４
への入力光の偏光状態は平均的にはTEとTM成分とをそれ
ぞれ半分ずつ有するものになる。この状態はSMF1a内で
の伝送状態が外乱により変化しても影響を受けることは
ない。従って、外乱による出力光強度の変動なしに安定
な光増幅が可能になる。
次に、偏光回転器３について詳しく述べる。
第２図は第１図に示す偏光回転器の断面図である。尚、
ここでは原理を中心に説明するのでInGaAsP系半導体で
最も簡単なプレーナ構造を用いて説明する。
ここでは原理を中心に説明するのでInGaAsP系半導体で
最も簡単なプレーナ構造を用いて説明する。
第２図に示すように、かかる偏光回転器３は、n+-（11
0）InP基板21上にn+-InPクラッド層22,i-InGaAsP導波層
23,p-InPクラッド層24,p-InGaAsPキャップ層25を成長さ
せたウェーハを用いて製作される。次に、ｎおよびｐ側
にそれぞれオーム性電極26a,26bを形成し、しかる後へ
き開により形成した端面に反射防止のためのARコート膜
27a,27bを成膜する。
0）InP基板21上にn+-InPクラッド層22,i-InGaAsP導波層
23,p-InPクラッド層24,p-InGaAsPキャップ層25を成長さ
せたウェーハを用いて製作される。次に、ｎおよびｐ側
にそれぞれオーム性電極26a,26bを形成し、しかる後へ
き開により形成した端面に反射防止のためのARコート膜
27a,27bを成膜する。
本構造はp-i-nダイオード構造になっており、電極26a,2
6b間に逆バイアス電圧を印加することにより導波層23に
電界が加わり電気光学効果が働く。かかる電気光学効果
のうち（110）面への垂直な方向の電界の印加による電
気光学効果については、例えば雑誌「ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジクス（Journal of Applied Physi
cs）」，第47巻（1976年刊行）2069-2078頁に掲載の論
文に詳しく論じられている。また、〈110〉方向の電界
によりInP,GaAsのような結晶点群（3m）に属する結晶
では位相変調ではなく偏光回転が生じる。この効果は
（3m）結晶の電気光学効果のうち最も高効率であるこ
とが知られており、GaAs系の2.2mm長の素子でTE→TM変
換電圧5V以下という値が報告されている。
6b間に逆バイアス電圧を印加することにより導波層23に
電界が加わり電気光学効果が働く。かかる電気光学効果
のうち（110）面への垂直な方向の電界の印加による電
気光学効果については、例えば雑誌「ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジクス（Journal of Applied Physi
cs）」，第47巻（1976年刊行）2069-2078頁に掲載の論
文に詳しく論じられている。また、〈110〉方向の電界
によりInP,GaAsのような結晶点群（3m）に属する結晶
では位相変調ではなく偏光回転が生じる。この効果は
（3m）結晶の電気光学効果のうち最も高効率であるこ
とが知られており、GaAs系の2.2mm長の素子でTE→TM変
換電圧5V以下という値が報告されている。
しかも、本構造は逆バイアス状態で使用するため素子応
答速度はキャリア寿命に制限されることなく、素子の容
量Ｃと直列抵抗Ｒによって決まるCR時定数により決定さ
れる。従って、素子構造により容易にGHz以上の応答帯
域を得ることが可能であり、それ故伝送される信号速度
に比し充分高速にLD光増幅器への入力光の偏光を回転さ
せることができる。
答速度はキャリア寿命に制限されることなく、素子の容
量Ｃと直列抵抗Ｒによって決まるCR時定数により決定さ
れる。従って、素子構造により容易にGHz以上の応答帯
域を得ることが可能であり、それ故伝送される信号速度
に比し充分高速にLD光増幅器への入力光の偏光を回転さ
せることができる。
尚、上記素子構造はここでは簡単のために水平横モード
制御構造のないプレーナ構造で説明したが、その他のリ
ブ型，埋込み型等の横モード制御構造を導入することも
勿論可能である。
制御構造のないプレーナ構造で説明したが、その他のリ
ブ型，埋込み型等の横モード制御構造を導入することも
勿論可能である。
次に、LD光増幅器について説明する。ここで用いたLD光
増幅器第１図の４は、ファブリ・ペロー型DC-PBHLDの両
端面にSiNX膜によるARコート（RC1％）を施したもので
ある。この構造としては、雑誌「エレクトロニクス・レ
ターズ」（Electronics Letters）第21巻，〔1985年〕,
501〜502頁に掲載の論文に述べられているものと全く同
じである。すなわち、しきい値近傍の電流に於てTE偏光
入力に対し〜30dBの利得とTE,TMの利得差10dBが得られ
ている。
増幅器第１図の４は、ファブリ・ペロー型DC-PBHLDの両
端面にSiNX膜によるARコート（RC1％）を施したもので
ある。この構造としては、雑誌「エレクトロニクス・レ
ターズ」（Electronics Letters）第21巻，〔1985年〕,
501〜502頁に掲載の論文に述べられているものと全く同
じである。すなわち、しきい値近傍の電流に於てTE偏光
入力に対し〜30dBの利得とTE,TMの利得差10dBが得られ
ている。
以上のような偏光回転器３およびLD光増幅器４の構成要
素を用い、第１図に示した構成で140Mb/Sの信号に対す
る増幅試験を行ったところ、ファイバー間利得は〜15dB
が得られ、外乱による利得変動は全く観測されなかっ
た。
素を用い、第１図に示した構成で140Mb/Sの信号に対す
る増幅試験を行ったところ、ファイバー間利得は〜15dB
が得られ、外乱による利得変動は全く観測されなかっ
た。
尚、上述した実施例において、偏光回転器３は（110）
基板の上に、またLD光増幅器４は（100）基板の上に形
成されたものを用いているため、そのままでは単純には
モノリシック集積は難しい。しかし、LD光増幅器は（11
0）基板上でも製作可能であるので、（110）基板を用い
ることにより偏光回転器３とLD光増幅器４をモノリシッ
クに集積化した光増幅装置を得ることも可能である。
基板の上に、またLD光増幅器４は（100）基板の上に形
成されたものを用いているため、そのままでは単純には
モノリシック集積は難しい。しかし、LD光増幅器は（11
0）基板上でも製作可能であるので、（110）基板を用い
ることにより偏光回転器３とLD光増幅器４をモノリシッ
クに集積化した光増幅装置を得ることも可能である。
以上説明したように、本発明の光増幅装置は半導体材料
でモノリシックに構成でき、且つ複雑な制御系を必要と
せずに入射偏光依存性のない特性の光増幅装置が得られ
るという効果がある。
でモノリシックに構成でき、且つ複雑な制御系を必要と
せずに入射偏光依存性のない特性の光増幅装置が得られ
るという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための光増幅装置
の正面図、第２図は第１図における偏光回転器の断面
図、第３図は従来の光増幅器における利得の偏光依存性
を説明するための電流・利得特性図である。 1a,1b……単一モード光ファイバ、２……信号光、３…
…偏光回転器、４……LD光増幅器、５……導波路、21…
…n+-（1110）InP基板、22……n+-InPクラッド層、23…
…i-InGaAsP導波層、24……p-InPクラッド層、25……p-
InGaAsPキャップ層、26a,26b……オーム性電極、27a,27
b……ARコート膜。
の正面図、第２図は第１図における偏光回転器の断面
図、第３図は従来の光増幅器における利得の偏光依存性
を説明するための電流・利得特性図である。 1a,1b……単一モード光ファイバ、２……信号光、３…
…偏光回転器、４……LD光増幅器、５……導波路、21…
…n+-（1110）InP基板、22……n+-InPクラッド層、23…
…i-InGaAsP導波層、24……p-InPクラッド層、25……p-
InGaAsPキャップ層、26a,26b……オーム性電極、27a,27
b……ARコート膜。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザの利得機構を利用した半導体
レーザ光増幅器と、前記半導体レーザ光増幅器への入力
光の偏光状態を水平偏波，垂直偏波の各々半分の状態に
固定するために増幅すべき信号の速度に比べて充分高い
速度で回転させる手段とを含むことを特徴とする光増幅
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26084087A JPH06103776B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 光増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26084087A JPH06103776B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 光増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102983A JPH01102983A (ja) | 1989-04-20 |
| JPH06103776B2 true JPH06103776B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=17353487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26084087A Expired - Lifetime JPH06103776B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 光増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103776B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2980723B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1999-11-22 | キヤノン株式会社 | 光増幅装置 |
| JP3154418B2 (ja) * | 1990-06-21 | 2001-04-09 | キヤノン株式会社 | 半導体光増幅装置、光通信システム、双方向光通信システム、光通信ネットワーク、及び集積型光ノード |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP26084087A patent/JPH06103776B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01102983A (ja) | 1989-04-20 |
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