JPH06103542B2 - Waveguide type optical head - Google Patents

Waveguide type optical head

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JPH06103542B2
JPH06103542B2 JP1054657A JP5465789A JPH06103542B2 JP H06103542 B2 JPH06103542 B2 JP H06103542B2 JP 1054657 A JP1054657 A JP 1054657A JP 5465789 A JP5465789 A JP 5465789A JP H06103542 B2 JPH06103542 B2 JP H06103542B2
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waveguide layer
substrate
waveguide
layer
tapered
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正 武田
保光 宮崎
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Nidec Sankyo Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、テーパ状光導波路を利用して形成され、光デ
ィスクへの信号の記録・再生を行なう光学ヘッド等に適
用可能な導波路型光ヘッドに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention is a waveguide type optical device formed by utilizing a tapered optical waveguide and applicable to an optical head for recording / reproducing signals to / from an optical disc. Regarding the head.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

基板に形成された導波層の端部がテーパ状になっている
テーパ状光導波路が知られている(例えば、特開昭60-7
8406号公報)。このようなテーパ状光導波路では、層厚
の一定な導波層を伝搬されてきた導波光をテーパ状の部
分で基板側へ取り出すのであるが、取り出された光は発
散性であることが知られている。
There is known a tapered optical waveguide in which an end portion of a waveguide layer formed on a substrate is tapered (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 60-7
8406 publication). In such a tapered optical waveguide, the guided light propagated in the waveguide layer having a constant layer thickness is extracted to the substrate side at the tapered portion, but it is known that the extracted light is divergent. Has been.

そこで、テーパ状光導波路から基板側へ取り出される光
を上記発散型のものから上記テーパ形状を適当に設計す
ることによって微小な焦点を結ばせることが可能となる
ならば、これを例えば光ディスクの情報記録・再生用照
明スポットとして利用することが期待される。
Therefore, if it becomes possible to form a minute focal point for the light extracted from the tapered optical waveguide to the substrate side by appropriately designing the tapered shape from the divergent type, this can be used, for example, for information on an optical disk. It is expected to be used as a recording / playback illumination spot.

ところで、光ディスク信号の記録・再生用に用いられる
光学ヘッドに導波路を利用したものとしては、平板型光
導波路上に光カップリング用の回折格子を形成した構成
のものが知られている(特開昭61-236037号公報)が、
この型のヘッドは光を外部へ取り出したり、光ディスク
からの反射光を光導波路に導入するのに回折格子が用い
られているため、例えば、導波光が回折格子の両面側へ
回折されるので光ディスクへの照射に対する光利用効率
が低いこと、また、カップリング用の回折格子の作製が
困難であること等の問題がある。
By the way, as a structure in which a waveguide is used for an optical head used for recording / reproducing an optical disc signal, a structure in which a diffraction grating for optical coupling is formed on a flat plate type optical waveguide is known (special feature: (Kaisho 61-236037),
This type of head uses a diffraction grating to take out light to the outside or to introduce reflected light from the optical disk into the optical waveguide. For example, the guided light is diffracted to both sides of the diffraction grating. There is a problem that the efficiency of light utilization for irradiation of the light is low, and it is difficult to manufacture a diffraction grating for coupling.

これに対してテーパ状光導波路は、基板側へ取り出され
る光の放射特性が光源の波長変化に対し安定しており、
また、後述のように光を実質的に全て基板の側へ取り出
しうるので、光の利用効率も高く、また作製も容易であ
るところから、上記光学ヘッドへの高い適用性を有して
いる。
On the other hand, in the tapered optical waveguide, the radiation characteristic of the light extracted to the substrate side is stable against the wavelength change of the light source,
Further, as described later, since substantially all the light can be extracted to the substrate side, it has a high applicability to the above optical head because it has high light utilization efficiency and is easy to manufacture.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

しかし、たとえ上述したようにテーパ形状を適当に設計
すことにより微小な焦点を結ばせることが可能となって
も、その焦点が、基板と導波層との境界面のごく近傍に
位置するものであるならば、実際に基板外に取り出され
た状態では発散光束となってしまい、取り出した光の焦
点を光ディスクの記録・再生用の照明等に直接的に利用
することが出来ない。
However, even if it becomes possible to form a fine focus by properly designing the taper shape as described above, the focus is located in the vicinity of the interface between the substrate and the waveguide layer. In such a case, when it is actually taken out of the substrate, it becomes a divergent light beam, and the focus of the taken-out light cannot be directly used for illumination for recording / reproduction of the optical disk.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであっ
て、その目的とするところは、基板側に取り出される光
を、上記境界面から離れた位置の微小な一点の焦点に集
束させうるテーパ状導波層を利用した新規な導波路型光
ヘッドを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a taper capable of converging light extracted to the substrate side to a focal point of a minute point distant from the boundary surface. An object of the present invention is to provide a novel waveguide type optical head using a waveguide layer.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

上記目的を達成するため、本発明による導波路型光ヘッ
ドは、導波層形成用の平面を有し、導波層より低い屈折
率をもち、導波光に対して透明な基板と、この基板の上
記平面上に形成された導波層とにより構成され、上記導
波層は層厚が均一な均一層厚導波層と、この均一層厚導
波層に連接され、連接部では均一層厚導波層と同一の層
厚を有し、上記連接部を離れるに従って層厚が漸次減少
し、上記均一層厚導波層を伝播されてくる導波光を基板
側へ放射するテーパ状導波層とからなり、且つ、上記導
波層は該導波層の幅方向に集光作用を有するレンズを備
え、上記テーパ状導波層によって基板側に放射された放
射光を光ディスク上にスポット状に集束させるように構
成されたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a waveguide type optical head according to the present invention has a flat surface for forming a waveguide layer, has a lower refractive index than the waveguide layer, and is transparent to the guided light; Of the waveguide layer formed on the plane, the waveguide layer is connected to the uniform-thickness waveguide layer having a uniform layer thickness and the uniform-layer thickness waveguide layer, and the uniform layer is formed at the connection portion. A tapered waveguide having the same layer thickness as the thick waveguide layer, the layer thickness gradually decreasing with distance from the connecting portion, and radiating the guided light propagating through the uniform thickness waveguide layer to the substrate side. Layer, and the waveguide layer includes a lens having a light condensing function in the width direction of the waveguide layer, and the radiated light emitted toward the substrate side by the tapered waveguide layer is spot-shaped on the optical disc. It is characterized in that it is configured to focus.

また、上記導波路型光ヘッドにおいて、基板は導波層形
成用の平面を共有する伝搬基板と放射基板とを導波層に
おける導波方向へ連接してなり、上記放射基板は上記伝
搬基板よりも大きい屈折率を有し、上記伝搬基板と放射
基板の連接部が、上記伝搬基板と導波層の屈折率、テー
パ状導波層の形状により定まる放射開始位置に近く、且
つこの放射開始位置を上記導波方向において越えないよ
うに設定されたことを特徴とする。
Further, in the above-mentioned waveguide type optical head, the substrate is formed by connecting a propagation substrate and a radiation substrate sharing a plane for forming a waveguide layer in a waveguide direction in the waveguide layer, and the radiation substrate is more than the propagation substrate. Also has a large refractive index, and the connection portion between the propagation substrate and the radiation substrate is close to the radiation start position determined by the refractive index of the propagation substrate and the waveguide layer and the shape of the tapered waveguide layer, and this radiation start position Is set so as not to exceed in the waveguide direction.

また、上記目的を達成するための別の構成として、本発
明による導波路型光ヘッドは、導波層形成用の平面を有
し、導波層より低い屈折率をもち、導波光に対して透明
な基板と、この基板の上記平面上に形成された導波層
と、上記基板の上記平面に埋設されたクラッド層とを有
し、上記導波層は層厚が均一な均一層厚導波層と、この
均一層厚導波層に連接され、連接部では均一層厚導波層
と同一の層厚を有し、上記連接部を離れるに従って層厚
が漸次減少し、上記均一層厚導波層を伝搬されてくる導
波光を基板側へ放射するテーパ状導波層とからなり、上
記クラッド層は上記基板よりも低屈折率で、上記テーパ
状導波層の形状と導波層,基板の屈折率で定まる基板側
への放射開始位置を含むように設けられると共に、上記
導波層は該導波層の幅方向に集光作用を有するレンズを
備え、上記テーパ状導波層によって基板側に放射された
放射光を光ディスク上にスポット状に集束させるように
構成されたことを特徴とする。
As another configuration for achieving the above object, a waveguide type optical head according to the present invention has a flat surface for forming a waveguide layer, has a lower refractive index than the waveguide layer, and A transparent substrate, a waveguide layer formed on the plane of the substrate, and a clad layer embedded in the plane of the substrate, the waveguide layer having a uniform layer thickness. The wave layer and the uniform-thickness waveguide layer are connected to each other, and have the same layer thickness as the uniform-thickness waveguide layer at the connection portion, and the layer thickness gradually decreases as it goes away from the connection portion. And a tapered waveguide layer that radiates guided light propagating through the waveguide layer toward the substrate side, the cladding layer having a lower refractive index than the substrate, and the shape of the tapered waveguide layer and the waveguide layer. , The waveguide layer is provided so as to include the radiation start position to the substrate side which is determined by the refractive index of the substrate, and the waveguide layer is Comprising a lens having a condensing effect in a direction, characterized in that it is configured to focus a spot shape radiation emitted to the substrate side by the tapered waveguide layer on the optical disk.

〔作 用〕[Work]

本発明の導波路型光ヘッドでは、導波層に形成されたレ
ンズが導波光を導波層の幅方向に集光するように作成
し、且つ、テーパ状導波層は導波層内を伝搬された導波
光を基板側に放射し、この基板側に放射された放射光を
光ディスク上にスポット状に集束させるように作用す
る。
In the waveguide type optical head of the present invention, the lens formed in the waveguide layer is formed so as to collect the guided light in the width direction of the waveguide layer, and the tapered waveguide layer is formed in the waveguide layer. The propagated guided light is emitted to the substrate side, and the emitted light emitted to the substrate side is focused on the optical disc in a spot shape.

〔実 施 例〕〔Example〕

以下、本発明を図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

先ず、本発明の導波路型光ヘッドに適用されるテーパ状
光導波路に関し説明する。
First, a tapered optical waveguide applied to the waveguide type optical head of the present invention will be described.

第6図は本発明に適用されるテーパ状光導波路の一例を
説明図的に示している。
FIG. 6 schematically shows an example of a tapered optical waveguide applied to the present invention.

同図において、符号10は基板、符号20は導波層を示して
いる。
In the figure, reference numeral 10 indicates a substrate and reference numeral 20 indicates a waveguide layer.

導波層20は均一な層厚の均一層厚導波層21と、テーパ状
導波層22とにより構成されている。
The waveguide layer 20 is composed of a uniform thickness waveguide layer 21 having a uniform thickness and a tapered waveguide layer 22.

基板10は伝搬基板11と放射基板12とを連接して構成され
るが、これら伝搬基板11,放射基板12は、ともに導波光
に対して透明であって、導波層形成用の平面を共有し、
均一層厚導波層21とテーパ状導波層22からなる導波層20
は上記平面上に形成されている。
The substrate 10 is configured by connecting the propagation substrate 11 and the radiation substrate 12 in a linked manner. Both the propagation substrate 11 and the radiation substrate 12 are transparent to the guided light and share the plane for forming the waveguide layer. Then
A waveguide layer 20 including a uniform thickness waveguide layer 21 and a tapered waveguide layer 22.
Are formed on the plane.

以下の説明のために、図の如く、X,Z方向を定める。Z
方向は基板10の上記平面に一致し、導波光の伝搬方向に
対応する。即ち、導波光は均一層厚導波層21を第6図の
右方へ導波伝搬される。X軸は上記平面に直交するが、
このX軸の位置は均一層厚導波層21とテーパ状導波層22
の連接部を表している。従って、テーパ状導波層22は、
第6図でX軸の右側の部分である。
For the following description, the X and Z directions are defined as shown in the figure. Z
The direction corresponds to the plane of the substrate 10 and corresponds to the propagation direction of the guided light. That is, the guided light is guided and propagated in the uniform thickness waveguide layer 21 to the right in FIG. The X axis is orthogonal to the plane,
The position of the X axis is the uniform thickness waveguide layer 21 and the tapered waveguide layer 22.
Represents the connecting part of. Therefore, the tapered waveguide layer 22 is
This is the right part of the X axis in FIG.

このテーパ状導波層22の形成された領域TRをテーパ領域
と呼ぶ。
The region TR in which the tapered waveguide layer 22 is formed is called a tapered region.

導波層20の上の領域は、空気により占められた空気領域
である。屈折率の関係は、例えばこの例では、基板10の
屈折率は伝搬基板11が1.51、放射基板12が1.515、導波
層20の屈折率が1.52、空気の屈折率は1である。従っ
て、空気領域、伝搬基板11、放射基板12、導波層20の順
に屈折率が高くなっている。また、均一導波層21の厚さ
は2.63μm、テーパ領域TRの長さは6000μmであり、伝
搬される光の波長は0.6328μm(He-Neレーザー光)を
想定している。
The area above the waveguiding layer 20 is the air area occupied by air. Regarding the relationship of the refractive index, for example, in this example, the refractive index of the substrate 10 is 1.51 for the propagation substrate 11, 1.515 for the radiation substrate 12, the refractive index of the waveguide layer 20 is 1.52, and the refractive index of air is 1. Therefore, the refractive index increases in the order of the air region, the propagation substrate 11, the radiation substrate 12, and the waveguide layer 20. Further, it is assumed that the thickness of the uniform waveguide layer 21 is 2.63 μm, the length of the taper region TR is 6000 μm, and the wavelength of the propagated light is 0.6328 μm (He-Ne laser light).

テーパ状導波層22の自由表面(空気領域との境界面)の
形状は、図の如く均一層厚導波層21との連接部では均一
層厚導波層21と一の層厚を持ち、この連接部から離れる
に従って層厚が小さくなることによりテーパを構成して
いる。
The shape of the free surface (boundary surface with the air region) of the tapered waveguide layer 22 has a uniform thickness with the uniform thickness waveguide layer 21 at the connecting portion with the uniform thickness waveguide layer 21 as shown in the figure. The taper is formed by decreasing the layer thickness with increasing distance from the connecting portion.

もっとも、上述のようにテーパ領域の長さに比して均一
層厚導波層の厚さは極めて小さいので、テーパとは言っ
てもその傾きは極めて小さい。
However, since the thickness of the uniform-thickness waveguide layer is extremely small as compared with the length of the tapered region as described above, even if it is called a taper, its inclination is extremely small.

テーパ領域TRの形成においては、シャドウマスクスパッ
タリング法でマスクをZ方向へ移動させつつスパッタリ
ングを行ないマスクの移動速度を制御することで種々の
テーパ形状を容易に実現できる。
In forming the taper region TR, various taper shapes can be easily realized by controlling the moving speed of the mask by performing sputtering while moving the mask in the Z direction by a shadow mask sputtering method.

次に、上記テーパ導波路の作用について説明する。Next, the operation of the tapered waveguide will be described.

第6図において、均一層厚導波層21をZ方向へ導波伝搬
する光波は波長0.6328μm、導波モードは基本波である
TE0モードである。均一層厚導波層21の層厚を2.63μm
としているから、このモードにおける実効屈折率はN=
1.5107となる。また、伝搬モードを平面波の重ね合わせ
として捉え、その素波について漸近界として準幾何光学
的考察を行なう。即ち、素波である平面波をその波面の
法線方向へ伝搬する光線の集合として取り扱う。上記実
効屈折率を用いると、入射TE0モードは伝搬角θiが86.
42度の光線群として表される。なお、以下の説明で角度
は、特に断らないかぎりX軸となす角で表すものとす
る。
In FIG. 6, the light wave propagating in the Z-direction through the uniform-thickness waveguide layer 21 has a wavelength of 0.6328 μm, and the guided mode is the fundamental wave.
It is in TE 0 mode. Uniform layer thickness The thickness of the waveguide layer 21 is 2.63 μm.
Therefore, the effective refractive index in this mode is N =
It becomes 1.5107. In addition, we consider the propagation mode as a superposition of plane waves, and consider the elementary waves as asymptotic fields by quasi-geometric optics. That is, a plane wave, which is an elementary wave, is treated as a set of light rays propagating in the direction normal to the wavefront. Using the above effective refractive index, the incident TE 0 mode has a propagation angle θi of 86.
Represented as a 42 degree ray group. In the following description, the angle will be expressed as an angle with the X axis unless otherwise specified.

さて、均一層厚導波層21を伝搬される光線は基板10との
境界面及び空気領域との境界面で全反射を繰り返しなが
ら、ジグザグに伝搬する。
Now, the light beam propagating through the uniform-thickness waveguide layer 21 propagates in a zigzag manner while repeating total reflection at the boundary surface with the substrate 10 and the boundary surface with the air region.

このような伝搬光がテーパ状導波層22に入射すると、第
7図に示すようにテーパ状導波層22の自由表面、即ち空
気領域との境界面の接線2AがZ方向に対し傾いているた
めに、上記自由表面で全反射されて基板10との境界面に
再入射するときは、その入射角θは、均一層厚導波層21
における伝搬角θiよりも小さくなる。このように、テ
ーパ状導波層22では、テーパ領域TR内での反射が繰り返
されるにつれて伝搬角が次第に小さくなる。
When such propagating light enters the tapered waveguide layer 22, as shown in FIG. 7, the tangent 2A of the free surface of the tapered waveguide layer 22, that is, the boundary surface with the air region is inclined with respect to the Z direction. Therefore, when the light is totally reflected on the free surface and re-incident on the boundary surface with the substrate 10, the incident angle θ is equal to the uniform thickness waveguide layer 21.
Is smaller than the propagation angle θi at. In this way, in the tapered waveguide layer 22, the propagation angle becomes gradually smaller as the reflection within the tapered region TR is repeated.

一方、図示の例において、テーパ状導波層22と基板10と
の境界面での全反射の臨界角は伝搬基板11に対して83.4
2度、放射基板12に対して83.35度、テーパ状導波層22と
空気領域の境界面での全反射の臨界角は41.14度であ
る。
On the other hand, in the illustrated example, the critical angle of total reflection at the interface between the tapered waveguide layer 22 and the substrate 10 is 83.4 with respect to the propagation substrate 11.
2 degrees, 83.35 degrees with respect to the radiation substrate 12, and the critical angle of total reflection at the boundary surface between the tapered waveguide layer 22 and the air region is 41.14 degrees.

ここで、簡単のために基板全体が伝搬基板11で構成され
ているものとすると、テーパ状導波層22に入射した光
は、反射を繰り返しつつジグザグに伝搬する内に、基板
10及び空気領域側境界面、即ち自由表面への入射角が次
第に小さくなるが、先ず基板10側への入射角が上記臨界
角83.42度を越えて小さくなり、こうなると光のパワー
の一部は、基板10の側へ漏れ出て行く。このときの漏出
パワーの割合は、導波層20の屈折率、基板10の屈折率な
らびに反射点への光線の入射角に依存し、フレネルのパ
ワー透過係数として知られる関係式により算出すること
ができる。上記の如くパワーの漏れ出しが開始される位
置が放射開始位置である。
Here, for simplicity, assuming that the entire substrate is composed of the propagation substrate 11, the light incident on the tapered waveguide layer 22 propagates in a zigzag manner while repeating reflection, and
The angle of incidence on the boundary surface on the side of 10 and the air region, that is, the angle of incidence on the free surface is gradually reduced, but first, the angle of incidence on the side of the substrate 10 becomes smaller than the critical angle of 83.42 degrees, and a part of the power of light becomes , Leaks to the side of the substrate 10. The leak power ratio at this time depends on the refractive index of the waveguide layer 20, the refractive index of the substrate 10 and the incident angle of the light ray to the reflection point, and can be calculated by a relational expression known as the Fresnel power transmission coefficient. it can. As described above, the position where the power leakage starts is the radiation start position.

さらに反射が繰り返されて、空気領域側境界面への入射
角が上記臨界角41.14度よりも小さくなると空気領域へ
も光が漏れ出ていくが、実際的見地からすると、上記両
境界面における全反射の臨界角の差が大きいので上記基
板側への光の漏れ出しが始まってから、空気領域での漏
れ出しが始まる前に、実質的に殆どの光は基板の側に漏
れ出してしまう。従って、空気領域側への漏れ出しを考
慮する必要はない。
When the reflection angle is further repeated and the incident angle on the boundary surface on the air region side becomes smaller than the critical angle 41.14 degrees, the light leaks out to the air region as well. Since the difference in the critical angle of reflection is large, substantially all the light leaks to the substrate side after the light leaks to the substrate side and before the light leaks to the air region. Therefore, it is not necessary to consider leakage to the air region side.

尚、基板10の側へ漏れ出す光の方向αは屈折に関するス
ネルの法則により知ることができる。
The direction α of light leaking to the substrate 10 side can be known by Snell's law regarding refraction.

さて、上記の如く基板全体が伝搬基板でできているもの
と考えて基板の側に上記の如く漏れ出す光、即ち放射光
線の振る舞いを以下の如くして調べた。
Now, assuming that the entire substrate is made of the propagation substrate as described above, the behavior of the light leaking to the substrate side as described above, that is, the radiated ray, was investigated as follows.

再び第6図を参照すると、均一層厚導波層21を伝搬する
光は、上述の如く一様に86.42度の伝搬角θiをもって
伝搬する。したがって、かかる光が連接部X軸でテーパ
状導波層22に入射するとき、入射光線は何れもX軸に対
してθiの角度を持つ。そこで先ず、連接部を斜め右上
向きに横切って直接にテーパ状の表面に入射する光を考
えると、この光の総体は、基板10との境界において、第
6図のO点(連接部)とP点との間で反射してテーパ状
導波層22に入射する光であり、O点とP点との距離は、
層厚2.63を用いると、 2.63tan(86.42度)=42.04μm となる。
Referring again to FIG. 6, the light propagating in the uniform thickness waveguide layer 21 propagates uniformly with the propagation angle θi of 86.42 degrees as described above. Therefore, when such light enters the tapered waveguide layer 22 at the X axis of the connecting portion, all the incident light rays have an angle of θi with respect to the X axis. Therefore, first, considering the light that enters the tapered surface directly across the connecting portion diagonally to the upper right, the total of this light is the point O (connecting portion) in FIG. 6 at the boundary with the substrate 10. The light is reflected by the point P and enters the tapered waveguide layer 22, and the distance between the point O and the point P is
Using a layer thickness of 2.63 gives 2.63 tan (86.42 degrees) = 42.04 μm.

同様に、連接部を斜め右下向きに横切って入射し、基板
10との境界面で一度反射したのちテーパ領域の自由表面
に入射する光線の総体は、第6図のO点とQ点との間に
入射する光である。尚、O点とQ点との距離も上記と同
じ42.04μmである。
In the same way, the light is incident across the connecting part diagonally downward right and
The total ray that is reflected once at the interface with 10 and then is incident on the free surface of the tapered region is the ray that is incident between points O and Q in FIG. The distance between the O point and the Q point is 42.04 μm, which is the same as the above.

従って、連接部を通って、テーパ状導波層22に入射する
光線としては、第6図の領域IPから右上がりにθiの角
で反射するものを考えれば、全ての導波光を考慮したこ
とになる。
Therefore, considering that the light rays that pass through the connecting portion and enter the tapered waveguide layer 22 are those that are reflected from the region IP in FIG. become.

そこで、この領域IPから右上がりにθiの角度で全反射
する多数の光線に付いて追跡を行なった。
Therefore, tracing was performed on a large number of rays that are totally reflected at an angle of θi from the region IP to the right.

先ず、テーパ状導波層の自由表面形状が上記振る舞いに
及ぼす効果を見るために、自由表面の形成として第8図
に示す様な凹面形状4-1、直線形状4-2、凸面形状4-3を
想定した。これらの形状は、a=2.63μm,b=1/6000と
し、パラメータをcとすると、 X=a{1-(b・Z)} ・・・・(1) と表すことができ、凹面形状4-1、直線形状4-2、凸面形
状4-3に対して、パラメータcは、それぞれ0.5,1,2であ
る。また、先の例で述べた様に均一層厚導波層の厚さは
2.63μmであり、テーパ領域の長さは6000μmである。
First, in order to see the effect of the free surface shape of the tapered waveguide layer on the above behavior, a concave surface 4-1, a linear shape 4-2, and a convex surface 4-as shown in FIG. I assumed 3. These shapes can be expressed as X = a {1- (b · Z) C } ... (1) where a = 2.63 μm, b = 1/6000 and the parameter is c The parameters c are 0.5, 1, and 2 for the shape 4-1, the linear shape 4-2, and the convex shape 4-3, respectively. Also, as described in the previous example, the thickness of the uniform thickness waveguide layer is
It is 2.63 μm and the length of the tapered region is 6000 μm.

基板側へ漏れ出した放射光線の振る舞いを調べるにあた
って、放射光線の基板内における光線の集中度を調べ
る。この集中度は光線密度として以下の様に定義され
る。即ち、第9図のようにZ軸に直交する平面Zobsを考
え、この平面ZobsをX方向に2μmづつの区間に分割
し、各区間を通る放射光線数mをカウントし、全放射光
線数mとの比(m/m)≡Dとして、光線密度Dを定義す
るのである。また、最大の光線密度を持つ区間を最大光
線密度位置と呼び、この最大光線密度位置が基板中のど
の位置にあるかは、上記平面Zobsの位置をZ方向へ1μ
mステップで走査させてこれを見出す。
When investigating the behavior of the radiant ray leaked to the substrate side, the degree of concentration of the radiant ray within the substrate is examined. This degree of concentration is defined as the ray density as follows. That is, consider a plane Zobs orthogonal to the Z axis as shown in FIG. 9, divide this plane Zobs into sections of 2 μm each in the X direction, count the number m of emitted rays passing through each section, and calculate the total number m of emitted rays m. The light density D is defined as the ratio (m / m) ≡ D with. The section having the maximum light density is called the maximum light density position, and the position of this maximum light density position on the substrate is determined by determining the position of the plane Zobs in the Z direction by 1 μm.
Find this by scanning in m steps.

尚、放射光線の振る舞いを調べるにあたっては、放射に
伴う導波層、基板間のパワーの収支は考慮せず、導波層
内における反射光線および基板内の放射光線をパワーを
捨象して追跡し、またZ軸のプラス方向、即ち、第9図
右方への伝搬のみを考慮することとし、上記反射光線の
基板側境界面への入射角が≦0となった時点をもって追
跡を終了する。
When investigating the behavior of the radiated rays, the power balance between the waveguide layer and the substrate due to the radiation is not taken into consideration. Further, only the propagation in the positive direction of the Z axis, that is, the rightward direction in FIG. 9 is considered, and the tracing is terminated when the incident angle of the reflected light ray on the substrate side boundary surface becomes ≦ 0.

第6図の領域IPのX=Z=0の位置で全反射された1光
線を上記の如き方法で追跡し、この1光線から基板側へ
次々に漏れ出した多数の放射光線の、基板10内における
伝搬の様子を調べた結果を第10図に示す。この図は、テ
ーパ状導波層の自由表面の形状が第8図の凸面4-3(c
=2)の場合について、上記最大光線密度位置を通過す
る放射光線群(第10図(II))と通過しない放射光線群
(同図(I),(III))とに分けて示したものである
が、テーパ状導波層の自由表面形状が凸面か、凹面か或
は直線状であるかによらず、定性的には同様の振る舞い
で有ることが分かった。即ち、自由表面の形状に拘らず
一般に、最大光線密度位置を通過する光線群を放射する
放射領域(第10図ではAB間領域)を挟んで、最大光線密
度位置を通過しない光線を放射する放射領域が存在す
る。
One ray totally reflected at the position of X = Z = 0 in the region IP of FIG. 6 is traced by the above-mentioned method, and the substrate 10 of a large number of radiation rays leaked from this one ray to the substrate side one after another. Figure 10 shows the results of an investigation of the state of propagation in the interior. This figure shows that the shape of the free surface of the tapered waveguide layer is the convex surface 4-3 (c) of FIG.
= 2), the radiation ray group that passes through the maximum ray density position (Fig. 10 (II)) and the radiation ray group that does not pass (I (I) and (III)) are shown separately. However, regardless of whether the free surface shape of the tapered waveguide layer is a convex surface, a concave surface, or a straight surface, it is qualitatively the same behavior. That is, regardless of the shape of the free surface, in general, radiation that emits light rays that do not pass the maximum ray density position with a radiation area that emits a ray group that passes the maximum ray density position (the area between AB in FIG. 10) sandwiched between them. Area exists.

しかし、テーパ状導波層22への入射位置を領域IP内で移
動させたとき、上述の最大光線密度位置がどのように変
動するかを第8図に示す3種の表面形状、即ち、凹面
(c=0.5)、直線状(c=1)、凸面(c=2)につ
いて調べたところ、上記自由表面の形状が凹面、直線状
の場合は、追跡光線の起点位置が領域IP内で変動するこ
とにより最大光線密度位置はX,Z両方向において変動す
るが、自由表面の形状が凸面の時は全く変動せず、光線
の集束性が極めて安定していることが分かった。
However, when the incident position on the tapered waveguide layer 22 is moved within the region IP, the three types of surface shapes shown in FIG. (C = 0.5), straight line (c = 1), and convex surface (c = 2) were examined. If the shape of the free surface was concave or straight, the origin position of the tracing ray changed within the region IP. By doing so, the maximum ray density position fluctuates in both X and Z directions, but when the shape of the free surface is convex, it does not fluctuate at all, and it is found that the focusing property of rays is extremely stable.

第11図は追跡光線の起点位置の変動に伴う最大光線密度
位置の変動の様子を示す。同図(I),(II)におい
て、縦軸Ziは上記起点のZ座標、横軸はそれぞれ最大光
線密度位置のZ方向及びX方向の変動量を表す。破線
は、自由表面が凹面(c=0.5)の場合、実線は直線形
状(c=1)の場合である。
FIG. 11 shows how the maximum ray density position fluctuates as the trace ray origin position changes. In (I) and (II) of the same figure, the vertical axis Zi represents the Z coordinate of the starting point, and the horizontal axis represents the fluctuation amounts of the maximum ray density position in the Z and X directions, respectively. The broken line is the case where the free surface is concave (c = 0.5), and the solid line is the case where it is linear (c = 1).

自由表面形状が凸面(c=2)の場合は、最大光線密度
位置は、追跡光線の起点の変動に対し全く変動しない。
即ち、放射光線の振る舞いは追跡光線の起点位置の変動
に対し極めて安定している。調べてみると、この傾向は
上記c=2の場合に限らず、c=3,4・・・等の場合や
三角関数等で表される凸面の場合にも当てはまることが
分かった。
When the free surface shape is convex (c = 2), the maximum ray density position does not fluctuate at all with respect to the fluctuation of the origin of the tracing ray.
That is, the behavior of the emitted ray is extremely stable with respect to the fluctuation of the origin position of the traced ray. Upon examination, it was found that this tendency applies not only to the case of c = 2, but also to the case of c = 3, 4, ..., And the case of a convex surface represented by a trigonometric function or the like.

ところで、上の説明は、前述したように追跡光線におけ
るパワー収支を考慮していない。しかし実際の放射にお
いては勿論パワーの収支が考慮されなければ成らない。
このパワーの収支を考慮すると次の如き問題がある。
By the way, the above description does not consider the power balance in the tracing ray as described above. However, in actual radiation, the balance of power must be taken into consideration.
Considering this balance of power, there are the following problems.

即ち、第10図で符号Aで示す位置の左側には、先に説明
した放射開始位置がある。この放射開始位置は、基板1
0、導波層20の屈折率、テーパ領域の形状により定まる
が、もし基板10全体が伝搬基板11で構成されているもの
とすれば、上記放射開始位置から基板側への光の漏れ出
しが始まるが、この漏れ出し量は基板への入射角と反射
率とによって定まる。そこで、この漏れ出しにより各放
射光線毎にそのパワー即ち光強度をフレネルのパワー透
過係数により計算してみると、均一層導波層を伝搬して
来てテーパ状導波層から基板側へ放射される光のパワー
は、放射開始位置から僅かに10回程度の反射と放出とが
繰り返される間にその全てが基板側へ放出されてしまう
のである。その結果、かかる場合には、第6図のIPの範
囲から入射した各光線に就いての各光線毎の導波層内の
パワーは高々10本程度の上記放射光線により放射される
が、これら光線は、比較的狭い空間部分に集束する。第
12図は、この状態を略示している。
That is, on the left side of the position indicated by the symbol A in FIG. 10, there is the radiation start position described above. This radiation start position is the substrate 1
0, determined by the refractive index of the waveguiding layer 20 and the shape of the tapered region, but if the entire substrate 10 is composed of the propagation substrate 11, the leakage of light from the radiation start position to the substrate side will occur. Although it starts, this leak amount is determined by the incident angle to the substrate and the reflectance. Therefore, when the power, that is, the light intensity, of each radiated ray due to this leakage is calculated by the Fresnel power transmission coefficient, it propagates through the uniform waveguide layer and is radiated from the tapered waveguide layer to the substrate side. All of the power of the emitted light is emitted to the substrate side while the reflection and emission are repeated only about 10 times from the emission start position. As a result, in such a case, the power in the waveguiding layer for each ray incident from the range of IP in FIG. The light rays are focused in a relatively narrow space. First
Figure 12 outlines this state.

しかし、同図に示す様に放射開始位置近傍からの放射光
線の屈折角、即ち放射角は90度に近く、従って、放射光
線の集束に伴うパワーの集中は基板10の内側の導波層20
との境界面に極めて近い位置において起きることにな
る。従って、このような場合、パワーの集中位置を基板
外に設定することは著しく困難となり、結局、基板外に
取り出しうるのは発散性の光束であることになる。
However, as shown in the same figure, the refraction angle of the radiation ray from the vicinity of the radiation start position, that is, the radiation angle is close to 90 degrees, and therefore, the concentration of power due to the focusing of the radiation ray is the waveguide layer 20 inside the substrate 10.
It will occur at a position very close to the boundary surface of. Therefore, in such a case, it is extremely difficult to set the power concentration position outside the substrate, and eventually, it is a divergent light beam that can be extracted outside the substrate.

そこで、本発明では、基板10を伝搬基板11とこれより屈
折率の大きい放射基板12とで構成し、その連接部の位置
を、放射開始位置に近く、且つこの放射開始位置を上記
導波方向において越えないように設定することにより放
射光線のパワー集中位置を基板、導波層の境界面から離
れた位置に設定することを可能にした。
Therefore, in the present invention, the substrate 10 is composed of a propagation substrate 11 and a radiation substrate 12 having a larger refractive index than the propagation substrate 11, and the position of the connecting portion is close to the radiation start position, and this radiation start position is set in the waveguide direction. By setting so as not to exceed in, it is possible to set the power concentration position of the radiated light beam at a position away from the boundary surface between the substrate and the waveguide layer.

再び、第6図を参照すると、この例でテーパ状導波層22
の自由表面形状は第8図の凸面4-3と同一形状である。
導波層20に波長0.6328μmのレーザー光をTE0導波モー
ドで導波させた時の、基板側への放射開始位置Rは、Z
=0の位置から4058μmの位置にある。
Referring again to FIG. 6, in this example the tapered waveguide layer 22
The free surface shape of is the same as the convex surface 4-3 in FIG.
When laser light having a wavelength of 0.6328 μm is guided in the TE 0 waveguide mode in the waveguide layer 20, the radiation start position R toward the substrate side is Z
It is at a position of 4058 μm from the position of = 0.

また、上記例では、伝搬基板11と放射基板12との連接部
は放射開始位置Rよりも若干X軸側にずれた位置に設定
されているが、連接部の設定位置は上記の如く、放射開
始位置に近く且つこの放射開始位置を上記導波方向にお
いて越えないことが条件であるから、連接部の位置は放
射開始位置Rの位置を限界として放射開始位置R近傍に
設定できる。
Further, in the above example, the connecting portion between the propagation substrate 11 and the radiation substrate 12 is set at a position slightly displaced from the radiation start position R toward the X axis side, but the setting position of the connecting portion is as described above. Since the condition is that the position is close to the start position and does not exceed the emission start position in the waveguide direction, the position of the connecting portion can be set near the emission start position R with the position of the emission start position R being the limit.

放射基板12の屈折率は伝搬基板の屈折率より大きいので
伝搬光はテーパ状導波層22内を反射して放射基板12に入
射すると放射基板12内へと放射が開始される。
Since the refractive index of the radiation substrate 12 is higher than the refractive index of the propagation substrate, the propagating light is reflected inside the tapered waveguide layer 22 and enters the radiation substrate 12, so that radiation is started into the radiation substrate 12.

もし、基板全体が伝搬基板で構成されているならば、放
射開始位置で放射される放射光線の方向は前述の如く基
板と導波層の境界面に近く沿ったものとなりパワーの集
中は上記境界面のごく近傍に生じるが(第12図(I)参
照)、放射基板12は伝搬基板よりも大きい屈折率を持
ち、従って導波層20との屈折率の差が小さい。このた
め、放射基板12内に漏れ出す放射光線の屈折角即ち放射
角は、放射開始位置で伝搬基板内に放射される放射光線
に比べて小さく、第12図(II)に示すように、上記境界
面に対し立ち上がった方向となり、放射光線の交差によ
りパワーが集中する位置は、上記境界面から離れた位置
に位置することになり、従って、放射光線のパワーを実
際に基板外で集中させることも可能になる。尚、放射基
板12内への放射は放射開始位置の近傍で始まるため、こ
の状態では互いに隣接する放射光線の放射位置の間隔が
比較的広く、従って比較的広い領域からの放射光線を集
束させることができる。
If the entire substrate is composed of a propagation substrate, the direction of the radiation ray radiated at the radiation start position will be close to the interface between the substrate and the waveguide layer as described above, and the power concentration will be above the boundary. Although it occurs in the vicinity of the surface (see FIG. 12 (I)), the radiation substrate 12 has a larger refractive index than the propagation substrate, and therefore the difference in refractive index from the waveguide layer 20 is small. Therefore, the refraction angle, that is, the radiation angle of the radiation ray leaking into the radiation substrate 12 is smaller than that of the radiation ray emitted into the propagation substrate at the radiation start position, and as shown in FIG. The position where the power is concentrated due to the intersection of the radiated rays in the direction rising up with respect to the boundary surface is located at a position distant from the boundary surface, and therefore the power of the radiated light is actually concentrated outside the substrate. Will also be possible. Since the radiation into the radiation substrate 12 starts in the vicinity of the radiation start position, the distance between the radiation positions of the radiation rays adjacent to each other is relatively wide in this state, so that the radiation rays from a relatively wide area should be focused. You can

以上のように、本発明に適用されるテーパ状光導波路
は、第13図に示す様に、領域Iで伝搬角を変化させ、領
域IIで放射を開始させ、その際、放射角を小さくするた
めに導波層との屈折率差の小さい放射基板を領域IIに用
い、基板表面に対し立ち上がった放射光線によりパワー
を取り出すことによりパワー集中の位置を基板表面から
遠ざける点にある。
As described above, in the tapered optical waveguide applied to the present invention, as shown in FIG. 13, the propagation angle is changed in the region I and the radiation is started in the region II, at which time the radiation angle is reduced. For this reason, a radiation substrate having a small refractive index difference from the waveguide layer is used in the region II, and the power is extracted from the radiation rays rising to the substrate surface, so that the position of power concentration is moved away from the substrate surface.

尚、上述の例では、テーパ状導波層の自由表面の形状を
凸面形状としたが、これに限るものではない。しかし、
凸面状の自由表面を用いると、パワーの集中位置の安定
性が良くなる。
In the above example, the shape of the free surface of the tapered waveguide layer is a convex shape, but the shape is not limited to this. But,
The use of a convex free surface improves the stability of the power concentration position.

さて、以上において説明したテーパ状光導波路は、基板
が伝搬基板と、これより屈折率の大きい放射基板で構成
され、放射角の小さい放射光線を放射基板内に取りだす
ので、導波光のパワーを基板と導波層との境界面から離
れた位置に位置させることができ、また、テーパ状導波
層の自由表面形状を凸面とすることにより、パワー集中
の安定性を高めることが可能となる。したがって、光デ
ィスクの情報記録・再生用光学ヘッド等への適用可能な
導波路型光ヘッドへの適用性が向上する。
Now, in the tapered optical waveguide described above, the substrate is composed of the propagation substrate and the radiation substrate having a larger refractive index than this, and the radiation beam with a small radiation angle is taken out into the radiation substrate. Can be located at a position distant from the boundary surface between the waveguide layer and the waveguide layer, and by making the free surface shape of the tapered waveguide layer convex, it is possible to enhance the stability of power concentration. Therefore, the applicability to the waveguide type optical head applicable to the information recording / reproducing optical head of the optical disk is improved.

次に、上述したテーパ状光導波路と同様の機能を有し、
本発明による導波路型光ヘッドに適用可能なテーパ状光
導波路の別の例を示す。
Next, it has the same function as the above-mentioned tapered optical waveguide,
Another example of a tapered optical waveguide applicable to the waveguide type optical head according to the present invention will be shown.

第15図(I),(II)はテーパ状光導波路の別の一実施
例を説明図的に示している。
FIGS. 15 (I) and 15 (II) schematically show another embodiment of the tapered optical waveguide.

第15図(I),(II)において、このテーパ状光導波路
は基板10と導波層20とクラッド層30とを有しており、上
記基板10は導波層形成用の平面を有し、導波層20より低
い屈折率を持ち、導波光に対して透明である。
In FIGS. 15 (I) and (II), this tapered optical waveguide has a substrate 10, a waveguide layer 20, and a cladding layer 30, and the substrate 10 has a plane for forming the waveguide layer. , Has a lower refractive index than the waveguide layer 20 and is transparent to the guided light.

上記導波層20は、この基板10上に形成され、クラッド層
30は上記基板10の導波層形成用の平面に埋設される。ま
た、上記導波層20は均一層厚の均一層厚導波層21と、こ
の均一層厚導波層21に連接され、連接部では均一層厚導
波層21と同一の層厚を有し、上記連接部を離れるに従っ
て層厚が漸次減少し、上記均一層厚導波層21を伝搬され
てくる導波光を基板側へ放射するテーパ状導波層22とか
らなっている。
The waveguide layer 20 is formed on the substrate 10 and includes a cladding layer.
30 is embedded in the plane of the substrate 10 for forming the waveguide layer. Further, the waveguide layer 20 is connected to the uniform thickness waveguide layer 21 having a uniform thickness and the uniform thickness waveguide layer 21, and has the same layer thickness as the uniform thickness waveguide layer 21 at the connection portion. However, the layer thickness gradually decreases as it goes away from the connecting portion, and the tapered waveguide layer 22 emits the guided light propagating through the uniform layer thickness waveguide layer 21 to the substrate side.

上記クラッド層30は、上記テーパ状導波層22の形状と導
波層20、基板10の屈折率で定まる基板側への放射開始位
置Rを含むように設けられる。
The cladding layer 30 is provided so as to include the radiation start position R toward the substrate side, which is determined by the shape of the tapered waveguide layer 22, the waveguide layer 20, and the refractive index of the substrate 10.

また、クラッド層30は、このクラッド層部分でテーパ状
導波層22からの光の漏れ出しを全反射により防止するた
めに設けられており、その屈折率は基板10の屈折率に比
べて低い。
The clad layer 30 is provided to prevent light from leaking from the tapered waveguide layer 22 in this clad layer portion by total reflection, and its refractive index is lower than that of the substrate 10. .

また、導波層20のテーパ状導波層22の自由表面は、上記
基板10から突出するような凸面形状となすことができ
る。
Further, the free surface of the tapered waveguide layer 22 of the waveguide layer 20 can be formed in a convex shape so as to protrude from the substrate 10.

さて、以上のように構成されたテーパ状光導波路におい
ては、導波層20の構成は先の第6図乃至第13図に示した
テーパ状光導波路と同様の構成のため、その作用効果も
同様のものである。ここで、先のテーパ状光導波路との
違いは、放射光線の放射開始位置を制限する手段として
基板10にクラッド層30を設けた点に有る。
In the tapered optical waveguide having the above-described structure, the waveguide layer 20 has the same structure as the tapered optical waveguide shown in FIGS. It is similar. Here, the difference from the above-mentioned tapered optical waveguide is that the clad layer 30 is provided on the substrate 10 as a means for limiting the radiation start position of the radiation beam.

即ち、もしこの部分にクラッド層が無ければ、光の漏れ
出しは放射開始位置Rから始まる。しかるに、放射開始
位置Rを含むように基板10よりも低屈折率のクラッド層
30が設けられたため、クラッド層30がなければ位置Rか
ら放射を開始する光線もクラッド層部分ではなお全反射
を繰り返し、実質的な放射開始点は、第15図(II)に示
す様にクラッド層30の右端部まで移動することになる。
従って、この位置で実際に放射が開始されるときは、テ
ーパ状導波層内部で基板へ入射する光線の入射角を十分
に小さくでき、その結果、放射角も小さくなり、各放射
光線は基板10と導波層20との境界面に対し立ち上がった
ものとなり、且つ放射光線相互が互いに平行に近くなる
ため、パワーの集中する位置は上記境界面から離れた位
置に位置することになり、従って、放射光線のパワーを
実際に基板外で集中させることも可能になる。
That is, if there is no cladding layer in this portion, light leakage starts from the radiation start position R. However, the cladding layer having a lower refractive index than the substrate 10 so as to include the radiation start position R
Since the 30 is provided, if the clad layer 30 does not exist, the ray that starts to radiate from the position R still repeats total reflection in the clad layer portion, and the substantial radiation starting point is as shown in FIG. 15 (II). It will move to the right edge of layer 30.
Therefore, when radiation is actually started at this position, the angle of incidence of the light rays that are incident on the substrate inside the tapered waveguide layer can be made sufficiently small, and as a result, the radiation angle is also small, and each radiation ray is emitted by the substrate. Since the radiated rays are close to each other and are parallel to each other, the position where the power is concentrated is located away from the boundary surface. It is also possible to actually concentrate the power of the emitted light outside the substrate.

したがって、このテーパ状光導波路の本質は、第15図
(I),(II)に示す様に、テーパ導波層22の領域Iで
は、伝搬角を変化させ、クラッド層30の設置された領域
IIでは基板表面に近く沿った放射光線の放射を有効に制
限し、領域IIIで基板表面に対して立ち上がった放射光
線によりパワーを取り出すことによりパワー集中の位置
を基板表面から遠ざける点にある。
Therefore, the essence of this tapered optical waveguide is that the propagation angle is changed in the region I of the tapered waveguide layer 22 as shown in FIGS. 15 (I) and (II), and the region where the cladding layer 30 is installed is changed.
In II, the emission of radiation rays along the surface of the substrate is effectively limited, and the power is extracted by the radiation rays rising to the surface of the substrate in the region III, whereby the position of power concentration is moved away from the surface of the substrate.

このように、第15図(I),(II)に示すテーパ状光導
波路は、クラッド層30を持ち、このクラッド層30により
放射光線の放射開始位置を調整できるので、導波光のパ
ワーを基板10と導波層20との境界面から離れた位置に位
置させることができ、また、テーパ状導波層22の自由表
面形状を凸面とすることによりパワー集中の安定性を高
めることが可能となる。従って、光ディスク情報の記録
・再生用光学ヘッド等に適用可能な導波路型光ヘッドへ
の適用性が向上する。
As described above, the tapered optical waveguide shown in FIGS. 15 (I) and (II) has the cladding layer 30, and the radiation start position of the emitted light beam can be adjusted by the cladding layer 30, so that the power of the guided light can be controlled by the substrate. The tapered waveguide layer 22 can be located at a position away from the boundary surface between the waveguide layer 20 and the waveguide layer 20, and the free surface shape of the tapered waveguide layer 22 can be convex to improve stability of power concentration. Become. Therefore, the applicability to a waveguide type optical head applicable to an optical head for recording / reproducing optical disk information is improved.

次に、第14図は、第6図乃至第13図を参照して説明した
テーパ状光導波路を導波路型光ヘッドに利用する場合の
1例を示しており、また、第16図は第15図を参照して説
明したテーパ状光導波路を導波路型光ヘッドに利用する
場合の1例を示している。
Next, FIG. 14 shows an example in which the tapered optical waveguide described with reference to FIGS. 6 to 13 is used in a waveguide type optical head, and FIG. An example of using the tapered optical waveguide described in FIG. 15 in a waveguide type optical head is shown.

第14図、第16図に示すように、何れのテーパ状光導波路
を用いた場合においても、基板10側へ取り出される光に
は、導波層20の幅方向への集束性はないので、基板側に
取り出された光を光ディスク50上にスポット状に集束さ
せるためには、例えば、シリンドリカルレンズ40をアナ
モフィックな光学系として使用し、このシリンドリカル
レンズ40によって導波層の幅方向への集束性を持たせる
ことができる。
As shown in FIGS. 14 and 16, no matter which tapered optical waveguide is used, the light extracted to the substrate 10 side does not have the focusing property in the width direction of the waveguide layer 20, In order to focus the light extracted to the substrate side in a spot shape on the optical disc 50, for example, the cylindrical lens 40 is used as an anamorphic optical system, and the cylindrical lens 40 can focus the waveguide layer in the width direction. Can have

尚、前述の第6図乃至第14図を参照して説明したテーパ
状光導波路については、本願発明者らによる、「武田・
宮崎;集積形光ディスクヘッド用テーパ導波路の集光特
性:電子情報通信学会論文誌Vol.J71-C,No.11,P.1552〜
1558,1988年11月」に詳細な説明がある。
Regarding the tapered optical waveguide described with reference to FIGS. 6 to 14 described above, the inventors of the present application refer to “Takeda
Miyazaki: Condensing Characteristics of Tapered Waveguide for Integrated Optical Disk Head: IEICE Transactions Vol.J71-C, No.11, P.1552〜
1558, November 1988 ”.

ところで、導波路の外部に上述のようなレンズを取付け
るには、複雑な光軸合わせや、基板とレンズ間のギャッ
プの管理など不便な点が多く好ましくない。
By the way, it is not preferable to mount the above lens on the outside of the waveguide because there are many inconveniences such as complicated optical axis alignment and management of the gap between the substrate and the lens.

そこで、本発明においては、先に示したテーパ状光導波
路の導波層に該導波層の幅方向に集光作用を有するレン
ズ部(導波路レンズ)を設け、該レンズ部とテーパ状導
波層とによって導波層から基板側に放射された放射光を
基板外で集束させ、光ディスク上等にスポット状に集束
させるようにする。
Therefore, in the present invention, a lens portion (waveguide lens) having a condensing action in the width direction of the waveguide layer is provided in the waveguide layer of the above-mentioned tapered optical waveguide, and the lens portion and the tapered waveguide are provided. Radiation light radiated from the waveguiding layer to the substrate side by the wave layer is focused outside the substrate to be spot-shaped on the optical disk or the like.

以下、図示の実施例に基づいて説明する。Hereinafter, description will be given based on the illustrated embodiment.

第1図は本発明による導波路型光ヘッドの一実施例を示
すテーパ状光導波路の概略的斜視構成図を示している。
FIG. 1 is a schematic perspective view of a tapered optical waveguide showing an embodiment of a waveguide type optical head according to the present invention.

同図において、符号1は導波層を示し、この導波層は第
6図乃至第13図を参照して説明したテーパ状光導波路と
同様の均一層厚導波層とテーパ状導波層とによって構成
されている。尚、均一層厚導波層の層厚は2μm前後で
ある。
In the figure, reference numeral 1 denotes a waveguiding layer, and the waveguiding layer is a uniform thickness waveguide layer and a tapered waveguiding layer similar to the tapered optical waveguide described with reference to FIGS. 6 to 13. It is composed of and. The layer thickness of the uniform thickness waveguide layer is about 2 μm.

また、符号2,3は基板を示しており、この基板は上記導
波層1形成用の平面を共有する伝搬基板2と放射基板3
とを上記導波層1における導波方向へ上記順序に連接し
てなり、上記放射基板3は伝搬基板2よりも大きい屈折
率を有する。ここで、上記導波層1の屈折率をnf、伝搬
基板2の屈折率をns、放射基板3の屈折率をncとする
と、nf>nc>nsの関係となる。
Reference numerals 2 and 3 denote substrates, which are the propagation substrate 2 and the radiation substrate 3 which share the plane for forming the waveguide layer 1.
Are connected in the above-described order in the waveguide direction in the waveguide layer 1, and the radiation substrate 3 has a larger refractive index than the propagation substrate 2. Here, when the refractive index of the waveguide layer 1 is nf, the refractive index of the propagation substrate 2 is ns, and the refractive index of the radiation substrate 3 is nc, the relationship of nf>nc> ns is established.

また、上記伝搬基板2と放射基板3との連接部は、上記
伝搬基板2と導波層1の屈折率、テーパ状導波層の形状
により定まる放射開始位置に近く、且つこの放射開始位
置を上記導波方向において越えないように設定されてい
る。
Further, the connection portion between the propagation substrate 2 and the radiation substrate 3 is close to the radiation start position determined by the refractive indexes of the propagation substrate 2 and the waveguide layer 1 and the shape of the tapered waveguide layer, and this radiation start position is It is set so as not to exceed in the waveguide direction.

また、第1図において符号7は本発明の特徴をなす導波
路レンズを示しており、この導波路レンズ7は導波層
(均一導波層又は放射位置より手前のテーパ状導波層の
何れでも可)1に形成され、該導波層1の幅方向(図中
y方向)に集束作用を有するように構成されている。
尚、この導波路レンズ7としては、第2図(a)及び第
3図(a),(b)に示すモードインデックスレンズ、
第2図(b)に示すルネブルグレンズ、第2図(c)に
示すジオデシックレンズ、あるいは第4図に示すグレー
ティングレンズ(図示の例ではフレネルレンズ)等の導
波路レンズを用いることができる。
Further, in FIG. 1, reference numeral 7 indicates a waveguide lens which is a feature of the present invention. The waveguide lens 7 is a waveguide layer (either a uniform waveguide layer or a tapered waveguide layer before the radiation position). However, it is configured to have a focusing action in the width direction of the waveguide layer 1 (y direction in the drawing).
As the waveguide lens 7, a mode index lens shown in FIGS. 2 (a) and 3 (a), (b),
A waveguide lens such as a Luneburg lens shown in FIG. 2 (b), a geodesic lens shown in FIG. 2 (c), or a grating lens (Fresnel lens in the example shown) shown in FIG. 4 can be used.

さて、以上の構成からなるテーパ状光導波路は、導波路
レンズ7を除いて、先の第6図乃至第13図を参照して説
明したテーパ状光導波路と同様に構成されているため、
同様の機能を有する。したがって、本発明の特徴は、テ
ーパ状光導波路を光ヘッドに適用するに際し、シリンド
リカルレンズ等の外部レンズと同等な機能を有するレン
ズを導波層1上に一体に形成することによって導波層1
の幅方向にも集束性を持たせたことにある。
Now, since the tapered optical waveguide having the above-mentioned configuration is configured in the same manner as the tapered optical waveguide described with reference to FIGS. 6 to 13 above except the waveguide lens 7,
It has the same function. Therefore, a feature of the present invention is that when a tapered optical waveguide is applied to an optical head, a lens having a function equivalent to an external lens such as a cylindrical lens is integrally formed on the waveguide layer 1 to form the waveguide layer 1.
This is because it also has a focusing property in the width direction.

次に、第1図に示すテーパ状光導波路の機能について説
明する。
Next, the function of the tapered optical waveguide shown in FIG. 1 will be described.

第1図において、Butt結合(半導体レーザーを直接導波
層1端面に密着させる方法)等によりレーザー光が導波
層1に入射されると、導波層1内を伝搬する導波光6は
導波路の基本波であるTE0モードとなり、このTE0モード
の導波光6は、導波層1内を図中Z方向に伝搬するに従
って、ビーム幅を徐々に広げつつ導波路レンズ7に到達
する。尚、コリメートレンズを付加した場合は、平行光
が到達する。
In FIG. 1, when laser light is incident on the waveguide layer 1 by Butt coupling (a method in which a semiconductor laser is directly adhered to the end face of the waveguide layer 1), the guided light 6 propagating in the waveguide layer 1 is guided. The TE 0 mode which is the fundamental wave of the waveguide becomes TE 0 mode, and the guided light 6 of this TE 0 mode reaches the waveguide lens 7 while gradually expanding the beam width as it propagates in the waveguide layer 1 in the Z direction in the figure. . When a collimator lens is added, parallel light arrives.

導波路レンズ7に到達した導波光6は、導波路レンズ7
の集束作用により、導波層1の幅方向に集束する集束光
となり、空気中の焦点8に集束されるビームとなる。
尚、導波路レンズ7の集束作用は導波層の幅方向即ち図
中y方向の成分のみである。
The guided light 6 that has reached the waveguide lens 7 is
Due to the focusing action of, the light becomes focused light that is focused in the width direction of the waveguide layer 1, and becomes a beam that is focused on the focal point 8 in the air.
The focusing action of the waveguide lens 7 is only the component in the width direction of the waveguide layer, that is, the y direction in the figure.

さて、導波路レンズ7を通過した導波光は、除々にビー
ム幅を狭めつつテーパ状導波層のテーパ部4に到達し、
このテーパ部4の作用により、基板2,3への漏洩波とし
て放射され、放射基板3の端面5から基板外に放射され
る。この放射光9は、上記テーパ部4の作用ならびに基
板2、基板3の作用により、今度は図中x方向の成分の
集束性を持ち、焦点8に集束するビームとなる。したが
って、本発明によるテーパ状光導波路を用いた場合に
は、導波路レンズ7及びテーパ状導波層と基板の作用に
より、外部に放射される放射光9は、図中x,y方向に集
束される放射光となり、空気中の焦点8に微小な光スポ
ットを形成することができる。
Now, the guided light that has passed through the waveguide lens 7 reaches the tapered portion 4 of the tapered waveguide layer while gradually narrowing the beam width,
By the action of the taper portion 4, it is radiated as a leaky wave to the substrates 2 and 3, and radiated from the end face 5 of the radiation substrate 3 to the outside of the substrate. Due to the action of the taper portion 4 and the action of the substrate 2 and the substrate 3, the emitted light 9 has a focusing property of the component in the x direction in the figure, and becomes a beam that focuses on the focal point 8. Therefore, when the tapered optical waveguide according to the present invention is used, the radiation light 9 emitted to the outside is focused in the x and y directions in the figure by the action of the waveguide lens 7, the tapered waveguide layer and the substrate. The emitted light becomes the emitted light, and a minute light spot can be formed at the focal point 8 in the air.

したがって、第1図に示すテーパ状光導波路を光ヘッド
として利用する場合には、焦点8の位置に光ディスクを
配置すればよく、放射光9をこの光ディスク上にスポッ
ト状に集束させることができる。また、光ディスクから
反射される信号光は上述の経路を逆にたどり、再び導波
層1を逆方向に伝搬され、信号検出される。尚、信号光
を検出する光検知器等を導波層内に形成することもでき
る。
Therefore, when the tapered optical waveguide shown in FIG. 1 is used as an optical head, the optical disk may be arranged at the position of the focal point 8 and the emitted light 9 can be focused in a spot shape on the optical disk. Further, the signal light reflected from the optical disk follows the above-mentioned path in the opposite direction, is propagated in the opposite direction through the waveguide layer 1 again, and the signal is detected. Incidentally, a photodetector or the like for detecting the signal light may be formed in the waveguide layer.

ところで、第1図に示すテーパ状光導波路では、先の第
6図乃至第13図で説明したテーパ状光導波路の導波層に
導波路レンズを設けた例を示したが、第15図に示したク
ラッド層を有するテーパ状光導波路の導波層に導波路レ
ンズを設けても、同様の作用効果を得ることができ、同
様に導波路型光ヘッドに適用することができる。
By the way, in the tapered optical waveguide shown in FIG. 1, an example in which a waveguide lens is provided in the waveguide layer of the tapered optical waveguide described in FIGS. 6 to 13 is shown. Even if a waveguide lens is provided in the waveguide layer of the tapered optical waveguide having the clad layer shown, the same effect can be obtained, and the same can be applied to the waveguide type optical head.

第5図はその一実施例を示す導波路型光ヘッドの概略的
斜視構成図であって、この導波路型光ヘッドは、導波層
形成用の平面を有し導波層より低い屈折率を持ち導波光
に対して透明な基板2と、この基板2の上記平面上に形
成された導波層1と、上記基板2の上記平面に埋設され
たクラッド層30とを有し、上記導波層1は層厚が均一な
均一層厚導波層と、この均一層厚導波層に連接され、連
接部では均一層厚導波層と同一の層厚を有し、上記連接
部を離れるに従って層厚が漸次減少し、上記均一層厚導
波層を伝搬されてくる導波光6を基板2側へ放射するテ
ーパ状導波層とからなり、上記クラッド層30は上記基板
2よりも低屈折率で、上記テーパ状導波層の形状と導波
層1,基板2の屈折率で定まる基板2側への放射開始位置
を含むように設けられると共に、上記導波層1は、導波
層1の幅方向に集光作用を有する導波路レンズ7を備
え、上記テーパ状導波層4によって基板2側に放射され
た放射光を基板外の光ディスク面上にスポット状に集束
させるように構成されている。
FIG. 5 is a schematic perspective view of a waveguide type optical head showing an embodiment thereof, which has a flat surface for forming a waveguide layer and has a lower refractive index than the waveguide layer. And a waveguide layer 1 formed on the plane of the substrate 2, and a clad layer 30 embedded in the plane of the substrate 2. The wave layer 1 is connected to the uniform-thickness waveguide layer having a uniform layer thickness and the uniform-thickness waveguide layer, and has the same layer thickness as the uniform-thickness waveguide layer at the connection portion. The layer thickness gradually decreases as the distance increases, and the waveguide layer 6 includes a tapered waveguide layer that radiates the guided light 6 propagating in the uniform-thickness waveguide layer to the substrate 2 side. It is provided with a low refractive index so as to include the radiation start position toward the substrate 2 side which is determined by the shape of the tapered waveguide layer and the refractive index of the waveguide layer 1 and the substrate 2. In addition, the waveguide layer 1 includes a waveguide lens 7 having a condensing action in the width direction of the waveguide layer 1, and the emitted light emitted to the substrate 2 side by the tapered waveguide layer 4 is emitted outside the substrate. It is configured so as to be focused in a spot shape on the optical disk surface.

即ち、第5図に示す構成の導波路型光ヘッドは、先の第
15図を参照して説明したテーパ状光導波路の導波層1内
に、先の第2図乃至第4図に示した導波路レンズ7を付
加することにより、導波層1の幅方向にも集束性を持た
せたものであり、第1図に示した導波路型光ヘッドと同
様の作用効果を得ることができるものである。
That is, the waveguide type optical head having the configuration shown in FIG.
By adding the waveguide lens 7 shown in FIGS. 2 to 4 in the waveguide layer 1 of the tapered optical waveguide described with reference to FIG. 15, the width direction of the waveguide layer 1 is increased. Also has a converging property, and it is possible to obtain the same effect as the waveguide type optical head shown in FIG.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上、本発明によれば、光ヘッドの主要部を構成するテ
ーパ状光導波路に集束性を持たせることができるため、
シリンドリカルレンズ等の外部レンズを用いずに、光デ
ィスク上に微小な光スポットを形成することができる。
As described above, according to the present invention, since the tapered optical waveguide forming the main part of the optical head can have the focusing property,
It is possible to form a minute light spot on the optical disc without using an external lens such as a cylindrical lens.

したがって、本発明による導波路型光ヘッドでは集光光
学系をテーパ状光導波路のみによって構成することがで
き、光軸合わせはテーパ状光導波路形成時にフォトリソ
グラフィ等の薄膜プロセスで行なえるため、組み付け、
調整の手間が大幅に低減される。また、シリンドリカル
レンズ等の光学部品点数も大幅に減少されるため、安価
な光ヘッドを提供することができる。
Therefore, in the waveguide type optical head according to the present invention, the condensing optical system can be configured only by the tapered optical waveguide, and the optical axis can be aligned by a thin film process such as photolithography when forming the tapered optical waveguide. ,
Adjustment work is greatly reduced. Moreover, since the number of optical components such as the cylindrical lens is significantly reduced, an inexpensive optical head can be provided.

また、本発明による導波路型光ヘッドでは集光光学系を
テーパ状光導波路のみによって構成することができるた
め、小型化、軽量化が容易に図れ、且つ、導波路型光ヘ
ッドの高安定化及び信頼性の向上を図ることができる。
Further, in the waveguide type optical head according to the present invention, since the condensing optical system can be constituted only by the tapered optical waveguide, the miniaturization and the weight saving can be easily achieved, and the high stability of the waveguide type optical head can be achieved. Also, the reliability can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明による導波路型光ヘッドを構成するテー
パ状光導波路の一実施例を示す概略的斜視構成図、第2
図乃至第4図は同上テーパ状光導波路の導波層に形成さ
れる導波路レンズの例を夫々示す図、第5図は本発明に
よる導波路型光ヘッドを構成するテーパ状光導波路の別
の実施例を示す概略的斜視構成図、第6図は本発明の導
波路型光ヘッドに適用し得るテーパ状光導波路の一例を
説明図的に示す図、第7図乃至第13図は同上テーパ状光
導波路による作用を説明するための図、第14図は第6図
に示すテーパ状光導波路を利用した光ヘッドの一例を示
す図、第15図は本発明の導波路型光ヘッドに適用し得る
テーパ状光導波路の別の例を説明図的に示す図、第16図
は第15図に示すテーパ状光導波路を利用した光ヘッドの
一例を示す図である。 1,20……導波層、2,11……伝搬基板、3,12……放射基
板、4……テーパ部、5……出射端面、6……導波光、
7……導波路レンズ、8……集光焦点、9……放射光、
10……基板、21……均一層厚導波層、22……テーパ状導
波層、30……クラッド層、50……光ディスク。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an embodiment of a tapered optical waveguide which constitutes a waveguide type optical head according to the present invention.
FIG. 4 to FIG. 4 are views each showing an example of a waveguide lens formed in the waveguide layer of the same tapered optical waveguide, and FIG. 5 is another view of the tapered optical waveguide constituting the waveguide type optical head according to the present invention. FIG. 6 is a schematic perspective view showing an embodiment of the present invention, FIG. 6 is an explanatory view showing an example of a tapered optical waveguide applicable to the waveguide type optical head of the present invention, and FIGS. 7 to 13 are the same. FIG. 14 is a diagram for explaining the action of the tapered optical waveguide, FIG. 14 is a diagram showing an example of an optical head using the tapered optical waveguide shown in FIG. 6, and FIG. 15 is a waveguide type optical head of the present invention. FIG. 16 is a diagram schematically illustrating another example of a tapered optical waveguide that can be applied, and FIG. 16 is a diagram illustrating an example of an optical head using the tapered optical waveguide shown in FIG. 1,20 ... Waveguide layer, 2,11 ... Propagation substrate, 3,12 ... Radiation substrate, 4 ... Tapered portion, 5 ... Emitting end face, 6 ... Guided light,
7 ... Waveguide lens, 8 ... Focus, 9 ... Synchrotron radiation,
10 ... Substrate, 21 ... Uniform thickness waveguide layer, 22 ... Tapered waveguide layer, 30 ... Clad layer, 50 ... Optical disk.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】導波層形成用の平面を有し、導波層より低
い屈折率をもち、導波光に対して透明な基板と、この基
板の上記平面上に形成された導波層とにより構成され、
上記導波層は層厚が均一な均一層厚導波層と、この均一
層厚導波層に連接され、連接部では均一層厚導波層と同
一の層厚を有し、上記連接部を離れるに従って層厚が漸
次減少し、上記均一層厚導波層を伝播されてくる導波光
を基板側へ放射するテーパ状導波層とからなり、且つ、
上記導波層は該導波層の幅方向に集光作用を有するレン
ズを備え、上記テーパ状導波層によって基板側に放射さ
れた放射光を光ディスク上にスポット状に集束させるよ
うに構成されたことを特徴とする導波路型光ヘッド。
1. A substrate having a flat surface for forming a waveguide layer, having a refractive index lower than that of the waveguide layer, and transparent to guided light, and a waveguide layer formed on the flat surface of the substrate. Consists of
The waveguide layer has a uniform thickness waveguide layer having a uniform layer thickness and is connected to the uniform thickness waveguide layer, and has the same layer thickness as the uniform thickness waveguide layer at the connection portion. And a tapered waveguide layer that radiates guided light propagating through the uniform-thickness waveguide layer to the substrate side, and
The waveguide layer is provided with a lens having a light collecting action in the width direction of the waveguide layer, and is configured to focus the emitted light emitted toward the substrate side by the tapered waveguide layer on the optical disc in a spot shape. A waveguide type optical head characterized in that
【請求項2】請求項1記載の導波路型光ヘッドにおい
て、基板は導波層形成用の平面を共有する伝搬基板と放
射基板とを導波層における導波方向へ連接してなり、上
記放射基板は上記伝搬基板よりも大きい屈折率を有し、
上記伝搬基板と放射基板の連接部が、上記伝搬基板と導
波層の屈折率、テーパ状導波層の形状により定まる放射
開始位置に近く、且つこの放射開始位置を上記導波方向
において越えないように設定されたことを特徴とする導
波路型光ヘッド。
2. The waveguide type optical head according to claim 1, wherein the substrate is formed by connecting a propagation substrate and a radiation substrate, which share a plane for forming a waveguide layer, in the waveguide direction in the waveguide layer. The radiating substrate has a higher refractive index than the propagation substrate,
The connection portion between the propagation substrate and the radiation substrate is close to the radiation start position determined by the refractive index of the propagation substrate and the waveguide layer and the shape of the tapered waveguide layer, and does not exceed this radiation start position in the waveguide direction. A waveguide type optical head characterized by being set as follows.
【請求項3】導波層形成用の平面を有し、導波層より低
い屈折率をもち、導波光に対して透明な基板と、この基
板の上記平面上に形成された導波層と、上記基板の上記
平面に埋設されたクラッド層とを有し、上記導波層は層
厚が均一な均一層厚導波層と、この均一層厚導波層に連
接され、連接部では均一層厚導波層と同一の層厚を有
し、上記連接部を離れるに従って層厚が漸次減少し、上
記均一層厚導波層を伝搬されてくる導波光を基板側へ放
射するテーパ状導波層とからなり、上記クラッド層は上
記基板よりも低屈折率で、上記テーパ状導波層の形状と
導波層,基板の屈折率で定まる基板側への放射開始位置
を含むように設けられると共に、上記導波層は該導波層
の幅方向に集光作用を有するレンズを備え、上記テーパ
状導波層によって基板側に放射された放射光を光ディス
ク上にスポット状に集束させるように構成されたことを
特徴とする導波路型光ヘッド。
3. A substrate having a flat surface for forming a waveguide layer, having a refractive index lower than that of the waveguide layer, and transparent to guided light, and a waveguide layer formed on the flat surface of the substrate. A clad layer embedded in the plane of the substrate, the waveguide layer being a uniform-thickness waveguide layer having a uniform layer thickness and being connected to the uniform-thickness waveguide layer. It has the same layer thickness as the one-layer waveguide layer, and the layer thickness gradually decreases as it goes away from the connecting portion, and the tapered waveguide that radiates the guided light propagating through the uniform-thickness waveguide layer to the substrate side. And a clad layer having a refractive index lower than that of the substrate, and provided so as to include a radiation start position to the substrate side which is determined by the shape of the tapered waveguide layer and the waveguide layer and the refractive index of the substrate. In addition, the waveguide layer is provided with a lens having a light collecting action in the width direction of the waveguide layer, and the tapered waveguide layer serves as a base. Waveguide type optical head is characterized in that it is configured radiation emitted to the side so as to converge into a spot shape on the optical disk.
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