JPH0599989A - Test circuit for ram with gate array - Google Patents

Test circuit for ram with gate array

Info

Publication number
JPH0599989A
JPH0599989A JP3259101A JP25910191A JPH0599989A JP H0599989 A JPH0599989 A JP H0599989A JP 3259101 A JP3259101 A JP 3259101A JP 25910191 A JP25910191 A JP 25910191A JP H0599989 A JPH0599989 A JP H0599989A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ram
output
gate array
circuit
comparison
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3259101A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hirobumi Sakaino
博文 境野
Yoshihiko Kawano
良彦 川野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Corp
NEC Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP3259101A priority Critical patent/JPH0599989A/en
Publication of JPH0599989A publication Critical patent/JPH0599989A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

PURPOSE:To test a plurality of RAM macros simultaneously when the function of a RAM part of a RAM with a gate array is to be tested. CONSTITUTION:Output signals of RAM macros 21, 22,..., 2N are input to the corresponding comparison circuits 31, 32,..., 3N, and compared with the comparison data input from a comparison data input terminal 13. Each detecting result as to the agreement/disagreement is input to a selecting circuit 41. In the selecting circuit, in accordance with the content of the select signal input from a select signal input terminal 14, outputs of a plurality of comparison circuits are selected or subjected to a logical operation to obtain OR. Tone result is output from an output terminal 16.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はゲートアレイ付RAM用
テスト回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test circuit for RAM with gate array.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のゲートアレイ付RAMは
1ビットの情報を記憶するメモリセルを縦及び横にマト
リックス状に配列し、それぞれが独立した複数のメモリ
セル(RAMマクロ)とゲートアレイとを有している。
また、RAMの特性評価のため外部端子から直接RAM
の試験を可能とするRAMテスト回路が内蔵されてい
る。従来、この種のゲートアレイ付RAMのテスト回路
は、RAMマクロのビット幅が大きく、またはRAMマ
クロ数が多いため、各RAM出力を直接出力端子に出す
には出力端子を多数必要とするため、通常出力端子数を
減らすために、RAM出力をセレクトする回路が内蔵さ
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a RAM with a gate array of this kind has a plurality of memory cells (RAM macros) and gate arrays in which memory cells for storing 1-bit information are arranged vertically and horizontally in a matrix. And have.
In addition, the RAM can be evaluated directly from the external terminal to evaluate the RAM characteristics.
The built-in RAM test circuit enables the above test. Conventionally, a test circuit for a RAM with a gate array of this type has a large bit width of a RAM macro or a large number of RAM macros. Therefore, a large number of output terminals are required to directly output each RAM output to an output terminal. In order to reduce the number of normal output terminals, a circuit for selecting RAM output is built in.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のゲート
アレイ付RAMは、複数のRAM出力をセレクトする回
路を通し、セレクト回路出力が外部端子に接続されてい
るので、複数のRAMビットを同時に試験できないた
め、セレクト条件を変えて同じ試験を複数回実施しなけ
ればならないという欠点がある。
In the conventional RAM with a gate array described above, since a select circuit output is connected to an external terminal through a circuit for selecting a plurality of RAM outputs, a plurality of RAM bits are tested at the same time. Therefore, there is a drawback that the same test must be performed multiple times by changing the selection condition.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明のゲートアレイ付
RAM用テスト回路は、1ビットの情報を記憶するメモ
リセルを縦及び横にマトリックス状に配列し、それぞれ
が独立した複数のメモリセルアレイ(以下RAMマクロ
と称する)と、ゲートアレイとを有しているゲートアレ
イ付RAMにおいて、RAMの試験時に外部端子から比
較データを入力して前記RAMマクロの出力とそれぞれ
独立に比較する比較回路が設けられている。
A test circuit for RAM with a gate array according to the present invention has a plurality of memory cell arrays each of which has memory cells for storing 1-bit information arranged vertically and horizontally in a matrix. (Hereinafter referred to as RAM macro) and a gate array RAM having a gate array, a comparison circuit for inputting comparison data from an external terminal at the time of testing the RAM and independently comparing the output with the RAM macro is provided. Has been.

【0005】更に本発明のゲートアレイ付RAM用テス
ト回路は、前記比較回路において、前記RAMマクロの
出力信号を入力する部分にクロック信号で動作するラッ
チ回路が設けられている。
Further, in the RAM test circuit with a gate array according to the present invention, in the comparison circuit, a latch circuit which operates by a clock signal is provided in a portion for inputting the output signal of the RAM macro.

【0006】更に本発明のゲートアレイ付RAM用テス
ト回路は、前記比較回路の出力をセレクト信号により任
意の出力を出力端子に出力させる選択回路が設けられて
いる。
Further, the test circuit for RAM with gate array of the present invention is provided with a selection circuit for outputting an arbitrary output to the output terminal by the selection signal from the output of the comparison circuit.

【0007】[0007]

【作用】本発明に係わるゲートアレイ付RAM用テスト
回路は、外部から比較データを入力して全てのRAMマ
クロ出力を同時に出力し、それぞれの結果の論理和をと
り、その結果を出力することにより同時に全てのRAM
マクロの試験を行うことができる。
The RAM test circuit with a gate array according to the present invention inputs the comparison data from the outside, simultaneously outputs all the RAM macro outputs, takes the logical sum of the respective results, and outputs the results. All RAM at the same time
Macro testing can be done.

【0008】[0008]

【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0009】図1は本発明の一実施例のブロック図であ
る。アドレス入力端子11から入力されたアドレス信号
は、RAMマクロ21、22、…、2Nのアドレス信号
入力部ADにそれぞれ入力される。書込みデータ入力端
子12から入力された書込みデータ信号はRAMマクロ
21、22、…、2Nの書込みデータ信号入力部WDに
それぞれ入力される。RAMマクロ21、22、…、2
Nの出力信号はデータを比較する比較回路31、32、
…、3Nにそれぞれ入力される。クロック信号入力端子
15から入力されたクロック信号は、比較回路31、3
2、…、3Nのクロック入力部にそれぞれ入力される。
比較データ入力端子13から入力された比較データは比
較回路31、32、…、3Nにそれぞれ入力される。比
較回路31、32、…、3Nの出力は選択回路41に入
力され、セレクト信号入力端子14から入力されたセレ
クト信号により、比較回路31、32、…、3Nの信号
を選択し、その結果を出力端子16に出力する。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention. The address signal input from the address input terminal 11 is input to the address signal input portions AD of the RAM macros 21, 22, ..., 2N, respectively. The write data signals input from the write data input terminal 12 are input to the write data signal input sections WD of the RAM macros 21, 22, ..., 2N, respectively. RAM macros 21, 22, ..., 2
The output signals of N are comparison circuits 31, 32 for comparing data,
... 3N are input respectively. The clock signal input from the clock signal input terminal 15 is compared with the comparison circuits 31, 3
2, ..., 3N are input to the respective clock input sections.
The comparison data input from the comparison data input terminal 13 is input to the comparison circuits 31, 32, ..., 3N, respectively. The outputs of the comparison circuits 31, 32, ..., 3N are input to the selection circuit 41, and the signals of the comparison circuits 31, 32, ..., 3N are selected by the select signal input from the select signal input terminal 14, and the results are displayed. Output to the output terminal 16.

【0010】次に図1を参照して本発明の一実施例の動
作について説明する。アドレス入力端子11から入力さ
れたアドレス信号により指定されたアドレスには、書込
みデータ入力端子12から入力された書込みデータ信号
が記憶されていて、その記憶されているデータがRAM
マクロ21、22、…、2Nからそれぞれ出力され比較
回路31、32、…、3Nに入力される。各比較回路は
ラッチ回路を含み、クロック信号入力端子15から入力
されたクロック信号でRAMマクロからの出力をラッチ
する。比較回路31、32、…、3Nではそれぞれ、ラ
ッチしたデータと比較データ入力端子13から入力され
た比較データとを比較し、一致/不一致を判定してその
結果を出力する。その結果は選択回路41に入力され、
セレクト信号入力端子14より入力されたセレクト信号
により、比較回路の出力の任意の一信号を選択させた
り、比較回路の出力の論理和をとったりする。その結果
を出力端子16に出力させ試験結果をモニターする。
Next, the operation of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The write data signal input from the write data input terminal 12 is stored at the address designated by the address signal input from the address input terminal 11, and the stored data is stored in the RAM.
2N are respectively output from the macros 21, 22, ..., 2N and are input to the comparison circuits 31, 32 ,. Each comparison circuit includes a latch circuit, and latches the output from the RAM macro with the clock signal input from the clock signal input terminal 15. Each of the comparison circuits 31, 32, ..., 3N compares the latched data with the comparison data input from the comparison data input terminal 13, determines whether they match or not, and outputs the result. The result is input to the selection circuit 41,
The select signal input from the select signal input terminal 14 is used to select an arbitrary signal output from the comparison circuit or to OR the outputs of the comparison circuit. The result is output to the output terminal 16 and the test result is monitored.

【0011】選択回路41のセレクトモードを論理和を
とるモードにしておくと、RAMマクロ出力の内どれか
一つでもエラーがあれば、そのエラーが選択回路41の
出力となる。一方、任意のRAMマクロを選択するモー
ドにしておくと、任意のRAMマクロの結果が選択回路
41の出力となる。
When the select mode of the selecting circuit 41 is set to the mode for taking the logical sum, if any one of the RAM macro outputs has an error, the error becomes the output of the selecting circuit 41. On the other hand, when the mode for selecting an arbitrary RAM macro is set, the result of the arbitrary RAM macro becomes the output of the selection circuit 41.

【0012】[0012]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、外部から
比較データを入力して全てのRAMマクロ出力を同時に
比較でき、それぞれの比較結果の論理和をとり、その結
果を出力することにより同時に全てのRAMマクロのパ
ス/フェイルの判定ができる効果がある。また、選択回
路で任意のRAMマクロ出力に対応する比較回路を選択
することにより、任意のRAMマクロのパス/フェイル
の判定をすることができる効果もある。更に、RAMマ
クロ出力を比較回路の入力でラッチすることにより任意
のタイミングでの比較が可能となり、RAMのアクセス
タイムの測定ができるという効果もある。
As described above, according to the present invention, it is possible to input comparison data from the outside and compare all RAM macro outputs at the same time, take the logical sum of the respective comparison results, and output the results. There is an effect that the pass / fail of all the RAM macros can be determined. Further, there is also an effect that the pass / fail judgment of an arbitrary RAM macro can be made by selecting the comparison circuit corresponding to an arbitrary RAM macro output by the selection circuit. Further, by latching the RAM macro output with the input of the comparison circuit, comparison can be performed at any timing, and there is an effect that the access time of the RAM can be measured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は本発明の一実施例を示すブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 アドレス入力端子 12 書込みデータ入力端子 13 比較データ入力端子 14 セレクト信号入力端子 15 クロック信号入力端子 16 出力端子 11 address input terminal 12 write data input terminal 13 comparison data input terminal 14 select signal input terminal 15 clock signal input terminal 16 output terminal

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1ビットの情報を記憶するメモリセルを
縦及び横にマトリックス状に配列し、それぞれが独立し
た複数のメモリセルアレイ(以下RAMマクロと称す
る)と、ゲートアレイとを有しているゲートアレイ付R
AMにおいて、RAMの試験時に外部端子から比較デー
タを入力して前記RAMマクロの出力とそれぞれ独立に
比較する比較回路を具備することを特徴とするゲートア
レイ付RAM用テスト回路。
1. A memory cell for storing 1-bit information is arranged vertically and horizontally in a matrix and has a plurality of independent memory cell arrays (hereinafter referred to as a RAM macro) and a gate array. R with gate array
In the AM, a test circuit for RAM with a gate array, comprising a comparison circuit for inputting comparison data from an external terminal at the time of testing the RAM and comparing each with the output of the RAM macro independently.
【請求項2】 前記比較回路において、前記RAMマク
ロの出力信号を入力する部分にクロック信号で動作する
ラッチ回路が設けられていることを特徴とする請求項1
記載のゲートアレイ付RAM用テスト回路。
2. The latch circuit, which operates with a clock signal, is provided in a portion of the comparison circuit for inputting an output signal of the RAM macro.
A test circuit for a RAM with a gate array as described.
【請求項3】 前記比較回路の出力をセレクト信号によ
り任意の出力を出力端子に出力させる選択回路を具備す
ることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のゲート
アレイ付RAM用テスト回路。
3. The test circuit for a RAM with a gate array according to claim 1, further comprising a selection circuit that outputs an arbitrary output from the comparison circuit to an output terminal according to a selection signal.
JP3259101A 1991-10-07 1991-10-07 Test circuit for ram with gate array Withdrawn JPH0599989A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3259101A JPH0599989A (en) 1991-10-07 1991-10-07 Test circuit for ram with gate array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3259101A JPH0599989A (en) 1991-10-07 1991-10-07 Test circuit for ram with gate array

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0599989A true JPH0599989A (en) 1993-04-23

Family

ID=17329340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3259101A Withdrawn JPH0599989A (en) 1991-10-07 1991-10-07 Test circuit for ram with gate array

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0599989A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110052777A (en) * 2009-11-13 2011-05-19 삼성전자주식회사 Bot apparatus and test system including the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110052777A (en) * 2009-11-13 2011-05-19 삼성전자주식회사 Bot apparatus and test system including the same
JP2011107132A (en) * 2009-11-13 2011-06-02 Samsung Electronics Co Ltd Bot device, and test system including the same
US9285415B2 (en) 2009-11-13 2016-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Built-off test device and test system including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6065141A (en) Self-diagnosable semiconductor memory device having a redundant circuit and semiconductor apparatus having the same in which the memory device cannot be accessed from outside the semiconductor apparatus
US5016220A (en) Semiconductor memory device with logic level responsive testing circuit and method therefor
EP0234937A2 (en) Tag buffer with testing capability
KR20030093104A (en) Semiconductor integrated circuit and testing method thereof
JPH0820967B2 (en) Integrated circuit
JP2002216496A (en) Semiconductor memory
US20070115736A1 (en) Semiconductor memory device having a single input terminal to select a buffer and method of testing the same
JPH10188597A (en) Memory tester
JP2953737B2 (en) Semiconductor memory having a multi-bit parallel test circuit
JPS63241791A (en) Semiconductor memory device
US7640467B2 (en) Semiconductor memory with a circuit for testing the same
JP3237579B2 (en) Memory test circuit
KR940011428B1 (en) Test circuit of semiconductor memory device
JPH10106292A (en) Memory tester
US6675336B1 (en) Distributed test architecture for multiport RAMs or other circuitry
US6519726B1 (en) Semiconductor device and testing method of the same
JPH0599989A (en) Test circuit for ram with gate array
US6611929B1 (en) Test circuit for memory
JPH0799000A (en) Method and circuit for testing ram block
JPH1116391A (en) Semiconductor memory circuit
JP3119632B2 (en) Megacell test apparatus and test method therefor
US20050114064A1 (en) Circuit for a parallel bit test of a semiconductor memory device and method thereof
KR100491052B1 (en) Testing circuit for SoC and method of testing the SoC
JPH08184645A (en) Semiconductor integrated circuit and test method therefor
JPH1196793A (en) Semiconductor memory test device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990107