JPH059704A - Production of high-silicon steel strip by continuous line - Google Patents

Production of high-silicon steel strip by continuous line

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JPH059704A
JPH059704A JP18415491A JP18415491A JPH059704A JP H059704 A JPH059704 A JP H059704A JP 18415491 A JP18415491 A JP 18415491A JP 18415491 A JP18415491 A JP 18415491A JP H059704 A JPH059704 A JP H059704A
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slit
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silicon steel
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正広 阿部
Kazuhisa Okada
和久 岡田
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Abstract

PURPOSE:To provide the process for production of the high-silicon steel strip which can continuously produce the high-silicon steel strip having a uniform Si quantity without having shape defects by a continuous diffusion penetration treatment of Si. CONSTITUTION:Plural slit nozzles 1 are disposed to face the front and rear surfaces of a steel strip apart spaced intervals in the longitudinal direction of a reaction furnace. Reactive gases are supplied to the individual slit nozzles 1 from the ends on one side thereof. The above-mentioned reactive gases are supplied from the alternately varying end sides of the plural slit nozzles 1 disposed apart the spaced intervals in the longitudinal direction of the furnace. The reactive gases are blown to the front and rear surfaces of the steel strip from these slit nozzles 1. More preferably, [the length 2 of the slit nozzles]/[the width of the steel strip] is regulated to a specific range and the steel strip is so passed that the one edge of the steel strip passes the position near the slit end on the gas supply side.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、拡散浸透法による高珪
素鋼帯の連続製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for continuously producing high silicon steel strip by a diffusion infiltration method.

【0002】[0002]

【従来の技術】珪素鋼板は優れた軟磁気特性を持つた
め、トランスやモータのコア材として広く用いられてい
る。この種の鋼板はSi含有量が増すほど鉄損が低減さ
れ、Siが6.5wt%では磁歪が0となり、最大透磁
率もピークとなるなど優れた磁気特性を呈することが知
られている。
2. Description of the Related Art Silicon steel sheets are widely used as core materials for transformers and motors because they have excellent soft magnetic properties. It is known that this type of steel sheet exhibits excellent magnetic properties such that the iron loss is reduced as the Si content increases, and the magnetostriction becomes 0 and the maximum magnetic permeability peaks when Si content is 6.5 wt%.

【0003】従来、珪素鋼板を製造する方法として、圧
延法、直接鋳造法および拡散浸透法があるが、このうち
圧延法はSi含有量4wt%程度までは製造可能である
が、それ以上のSi含有量では加工性が著しく悪くなる
ため、冷間圧延が困難となる。また、直接鋳造法は圧延
法のような加工性の問題は生じないが、形状不良を起し
易く、また、厚物材や幅広材が製造できない等、多くの
問題点がある。
Conventionally, there are a rolling method, a direct casting method and a diffusion infiltration method as a method for producing a silicon steel sheet. Among them, the rolling method can produce Si contents up to about 4 wt%, but more Si is required. If the content is too low, the workability is remarkably deteriorated, which makes cold rolling difficult. Further, the direct casting method does not cause the problem of workability unlike the rolling method, but has many problems such as easily causing a defective shape and being unable to manufacture a thick material or a wide material.

【0004】これに対し、拡散浸透法は低珪素鋼をあら
かじめ溶製して圧延により薄板化した後、表面からSi
を浸透させることにより高珪素鋼帯を製造するもので、
この方法によれば加工性の問題を生じることなく高珪素
鋼帯を得ることができる。この拡散浸透法による高珪素
鋼板の製造は、一般に、普通鋼板または低珪素鋼板(通
常、Si:4wt%以下)に対して、SiCl4等のS
i化合物を含む無酸化性ガス雰囲気中でSiの浸透処理
(浸珪処理)を施して鋼板の表面からSiを浸透させ、
次いで、Si化合物を含まない無酸化性ガス雰囲気中で
鋼板に対して拡散熱処理を施して、浸透させた珪素を鋼
板中に拡散させ、Siを均質に含有させた高珪素鋼板を
得るものである。
On the other hand, in the diffusion infiltration method, low silicon steel is melted in advance and thinned by rolling, and then Si is applied from the surface.
To produce high silicon steel strip by infiltrating
According to this method, a high silicon steel strip can be obtained without causing workability problems. Production of a high silicon steel sheet by this diffusion infiltration method is generally carried out by adding S such as SiCl 4 to an ordinary steel sheet or a low silicon steel sheet (usually Si: 4 wt% or less).
Si is permeated from the surface of the steel sheet by performing Si infiltration treatment (siliconization treatment) in an atmosphere of non-oxidizing gas containing i compound,
Then, the steel sheet is subjected to a diffusion heat treatment in a non-oxidizing gas atmosphere containing no Si compound to diffuse the infiltrated silicon into the steel sheet to obtain a high-silicon steel sheet containing Si uniformly. .

【0005】従来、この種の製造方法に関しては、鋼帯
を連続的に処理する場合の諸条件が十分検討されておら
ず、処理時間が30分以上と長いことや、処理温度が1
230℃と極めて高くエッジ部が溶解するおそれがある
など、処理条件が事実上連続ラインには適用できず、鋼
帯の連続ラインでの安定製造が期待できないという問題
があった。
Conventionally, with respect to this type of manufacturing method, various conditions for continuously processing a steel strip have not been sufficiently examined, and the processing time is as long as 30 minutes or more and the processing temperature is 1
There was a problem that the processing conditions could not be applied to a continuous line practically such that the edge portion was melted at an extremely high temperature of 230 ° C. and stable production in a continuous line of steel strip could not be expected.

【0006】このような問題に対し、本出願人は先に、
拡散浸透法を連続ラインに適用した珪素鋼帯の製造法
を、特開昭62−227078号および特開昭62−2
27091号として提案した。これらの方法は、鋼帯を
加熱し、SiCl4を含む無酸化性ガス雰囲気中で化学
気相蒸着法により連続的に浸珪処理した後、SiCl4
を含まない無酸化性ガス雰囲気で拡散均熱処理してSi
を均一化し、冷却後コイル状に巻取る一連のプロセス
を、連続ライン化し、珪素鋼帯を効率よく製造する方法
に関するもので、連続ラインにおいて浸珪処理する際の
反応ガス濃度、反応時間、均熱拡散処理時間および処理
温度等を詳細に検討且つ特定し、連続ラインでの拡散浸
透処理による高珪素鋼帯の製造を可能ならしめたもので
ある。
To address such a problem, the present applicant has previously
A method for producing a silicon steel strip in which the diffusion and infiltration method is applied to a continuous line is disclosed in JP-A-62-227078 and JP-A-62-2.
Proposed as No. 27091. These methods, heating the steel strip, after continuously siliconizing treatment by chemical vapor deposition in a non-oxidizing gas atmosphere containing SiCl 4, SiCl 4
Si is subjected to diffusion soaking in a non-oxidizing gas atmosphere that does not contain
The present invention relates to a method for efficiently producing a silicon steel strip by serializing a series of processes for homogenizing and cooling and coiling it into a coil. The thermal diffusion treatment time and the treatment temperature are studied and specified in detail, and it is possible to manufacture a high silicon steel strip by diffusion permeation treatment in a continuous line.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし本発明者らのそ
の後の検討によれば、上記のように処理条件を特定した
製造法は、従来連続ライン化の障害とされていた問題を
解消し、原理的には高珪素鋼帯の効率的な製造が可能で
あるものの、鋼帯を処理した際の鋼帯各部のSi濃度、
特に、板幅方向のSi濃度分布が不均一になるという問
題があることが判った。このようなSi量の不均一性
は、Si量の差による格子定数差よって形状不良を引起
したり、また、Si量の違いによる磁気特性のむらを生
じさせたりする。
However, according to the subsequent studies by the present inventors, the manufacturing method in which the processing conditions are specified as described above solves the problem which has hitherto been an obstacle to continuous line formation, Although it is possible in principle to efficiently manufacture high-silicon steel strips, the Si concentration in each part of the steel strip when the steel strip is processed,
In particular, it has been found that there is a problem that the Si concentration distribution in the plate width direction becomes non-uniform. Such non-uniformity of the Si amount causes a shape defect due to the difference in lattice constant due to the difference in the Si amount, and causes unevenness in magnetic characteristics due to the difference in the Si amount.

【0008】本発明は、このようなSiの連続拡散浸透
処理による高珪素鋼帯の製造方法において、Si量が均
一で且つ形状不良のない高品質な高珪素鋼帯を連続的に
安定して製造するための方法を提供しようとするもので
ある。
According to the present invention, in such a method for producing a high silicon steel strip by the continuous diffusion and permeation treatment of Si, a high quality high silicon steel strip having a uniform Si content and no shape defect is continuously and stably provided. It is intended to provide a method for manufacturing.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】このため本発明は、以下
のような構成を有する。 (1)反応炉内で鋼帯にその表面からSiを浸透させる
浸珪処理を施し、このSiを板厚方向に拡散させること
により高珪素鋼帯を製造する方法において、鋼帯の表裏
面に対向してスリットノズルを炉長手方向に間隔をおい
て複数配し、反応ガスを個々のスリットノズルに対しそ
の片側端部から供給するとともに、炉長手方向で間隔を
おいて配された複数のスリットノズルについて交互に異
なる端部側から前記反応ガスを供給し、これら各スリッ
トノズルから鋼帯の表裏面に反応ガスを吹き付けること
を特徴とする連続ラインにおける高珪素鋼帯の製造方
法。
Therefore, the present invention has the following constitution. (1) In a method for producing a high-silicon steel strip by subjecting a steel strip to a siliconizing treatment in which a Si penetrates from its surface in a reaction furnace and diffusing this Si in the plate thickness direction, A plurality of slit nozzles facing each other are arranged at intervals in the longitudinal direction of the furnace, and the reaction gas is supplied to each slit nozzle from one end thereof, and a plurality of slits are arranged at intervals in the longitudinal direction of the furnace. A method for producing a high silicon steel strip in a continuous line, characterized in that the reaction gas is supplied alternately from different end sides of nozzles, and the reaction gas is sprayed from the slit nozzles to the front and back surfaces of the steel strip.

【0010】(2)上記(1)の方法において、〔ノズ
ルスリット長〕/〔鋼帯幅〕:1.05〜1.4のスリ
ットノズルを用い、該各スリットノズルに対し、鋼帯の
一方のエッジ部がガス供給側のスリット端と該スリット
端からスリット他端方向に鋼帯幅の5%に相当する距離
をおいた位置との間を通過するよう鋼帯を通板させ、前
記各スリットノズルにより鋼帯へのガス吹付けを行うこ
とを特徴とする連続ラインにおける高珪素鋼帯の製造方
法。
(2) In the method of (1) above, a slit nozzle of [nozzle slit length] / [steel strip width]: 1.05 to 1.4 is used, and one of the steel strips is provided for each slit nozzle. The steel strip is passed through such that the edge portion of the steel strip passes between the slit end on the gas supply side and a position at a distance corresponding to 5% of the width of the steel strip from the slit end toward the other end of the slit. A method for producing a high silicon steel strip in a continuous line, characterized in that a gas is sprayed onto the steel strip by a slit nozzle.

【0011】[0011]

【作用】本発明では、反応炉内で鋼帯にその表面からS
iを浸透させる浸珪処理を施すに際し、反応炉内の鋼帯
通板ラインの上下に炉長手方向で間隔をおいてスリット
ノズルを複数配置する。図1及び図2にこのスリットノ
ズルの構成を示す。スリットノズル1は、角筒形もしく
は円筒形のノズル本体にスリット2を形成したものであ
り、そのノズル本体の片側端部から反応ガスを供給し、
他方の端部は閉塞されている。
In the present invention, the steel strip is applied to the steel strip from the surface thereof in the reactor.
When performing the siliconizing treatment for infiltrating i, a plurality of slit nozzles are arranged above and below the steel strip passage line in the reactor at intervals in the furnace longitudinal direction. 1 and 2 show the configuration of this slit nozzle. The slit nozzle 1 is formed by forming a slit 2 on a nozzle body having a rectangular tube shape or a cylindrical shape, and supplying a reaction gas from one end portion of the nozzle body,
The other end is closed.

【0012】この種のノズルはヘッド圧が高く取れない
ため、一本当りの流速が図3のような分布となり、この
ため、ノズル直下での鋼帯への浸珪量は大きな分布を形
成することになる。本発明者等は、1本のスリットノズ
ルから四塩化珪素と窒素の混合ガス(反応ガス)を鋼帯
面に吹き付け、実際に鋼帯幅方向に形成されるSi量の
分布を調べた。図4に、板幅方向に対するノズルのスリ
ット位置とそれに対応する板幅方向Si量分布を示す。
同図からも判るように、鋼帯幅方向の浸珪量はノズルの
終端側(閉塞端側)に大きなピ−クを有する極めて大き
な分布を形成している。
Since this type of nozzle cannot have a high head pressure, the flow velocity per nozzle has a distribution as shown in FIG. 3, and therefore the distribution of the amount of siliconized steel strip immediately below the nozzle forms a large distribution. It will be. The inventors of the present invention sprayed a mixed gas (reaction gas) of silicon tetrachloride and nitrogen onto the surface of the steel strip from one slit nozzle, and investigated the distribution of the amount of Si actually formed in the width direction of the steel strip. FIG. 4 shows the slit positions of the nozzles in the plate width direction and the corresponding Si amount distribution in the plate width direction.
As can be seen from the figure, the amount of siliconization in the width direction of the steel strip forms an extremely large distribution having a large peak on the terminal end side (closed end side) of the nozzle.

【0013】そこで、本発明では図5および図6に示す
ように炉長手方向で複数配されたノズルについて、交互
に異なる端部側から反応ガスを供給することにより、隣
接するノズル間で図4に示すようなSi量分布を互いに
相殺させ、これによって板幅方向で均一な浸珪量を得る
ものである。
Therefore, in the present invention, as shown in FIGS. 5 and 6, for a plurality of nozzles arranged in the longitudinal direction of the furnace, the reaction gas is alternately supplied from different end sides so that the nozzles shown in FIG. By canceling out the Si amount distributions as shown in (3), a uniform siliconizing amount is obtained in the plate width direction.

【0014】また、図4に示されるSi量分布によれ
ば、鋼帯板幅方向のSi量分布中には直線部分(図示し
た)が存在することが判る。したがって、鋼帯にノズル
の上記直線部分の範囲でのみ浸珪処理を行うことができ
れば、ノズルを複数使用し且つ交互に異なる端部側から
反応ガスを供給することにより、隣接するノズル間での
Si量分布の相殺をより高精度に行うことができる。す
なわち、このような複数のノズルに対し鋼帯を通過させ
ることにより、最終的に板幅方向で均一なSi量分布を
有する高珪素鋼帯を製造することができる。
Further, according to the Si amount distribution shown in FIG. 4, it is found that there is a straight line portion (illustrated) in the Si amount distribution in the width direction of the steel strip. Therefore, if the steel strip can be subjected to the siliconizing treatment only within the range of the straight line portion of the nozzles, by using a plurality of nozzles and alternately supplying the reaction gas from different end sides, it is possible to reduce the gap between the adjacent nozzles. It is possible to cancel the Si amount distribution more accurately. That is, by passing the steel strip through such a plurality of nozzles, it is possible to finally produce a high silicon steel strip having a uniform Si amount distribution in the plate width direction.

【0015】本発明者等は、互いに反対方向のノズル端
部側から反応ガスが供給される、隣り合う上下2組のス
リットノズルを用い、鋼帯幅に対しノズルスリット長を
種々変えた浸珪処理試験を行い、ノズルスリット長と鋼
帯幅との比と、鋼帯幅方向でのSi量の変動幅との関係
を調べた。
The inventors of the present invention used two sets of upper and lower adjacent slit nozzles to which the reaction gas is supplied from the nozzle end portions in the directions opposite to each other. A treatment test was performed to examine the relationship between the ratio of the nozzle slit length and the steel strip width and the fluctuation width of the Si amount in the steel strip width direction.

【0016】図7はこの結果を示すもので、鋼帯幅方向
でのSi量の変動を抑えるためには、〔ノズルスリット
長〕/〔鋼帯幅〕の比を所定の範囲に設定する必要があ
ることが判る。具体的には、Si量の変動幅を0.25
wt%以上に抑えるためには、〔ノズルスリット長〕/
〔鋼帯幅〕を1.05〜1.4に、またSi量の変動幅
を0.15%以下に抑えるためには、同比を1.1〜
1.25にすることが必要であることが判る。このよう
に〔ノズルスリット長〕/〔鋼帯幅〕に適正範囲が存在
するのは、同比が小さ過ぎると鋼帯エッジ部近傍に当た
るガス量が不足し、エッジ部の浸珪量が過少となり、逆
に同比が大き過ぎると、鋼帯エッジから外れた部分で上
下ノズルからのガスが衝突してガスの乱れが生じ、この
ガスの乱れによりエッジ部の浸珪量が過剰となることに
よるものと考えられる。
FIG. 7 shows this result. In order to suppress the fluctuation of the Si amount in the width direction of the steel strip, it is necessary to set the ratio of [nozzle slit length] / [steel strip width] within a predetermined range. I know that there is. Specifically, the fluctuation range of the Si amount is set to 0.25
In order to suppress it to more than wt%, [nozzle slit length] /
[Steel band width] is 1.05 to 1.4, and in order to suppress the fluctuation range of the Si amount to 0.15% or less, the ratio is 1.1 to
It turns out that it is necessary to set it to 1.25. In this way, there is an appropriate range for [nozzle slit length] / [steel strip width] when the ratio is too small, the amount of gas hitting the steel strip edge is insufficient, and the amount of siliconization at the edge becomes too small. On the other hand, if the ratio is too large, the gas from the upper and lower nozzles collides at the part deviated from the steel strip edge, causing gas turbulence, and this gas turbulence causes an excessive amount of siliconization at the edge portion. Conceivable.

【0017】また、このようなガスの乱流によりエッジ
部が過剰に浸珪されるという問題に対し、さらに検討を
進めた結果、上記ノズルスリット長と鋼帯幅との比を規
定することに加え、各スリットノズルのガス供給側にお
ける鋼帯エッジ部の通過位置を規定することが、鋼帯幅
方向でのSi量の変動を抑え、板幅方向で均一な浸珪量
を得る上で重要であることが判った。
Further, as a result of further study on the problem that the edge portion is excessively siliconized by such a turbulent flow of gas, the ratio of the nozzle slit length to the steel strip width is defined. In addition, it is important to regulate the passage position of the steel strip edge on the gas supply side of each slit nozzle in order to suppress the variation of the Si amount in the steel strip width direction and obtain a uniform siliconization amount in the strip width direction. Was found.

【0018】各ノズルスリットから供給されるガス流れ
の方向は図3に示す通りであり、上下スリットノズルか
ら鋼帯にガスを吹き付けた際のガスの流れは図8に示す
ようなものとなる。ここで、ガス供給側におけるスリッ
ト端21に対し、鋼帯のエッジ部がスリット長手方向内
側寄り(スリット端22寄り)の位置を通過した場合、
上下から吹かれるガスがエッジの外側で衝突してガスの
乱れが生じ、このガスの乱れによりエッジ部が過剰に浸
珪されてしまう。これに対し、スリット端22側では、
ガス流れが外側方向を向いているためガスはノズルの外
側に逃げ、上記のようなガスの乱れによる過剰浸珪とい
う問題は生じない。また、鋼帯のエッジ部がスリット端
21の外側位置を通過した場合には、エッジ部に対する
ガスの供給量が少な過ぎ、十分な浸珪量が得られない。
The direction of the gas flow supplied from each nozzle slit is as shown in FIG. 3, and the gas flow when the gas is sprayed from the upper and lower slit nozzles to the steel strip is as shown in FIG. Here, in the case where the edge portion of the steel strip has passed a position closer to the inner side in the slit longitudinal direction (closer to the slit end 22) with respect to the slit end 21 on the gas supply side,
Gas blown from above and below collides on the outside of the edge to cause gas turbulence, and the turbulence of the gas causes excessive silicidation of the edge portion. On the other hand, on the slit end 22 side,
Since the gas flow is directed to the outside, the gas escapes to the outside of the nozzle, and the above problem of excessive siliconization due to gas turbulence does not occur. Further, when the edge portion of the steel strip passes the position outside the slit end 21, the amount of gas supplied to the edge portion is too small, and a sufficient amount of siliconization cannot be obtained.

【0019】したがって、以上のことから鋼帯の一方の
エッジ部とガス供給側のスリット端21の位置を一致さ
せるようにして鋼帯を通板させることが最も好ましい。
また、本発明者らが実験により確認した結果、スリット
端21からスリット内側方向(スリット端22方向)に
鋼帯幅の略5%に相当する距離をおいた位置とスリット
端21との間で鋼帯エッジ部を通過させれば、ガスの乱
れによるエッジ部の過剰な浸珪を抑え得ることが判っ
た。したがって、鋼帯はその一方のエッジ部がガス供給
側のスリット端21と、該スリット端21からスリット
他端方向に鋼帯幅の5%に相当する距離をおいた位置と
の間を通過するよう通板させることが好ましい。
Therefore, from the above, it is most preferable to pass the steel strip so that one edge portion of the steel strip and the slit end 21 on the gas supply side are aligned with each other.
Further, as a result of the experiments by the present inventors, between the slit end 21 and the position where a distance corresponding to approximately 5% of the steel strip width is set in the slit inner direction (slit end 22 direction). It has been found that passing the steel strip edge portion can suppress excessive siliconization of the edge portion due to gas turbulence. Therefore, one edge of the steel strip passes between the slit end 21 on the gas supply side and a position spaced from the slit end 21 toward the other end of the slit by a distance corresponding to 5% of the width of the steel strip. It is preferable to pass through.

【0020】そして、このような方法で浸珪処理を行う
ことにより、鋼帯エッジでの形状不良を防止し、且つ板
幅方向でのSi量が均一な板厚0.05〜0.5mm、
板幅100〜1800mm程度の高珪素鋼帯を連続的に
安定して製造することができる。
By carrying out the siliconizing treatment by such a method, it is possible to prevent a defective shape at the edge of the steel strip and to obtain a plate thickness of 0.05 to 0.5 mm with a uniform Si amount in the plate width direction.
A high silicon steel strip having a plate width of about 100 to 1800 mm can be continuously and stably manufactured.

【0021】本発明法において素材(原板)として使用
される鋼板は、一般に、普通鋼板または比較的低いSi
含有量(通常、Si:4wt%以下)の無方向性若しく
は方向性珪素鋼板である。このような素材鋼板の成分は
特に限定されるものではないが、優れた磁気特性を得る
ために以下のように規定することが好ましい。
The steel plate used as a raw material (original plate) in the method of the present invention is generally a plain steel plate or a relatively low Si.
It is a non-oriented or grain-oriented silicon steel sheet with a content (usually Si: 4 wt% or less). The composition of such a raw steel sheet is not particularly limited, but it is preferable to define as follows in order to obtain excellent magnetic properties.

【0022】まず、非金属元素について説明すると、 C:Cは初透磁率、最大透磁率を低下させ、Hcを増
し、鉄損を増大させる。この影響は、図9に示すように
0.01wt%を超えると顕著になることが知られてお
り、したがって、Cは0.01wt%以下とすることが
好ましい。但し、結晶方位改善を目的として製鋼段階で
Cを0.01wt%を超えて含有させ、圧延することも
可能であるが、この場合には、時効および特性劣化を防
止するため脱炭焼鈍を実施し、Cを0.01wt%以下
とすることが好ましい。すなわち、C濃度の調整は溶製
段階で行ってもよく、また、脱炭焼鈍を実施することに
より行なってもよい。
First, the non-metal element will be described. C: C lowers the initial permeability and the maximum permeability, increases Hc, and increases iron loss. It is known that this effect becomes remarkable when it exceeds 0.01 wt% as shown in FIG. 9, and therefore C is preferably 0.01 wt% or less. However, in order to improve the crystal orientation, it is possible to contain C in an amount of more than 0.01 wt% at the steelmaking stage and then roll it. In this case, decarburization annealing is performed to prevent aging and deterioration of properties. However, it is preferable that C be 0.01 wt% or less. That is, the adjustment of the C concentration may be performed in the melting stage, or may be performed by performing decarburization annealing.

【0023】O:Oは鉄損を高め、SiO2のようなコ
ロイド状微粒子として存在する場合には、磁気特性を著
しく劣化させる元素として知られている。また、OはC
とどの程度共存するかによっても磁気特性を変化させ
る。特に、図10に示すようにO含有量とC含有量とが
ほぼ同等の場合、鉄損値が最小になることも知られてお
り、上記C含有量の適正範囲と同様に、O含有量も0.
01wt%以下とすることが好ましい。
O: O is known as an element which enhances iron loss and, when present as colloidal fine particles such as SiO 2 , significantly deteriorates magnetic properties. Also, O is C
The magnetic characteristics are changed depending on the degree of coexistence with. In particular, as shown in FIG. 10, it is also known that the iron loss value becomes the minimum when the O content and the C content are substantially equal to each other, and the O content is similar to the appropriate range of the C content. Is 0.
It is preferable to set it to 01 wt% or less.

【0024】N、S:共に時効の原因となるため極力少
なくすることが好ましく、これらの成分もそれぞれ0.
01wt%以下とすることが好ましい。 P:Pは酸素による磁性劣化を軽減し、鉄損を減少させ
る作用があり、また、最大透磁率の改善および磁束密度
の改善を目的として若干の添加が可能であるが、その添
加量の上限は1wt%程度までである。 H:Hは鋼板を著しく脆くさせるため、高圧下でHを含
有させる等、積極的な含有は避けるべきである(通常p
pmレベル以下)。 以上のように非金属元素については、C、O、N、S等
を極力低く抑え、且つCとOの比率を適正化することが
好ましい。
N and S: Since both cause aging, it is preferable to reduce them as much as possible.
It is preferable to set it to 01 wt% or less. P: P has a function of reducing magnetic deterioration due to oxygen and reducing iron loss, and may be added a little for the purpose of improving the maximum magnetic permeability and the magnetic flux density, but the upper limit of the amount added Is up to about 1 wt%. H: H makes the steel sheet extremely brittle, so aggressive inclusion such as inclusion of H under high pressure should be avoided (usually p
below the pm level). As described above, with respect to the non-metal element, it is preferable to suppress C, O, N, S and the like as low as possible and optimize the ratio of C and O.

【0025】次に金属元素について説明すると、 Mn:熱間圧延時の展延性の改善と、脱硫作用および規
則−不規則変態における磁性改善効果を考慮すると、M
nは0.5wt%以下の範囲で添加することが好まし
い。 Ca:Caは多量に含有すると透磁率を低下させるた
め、0.3wt%以下とすることが好ましい。 V:若干のVを添加することにより、Hcが改善される
ことが知られている。すなわち、Vは0.05wt%程
度添加することにより、結晶粒の発達が促進され、磁性
が改善される。このため、Vは0.1wt%を上限とし
て添加することができる。
Next, the metal element will be described. Mn: M in consideration of improvement of ductility at the time of hot rolling and improvement of magnetism in desulfurization action and order-disorder transformation.
It is preferable to add n in the range of 0.5 wt% or less. Ca: When Ca is contained in a large amount, the magnetic permeability decreases, so it is preferably 0.3 wt% or less. V: It is known that Hc is improved by adding a slight amount of V. That is, by adding about 0.05 wt% of V, the development of crystal grains is promoted and the magnetism is improved. Therefore, V can be added with an upper limit of 0.1 wt%.

【0026】Ti:0.05wt%程度添加することで
Vと同様の効果を期待でき、このため、0.1wt%を
上限として添加することができる。 Be、As:若干の磁気特性改善効果が期待でき、それ
ぞれ0.1wt%を上限として添加することができる。 Cu:0.7wt%程度までは、磁性を大きく劣化させ
ることはないが、0.7wt%を超えて含有すると鉄損
が増大する。このため、Cuは0.7wt%以下、好ま
しくは0.1wt%以下とすることが望ましい。 Cr:鉄損を増大させる傾向があり、0.03wt%以
下とすることが好ましい。 Ni:磁気特性を著しく悪化させるため、極力低減させ
ることが好ましく、0.01wt%以下とすることが好
ましい。
By adding about 0.05 wt% of Ti, the same effect as V can be expected, so that 0.1 wt% can be added as an upper limit. Be, As: A slight magnetic property improving effect can be expected, and 0.1 wt% of each can be added as an upper limit. Cu: Up to about 0.7 wt%, the magnetism is not significantly deteriorated, but if it exceeds 0.7 wt%, iron loss increases. Therefore, Cu is preferably 0.7 wt% or less, more preferably 0.1 wt% or less. Cr: Iron loss tends to increase, and it is preferably 0.03 wt% or less. Ni: The magnetic properties are significantly deteriorated, so it is preferable to reduce Ni as much as possible, and it is preferable to set it to 0.01 wt% or less.

【0027】Al:従来の珪素鋼板では、Alの電気抵
抗を高める効果と展延性の改善効果とを利用して、Si
の一部をAlで置き換える方法を採っている。例えば、
4wt%Siとする代わりに、Siを3wt%、Alを
1wt%とし、加工性を維持させる配慮がなされてい
る。本発明法では、Si含有量を6.5wt%以上とで
きるため、磁性改善のために新たにAlを添加する必要
はなく、溶製段階における脱酸促進および展延性の改善
という観点から、0.5wt%以下とすることが好まし
い。
Al: In the conventional silicon steel sheet, Si is used by utilizing the effect of increasing the electric resistance of Al and the effect of improving the ductility.
The part of Al is replaced with Al. For example,
Instead of 4 wt% Si, Si is set to 3 wt% and Al is set to 1 wt% to maintain workability. In the method of the present invention, since the Si content can be 6.5 wt% or more, it is not necessary to newly add Al for improving the magnetism, and from the viewpoint of promoting deoxidation and improving the spreadability in the melting stage, It is preferable to set it to 0.5 wt% or less.

【0028】また、Siの拡散処理をAr、He、H2
などの無酸化性雰囲気中で行う場合には、Alが上記の
量程度含まれていても特に問題はない。しかしながら、
2を含んだ雰囲気中で処理を行う場合には、高温処理
のためAlが窒化し、冷却条件が適切でない場合には、
その冷却過程において磁気特性に有害なAlNが析出す
る。したがって、N2を含んだ雰囲気中で処理を行う場
合には、AlNの析出を極力防止する観点から、Alは
80ppm以下とすることが好ましい。
Further, the diffusion process of Si is performed by Ar, He, H 2
In a non-oxidizing atmosphere such as above, there is no particular problem even if Al is contained in the above amount. However,
When performing the treatment in an atmosphere containing N 2 , Al nitrides due to the high temperature treatment, and when the cooling condition is not appropriate,
In the cooling process, AlN detrimental to magnetic properties is deposited. Therefore, when the treatment is performed in an atmosphere containing N 2 , Al is preferably 80 ppm or less from the viewpoint of preventing precipitation of AlN as much as possible.

【0029】また、以上のような元素の他に、下記のよ
うな目的で他の元素を添加しても本発明の効果を損なう
ものではない。 ・結晶粒成長抑制元素:Se、Sb、Sn、Bi、B、
Te、Mo、Ta、Zr、Nb等 ・結晶方位改善元素:B、Co、Mo、W等 ・機械特性改善元素 加工性改善:Mo、W、Co等 強度改善 :W、Mo、Co、Be、B、Nb、Ta、
Zr、Hf等
In addition to the above elements, the addition of other elements for the following purposes does not impair the effects of the present invention. -Crystal grain growth suppressing element: Se, Sb, Sn, Bi, B,
Te, Mo, Ta, Zr, Nb, etc. ・ Crystal orientation improving element: B, Co, Mo, W, etc. ・ Mechanical property improving element Workability improvement: Mo, W, Co, etc. strength improvement: W, Mo, Co, Be, B, Nb, Ta,
Zr, Hf, etc.

【0030】[0030]

【実施例】【Example】

〔実施例1〕図11に示すような水平パスの製造ライン
において、図12に示すようなセラミック製円筒パイプ
(80mmφ)に5mm幅のスリットを開けたスリット
ノズルを、パスラインの上下にパスライン方向で4列組
込んだ浸珪処理炉を用い、高珪素鋼帯の製造試験を行な
った。この試験では〔ノズルスリット長〕/〔鋼帯幅〕
の比を1.2とし、また、スリットノズルへのガスの供
給は、ノズル片側端部から行うとともに、パスライン方
向でノズル毎に交互に異なる端部側から行った。また、
浸珪処理は、鋼帯の一方のエッジ部が、各ノズルスリッ
トのガス供給側端部位置を通過するようにして行った。
素材鋼帯としては、板厚0.1mm×板幅200mm、
板厚0.3mm×板幅200mm、および板厚0.3m
m×板幅360mmの3%Si鋼帯を用い、浸珪処理に
より6.5%Si鋼帯とした。
[Example 1] In a horizontal pass manufacturing line as shown in FIG. 11, a slit nozzle having a slit of 5 mm width formed in a ceramic cylindrical pipe (80 mmφ) as shown in FIG. A high silicon steel strip manufacturing test was conducted using a siliconizing furnace in which four rows were incorporated. In this test, [nozzle slit length] / [steel strip width]
The ratio was set to 1.2, and the gas was supplied to the slit nozzle from the end on one side of the nozzle, and was also changed from the side of the end alternately different for each nozzle in the pass line direction. Also,
The siliconizing treatment was performed such that one edge of the steel strip passed through the gas supply side end of each nozzle slit.
As a material steel strip, plate thickness 0.1 mm x plate width 200 mm,
Plate thickness 0.3 mm x plate width 200 mm, and plate thickness 0.3 m
Using a 3% Si steel strip having a width of m and a plate width of 360 mm, a 6.5% Si steel strip was obtained by a siliconizing treatment.

【0031】他の製造条件は以下の通りである。 反応ガス : 四塩化珪素と窒素との混合ガス
(四塩化珪素濃度5〜15vol%) ノズル1本当りのガス流量: 1.5〜2.5Nm3/h 反応ガス吹出流速 : 2〜4m/s 反応ガス吹付角度 : 鋼帯に対して垂直もしくは垂直か
ら30°の傾き 製造された高珪素鋼帯の板幅方向におけるSi量の分布
を図13ないし図15に示す。
Other manufacturing conditions are as follows. Reaction gas: Mixed gas of silicon tetrachloride and nitrogen (concentration of silicon tetrachloride 5 to 15 vol%) Gas flow rate per nozzle: 1.5 to 2.5 Nm 3 / h Reactant gas blowing flow rate: 2 to 4 m / s Reacting gas spraying angle: The distribution of the Si amount in the plate width direction of the high silicon steel strip manufactured perpendicular to the steel strip or inclined 30 ° from the vertical is shown in FIGS. 13 to 15.

【0032】また、比較のためスリット長さが500m
mのスリットノズルを上記試験と同一の条件で使用し、
板厚0.3mm×板幅200mmおよび板厚0.3mm
×板幅360mmの3%Si鋼帯を素材鋼帯とする5.
5〜6.5%Si鋼帯の製造試験を行った。この試験で
は鋼帯のセンタとノズルスリットのセンタをほぼ一致さ
せ浸珪処理を行った。〔ノズルスリット長〕/〔鋼帯
幅〕の比は、板幅200mm材で2.5、板幅360m
m材で1.39であった。製造された高珪素鋼帯の板幅
方向におけるSi量の分布を図16に示す。
For comparison, the slit length is 500 m.
m slit nozzle is used under the same conditions as the above test,
Plate thickness 0.3 mm x plate width 200 mm and plate thickness 0.3 mm
4. A 3% Si steel strip having a plate width of 360 mm is used as a raw material steel strip.
A production test of 5 to 6.5% Si steel strip was conducted. In this test, the center of the steel strip and the center of the nozzle slit were almost aligned with each other, and the siliconizing treatment was performed. The ratio of [nozzle slit length] / [steel strip width] is 2.5 for plate width 200 mm and plate width 360 m
It was 1.39 for m material. FIG. 16 shows the distribution of Si content in the plate width direction of the manufactured high silicon steel strip.

【0033】以上の結果からも明らかなように、図13
ないし図15に示される本発明法により得られた鋼帯
は、板幅方向におけるSi量の変動が±0.1wt%以
下に抑えられている。これに対し、図16に示される比
較例のものは、板幅方向でのSi量の変動が±0.3w
t%以上もあり、板幅方向で均一なSi量が得られてい
ない。
As is clear from the above results, FIG.
In the steel strip obtained by the method of the present invention shown in FIG. 15 to FIG. 15, the variation of the Si amount in the plate width direction is suppressed to ± 0.1 wt% or less. On the other hand, in the comparative example shown in FIG. 16, the variation of the Si amount in the plate width direction is ± 0.3 w.
Since it is t% or more, a uniform Si amount is not obtained in the plate width direction.

【0034】なお、浸珪処理の反応ガスとしては、通
常、四塩化珪素と不活性ガス(N2、Ar等)との混合
ガスが用いられるが、Si化合物は上記四塩化珪素に限
定されるものではない。
As the reaction gas for the siliconizing treatment, a mixed gas of silicon tetrachloride and an inert gas (N 2 , Ar, etc.) is usually used, but the Si compound is limited to the above silicon tetrachloride. Not a thing.

【0035】〔実施例2〕図11に示すような水平パス
の製造ラインにおいて、図12に示すようなセラミック
製円筒パイプに5mm幅のスリットを開けたスリットノ
ズルを、パスライン上下にパスライン方向で8列組み込
んだ浸珪処理炉を用い、高珪素鋼帯の製造試験を行っ
た。この試験では〔ノズルスリット長〕/〔鋼帯幅〕の
比を1.2とし、また、スリットノズルへのガスの供給
は、ノズル片側端部から行うとともに、パスライン方向
でノズル毎に交互に異なる端部側から行った。また、浸
珪処理は、鋼帯の一方のエッジ部が、各ノズルスリット
のガス供給側端部位置を通過するようにして行った。素
材鋼帯としては、板厚0.1mm×板幅200mm、板
厚0.1mm×板幅360mm、および板厚0.3mm
×板幅360mmの3%Si鋼帯を用い、浸珪処理によ
り6.5%Si鋼板とした。なお他の製造条件は実施例
1と同様である。
[Embodiment 2] In a horizontal pass production line as shown in FIG. 11, a slit nozzle having a slit of 5 mm width formed in a ceramic cylindrical pipe as shown in FIG. A high silicon steel strip manufacturing test was conducted using the siliconizing furnace equipped with 8 rows. In this test, the ratio of [nozzle slit length] / [steel strip width] was set to 1.2, and the gas was supplied to the slit nozzle from the end on one side of the nozzle, and it was alternated for each nozzle in the pass line direction. It went from the different end side. Further, the siliconizing treatment was performed such that one edge portion of the steel strip passed through the gas supply side end position of each nozzle slit. As the material steel strip, plate thickness 0.1 mm x plate width 200 mm, plate thickness 0.1 mm x plate width 360 mm, and plate thickness 0.3 mm
B. A 3% Si steel strip having a plate width of 360 mm was used to obtain a 6.5% Si steel sheet by a siliconizing treatment. The other manufacturing conditions are the same as in Example 1.

【0036】製造された高珪素鋼帯の板幅方向における
Si量の分布を図17ないし図19に示す。本発明の条
件で浸珪処理を行うことにより、Si量の変動が最大で
も±0.07%程度に抑えられていることが判る。
The distribution of the amount of Si in the width direction of the produced high silicon steel strip is shown in FIGS. 17 to 19. It can be seen that by performing the siliconizing treatment under the conditions of the present invention, the variation in the Si amount is suppressed to about ± 0.07% at the maximum.

【0037】〔実施例3〕図11に示すような水平パス
の製造ラインにおいて、図12に示すようなセラミック
製円筒パイプに5mm幅のスリットを開けたスリットノ
ズルを、パスライン上下にパスライン方向で4列組み込
んだ浸珪処理炉を用い、高珪素鋼帯の製造試験を行っ
た。この製造試験では、板厚0.3mm×板幅300m
mの3%Si鋼帯を素材鋼帯とし、6.5%Si鋼板を
製造したが、その際、スリットノズルのスリット長さを
280〜450mmの範囲で変え、それぞれについての
板幅方向でのSi量の変動を調べた。なお、上記各実施
例と同様、スリットノズルへのガスの供給は、ノズル片
側端部から行うとともに、パスライン方向でノズル毎に
交互に異なる端部側から行った。また、浸珪処理は鋼帯
の一方のエッジ部が、各ノズルスリットのガス供給側端
部位置を通過するようにして行った。他の製造条件は実
施例1と同様である。
[Embodiment 3] In a horizontal pass manufacturing line as shown in FIG. 11, a slit nozzle having a slit of 5 mm width formed in a ceramic cylindrical pipe as shown in FIG. A high silicon steel strip manufacturing test was carried out using a siliconizing furnace equipped with four rows. In this manufacturing test, plate thickness 0.3 mm x plate width 300 m
A 3% Si steel strip of m was used as a raw material steel strip to manufacture a 6.5% Si steel sheet. At that time, the slit length of the slit nozzle was changed in the range of 280 to 450 mm, and the strip width direction in each case was changed. The variation of Si amount was investigated. As in each of the above-described examples, the gas was supplied to the slit nozzle from one end on one side of the nozzle, and from the side of the end alternately different for each nozzle in the pass line direction. Further, the siliconizing treatment was performed so that one edge portion of the steel strip passed through the gas supply side end position of each nozzle slit. Other manufacturing conditions are the same as in Example 1.

【0038】図20は製造された高珪素鋼帯の板幅方向
におけるSi量変動幅を〔ノズルスリット長〕/〔鋼帯
幅〕で整理して示したものである。これによれば〔ノズ
ルスリット長〕/〔鋼帯幅〕が1.05〜1.4、好ま
しくは1.1〜1.25の範囲で、幅方向のSi量が非
常に均一な高珪素鋼帯を製造できることが判る。
FIG. 20 shows the variation width of Si amount in the plate width direction of the manufactured high silicon steel strip, arranged by [nozzle slit length] / [steel strip width]. According to this, high-silicon steel in which [nozzle slit length] / [steel band width] is in the range of 1.05 to 1.4, preferably 1.1 to 1.25, and the amount of Si in the width direction is extremely uniform. It turns out that the belt can be manufactured.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上述べた本発明によれば、連続ライン
による鋼帯の連続浸珪処理により、板幅方向におけるS
i量分布が均一でかつ板形状が良好な高珪素鋼板を安定
して製造することができる。
According to the present invention described above, S in the sheet width direction is obtained by the continuous siliconizing treatment of the steel strip by the continuous line.
It is possible to stably manufacture a high silicon steel sheet having a uniform i amount distribution and a good plate shape.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明法で使用される上下1対のスリットノズ
ルを示す斜視図
FIG. 1 is a perspective view showing a pair of upper and lower slit nozzles used in the method of the present invention.

【図2】図1に示されるスリットノズルの断面図FIG. 2 is a sectional view of the slit nozzle shown in FIG.

【図3】スリットノズルから供給されるガスの速度比お
よび吹出方向を示す説明図
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a velocity ratio and a blowing direction of gas supplied from a slit nozzle.

【図4】1本のスリットノズルにより浸珪処理された鋼
帯の幅方向Si量分布を示すグラフ
FIG. 4 is a graph showing the Si amount distribution in the width direction of a steel strip subjected to siliconizing treatment with one slit nozzle.

【図5】本発明法の実施に供されるスリットノズルの配
置およびガス供給方向を示す平面図
FIG. 5 is a plan view showing the arrangement of slit nozzles used for carrying out the method of the present invention and the gas supply direction.

【図6】図5に示されるスリットノズル群の断面図6 is a sectional view of the slit nozzle group shown in FIG.

【図7】〔ノズルスリット長〕/〔鋼帯幅〕と鋼帯幅方
向のSi量変動幅との関係を示すグラフ
FIG. 7 is a graph showing the relationship between [nozzle slit length] / [steel strip width] and the Si amount variation width in the steel strip width direction.

【図8】鋼帯に対する上下スリットノズルからのガス吹
付状況を示す説明図
FIG. 8 is an explanatory view showing a gas spraying situation from the upper and lower slit nozzles to the steel strip.

【図9】高珪素鋼板の不純物元素含有量が鉄損に及ぼす
影響を示すグラフ
FIG. 9 is a graph showing the effect of the content of impurity elements in a high silicon steel sheet on iron loss.

【図10】高珪素鋼板の〔炭素含有量−酸素含有量〕が
鉄損に及ぼす影響を示すグラフ
FIG. 10 is a graph showing the effect of [carbon content-oxygen content] of high silicon steel sheet on iron loss.

【図11】実施例において用いられた連続製造ラインを
示す説明図
FIG. 11 is an explanatory diagram showing a continuous production line used in Examples.

【図12】実施例において用いられたスリットノズルの
形状を示す説明図
FIG. 12 is an explanatory view showing the shape of the slit nozzle used in the examples.

【図13】実施例1において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるSi量の変動を示すグラフ
FIG. 13 is a graph showing fluctuations in the amount of Si in the plate width direction of the high silicon steel strip manufactured in Example 1.

【図14】実施例1において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるSi量の変動を示すグラフ
FIG. 14 is a graph showing variations in the amount of Si in the plate width direction of the high silicon steel strip manufactured in Example 1.

【図15】実施例1において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるSi量の変動を示すグラフ
FIG. 15 is a graph showing variations in the amount of Si in the plate width direction of the high silicon steel strip manufactured in Example 1.

【図16】実施例1において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるSi量の変動を示すグラフ
FIG. 16 is a graph showing variations in the amount of Si in the plate width direction of the high silicon steel strip manufactured in Example 1.

【図17】実施例2において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるSi量の変動を示すグラフ
FIG. 17 is a graph showing variations in the amount of Si in the plate width direction of the high silicon steel strip manufactured in Example 2.

【図18】実施例2において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるSi量の変動を示すグラフ
FIG. 18 is a graph showing fluctuations in the Si amount in the plate width direction of the high silicon steel strip manufactured in Example 2.

【図19】実施例2において製造された高珪素鋼帯の板
幅方向におけるSi量の変動を示すグラフ
FIG. 19 is a graph showing variations in the amount of Si in the plate width direction of the high silicon steel strip manufactured in Example 2.

【図20】実施例3における〔ノズルスリット長〕/
〔鋼帯幅〕と製造された高珪素鋼帯の幅方向でのSi量
変動幅との関係を示すグラフ
FIG. 20 [nozzle slit length] / in Example 3
Graph showing the relationship between [steel strip width] and the width of variation of Si amount in the width direction of the manufactured high-silicon steel strip

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…スリットノズル、2…ノズルスリット、21,22
…スリット端
1 ... Slit nozzle, 2 ... Nozzle slit, 21, 22
… Slit edge

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 反応炉内で鋼帯にその表面からSiを浸
透させる浸珪処理を施し、このSiを板厚方向に拡散さ
せることにより高珪素鋼帯を製造する方法において、鋼
帯の表裏面に対向してスリットノズルを炉長手方向に間
隔をおいて複数配し、反応ガスを個々のスリットノズル
に対しその片側端部から供給するとともに、炉長手方向
で間隔をおいて配された複数のスリットノズルについて
交互に異なる端部側から前記反応ガスを供給し、これら
各スリットノズルから鋼帯の表裏面に反応ガスを吹き付
けることを特徴とする連続ラインにおける高珪素鋼帯の
製造方法。
1. A method for producing a high-silicon steel strip by subjecting a steel strip to a siliconizing treatment for infiltrating Si from its surface in a reactor and diffusing this Si in the plate thickness direction, the method comprising the steps of: A plurality of slit nozzles are arranged facing each other in the longitudinal direction of the furnace so as to face the back surface, and a plurality of reaction gas is supplied to each slit nozzle from one end thereof, and a plurality of slit nozzles are arranged in the longitudinal direction of the furnace. The method for producing a high-silicon steel strip in a continuous line, characterized in that the above-mentioned reaction gas is alternately supplied to the slit nozzles from different end sides, and the reaction gas is sprayed from the slit nozzles to the front and back surfaces of the steel strip.
【請求項2】 〔ノズルスリット長〕/〔鋼帯幅〕:
1.05〜1.4のスリットノズルを用い、該各スリッ
トノズルに対し、鋼帯の一方のエッジ部がガス供給側の
スリット端と該スリット端からスリット他端方向に鋼帯
幅の5%に相当する距離をおいた位置との間を通過する
よう鋼帯を通板させ、前記各スリットノズルにより鋼帯
へのガス吹付けを行うことを特徴とする請求項1に記載
の連続ラインにおける高珪素鋼帯の製造方法。
2. [Nozzle slit length] / [steel band width]:
1.05 to 1.4 slit nozzles are used, and for each slit nozzle, one edge of the steel strip is 5% of the width of the steel strip from the slit end on the gas supply side to the other end of the slit. The steel strip is passed so as to pass through a position corresponding to the distance, and the gas is sprayed to the steel strip by each of the slit nozzles. Method for manufacturing high silicon steel strip.
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