JPH0594795A - イオンソースグリツド - Google Patents
イオンソースグリツドInfo
- Publication number
- JPH0594795A JPH0594795A JP25326391A JP25326391A JPH0594795A JP H0594795 A JPH0594795 A JP H0594795A JP 25326391 A JP25326391 A JP 25326391A JP 25326391 A JP25326391 A JP 25326391A JP H0594795 A JPH0594795 A JP H0594795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grid
- ion source
- thin film
- grids
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｍｏの混入がなく、グリッドの寿命が長く、
使用中に二枚のグリッド間で放電が起きず、しかもパイ
ロリティックグラファイト製よりも安価なイオンソース
グリッドを提供する。 【構成】 電極の材質にはパイロリティックグラファイ
トよりも安価なカーボンを用い、二枚のグリッドの表と
裏両方の表面にそれぞれ金属薄膜１をコーティングし
た。このグリッドをイオンビームスパッタ法による成膜
に用いる場合には、コーティングする金属薄膜の種類に
は成膜する膜中に混入しても支障のないものを選ぶ。 【効果】 Ｍｏの混入がなく、グリッドの寿命が長く、
二枚のグリッド間で放電が起きず、なおかつパイロリテ
ィックグラファイト製よりも安価なイオンソースグリッ
ドが提供できた。
使用中に二枚のグリッド間で放電が起きず、しかもパイ
ロリティックグラファイト製よりも安価なイオンソース
グリッドを提供する。 【構成】 電極の材質にはパイロリティックグラファイ
トよりも安価なカーボンを用い、二枚のグリッドの表と
裏両方の表面にそれぞれ金属薄膜１をコーティングし
た。このグリッドをイオンビームスパッタ法による成膜
に用いる場合には、コーティングする金属薄膜の種類に
は成膜する膜中に混入しても支障のないものを選ぶ。 【効果】 Ｍｏの混入がなく、グリッドの寿命が長く、
二枚のグリッド間で放電が起きず、なおかつパイロリテ
ィックグラファイト製よりも安価なイオンソースグリッ
ドが提供できた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオンソースグリッドに
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】カウフマン型のイオンソースは、真空中
でフィラメントあるいはホロカソード等から熱電子を放
出させ、Ａｒ等のガス雰囲気中でその電子を電場・磁場
中において原子に衝突させることによりガス雰囲気中の
原子をイオン化し、さらにそのイオン化したＡｒ+ 等に
高電圧をかけて加速させる、という構成になっている。
ここでイオンソースで発生させたＡｒ+ などのイオンを
電圧をかけて収束・加速させるためには二枚のイオンソ
ースグリッドを必要とする。これは二枚の電極間に独立
に電圧がかけられるようになっていて、イオン化室でイ
オン化されたＡｒイオンがグリッドに開けられた多数の
小穴の間を通って加速される。このようにして加速され
たイオンビームにより真空槽内でターゲットをスパッタ
し、薄膜を作製するのがイオンビームスパッタ法であ
る。従来、グリッドの材料としてはモリブデンが主に用
いられていた。
でフィラメントあるいはホロカソード等から熱電子を放
出させ、Ａｒ等のガス雰囲気中でその電子を電場・磁場
中において原子に衝突させることによりガス雰囲気中の
原子をイオン化し、さらにそのイオン化したＡｒ+ 等に
高電圧をかけて加速させる、という構成になっている。
ここでイオンソースで発生させたＡｒ+ などのイオンを
電圧をかけて収束・加速させるためには二枚のイオンソ
ースグリッドを必要とする。これは二枚の電極間に独立
に電圧がかけられるようになっていて、イオン化室でイ
オン化されたＡｒイオンがグリッドに開けられた多数の
小穴の間を通って加速される。このようにして加速され
たイオンビームにより真空槽内でターゲットをスパッタ
し、薄膜を作製するのがイオンビームスパッタ法であ
る。従来、グリッドの材料としてはモリブデンが主に用
いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】モリブデンで作製した
グリッドは、モリブデンのスパッタ率が高いためにイオ
ンを引き出す際にグリッドの小穴の周囲がスパッタさ
れ、イオンビームにモリブデンが混入する。その結果、
例えばＡｌ薄膜をイオンビームスパッタ法で作製する場
合にはＡｌ薄膜内にモリブデンが不純物として入り込
み、Ａｌ薄膜の比抵抗上昇や結晶性を乱すという悪影響
がある。また、グリッドの小穴の周囲がスパッタされる
と、グリッド二枚の小穴の位置が早い時期にずれたり小
穴が拡大したりしてビームの偏向や拡がりが生じグリッ
ドの寿命が短くなる、という欠点もある。
グリッドは、モリブデンのスパッタ率が高いためにイオ
ンを引き出す際にグリッドの小穴の周囲がスパッタさ
れ、イオンビームにモリブデンが混入する。その結果、
例えばＡｌ薄膜をイオンビームスパッタ法で作製する場
合にはＡｌ薄膜内にモリブデンが不純物として入り込
み、Ａｌ薄膜の比抵抗上昇や結晶性を乱すという悪影響
がある。また、グリッドの小穴の周囲がスパッタされる
と、グリッド二枚の小穴の位置が早い時期にずれたり小
穴が拡大したりしてビームの偏向や拡がりが生じグリッ
ドの寿命が短くなる、という欠点もある。
【０００４】そこでモリブデンよりもスパッタ率の低い
カーボンがグリッドの材料として考えられた。しかし、
カーボンでグリッドを作製すると、二枚のグリッド間に
高電圧をかけた場合にカーボン板表面上のカーボン粒子
が絶縁碍子上にまとわりついて絶縁碍子の耐圧を下げ、
グリッド間で放電がおきてしまうという欠点がある。グ
リッドの材質にパイロリティックグラファイトを用いれ
ばこの問題は解決されるが、パイロリティックグラファ
イトはカーボンに比べて非常に高価である。
カーボンがグリッドの材料として考えられた。しかし、
カーボンでグリッドを作製すると、二枚のグリッド間に
高電圧をかけた場合にカーボン板表面上のカーボン粒子
が絶縁碍子上にまとわりついて絶縁碍子の耐圧を下げ、
グリッド間で放電がおきてしまうという欠点がある。グ
リッドの材質にパイロリティックグラファイトを用いれ
ばこの問題は解決されるが、パイロリティックグラファ
イトはカーボンに比べて非常に高価である。
【０００５】本発明の目的は、カーボンを材料とし、電
極間で放電の起きないイオンソースグリッドを提供する
ことにある。
極間で放電の起きないイオンソースグリッドを提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はカーボンを材質
とし、その表面に金属薄膜がコーティングしてあること
を特徴とするイオンソースグリッドである。
とし、その表面に金属薄膜がコーティングしてあること
を特徴とするイオンソースグリッドである。
【０００７】
【作用】金属薄膜をコーティングすることにより、カー
ボン表面上のカーボン粒子を金属薄膜内に埋め込んで、
カーボングリッド間で放電が起きるのを防ぐ。
ボン表面上のカーボン粒子を金属薄膜内に埋め込んで、
カーボングリッド間で放電が起きるのを防ぐ。
【０００８】
【実施例】以下、本発明について実施例により説明す
る。まず、イオンビームスパッタ法でＡｌ合金薄膜を作
製する場合の例である。図１が本発明のイオンソースグ
リッドの模式図である。スパッタ法により二枚のカーボ
ングリッド２の表と裏、両方にそれぞれ金属層１として
アルミニウムを５０００Ａづつ積層させてコーティング
を行った。これによりカーボングリッド表面上のカーボ
ン粒子はアルミニウム内に完全に埋め込まれ、グリッド
間に高電圧をかけても放電を起こすことなくイオンソー
スグリッドを使用することができる。グリッドにコーテ
ィングしたＡｌは、ビームを出している間にスパッタさ
れて作製しているＡｌ合金薄膜内に混入するが、Ａｌ合
金薄膜内にＡｌが混入してもなんら問題はない。
る。まず、イオンビームスパッタ法でＡｌ合金薄膜を作
製する場合の例である。図１が本発明のイオンソースグ
リッドの模式図である。スパッタ法により二枚のカーボ
ングリッド２の表と裏、両方にそれぞれ金属層１として
アルミニウムを５０００Ａづつ積層させてコーティング
を行った。これによりカーボングリッド表面上のカーボ
ン粒子はアルミニウム内に完全に埋め込まれ、グリッド
間に高電圧をかけても放電を起こすことなくイオンソー
スグリッドを使用することができる。グリッドにコーテ
ィングしたＡｌは、ビームを出している間にスパッタさ
れて作製しているＡｌ合金薄膜内に混入するが、Ａｌ合
金薄膜内にＡｌが混入してもなんら問題はない。
【０００９】次に、イオンビームスパッタ法で銅薄膜を
作製する場合について説明する。蒸着法により二枚のカ
ーボングリッドの表裏双方にそれぞれ銅を１μｍづつ積
層させてコーティングを行った。このグリッドをイオン
ビームスパッタ法で銅薄膜を作製する際に使用すること
により、グリッド間で放電を起こすことなく不純物の混
入がない銅薄膜を作製することができた。
作製する場合について説明する。蒸着法により二枚のカ
ーボングリッドの表裏双方にそれぞれ銅を１μｍづつ積
層させてコーティングを行った。このグリッドをイオン
ビームスパッタ法で銅薄膜を作製する際に使用すること
により、グリッド間で放電を起こすことなく不純物の混
入がない銅薄膜を作製することができた。
【００１０】次に、イオンビームスパッタ法でニッケル
薄膜を作製する場合について説明する。この場合にはニ
ッケルメッキによりカーボングリッドにニッケルを１．
５μｍコーティングした。この結果、グリッド間で放電
を起こすことなく不純物の混入がないニッケル薄膜を作
製することができた。
薄膜を作製する場合について説明する。この場合にはニ
ッケルメッキによりカーボングリッドにニッケルを１．
５μｍコーティングした。この結果、グリッド間で放電
を起こすことなく不純物の混入がないニッケル薄膜を作
製することができた。
【００１１】実施例においてはイオンビームスパッタに
用いるグリッドについてのみ記述したが、この技術はイ
オンビームスパッタのみならず、イオンミリング、ある
いはロケット等の加速推進にも用いることができる。
用いるグリッドについてのみ記述したが、この技術はイ
オンビームスパッタのみならず、イオンミリング、ある
いはロケット等の加速推進にも用いることができる。
【００１２】
【発明の効果】以上、実施例にて説明したように、本発
明を用いれば従来のイオンソースグリッドのようなモリ
ブデンの混入がなく長寿命で、グリッド間で放電が起き
ず、しかもパイロリティックグラファイトよりも安価な
イオンソースグリッドが得られるものである。
明を用いれば従来のイオンソースグリッドのようなモリ
ブデンの混入がなく長寿命で、グリッド間で放電が起き
ず、しかもパイロリティックグラファイトよりも安価な
イオンソースグリッドが得られるものである。
【図１】本発明のイオンソースグリッドの例を示す図で
ある。
ある。
１ コーティング金 ２ カーボングリッド
Claims (1)
- 【請求項１】 カーボンを材質とし、その表面に金属薄
膜がコーティングしてあることを特徴とするイオンソー
スグリッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25326391A JPH0594795A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | イオンソースグリツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25326391A JPH0594795A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | イオンソースグリツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594795A true JPH0594795A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17248848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25326391A Pending JPH0594795A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | イオンソースグリツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0594795A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014170935A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビーム処理装置、電極アセンブリ及び電極アセンブリの洗浄方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60243955A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
| JPH0337949A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-19 | Hitachi Ltd | イオン注入装置およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP25326391A patent/JPH0594795A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60243955A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
| JPH0337949A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-19 | Hitachi Ltd | イオン注入装置およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014170935A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビーム処理装置、電極アセンブリ及び電極アセンブリの洗浄方法 |
| US10224179B2 (en) | 2013-04-19 | 2019-03-05 | Canon Anelva Corporation | Ion beam processing apparatus, electrode assembly, and method of cleaning electrode assembly |
| US10879040B2 (en) | 2013-04-19 | 2020-12-29 | Canon Anelva Corporation | Ion beam processing apparatus, electrode assembly, and method of cleaning electrode assembly |
| US11355314B2 (en) | 2013-04-19 | 2022-06-07 | Canon Anelva Corporation | Ion beam processing apparatus, electrode assembly, and method of cleaning electrode assembly |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980506 |