JPH05880A - Apparatus for producing compound semiconductor crystal and method therefor - Google Patents
Apparatus for producing compound semiconductor crystal and method thereforInfo
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- JPH05880A JPH05880A JP17453491A JP17453491A JPH05880A JP H05880 A JPH05880 A JP H05880A JP 17453491 A JP17453491 A JP 17453491A JP 17453491 A JP17453491 A JP 17453491A JP H05880 A JPH05880 A JP H05880A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、水平ブリッジマン法
（ＨＢ法）や温度傾斜法（ＧＦ法）等のボート法による
化合物半導体結晶の製造装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for producing a compound semiconductor crystal by a boat method such as a horizontal Bridgman method (HB method) or a temperature gradient method (GF method).
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、化合物半導体結晶をボート法で育
成する場合には、使用するボートの長手方向に垂直な断
面形状は、図６〜９に示したような形状であった。2. Description of the Related Art Conventionally, when growing a compound semiconductor crystal by a boat method, a boat used has a cross-sectional shape perpendicular to the longitudinal direction as shown in FIGS.
【０００３】図６、７、８の断面形状は、それぞれ半
円、Ｕ型、角型になっている。これらの特徴は、育成し
た結晶がボートから上方に簡単に取り出せるように、ボ
ート上方が結晶の最大径より大きく開口されていること
である。これらの形状のボートから育成した単結晶をス
ライスして得られるウエハ形状もＤ型や角型となる。従
って、これらの単結晶から円形ウエハを製造する場合に
は、円形に切削する必要があった。この場合、加工のロ
スが非常に多く結晶のコストアップを招いていた。The cross-sectional shapes of FIGS. 6, 7 and 8 are semicircle, U-shape and square-shape, respectively. These features are that the upper part of the boat is opened larger than the maximum diameter of the crystal so that the grown crystal can be easily taken out from the boat. The wafer shape obtained by slicing the single crystal grown from the boat of these shapes is also D-shape or square-shape. Therefore, when manufacturing a circular wafer from these single crystals, it was necessary to cut into a circular shape. In this case, the processing loss is very large and the crystal cost is increased.
【０００４】前記問題点を解決するために、実開平２−
１１１６５号などが提案されている。この提案は、図９
のように断面形状を円形にし、結晶を円形に切削するロ
スを小さくするものである。しかし、断面形状の大部分
を円形にしているので、結晶育成時に結晶を観察する窓
がないか、あるいは観察に充分な大きさではなかった。
このため、結晶育成時に双晶などの結晶歩留を著しく低
下させる結晶欠陥が発生しても、結晶育成時には観察が
できず結晶育成中にメルトバックなどのフィードバック
をかけることが不可能であった。このため、結晶育成の
歩留の低下を招いていた。In order to solve the above-mentioned problems, an actual Kaihei 2-
No. 11165 and the like have been proposed. This proposal is shown in FIG.
As described above, the cross-sectional shape is circular to reduce the loss of cutting the crystal into a circular shape. However, since most of the cross-sectional shape is circular, there is no window for observing crystals during crystal growth, or the size is not large enough for observation.
Therefore, even if a crystal defect such as a twin crystal that significantly reduces the crystal yield occurs during crystal growth, it cannot be observed during crystal growth and feedback such as meltback cannot be applied during crystal growth. . Therefore, the yield of crystal growth has been reduced.
【０００５】また、これら図９のような構造のボートで
は、１回結晶を育成するとその結晶を取り出すためにボ
ートを破壊するしか方法がなく、ボートの再利用は困難
であった。特にボート材質に高価なパイロリティックボ
ロンナイトライド（以下ｐＢＮとする）を用いた場合に
は、コストアップを招き大きな問題となっていた。Further, in the boats having the structure shown in FIG. 9, once the crystal is grown, the only method is to destroy the crystal in order to take out the crystal, and it is difficult to reuse the boat. In particular, when an expensive pyrolytic boron nitride (hereinafter referred to as pBN) is used as the material of the boat, it causes a cost increase and poses a serious problem.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は従来技
術が有していた前述の問題点を解消するものである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned problems of the prior art.
【０００７】[0007]
【０００８】本発明は、前述の問題点を解決すべくなさ
れたものであり、化合物半導体結晶をボート法により製
造する製造装置において、結晶育成用ボートの長手方向
に垂直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広
く上部の幅が再度狭くなっている形状であり、その上部
に中央部の最大幅の１００％未満の幅を有する開口を有
し、さらに前記ボートの長手方向の少なくとも１端が開
放可能となっていることを特徴とする化合物半導体結晶
の製造装置、および、化合物半導体結晶をボート法によ
り製造する製造方法において、結晶育成用ボートの長手
方向に垂直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅
が広く上部の幅が再度狭くなっている形状であり、その
上部に中央部の最大幅より小さい幅を有する開口を有
し、さらに前記ボートの長手方向の少なくとも１端が開
放可能になっており、前記ボートの材質がパイロリティ
ックボロンナイトライドであり、前記ボートを用いその
中にＢ2 Ｏ3 を添加して結晶を育成することを特徴とす
る化合物半導体結晶の製造方法を提供するものである。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and in a manufacturing apparatus for manufacturing a compound semiconductor crystal by a boat method, the shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the crystal growing boat is the bottom portion. Has a narrow width and a wide central portion and a narrow upper portion again, and has an opening in the upper portion having a width of less than 100% of the maximum width of the central portion, and further, in the longitudinal direction of the boat. At least one end of the compound semiconductor crystal is openable, and a manufacturing method for manufacturing the compound semiconductor crystal by the boat method, in a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the crystal growing boat. The shape is such that the width of the bottom is narrow, the width of the center is wide, and the width of the top is narrow again, and the top has an opening having a width smaller than the maximum width of the center, and Longitudinal and at least one end becomes openable, the material of the boat and is a pyrolytic boron nitride, characterized by growing a crystal by addition of B 2 O 3 therein using the boat The present invention provides a method for producing a compound semiconductor crystal.
【０００９】ボート長手方向の開放部は、育成した結晶
を取り出すことのできる大きさが必要である。また、結
晶育成中にボートより原料融液が流れ出ないように、何
らかの工夫が必要であり、それにはいくつかの方法があ
る。その代表的なものとして、ボートテール部に設けた
開放部に取り外し可能なキャップを用いること、あるい
は結晶の種結晶方向に開放部を設けその開放部に種結晶
を設置することが可能で、しかもボートから取り外し可
能なキャップを用いることができる。The opening in the longitudinal direction of the boat needs to be large enough to take out the grown crystal. Also, some kind of device must be devised so that the raw material melt does not flow out from the boat during crystal growth, and there are several methods. As a typical example, it is possible to use a removable cap for the open part provided in the boat tail part, or to provide an open part in the seed crystal direction of the crystal and to install the seed crystal in the open part. A cap removable from the boat can be used.
【００１０】ボートの長手方向に垂直な断面形状として
は、円弧あるいは楕円弧等の中央部の幅が最も大きいボ
ートを用いる。好ましくは、結晶成長方位と作製しよう
とする円形ウエハの面方位の関係によって、その楕円の
偏平率を設計する。この偏平率は、得ようとする円形ウ
エハの面方位で結晶をスライスした断面形状が、より円
形に近い形になるように設計する。この事によって結晶
の加工ロスが低減できる。As the cross-sectional shape perpendicular to the longitudinal direction of the boat, a boat having the largest width in the central portion such as an arc or an elliptic arc is used. Preferably, the flatness of the ellipse is designed according to the relationship between the crystal growth orientation and the plane orientation of the circular wafer to be produced. This flatness is designed so that the cross-sectional shape obtained by slicing the crystal in the plane orientation of the circular wafer to be obtained becomes more circular. This can reduce the crystal processing loss.
【００１１】また、ボートの材質としてｐＢＮを用いる
ことにより、石英ガラスに比べ弾性に富むためにキャッ
プの着脱が簡単に行うことができ、しかも結晶徐冷中に
結晶に与えるストレスも小さく低転移の結晶が得られ
る。また、石英ボートでは避けることのできないＳｉな
どの微量不純物による結晶の汚染がｐＢＮを用いること
により防止でき、不純物無添加で高抵抗の単結晶を育成
することができる。Further, by using pBN as the material of the boat, the cap can be easily attached and detached because it is more elastic than quartz glass, and the stress applied to the crystal during the gradual cooling of the crystal is small and the crystal of low transition is obtained. To be Further, the use of pBN can prevent crystal contamination due to trace impurities such as Si, which cannot be avoided with a quartz boat, and a high-resistance single crystal can be grown without adding impurities.
【００１２】さらに、ｐＢＮボートを用いボート内に原
料とともにＢ2 Ｏ3 を添加することにより、ｐＢＮボー
トと結晶の直接のヌレを防ぐことができる。このため、
リネージなどの結晶欠陥を低減でき歩留の向上が図れ
る。これらの理由よりボート材質としてはｐＢＮを用い
ることが好ましい。Further, by using a pBN boat and adding B 2 O 3 together with the raw material into the boat, direct wetting of the pBN boat and the crystals can be prevented. For this reason,
Crystal defects such as lineage can be reduced and the yield can be improved. For these reasons, it is preferable to use pBN as the boat material.
【００１３】また、（１００）面の円形ウエハを作成す
る場合の結晶成長方位としては、＜１００＞方向にする
ことにより、円形（１００）ウエハを切り出す際の加工
ロスが小さくできる理由で好ましい。The crystal growth orientation in the case of forming a circular wafer of (100) plane is preferably <100> direction because the processing loss when cutting out the circular (100) wafer can be reduced.
【００１４】ボート上部の開口の幅は上方より育成中の
結晶を観察するためには、ボート断面中央部の最大幅の
１０％以上あることが好ましく、また結晶をスライスす
る場合の加工ロスを小さくするためには中央部の最大幅
の１００％未満であることが好ましい。また、前記開口
は上方より見た場合の形状が長方形となるようなスリッ
ト型が好ましいが、結晶欠陥の発生しやすい部分の幅を
広くしたような形状、その他の形状も採用できる。The width of the opening in the upper part of the boat is preferably 10% or more of the maximum width of the center of the boat cross section in order to observe the growing crystal from above, and the processing loss in slicing the crystal is small. In order to achieve this, the width is preferably less than 100% of the maximum width of the central portion. Further, the opening is preferably a slit type so that the shape when viewed from above is a rectangle, but a shape in which the width of a portion where crystal defects are likely to occur is wide, or another shape can be adopted.
【００１５】本発明の製造装置は、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等
の３−５族化合物半導体結晶、ＺｎＳｅ等の２−６族化
合物半導体結晶の製造に使用できる。また、これら化合
物半導体の単結晶の製造のみならず、多結晶の製造にも
使用できる。The manufacturing apparatus of the present invention can be used for manufacturing a 3-5 group compound semiconductor crystal such as GaAs and InP and a 2-6 group compound semiconductor crystal such as ZnSe. Further, it can be used not only for producing a single crystal of these compound semiconductors but also for producing a polycrystal.
【００１６】[0016]
【作用】本発明において、ボート上部に観察用の開口を
有し、ボートの長手方向に垂直な断面の形状が円弧もし
くは楕円弧であるボートを用いることにより、得ようと
する円形ウエハの面方位で結晶をスライスしたときの断
面形状を、そのまま円形に近い形状にでき、結晶育成中
に結晶を観察しながら育成することも可能である。In the present invention, by using a boat having an opening for observation in the upper part of the boat and having a cross-sectional shape perpendicular to the longitudinal direction of the boat which is an arc or an elliptic arc, the plane orientation of the circular wafer to be obtained can be obtained. The cross-sectional shape of the sliced crystal can be made into a shape close to a circle as it is, and it is also possible to grow while observing the crystal during crystal growth.
【００１７】ボートの長手方向の少なくとも一端を開放
部にすることにより、ボートを破壊することなくその開
放部より育成した結晶を取り出すことができ、ボートを
複数回使用することができる。By forming at least one end in the longitudinal direction of the boat as an open portion, the grown crystal can be taken out from the open portion without breaking the boat, and the boat can be used a plurality of times.
【００１８】また、ボートの材質としてｐＢＮを用いる
ことにより、石英ボートでは避けることのできないＳｉ
などの微量不純物による結晶の汚染を防ぐことができ、
無添加の高抵抗単結晶を育成することができる。さら
に、ｐＢＮボートを用い、ボート内に原料とともにＢ2
Ｏ3 を添加することにより、ｐＢＮボートと結晶の直接
のヌレを防ぐことができ転位などの結晶欠陥を低減でき
るため、歩留よく無添加の高抵抗単結晶を育成すること
ができる。Further, by using pBN as the material of the boat, the Si which cannot be avoided by the quartz boat is used.
It is possible to prevent crystal contamination due to trace impurities such as
It is possible to grow a high-resistance single crystal without addition. Further, using a pBN boat, B 2 together with the raw materials was put in the boat.
By adding O 3 , direct wetting of the pBN boat and the crystal can be prevented, and crystal defects such as dislocations can be reduced, so that it is possible to grow a high-resistance single crystal without addition with a good yield.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて説
明する。図１は本発明の化合物半導体製造装置におい
て、テール部（種結晶と反対側）を開放部にしたボート
とキャップのボート長手方向の断面図、図２は図１のボ
ートのＡ−Ａ１の断面図、図３は種結晶側を開放部にし
たボートと種結晶取り付け及び取り外し可能なキャップ
を用いた場合のボート長手方向の断面図、図４は図３の
ボートのＢ−Ｂ１の断面図、図５は図１のボートを用い
てＧａＡｓ単結晶を製造する場合の反応容器の長手方向
の断面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a cross-sectional view in the boat longitudinal direction of a boat and a cap in which the tail portion (the side opposite to the seed crystal) is opened in the compound semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, and FIG. FIG. 3, FIG. 3 is a cross-sectional view in the boat longitudinal direction when a boat having a seed crystal side as an open portion and a seed crystal attachment / detachment cap is used, and FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view in the longitudinal direction of the reaction container when a GaAs single crystal is manufactured using the boat of FIG.
【００２０】これらの図において１はテール部開口ボー
ト、２はテール部キャップ、３は種結晶、４は種結晶側
開放ボート、５は種結晶設置可能なキャップ、６は反応
容器、７は原料のＧａ、８はＢ2 Ｏ3 、９はＡｓを示
す。In these drawings, 1 is a tail opening boat, 2 is a tail cap, 3 is a seed crystal, 4 is a seed crystal side opening boat, 5 is a cap on which a seed crystal can be installed, 6 is a reaction vessel, and 7 is a raw material. Ga, 8 is B 2 O 3 , and 9 is As.
【００２１】（実施例１）ＧａＡｓの単結晶を製造する
のに図１の形状のｐＢＮ製ボートを用いた場合について
説明する。＜１００＞方向がボート長手方向になるよう
に加工したＧａＡｓ種結晶３をボート１の所定の位置に
セットし、ボート内に図５のようにＧａ７を２１００ｇ
と、Ｂ2 Ｏ3 ８を１００ｇをいれる。その後、テール部
キャップ２を所定の位置にはめ込む。反応容器６の他端
にＡｓ９を２３００ｇ入れ反応容器６内に原料を入れた
ボートを設置し、真空状態に減圧し反応容器６を封じき
る。(Embodiment 1) A case will be described in which a pBN boat having the shape shown in FIG. 1 is used to manufacture a GaAs single crystal. The GaAs seed crystal 3 processed so that the <100> direction was the longitudinal direction of the boat was set at a predetermined position of the boat 1, and 2100 g of Ga7 was placed in the boat as shown in FIG.
Then, add 100 g of B 2 O 3 8. After that, the tail cap 2 is fitted into a predetermined position. At the other end of the reaction vessel 6, 2300 g of As9 was placed and a boat containing the raw materials was placed in the reaction vessel 6, and the reaction vessel 6 was completely depressurized to a vacuum.
【００２２】次に反応容器６を結晶育成炉にいれ、反応
容器６内のＡｓを６００℃に加熱し反応容器６内のＡｓ
蒸気圧を１ａｔｍに維持し、反応容器６内ボート部を１
２００℃とし、ＧａとＡｓ蒸気を反応させＧａＡｓを合
成する。その後、さらに昇温し種結晶温度を１２３８
℃、ＧａＡｓ融液中の温度勾配を０．５℃／ｃｍ程度に
し種結晶とＧａＡｓ融液を接触させる。その後、融液の
温度を徐々に下げて冷却し結晶の育成を行う。Next, the reaction vessel 6 is put into a crystal growth furnace, As in the reaction vessel 6 is heated to 600 ° C., and As in the reaction vessel 6 is heated.
Keep the vapor pressure at 1 atm and set the boat section inside the reaction vessel 6 to 1 atm.
At 200 ° C., Ga and As vapor are reacted to synthesize GaAs. After that, the temperature of the seed crystal is further raised to 1238.
C., the temperature gradient in the GaAs melt is set to about 0.5.degree. C./cm, and the seed crystal and the GaAs melt are brought into contact with each other. Then, the temperature of the melt is gradually lowered and cooled to grow crystals.
【００２３】結晶育成中に結晶の観察は容易にボート上
方からでき、双晶欠陥が発生した場合には、その部分を
メルトバックし再度融液温度を徐々に下げ結晶育成を続
ける。完全に固化後さらに温度を室温まで下げてボート
のキャップを取り外し、その開放部より結晶を取り出す
ことによりＧａＡｓ単結晶４４５０ｇが得られた。Crystals can be easily observed from above the boat during crystal growth. When twin defects are generated, the portions are melted back and the melt temperature is gradually lowered again to continue crystal growth. After completely solidifying, the temperature was further lowered to room temperature, the cap of the boat was removed, and the crystal was taken out from the open portion to obtain 4450 g of a GaAs single crystal.
【００２４】この得られた結晶は双晶欠陥もなく良好な
もので、その特性はＥＰＤが２０００／ｃｍ2 以下の無
添加半絶縁性であった。The obtained crystal was good without twin defects, and its characteristic was an additive-free semi-insulating property with EPD of 2000 / cm 2 or less.
【００２５】得られた単結晶より（１００）面円形ウエ
ハを製造する場合は、この単結晶を結晶長手方向と垂直
な（１００）面でスライスし切削することにより、加工
ロスがほとんどなく（１００）面円形ウエハを得ること
ができる。When a (100) plane circular wafer is produced from the obtained single crystal, the single crystal is sliced along the (100) plane perpendicular to the longitudinal direction of the crystal and cut, so that there is almost no processing loss (100). ) A plane circular wafer can be obtained.
【００２６】（実施例２）ＧａＡｓの単結晶を、図３の
形状のｐＢＮ製ボート４を用いた場合について説明す
る。ｐＢＮボート４の中にＧａを２１００ｇとＢ2 Ｏ3
１００ｇを入れ、実施例１で示した方位に切り出したＧ
ａＡｓ種結晶をｐＢＮ製キャップ５の所定の位置にセッ
トし、そのキャップをｐＢＮボート４の開放部の所定の
位置にはめ込む。(Embodiment 2) A case where a pBN boat 4 having the shape shown in FIG. 3 is used for a GaAs single crystal will be described. 2100 g of Ga and B 2 O 3 in the pBN boat 4
100 g was put and G cut out in the orientation shown in Example 1
The aAs seed crystal is set at a predetermined position of the pBN cap 5, and the cap is fitted at a predetermined position of the open portion of the pBN boat 4.
【００２７】反応容器６の他端にＡｓ９を２３００ｇ入
れ、ボートを反応容器６内に設置し、反応容器６内を真
空状態に減圧し反応容器６を封じきる。次に反応容器６
を結晶育成炉にいれ、実施例１と同様の操作で結晶を観
察しながら結晶育成を行う。育成後ボート４のキャップ
５を取り外し、その開放部より結晶を取り出すことによ
りＧａＡｓ単結晶４４５０ｇを得ることができた。At the other end of the reaction vessel 6, 2300 g of As9 is placed, a boat is installed in the reaction vessel 6, the inside of the reaction vessel 6 is depressurized to a vacuum state, and the reaction vessel 6 is sealed. Next, the reaction vessel 6
Into a crystal growth furnace, the crystal is grown while observing the crystal in the same manner as in Example 1. After the growth, the cap 5 of the boat 4 was removed, and the crystal was taken out from the open portion to obtain 4450 g of a GaAs single crystal.
【００２８】得られた結晶は双晶欠陥もなく良好なもの
で、その特性はＥＰＤが２０００／ｃｍ2 以下の良好な
半絶縁性結晶であった。The obtained crystal was good without twin defects, and the characteristics were good semi-insulating crystal with EPD of 2000 / cm 2 or less.
【００２９】ウエハの加工は実施例１と同様に行うこと
ができる。Processing of the wafer can be performed in the same manner as in the first embodiment.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上述べたように、本発明は次のような
優れた効果がある。As described above, the present invention has the following excellent effects.
【００３１】（１）ボートの長手方向に垂直な断面で上
部の開口が、中央部の最大幅の１００％未満の形状をし
たボートを用い、さらにボートの少なくとも一端を開放
部にすることにより、その開放部よりボートを破壊する
ことなく育成した結晶を取り出すことができ、ボートを
複数回使用することができる。これは特に、石英ボート
に比べ高価なｐＢＮボートを使用する際に有効である。(1) By using a boat whose upper opening is less than 100% of the maximum width of the central portion in a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the boat, and by making at least one end of the boat an open portion, The grown crystal can be taken out from the open portion without breaking the boat, and the boat can be used multiple times. This is particularly effective when using a pBN boat which is more expensive than a quartz boat.
【００３２】（２）ボートの材質としてｐＢＮを用いる
ことにより、石英ボートでは避けることのできないＳｉ
などの微量不純物による結晶の汚染を防ぐことができ、
無添加の高抵抗結晶を育成することができる。(2) Since pBN is used as the material of the boat, Si cannot be avoided with the quartz boat.
It is possible to prevent crystal contamination due to trace impurities such as
It is possible to grow high resistance crystals without addition.
【００３３】（３）ｐＢＮボートを用いボート内に原料
とともにＢ2 Ｏ3 を添加することにより、ｐＢＮボート
と結晶の直接のヌレを防ぐことができ、リネージなどの
結晶欠陥を低減できるため、歩留よく無添加の高抵抗結
晶を育成できる。(3) By using a pBN boat and adding B 2 O 3 together with the raw material into the boat, direct wetting of the pBN boat and the crystals can be prevented, and crystal defects such as lineage can be reduced. It is possible to easily grow high-resistance crystals without addition.
【００３４】（４）結晶育成用ボートの長手方向に垂直
な断面の形状が円弧もしくは楕円弧であることにより、
得ようとする円形ウエハの面方位で結晶をスライスした
ときの断面形状を、円形に近い形にできるため、結晶の
加工ロスが低減でき経済的効果が大きい。(4) Since the shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the crystal growing boat is an arc or an elliptic arc,
Since the cross-sectional shape when the crystal is sliced in the plane orientation of the circular wafer to be obtained can be made into a shape close to a circle, the processing loss of the crystal can be reduced and the economical effect is large.
【００３５】（５）ボート上部に観察用開口を設けるこ
とにより、その開口を窓として結晶育成炉上部から、結
晶育成時に結晶を観察することができる。このため、結
晶育成時に双晶などの結晶歩留を著しく低下させる結晶
欠陥の発生が観測された場合には、メルトバックなどを
行うことにより結晶育成中にフィードバックをかけるこ
とが可能であり、結果的に歩留の向上がなされる。(5) By providing an observation opening on the upper part of the boat, the crystal can be observed from the upper part of the crystal growth furnace through the opening as a window during crystal growth. Therefore, when the occurrence of crystal defects such as twins that significantly lower the crystal yield during crystal growth is observed, it is possible to give feedback during crystal growth by performing meltback, etc. Yield is improved.
【図１】テール側開放のボートとそのキャップのボート
長手方向の断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of a boat having an open tail side and a cap thereof in a boat longitudinal direction.
【図２】図１ボートのＡ−Ａ１の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA1 of the boat shown in FIG.
【図３】種結晶側を開放にしたボートと種結晶取付及び
取り外し可能なキャップを用いた場合のボート長手方向
の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view in the boat longitudinal direction when a boat having a seed crystal side opened and a seed crystal attachment / detachment cap is used.
【図４】図３ボートのＢ−Ｂ１の断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB1 of the boat of FIG.
【図５】図１のボートを用いてＧａＡｓ単結晶を製造す
る場合の反応容器の長手方向の断面図。5 is a cross-sectional view in the longitudinal direction of a reaction container when a GaAs single crystal is manufactured using the boat of FIG.
【図６】半円型断面形状ボート断面図。FIG. 6 is a semi-circular cross-section boat cross-sectional view.
【図７】Ｕ型断面形状ボート断面図。FIG. 7 is a U-shaped cross-sectional view of a boat.
【図８】角型断面形状ボート断面図。FIG. 8 is a cross-sectional view of a boat having a rectangular cross section.
【図９】円型断面形状ボート断面図。FIG. 9 is a cross-sectional view of a boat having a circular cross section.
１ テール部開放ボート ２ テール部キャップ ３ 種結晶 ４ 種結晶側開放ボート ５ 種結晶設置可能なキャップ ６ 反応容器 ７ 原料Ｇａ ８ Ｂ2 Ｏ3 ９ Ａｓ1 Tail Open Boat 2 Tail Cap 3 Seed Crystal 4 Seed Crystal Side Open Boat 5 Cap Capable of Installing Seed Crystal 6 Reaction Container 7 Raw Material Ga 8 B 2 O 3 9 As
Claims (6)
る製造装置において、結晶育成用ボートの長手方向に垂
直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広く上
部の幅が再度狭くなっている形状であり、その上部に中
央部の最大幅より小さい幅を有する開口を有し、さらに
前記ボートの長手方向の少なくとも１端が開放可能にな
っていることを特徴とする化合物半導体結晶の製造装
置。1. A manufacturing apparatus for manufacturing a compound semiconductor crystal by a boat method, wherein a shape of a cross section of the crystal growing boat perpendicular to the longitudinal direction is such that the width of the bottom is narrow, the width of the center is wide, and the width of the top is narrow again. The compound semiconductor crystal is characterized by having an opening having a width smaller than the maximum width of the central portion at the upper part thereof, and at least one end in the longitudinal direction of the boat can be opened. Manufacturing equipment.
開放部に、取り外し可能なキャップを設ける請求項１の
化合物半導体結晶の製造装置。2. The apparatus for producing a compound semiconductor crystal according to claim 1, wherein a removable cap is provided at an open portion of at least one end in the longitudinal direction of the boat.
置する請求項２の化合物半導体結晶の製造装置。3. The apparatus for producing a compound semiconductor crystal according to claim 2, wherein a seed crystal is installed on the removable cap.
ンナイトライドである請求項１〜３いずれか１項の化合
物半導体結晶の製造装置。4. The compound semiconductor crystal manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the material of the boat is pyrolytic boron nitride.
ロンナイトライドである請求項２〜４いずれか１項の化
合物半導体結晶の製造装置。5. The compound semiconductor crystal manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the material of the cap is pyrolytic boron nitride.
る製造方法において、結晶育成用ボートの長手方向に垂
直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広く上
部の幅が再度狭くなっている形状であり、その上部に中
央部の最大幅より小さい幅を有する開口を有し、さらに
前記ボートの長手方向の少なくとも１端が開放可能にな
っており、前記ボートの材質がパイロリティックボロン
ナイトライドであり、前記ボートを用いその中にＢ2 Ｏ
3 を添加して結晶を育成することを特徴とする化合物半
導体結晶の製造方法。6. A manufacturing method for manufacturing a compound semiconductor crystal by a boat method, wherein the shape of a cross section of the crystal growing boat perpendicular to the longitudinal direction is such that the width of the bottom is narrow, the width of the center is wide, and the width of the top is narrow again. Has an opening having a width smaller than the maximum width of the central portion in the upper portion, and at least one end in the longitudinal direction of the boat can be opened, and the material of the boat is pyrolytic. Boron Night Ride, using the above boat and using B 2 O
A method for producing a compound semiconductor crystal, which comprises adding 3 to grow a crystal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17453491A JPH05880A (en) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Apparatus for producing compound semiconductor crystal and method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17453491A JPH05880A (en) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Apparatus for producing compound semiconductor crystal and method therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05880A true JPH05880A (en) | 1993-01-08 |
Family
ID=15980217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17453491A Withdrawn JPH05880A (en) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Apparatus for producing compound semiconductor crystal and method therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05880A (en) |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP17453491A patent/JPH05880A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
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