JP3560180B2

JP3560180B2 - Method for producing ZnSe homoepitaxial single crystal film

Info

Publication number: JP3560180B2
Application number: JP4923495A
Authority: JP
Inventors: 長寿永田; 一之梅津; 徹佐川; 勇西野
Original assignee: Dowa Holdings Co Ltd; Dowa Mining Co Ltd
Current assignee: Dowa Holdings Co Ltd
Priority date: 1995-02-14
Filing date: 1995-02-14
Publication date: 2004-09-02
Anticipated expiration: 2019-09-02
Also published as: JPH08217599A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は半導体レーザや発光ダイオード等の青色、青緑色および緑色系発光素子を構築するための基板を用いたＺｎＳｅホモエピタキシャル単結晶膜の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、発光ダイオードを製造する方法としてＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法が知られているが、これらの製造法においては、ＩＩＩ −Ｖ族化合物のＧａＡｓ単結晶基板を用い、該基板上にＺｎＳｅ系ＩＩ−ＶＩ族化合物をエピタキシャル成長させるいわゆるヘテロエピタキシャル成長法が試みられていた。
【０００３】
しかしながら近年、エピタキシャル基板とエピタキシャル膜との物性の違い、特に格子定数と熱膨張係数の差に起因する転位や、基板中のＧａがエピタキシャル膜へ拡散する等のヘテロ界面での欠陥がデバイスの寿命や信頼性を悪くしていることの問題点が指摘されるようになった。
【０００４】
この問題を解決するために、従来のエピタキシャル基板のＧａＡｓ単結晶基板に代えて、ＺｎＳｅ単結晶基板を用いるホモエピタキシャル成長法が試みられるようになった。この一例としてＳＰＶＴ（ＳｅｅｄｅｄＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｅｒＴｒａｎｓｐｏｒｔ）法等の、いわゆる気相法で成長させたＺｎＳｅ単結晶基板を用いて、ホモエピタキシャル成長させる方法がある。
【０００５】
しかしながら上記ＺｎＳｅ単結晶基板を用いてホモエピタキシャル成長させる方法としてのＬＰＥ法では、溶媒の融点や原料となるＺｎＳｅの溶解度の理由から、少なくとも６００℃以上の温度で成長させる必要があるため、ＺｎＳｅ基板をエピタキシャル温度まで加熱すると、該基板表面が熱ダメージを受け、これが欠陥としてエピタキシャル層に伝搬して、良質の膜を得られなかった。
【０００６】
またＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法においては、用いたＺｎＳｅ単結晶基板表面の吸着物や酸化層の除去等を目的とする表面清浄化のため約５００℃以上の真空中でサーマルクリーニングを施すが、この場合、基板表面がダメージを受けることが多く、これが欠陥としてエピタキシャル層に伝搬することによって、デバイスの寿命、信頼性を悪くする原因となっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように気相成長法で得たＺｎＳｅ単結晶基板を用いてＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法等でホモエピタキシャル成長させても、いずれもエピタキシャル成長前にＺｎＳｅ単結晶基板がいわゆる高温プロセスを経る際に受けるダメージを避けることができなかった。
【０００８】
本発明は上記ＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法において使用できるＺｎＳｅ単結晶基板およびその利用を開発することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は斯かる課題を解決するために鋭意研究したところ、基板として用いるＺｎＳｅ単結晶体としては、ＺｎＳｅをその融点前後で結晶化させる融液成長法で得たものが、その後のホモエピタキシャル成長法に好都合に使用できることを見い出し本発明法を提供することができた。
【００１０】
すなわち本発明法は、ＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法によりＺｎＳｅバルク単結晶基板上にＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタキシャル成長させる方法において、上記ＺｎＳｅバルク単結晶基板としてＺｎＳｅの融点前後で育成したＺｎＳｅ単結晶体から切り出した［１００］方位のウェハをラッピング処理し、さらにポリッシュ処理し、その後ブロムメタノールでエッチングしてエピタキシャル基板と成したものを用いることによって該［１００］方位に表面を有する基板上に（４００）Ｘ線ロッキングカーブの半価巾が該基板と同等のＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタキシャル成長させることを特徴とするＺｎＳｅホモエピタキシャル単結晶膜の製造法である。
【００１１】
【作用】
本発明法において使用するＺｎＳｅ単結晶基板は、垂直ブリッジマン炉（ＶＢ炉）または垂直徐冷炉（ＶＧＦ炉）を用いて、高圧溶融法により融液からＺｎＳｅバルク結晶を製造する際に、ＺｎＳｅ多結晶を種結晶として使用し、該種結晶の上に単結晶を育成することによって得られたＺｎＳｅバルク単結晶を、スライサーで［１００］方位に切り出したものを、ラップポリッシュして作製した基板である。
【００１２】
本発明者は、上記基板と比較のために従来の気相法で得たＺｎＳｅ基板とを用いて、Ｎ_２雰囲気中で８６０℃で２時間加熱処理を施して、加熱前後の基板を顕微鏡写真で比較したところ、本発明に係る高圧溶融法により育成したバルク単結晶から得た基板の方が、気相法によって得られた基板より熱ダメージを受けにくいことを確認している。
【００１３】
この理由は、融液成長法（ＭｅｌｔＧｒｏｗｔｈ法）でＺｎＳｅバルク単結晶を育成する場合、ＺｎＳｅの融点（ＭｅｌｔｉｎｇＰｏｉｎｔ）が１５２０℃であるため、この温度前後で結晶化しているのに対して、従来のＳＰＶＴ法に代表される気相法は、石英ガラス容器中で育成を行うため容器自体の耐熱性から高々１０００℃位が育成温度の限界になり、結晶育成の温度も１０００℃以下とならざるを得なく、その結果、得られたバルク単結晶も耐熱性が劣る結晶となっていたためである。
【００１４】
さらに本発明の融液成長法に比べて、気相法はＺｎＳｅ分子濃度が稀薄な系から結晶成長を行うことから、このことも耐熱安定性に欠ける原因となっている。
【００１５】
以下実施例をもって本発明を詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【００１６】
【実施例１】
原料として、同和鉱業（株）製の気相法によって得られた塊状の高純度ＺｎＳｅ（純度９９．９９９％）を、垂直ブリッジマン炉（雅慶電機製作所製電気炉ＧＨＰ−Ａ２０２）内に窒化ホウ素製坩堝に入れて装入した。
【００１７】
炉内を窒素で置換した後、３０ｋｇｆ／ｃｍ^２の圧力で窒素を導入し、炉内温度を１５５０℃（炉内最高温度）まで昇温し、この温度を５時間保持して坩堝内の原料および坩堝底部に予め準備したＺｎＳｅ多結晶からなる種結晶の上端部を融解することによって、種結晶上に双晶のない径１インチ長さ３０ｍｍのＺｎＳｅバルク単結晶インゴットを得た。
【００１８】
次いで該インゴットからカット面検査機で［１００］方位の面出しをした後、スライサーで［１００］方位のウェハを切り出し、これを５ｍｍ口にカットした。得られたウェハをφ５．５μｍのＡｌ_２Ｏ_３砥粒でラッピング処理し、さらにφ１μｍとφ０．２５μｍの砥粒でポリッシュ処理を施し、最後にこのウェハをブロムメタノール（１％）でエッチングして加工変質層を除去して［１００］方位に表面を有する５ｍｍ口のＺｎＳｅバルク単結晶基板を得た。尚、この基板の（４００）Ｘ線ロッキングカーブの半価巾は２４ａｒｃｓｅｃであった。
【００１９】
このようにして得たＺｎＳｅ単結晶基板をエピタキシャル基板として用い、スライドボード法によるＬＰＥ法でＺｎＳｅ単結晶をホモエピタキシャル成長させた。
【００２０】
このＬＰＥ法による成長条件としては、溶媒にＧａ_０．８４Ｉｎ_０．１６を用い、原料には予め７ＮＺｎと６ＮＳｅのメタルソースを用いて特開平６−６４９０５号に開示する製造方法により合成したＺｎＳｅを粉末化したものを用い、窒素ガス雰囲気中、８６０℃に加熱保持した後、徐冷してエピタキシャル成長させた。
【００２１】
このようにして作製したエピタキシャル成長後のサンプルを顕微鏡写真で撮ったところ、図１はエピタキシャル膜の表面を示す写真であるが、連続した膜になっている。また基板およびエピタキシャル膜の断面を図２に示すが、エピタキシャル面のモホロジーが良好なことがわかる。
【００２２】
図５には２結晶Ｘ線回折法による上記エピタキシャル膜の（４００）Ｘ線ロッキングカーブを示すが、これによると半価巾が基板と同等であることから、良好な単結晶膜になっていることを示している。
【００２３】
【比較例１】
従来法に気相法によって育成したＺｎＳｅバルク単結晶インゴットを対象とした以外は、実施例１に示す手順で［１００］方位に表面を持つ５ｍｍ口のＺｎＳｅバルク単結晶基板を得た。この基板の（４００）Ｘ線ロッキングカーブを調べたところ、半価巾は２０ａｒｃｓｅｃであった。
【００２４】
さらにこの基板を用いて、実施例１と全く同様の条件でＬＰＥ法によりホモエピタキシャル成長を試みこれらを顕微鏡写真に撮った。図３は、エピタキシャル膜の表面を撮ったものであるが、アイランド状に成長していて連続した一枚の膜とはなっていなく、また図４には、基板およびエピタキシャル膜の断面図を示すが、モホロジーが悪いことがわかる。
【００２５】
【実施例２】
実施例１で用いたと同一の高圧溶融法により育成された径１インチ長さ３０ｍｍのＺｎＳｅバルク単結晶インゴットから、実施例１と全く同様なプロセスを経て［１００］方位を表面に持つ５ｍｍ口のＺｎＳｅバルク単結晶基板を得た。
【００２６】
この基板を用いて、実施例１に示すＬＰＥ法に代えＭＯＣＶＤ法により、以下の条件下でＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタキシャル成長させた。
【００２７】
先ず、上記基板を１３３×１０ ^-8 Ｐａの真空チャンバー内で６２０℃×２０分サーマルクリーニングして基板表面のベーキングを実施した。次に、基板温度を４７０℃に降温してからＡｒガスを真空チャンバー内へ徐々に吹き込み常圧まで戻した後、基板温度を４７０℃に保ちながら原料のジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）とジエチルセレン（ＤＥＳｅ）とをそれぞれ３.５μmol／min、９.０μmol／minずつ流し込み、約２時間流した。
【００２８】
その後、基板温度を５０℃／分の降温速度で室温まで下げてからエピタキシャルされた基板を取り出したところ、膜厚約１μｍのエピタキシャルが成長しているのが確認できた。
【００２９】
このエピタキシャル膜を２結晶Ｘ線回折法により［４００］Ｘ線ロッキングカーブを測定した結果を図６に示すが、半価巾が小さく良好な単結晶薄膜がエピタキシャル成長していることが確認できた。
【００３０】
【比較例２】
比較例１で用いたと同じ気相法により育成したＺｎＳｅ単結晶インゴットから、実施例１に示す手段で［１００］方位に表面を持つ５ｍｍ口のＺｎＳｅバルク単結晶基板を得た。
【００３１】
この基板をエピタキシャル基板として用い、実施例２と全く同一条件のＭＯＣＶＤ法により、ＺｎＳｅ単結晶膜のホモエピタキシャル成長を試み、膜厚約１μｍのエピタキシャル膜を得た。
【００３２】
得られたエピタキシャル膜の［４００］Ｘ線ロッキングカーブを図７に示すが、実施例２の場合と比べて半価巾が約２倍大きく、結晶性が劣っていることが判明した。この原因として、サーマルクリーニング時における基板表面の熱ダメージの差によるものと考えられる。
【００３３】
本発明における実施例としてＬＰＥ法とＭＯＣＶＤ法によるホモエピタキシャル成長法について開示したが、この成長法はＭＢＥ法を用いた場合においても、ＺｎＳｅバルク単結晶基板を用い、その基板表面を高温でサーマルクリーニングする工程を必須とするため、当然に実施例２に示すＭＯＣＶＤ法と同様な傾向を示すことから、ＭＢＥ法によるホモエピタキシャル成長法にも応用できるものである。
【００３４】
【発明の効果】
上述のように融液成長法によって得られたＺｎＳｅ基板を用いて、ＬＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法によってＺｎＳｅ単結晶膜をホモエピタキシャル成長させる方法の方が、従来の気相法によって得られたＺｎＳｅ基板を用いる場合より、良質なエピタキシャル膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１によって得られたエピタキシャル膜表面を示す顕微鏡写真である。
【図２】実施例１によって得られたエピタキシャル膜断面を示す顕微鏡写真である。
【図３】比較例１によって得られたエピタキシャル膜表面を示す顕微鏡写真である。
【図４】比較例１によって得られたエピタキシャル膜断面を示す顕微鏡写真である。
【図５】実施例１により得られたエピタキシャル膜の［４００］Ｘ線ロッキングカーブを示す図面である。
【図６】実施例２により得られたエピタキシャル膜の［４００］Ｘ線ロッキングカーブを示す図面である。
【図７】比較例２により得られたエピタキシャル膜の［４００］Ｘ線ロッキングカーブを示す図面である。[0001]
[Industrial applications]
The present invention relates to a method for manufacturing a ZnSe homoepitaxial single crystal film using a substrate for constructing blue, blue-green, and green light-emitting devices such as a semiconductor laser and a light-emitting diode.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, LPE, MOCVD or MBE has been known as a method for manufacturing a light emitting diode. In these manufacturing methods, a GaAs single crystal substrate of a group III-V compound is used, and a ZnSe-based substrate is formed on the substrate. A so-called heteroepitaxial growth method for epitaxially growing a II-VI compound has been attempted.
[0003]
However, in recent years, differences in physical properties between an epitaxial substrate and an epitaxial film, particularly dislocations caused by a difference between a lattice constant and a coefficient of thermal expansion, and defects at a hetero interface such as diffusion of Ga in the substrate into the epitaxial film are caused by device lifetime. And the problem of poor reliability has come to be pointed out.
[0004]
In order to solve this problem, a homoepitaxial growth method using a ZnSe single crystal substrate instead of a conventional GaAs single crystal substrate as an epitaxial substrate has been attempted. As an example of this, there is a method of homoepitaxial growth using a ZnSe single crystal substrate grown by a so-called vapor phase method, such as a seeded physical vapor transport (SPVT) method.
[0005]
However, in the LPE method as a method of homoepitaxial growth using the ZnSe single crystal substrate, it is necessary to grow the ZnSe substrate at a temperature of at least 600 ° C. or more because of the melting point of the solvent and the solubility of ZnSe as a raw material. When heated to the epitaxial temperature, the substrate surface was thermally damaged and propagated as a defect to the epitaxial layer, so that a good quality film could not be obtained.
[0006]
In the MOCVD method or the MBE method, thermal cleaning is performed in a vacuum of about 500 ° C. or more for surface cleaning for the purpose of removing adsorbed substances and oxide layers on the surface of the used ZnSe single crystal substrate. In many cases, the substrate surface is damaged, and this is propagated as a defect to the epitaxial layer, thereby deteriorating the life and reliability of the device.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Even if the ZnSe single crystal substrate obtained by the vapor phase growth method is used for homoepitaxial growth by the LPE method, MOCVD method, MBE method, or the like, the ZnSe single crystal substrate undergoes a so-called high-temperature process before epitaxial growth. I couldn't avoid the damage I received.
[0008]
An object of the present invention is to develop a ZnSe single crystal substrate that can be used in the above-mentioned LPE method, MOCVD method or MBE method, and use thereof.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies in order to solve such a problem. As a ZnSe single crystal used as a substrate, a ZnSe single crystal obtained by a melt growth method in which ZnSe is crystallized at around its melting point is used for subsequent homogenization. It has been found that the method can be advantageously used for the epitaxial growth method, and the method of the present invention can be provided.
[0010]
That is, the method of the present invention is a method of homoepitaxially growing a ZnSe single crystal film on a ZnSe bulk single crystal substrate by the LPE method, the MOCVD method or the MBE method, wherein the ZnSe single crystal grown at about the melting point of ZnSe is used as the ZnSe bulk single crystal substrate. It was cut from the body [100] by lapping the wafer orientation, further polish treated by Rukoto used after form an epitaxial substrate is etched in the subsequent bromomethanol on a substrate having a surface to the [100] orientation (400) A method for producing a ZnSe homoepitaxial single crystal film, characterized in that a ZnSe single crystal film having a half width of an X-ray rocking curve equivalent to that of the substrate is homoepitaxially grown.
[0011]
[Action]
The ZnSe single crystal substrate used in the method of the present invention is prepared by using a vertical Bridgman furnace (VB furnace) or a vertical annealing furnace (VGF furnace) to produce a ZnSe bulk crystal from a melt by a high-pressure melting method. Is used as a seed crystal, and a ZnSe bulk single crystal obtained by growing a single crystal on the seed crystal is sliced in a [100] direction with a slicer, and is lap-polished. .
[0012]
The present inventor performed a heat treatment at 860 ° C. for 2 hours in an N ₂ atmosphere using a ZnSe substrate obtained by a conventional gas phase method for comparison with the above-mentioned substrate, and obtained a micrograph of the substrate before and after heating. As a result, it was confirmed that the substrate obtained from the bulk single crystal grown by the high-pressure melting method according to the present invention was less susceptible to thermal damage than the substrate obtained by the gas phase method.
[0013]
The reason is that when a ZnSe bulk single crystal is grown by a melt growth method (Melt Growth method), the melting point (Melting Point) of ZnSe is 1520 ° C. In the vapor phase method typified by the conventional SPVT method, the growth temperature is limited to at most about 1000 ° C. due to the heat resistance of the container itself because the crystal is grown in a quartz glass container. This is inevitable, and as a result, the obtained bulk single crystal was also a crystal having poor heat resistance.
[0014]
Furthermore, as compared with the melt growth method of the present invention, the vapor phase method grows crystals from a system having a low ZnSe molecule concentration, which also causes a lack of heat resistance stability.
[0015]
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the scope of the present invention is not limited thereto.
[0016]
Embodiment 1
As a raw material, massive high-purity ZnSe (purity 99.999%) obtained by a gas phase method manufactured by Dowa Mining Co., Ltd. is nitrided in a vertical Bridgman furnace (Electric furnace GHP-A202 manufactured by Yakei Electric Works). It was charged in a boron crucible.
[0017]
After the inside of the furnace was replaced with nitrogen, nitrogen was introduced at a pressure of 30 kgf / cm ² , the temperature of the furnace was raised to 1550 ° C. (the maximum temperature in the furnace), and this temperature was maintained for 5 hours to keep the raw materials in the crucible. By melting the upper end of a seed crystal made of ZnSe polycrystal prepared in advance at the bottom of the crucible, a ZnSe bulk single crystal ingot having a diameter of 1 inch and a length of 30 mm without twins was obtained on the seed crystal.
[0018]
Next, after the [100] direction was exposed from the ingot by a cut plane inspection machine, a [100] direction wafer was cut out by a slicer and cut into a 5-mm opening. The obtained wafer is subjected to lapping with φ5.5 μm Al ₂ O ₃ abrasive grains, further polished with φ1 μm and φ0.25 μm abrasive grains, and finally the wafer is etched with bromethanol (1%). The work-affected layer was removed to obtain a 5 mm-diameter ZnSe bulk single crystal substrate having a surface in the [100] direction. The half width of the (400) X-ray rocking curve of this substrate was 24 arcsec.
[0019]
Using the ZnSe single crystal substrate thus obtained as an epitaxial substrate, a ZnSe single crystal was homoepitaxially grown by an LPE method using a slide board method.
[0020]
The growth conditions by the LPE method are as follows: Ga _0.84 In _0.16 is used as a solvent, and ZnSe synthesized in advance using a metal source of 7NZn and 6NSe as a raw material by a manufacturing method disclosed in JP-A-6-64905. Was heated and maintained at 860 ° C. in a nitrogen gas atmosphere, and then gradually cooled to epitaxially grow.
[0021]
When the thus-prepared sample after the epitaxial growth was taken with a microscope photograph, FIG. 1 is a photograph showing the surface of the epitaxial film, and it is a continuous film. FIG. 2 shows a cross section of the substrate and the epitaxial film, and it can be seen that the morphology of the epitaxial surface is good.
[0022]
FIG. 5 shows a (400) X-ray rocking curve of the epitaxial film obtained by a two-crystal X-ray diffraction method. According to this, since the half width is equal to that of the substrate, a good single crystal film is obtained. It is shown that.
[0023]
[Comparative Example 1]
A 5-mm-aperture ZnSe bulk single-crystal substrate having a surface in the [100] direction was obtained by the procedure shown in Example 1, except that a ZnSe bulk single-crystal ingot grown by a gas phase method was used as a conventional method. When the (400) X-ray rocking curve of this substrate was examined, the half width was 20 arcsec.
[0024]
Further, using this substrate, homoepitaxial growth was attempted by the LPE method under exactly the same conditions as in Example 1, and these were photographed by a microscope. FIG. 3 is a photograph of the surface of the epitaxial film, which is grown in an island shape and is not a continuous film. FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate and the epitaxial film. However, it turns out that the morphology is bad.
[0025]
Embodiment 2
From a ZnSe bulk single crystal ingot having a diameter of 1 inch and a length of 30 mm grown by the same high-pressure melting method as used in Example 1, a 5 mm-opening having a [100] orientation on the surface was obtained through the same process as in Example 1. A ZnSe bulk single crystal substrate was obtained.
[0026]
Using this substrate, a ZnSe single crystal film was homoepitaxially grown by MOCVD in place of the LPE method shown in Example 1 under the following conditions.
[0027]
First, the substrate was subjected to thermal cleaning at 620 ° C. for 20 minutes in a vacuum chamber of 133 × 10 ⁻⁸ Pa to bake the surface of the substrate. Next, the temperature of the substrate was lowered to 470 ° C., and Ar gas was gradually blown into the vacuum chamber to return to normal pressure. Then, while maintaining the substrate temperature at 470 ° C., diethyl zinc (DEZn) and diethyl selenium (DESe) as raw materials ) And 3.5 μmol / min and 9.0 μmol / min, respectively, and then for about 2 hours.
[0028]
Thereafter, the substrate temperature was lowered to room temperature at a rate of 50 ° C./min, and the epitaxially-grown substrate was taken out. As a result, it was confirmed that an epitaxial film having a thickness of about 1 μm had grown.
[0029]
The result of measuring the [400] X-ray rocking curve of this epitaxial film by a two-crystal X-ray diffraction method is shown in FIG. 6, and it was confirmed that a good single-crystal thin film having a small half-value width was epitaxially grown.
[0030]
[Comparative Example 2]
From the ZnSe single crystal ingot grown by the same gas phase method used in Comparative Example 1, a 5 mm-open ZnSe bulk single crystal substrate having a surface in the [100] direction was obtained by means shown in Example 1.
[0031]
Using this substrate as an epitaxial substrate, homoepitaxial growth of a ZnSe single crystal film was attempted by MOCVD under exactly the same conditions as in Example 2 to obtain an epitaxial film having a thickness of about 1 μm.
[0032]
FIG. 7 shows the [400] X-ray rocking curve of the obtained epitaxial film. It was found that the half width was about twice as large as that of Example 2 and the crystallinity was inferior. This is considered to be due to the difference in thermal damage on the substrate surface during thermal cleaning.
[0033]
Although the homoepitaxial growth method by the LPE method and the MOCVD method has been disclosed as an example in the present invention, even when the MBE method is used, a ZnSe bulk single crystal substrate is used, and the substrate surface is thermally cleaned at a high temperature. Since the process is indispensable, it naturally has the same tendency as that of the MOCVD method shown in the second embodiment, so that it can be applied to the homoepitaxial growth method by the MBE method.
[0034]
【The invention's effect】
The method of homoepitaxially growing a ZnSe single crystal film by the LPE method, MOCVD method or MBE method using the ZnSe substrate obtained by the melt growth method as described above is better than the ZnSe substrate obtained by the conventional vapor phase method. A higher quality epitaxial film can be obtained than when a substrate is used.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a micrograph showing the surface of an epitaxial film obtained in Example 1.
FIG. 2 is a micrograph showing a cross section of an epitaxial film obtained in Example 1.
FIG. 3 is a micrograph showing the surface of an epitaxial film obtained in Comparative Example 1.
FIG. 4 is a micrograph showing a cross section of an epitaxial film obtained in Comparative Example 1.
FIG. 5 is a drawing showing a [400] X-ray rocking curve of the epitaxial film obtained in Example 1.
FIG. 6 is a drawing showing a [400] X-ray rocking curve of an epitaxial film obtained by Example 2.
FIG. 7 is a diagram showing a [400] X-ray rocking curve of an epitaxial film obtained in Comparative Example 2.

Claims

In the method of homoepitaxially growing a ZnSe single crystal film on a ZnSe bulk single crystal substrate by the LPE method, MOCVD method or MBE method, the ZnSe bulk single crystal substrate was cut from a ZnSe single crystal grown around the melting point of ZnSe [100 ] the orientation of the wafer lapping process, further polish treated, then (400) on a substrate having a surface to the [100] orientation in bromine methanol by Rukoto by using those forms an epitaxial substrate etching X-ray rocking A method for producing a ZnSe homoepitaxial single crystal film, characterized in that a ZnSe single crystal film having a half width of a curve equivalent to that of the substrate is homoepitaxially grown.