JPH0583852A - 過電圧保護回路付きインタフエース回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、平衡２線式送信回路と平衡２線式
受信回路とをそなえＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０勧告に適合
した過電圧保護回路付きインタフェース回路に関し、不
用意に外部から印加されていまう過電圧からは従来通り
装置を保護しながら、更にその過電圧保護素子による高
域の周波数におけるインピーダンス特性の劣化を防止で
きるようにすることを目的とする。 【構成】 過電圧保護回路４が、その過電圧保護素子４
−１に対し直列に接続され過電圧保護素子４−１に比べ
微小なクランプ電圧をもつとともに等価浮遊容量の小さ
い微小電圧制限回路４−２をそなえるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、平衡２線式送信回路と
平衡２線式受信回路とをそなえＣＣＩＴＴＩ．４３０勧
告に適合したインタフェース回路に関し、特にこれらの
送信回路および受信回路のそれぞれに過電圧保護回路を
そなえたインタフェース回路に関する。

【０００２】近年、データ通信の高速化の要求に伴い、
装置間の通信において高速なデータ通信が行なわれてい
るが、このような通信における装置間の配線形態として
は、簡略化のため一本のケーブルにて複数の装置を接続
するバス配線形態が採用されている。

【０００３】そして、このような一本のケーブルには、
上記の通り複数の端末装置が接続されているので、バス
に接続される端末装置のうち非通信中のものは、そのバ
スに接続されている他の装置の通信を邪魔しないよう
に、ＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０の勧告にて、その送信回路
また受信回路は接続されていないのと同じ状態、即ち、
高いインピーダンスを示すようにと規定されている。つ
まり、上記ＣＣＩＴＴＩ．４３０にて規定されるインタ
フェースに接続される装置は、この所要のインピーダン
スの規定を満足する必要がある。

【０００４】また、このようなインタフェース回路（以
下、このインタフェース回路をＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０
インタフェース回路という）は、電灯線などの混触ある
いは外来サージ電圧から装置内の回路を保護するため
に、回路内の外線インタフェース点には、過電圧保護回
路が装備されている。

【０００５】

【従来の技術】図２はＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０インタフ
ェース回路を有する通信ネットワークを示すブロック図
であるが、この図２において、３１は交換局であり、こ
の交換局３１は、加入者線ケーブルを介してデジタル・
サービス・ユニット（ＤＳＵ）３２を収容している。

【０００６】そして、このデジタル・サービス・ユニッ
ト３２は、一本のケーブルにて複数の端末装置（最大８
個）を接続するバス配線でもって、幾つかの端末装置３
３を収容している。

【０００７】また、このデジタル・サービス・ユニット
３２あるいは端末装置３３は、ＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０
インタフェース回路１′をそなえている。ここで、この
インタフェース回路１′は、図９に示すように、平衝２
線式送信回路２′，平衝２線式受信回路３′および外線
インタフェース部５をそなえている。

【０００８】これらの平衡２線式送信回路２′および平
衡２線式受信回路３′は、回線終端装置（ＮＴ）に用い
られる場合、所定のインピーダンスの規格（図１０の太
実線γを参照）以上のインピーダンス値をインタフェー
ス回路に与えるためのものである。

【０００９】そして、平衡２線式送信回路２′は、過電
圧保護回路４′，送信トランス６，送信ドライバ８Ｓを
そなえて構成されるとともに、平衡２線式受信回路３′
は、過電圧保護回路４′，受信トランス７，受信レシー
バ８Ｒをそなえて構成されている。

【００１０】各過電圧保護回路４′は、外線から印加さ
れる過電圧に対して装置を保護すべく、バリスタにより
構成された、一般に浮遊容量が例えば１００ｐＦ程度の
過電圧保護素子４−１を、過電圧保護回路４′内の２線
間に装架して構成されているもので、これによりインタ
フェース回路内の外線インタフェース点に装備されて、
電灯線などの混触あるいは外来サージ電圧等から装置内
の回路を保護できるようになっている。

【００１１】また、送信トランス６，受信トランス７
は、送信用，受信用のトランスであって、インタフェー
ス回路１′内の外線インタフェース点に装備されるもの
であり、インタフェース回路１′を内蔵する装置のイン
ピーダンスが規定より、高い値を示すように作用するも
のである。

【００１２】さらに、送信トランス６，送信トランス７
は、これは装置の小型化の要求に伴い、トランス自体、
小型に制作されており、そのため図１０のαに示すよう
に、インピーダンス規定に対して余りマージンの無いイ
ンピーダンス特性を示すものである。

【００１３】従来のインタフェース回路１′が、１ＭＨ
ｚという高域の周波数までのインピーダンスを保証する
必要のある、高速データを扱うＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０
の規格におけるサービスに用いられる場合に、電灯線な
どの混触あるいは外来サージ電圧等が起こったときは、
インタフェース回路１′は、過電圧保護回路４′によっ
て、過電圧から装置を保護する。

【００１４】しかし、インタフェース回路１′に、平衡
２線式送信回路２′または平衝２線式受信回路３′が、
接続されていないのと同様の状態を要求されるときは、
場合によってはインピーダンスの規定を割ってしまうお
それがある。

【００１５】つまり、この場合は、図１１に示すインタ
フェース回路の平衡２線式送信回路２′側の等価回路
（平衡２線式送信回路２′と平衝２線式受信回路３′
は、全く等価なので、平衝２線式受信回路３′側は省略
する）からわかるように、過電圧保護回路４′の過電圧
保護素子であるバリスタがＯＦＦ時に見せる等価浮遊容
量，トランスが持つ浮遊容量，トランスが持つインダク
タンスを、それぞれＣＶＳ１，ＣＴ１，ＬＴ１とすれ
ば、この平衡２線式送信回路２′の合成インピーダンス
Ｚは、下式のようになる。 Ｚ＝１／〔（１／ｊωＬＴ１）＋ｊω（ＣＴ１＋ＣＶＳ１）〕・・（１） ここで、ω＝２πｆ，ｆは周波数、ｊは複素数成分であ
る。

【００１６】ところで、バリスタがＯＦＦ時に見せる等
価浮遊容量，トランスが持つ浮遊容量は、インピーダン
スメータ２０によって測定されるものであり、このイン
ピーダンスメータ２０は、図１２に示すように、シンセ
サイザ２１とレベルメータ２２により構成されており、
このシンセサイザ２１は、抵抗２１−１，発振器２１−
２からなり、ある単一周波数の正弦波をある一定のレベ
ルにて出力するものである。

【００１７】レベルメータ２２は、シンセサイザ２１か
らの出力の負荷（この場合は、平衡２線式送信回路２′
のインタフェース点Ａ，Ｂ）に見られる電圧レベルをレ
ベルメータにて測定し、負荷（この場合は、平衡２線式
送信回路２′）のインピーダンスを算出するものであ
る。

【００１８】このようなインピーダンスメータ２０によ
って、平衡２線式送信回路２′内の各回路の各値から、
求められた先の（１）式は、通信サービスが１ＭＨｚと
いう高域の周波数までのインピーダンスを保証する必要
がある、高速データを扱うＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０の規
格であるような場合、つまり、測定周波数が高い領域で
ある場合、さらに、下式のように近似される。 Ｚ＝１／ω（ＣＴ１＋ＣＶＳ１）・・（２）

【００１９】従って（２）式が示すように、過電圧保護
回路４内に設けた過電圧保護素子４−１の浮遊容量が大
きければ大きい程、また測定周波数が高ければ高い程、
平衡２線式送信回路２′のインピーダンスは、下がって
行く。

【００２０】つまり、ＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０の規格の
通信サービスで、平衡２線式送信回路２′または平衝２
線式受信回路３′が、接続されていないのと同様の状態
を要求されるときは、周波数が非常に高くなってる上
に、また、図１０の特性αで示すように、元来、インピ
ーダンス規定に対して余りマージンの無いインピーダン
ス特性であることも加わって、場合によっては、インピ
ーダンスの特性は規格以下になるのである〔図１０の特
性β（この特性βは低域の周波数側を省略されている）
参照〕。従って、１００ｐＦといった僅かな浮遊容量で
さえも無視できない値となってしまう。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】このように、１ＭＨｚ
という高域の周波数までのインピーダンスを保証する必
要のある、高速データを扱うＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０の
規格であるような電話系等のサービス場合においては、
電灯線などの混触あるいは外来サージ電圧等の発生によ
り、不用意に印加される過電圧から装置を保護できる
が、ＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０の規格の通信サービスにお
いて、平衡２線式送信回路２′または平衝２線式受信回
路３′が、接続されていないのと同様の状態を要求され
るときは、従来より一般に用いられている過電圧保護素
子４−１の１００ｐＦといった僅かな浮遊容量でさえも
無視はできず、それによりインピーダンスが図１０の特
性βからもわかるように規格以下に下がることがある。

【００２２】すなわち、このような従来のインタフェー
ス回路では、トランス単体の示すインピーダンス特性が
図１０の特性αのように規格を満足するものであって
も、更にこれに過電圧保護回路内に過電圧保護素子とし
てのバリスタ等を付加すると、高域の周波数においてイ
ンピーダンス特性は図１０のβのようになり、場合によ
っては規格から外れてしまう。即ち、不用意に印加され
てしまう電圧から装置を保護するため、装置に用いてい
る過電圧保護素子が非動作時に見せる浮遊容量により、
インピーダンスマスクの規格から外れてしまうという課
題がある。

【００２３】本発明は、このような課題に鑑み創案され
たもので、不用意に外部から印加されていまう過電圧か
らは従来通り装置を保護しながら、更にその過電圧保護
素子による高域の周波数におけるインピーダンス特性の
劣化を防止できるようにした、過電圧保護回路付きイン
タフェース回路を提供することを目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理ブロ
ック図で、この図１において、１は本発明にかかるイン
タフェース回路であり、このインタフェース回路１は、
平衡２線式送信回路２と平衡２線式受信回路３とをそな
えて構成されている。

【００２５】そして、平衡２線式送信回路２は、送信ト
ランス６，送信ドライバ８Ｓ，過電圧保護回路４をそな
えて構成されるとともに、平衡２線式受信回路３は、受
信トランス７，受信レシーバ８Ｒ，過電圧保護回路４を
そなえて構成されているが、各過電圧保護回路４は、外
線から印加される過電圧に対して保護すべく、２線間に
装架される過電圧保護素子４−１を有している。

【００２６】さらに、各過電圧保護回路４には、過電圧
保護素子４−１に対し直列に接続され過電圧保護素子４
−１に比べ微小なクランプ電圧をもつとともに等価浮遊
容量の小さい微小電圧制限回路４−２が設けられている
（請求項１）。

【００２７】なお、上述の微小電圧制限回路４−２は、
過電圧保護素子４−１に比べ低い電圧でオンオフするバ
リスタ（請求項２）、あるいは逆直列接続された一対の
ツェナーダイオード（請求項３）、または逆並列接続さ
れた一対のダイオード（請求項４）で構成されている。

【００２８】

【作用】上述の本発明の過電圧保護回路付きインタフェ
ース回路では、平衡２線式送信回路２および平衡２線式
受信回路３にそれぞれそなえられた過電圧保護回路４に
よって、外線から印加される過電圧に対して装置は保護
される。

【００２９】また、過電圧保護回路４内の微小電圧制限
回路４−２によって、過電圧保護素子４−１に比べ微小
なクランプ電圧をもつとともに低い等価浮遊容量が保た
れる（請求項１）。

【００３０】そしてまた、上述の微小電圧制限回路４−
２は、過電圧保護素子に比べ低い電圧でオンオフするバ
リスタ、あるいは逆直列接続された一対のツェナーダイ
オードまたは逆並列接続された一対のダイオードによっ
て、前記の動作を行なう（請求項２，３，４）。

【００３１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図２は前述のごとくＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０イン
タフェース回路を有する通信ネットワークを示すブロッ
ク図であるが、この図２において、交換局３１は、加入
者線ケーブルを介してデジタル・サービス・ユニット
（ＤＳＵ）３２を収容しており、更にこのデジタル・サ
ービス・ユニット３２は、一本のケーブルにて複数の端
末装置（最大８個）を接続するバス配線でもって、幾つ
かの端末装置３３を収容して構成されている。そしてま
た、このデジタル・サービス・ユニット３２あるいは端
末装置３３は、本発明にかかるＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０
インタフェース回路１をそなえている。

【００３２】このインタフェース回路１は、この回路自
身をそなえバスに接続されている端末装置のうち非通信
中のものが、そのバスに接続されている他の端末装置の
通信を邪魔しないように、その送信回路また受信回路が
接続されていないのと同じ状態、即ち高いインピーダン
スを示すように構成されたものである。

【００３３】つまり、このＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０イン
タフェース回路１は、接続される装置に所定のインピー
ダンスの規定を満足させるようになっているものであ
り、また、電灯線などの混触あるいは外来サージ電圧か
ら装置内の回路を保護するためのものである。

【００３４】このため、このインタフェース回路１は、
図３に示すように、平衝２線式送信回路２，平衝２線式
受信回路３および外線インタフェース部５をそなえて構
成されており、これらの平衡２線式送信回路２および平
衡２線式受信回路３は、回線終端装置（ＮＴ）に用いら
れる場合、所定のインピーダンスの規格〔図１０の太実
線γ参照〕以上のインピーダンス値をインタフェース回
路１に与えるためのものである。

【００３５】そして、平衡２線式送信回路２は、過電圧
保護回路４，送信トランス６，送信ドライバ８Ｓをそな
えて構成されるとともに、平衡２線式受信回路３は、過
電圧保護回路４，受信トランス７，受信レシーバ８Ｒを
そなえて構成されている。

【００３６】ここで、各過電圧保護回路４は、電灯線な
どの混触あるいは外来サージ電圧等から装置内の回路を
保護するものであり、このため、この過電圧保護回路４
は、図３に示すように、過電圧保護素子４−１をそなえ
ている。

【００３７】この過電圧保護素子４−１は、バリスタに
より構成された、一般に浮遊容量が例えば１００ｐＦ程
度のもので、外線から印加される過電圧に対して装置を
保護すべく、過電圧保護回路４内の２線間に装架して構
成されているものである。

【００３８】さらに、各過電圧保護回路４は、その過電
圧保護素子４−１に対し直列に接続された微小電圧制限
回路４−２を有しているが、この微小電圧制限回路４−
２は、クランプ電圧が、過電圧保護素子４−１としての
バリスタに比べて低い電圧（１／１０以下）でオンオフ
するバリスタ４−２ａによって構成されており、これに
より過電圧保護素子４−１に対し、直列に接続され過電
圧保護素子４−１に比べ微小なクランプ電圧をもつとと
もに、等価浮遊容量が過電圧保護素子４−１に比べ遙か
に小さくなっているものである。

【００３９】そして、この微小電圧制限回路４−２は、
図４の等価回路（平衡２線式送信回路２と平衝２線式受
信回路３とは全く等価なので、この図４においては、平
衝２線式受信回路３側が省略されている）に示すよう
に、この端子間に印加される電圧が微小な場合には、微
小電圧制限回路４−２を構成するバリスタ４−２ａによ
って、スイッチＳ１の働きをなし、開放の特性を示すよ
うになっている。

【００４０】つまり、端子間に印加される電圧が微小な
場合には、微小電圧制限回路４−２は、過電圧保護回路
４内の過電圧保護素子４−１が接続されていない場合と
等価の状態にするようになっている。

【００４１】また、微小電圧制限回路４−２は、図５の
等価回路（この図５においても、図４の場合と同様、平
衡２線式送信回路２と平衝２線式受信回路３とが全く等
価なので、平衝２線式受信回路３側を省略されている）
に示すように、一定の微小電圧を越える値に対しては、
導通の特性を示すようになっている。

【００４２】つまり、この微小電圧制限回路４−２は、
外部から不用意に過電圧が与えられた場合には、微小電
圧制限回路４−２を構成するバリスタ４−２ａによっ
て、スイッチＳ１の働きをなして閉鎖の特性（導通状
態）を示し、過電圧保護素子４−１を接続した場合と等
価の状態にするようになっているものである。

【００４３】なお、図４，図５のＣＶＳ１，ＣＴ１，Ｌ
Ｔ１は、過電圧保護回路４の過電圧保護素子であるバリ
スタがＯＦＦ時に見せる等価浮遊容量，トランスが持つ
浮遊容量，トランスが持つインダクタンスである。

【００４４】上述の構成により、この過電圧保護回路４
は、外部インタフェース部５を介して端子間に微小な電
圧（例えば外部インタフェース部５のインタフェース点
Ａ，Ｂに１００ｍＶ以内の電圧）が印加されると、図４
に示すように、微小電圧制限回路４−２内のバリスタ４
−２ａは、スイッチＯＦＦの状態となる。そして、この
ようにＯＦＦの状態となったバリスタ４−２ａは、それ
自体も等価浮遊容量を持つ。

【００４５】この時の等価回路の各回路の値は、図８に
示すように、先に従来例にて説明したインピーダンスメ
ータ２０で測定すると、過電圧保護回路４の過電圧保護
素子であるバリスタ４−１が、ＯＦＦ時に見せる等価浮
遊容量はＣＶＳ１、トランスが持つ浮遊容量はＣＴ１、
トランスが持つインダクタンスはＬＴ１、微小電圧制限
回路４−２内のバリスタ４−２ａが、ＯＦＦ時に見せる
等価浮遊容量はＣＶＳ２である。

【００４６】そして、クランプ電圧の微小なバリスタ４
−２ａの持つ等価浮遊容量は、クランプ電圧の高い過電
圧保護素子４−１のバリスタに比べて小さい値を示すの
で、 ＣＶＳ２＜＜ＣＶＳ１・・（３） となる。

【００４７】このため、過電圧保護回路４の見せる合成
等価浮遊容量ＣＶＳは、下式のようになる。 ＣＶＳ＝１／〔（１／ＣＶＳ１）＋（１／ＣＶＳ２）〕 ≒ＣＶＳ２・・（４）

【００４８】このように合成等価浮遊容量ＣＶＳがＣＶ
Ｓ２となると、この時の平衡２線式送信回路２の高域で
のインピーダンスＺ_H は、下式のようになる。 Ｚ_H ＝１／〔ω（ＣＴ１＋ＣＶＳ２）〕・・（５）

【００４９】即ち、この（４），（５）式が示すよう
に、この場合のＣＣＩＴＴＩ．４３０勧告の場合のよう
な高域の周波数でのインピーダンス特性は、下式に示す
トランス単体でのインピーダンスＺ１と殆ど同じにな
る。 Ｚ１＝１／ω（ＣＴ１）・・（６）

【００５０】従って、これらのことから明らかなよう
に、この平衡２線式送信回路２の高域でのインピーダン
スは、微小電圧制限回路４−２を付加しない場合〔従来
例の（２）式〕に比べて、大きな値を示す。

【００５１】また、送信トランス６は、単体においてイ
ンピーダンス特性を満足するものであるから、この平衡
２線式送信回路２は、図１０の特性αで示すように、高
域周波数のインピーダンス特性を満足する。

【００５２】ところでまた、不用意に印加される過電圧
が、外部インタフェース部５のインタフェース点Ａ，Ｂ
に掛かった場合、微小電圧制限回路４−２は、先の図５
の等価回路に示すように、導通の特性を示す。

【００５３】なお、平衝２線式受信回路３側に関して
も、平衡２線式送信回路２と等価であるため、同様の要
領でもって、高域周波数のインピーダンス特性を満足
し、且つ、不用意に印加される過電圧により、一定の微
小電圧を越える値の電圧が、外部インタフェース部５の
インタフェース点Ａ，Ｂに掛かった場合は、導通の特性
を示し、そのため、過電圧保護素子４−１は、正常に動
作を行なう。

【００５４】このように平衡２線式送信回路２と平衡２
線式受信回路３とをそなえたインタフェース回路１にお
いて、平衡２線式送信回路２および平衡２線式受信回路
３のそれぞれに、外線から印加される過電圧に対して保
護すべく、２線間に装架される過電圧保護素子４−１を
有する過電圧保護回路４をそなえ、この過電圧保護回路
４が、その過電圧保護素子４−１に対し直列に接続され
過電圧保護素子４−１に比べ微小なクランプ電圧をもつ
とともに等価浮遊容量の小さい微小電圧制限回路４−２
をそなえることにより、過電圧保護回路４の等価浮遊容
量を低く抑えられることができ、これにより、高域の周
波数においても高いインピーダンスを確保できる。

【００５５】また、過電圧保護回路４に、外部から不用
意に過電圧が与えられた場合においても、微小電圧制限
回路４−２を構成するバリスタ４−２ａが、閉鎖の特性
（導通状態）を示すため〔図５のバリスタ４−２ａ（ス
イッチＳ１）〕、平衡２線式送信回路２および平衡２線
式受信回路３は、過電圧保護素子４−１を接続した場合
と等価の状態となることができる。

【００５６】更に、これらの結果により、バス接続され
る平衡２線式送信回路２，平衝２線式受信回路３のイン
ピーダンスの規格に対して影響されることがなく、これ
により過電圧保護素子４−１の素子選択やインタフェー
ス回路１に用いられる送信トランス６あるいは受信トラ
ンス７の設計開発を容易に行なうことができる。従っ
て、装置生産段階においての特性歩留りの向上，製造の
容易性，調整の不要等に係わる端末装置の性能を向上で
きるのである。なお、図３に示す送信トランス６，受信
トランス７，送信ドライバ８Ｓ，受信レシーバ８Ｒは、
先に従来例で示した図９のものと同様のものである。

【００５７】上述の構成により、このＣＣＩＴＴ Ｉ．
４３０インタフェース回路１は、この回路自身をそなえ
バスに接続されている装置が非通信中のとき、そのバス
に接続されている他の装置の通信を邪魔してはならない
ように、ＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０インタフェース回路１
の平衡２線式送信回路２，平衝２線式受信回路３は、接
続されていないのと同じ状態を示す。即ち、高いインピ
ーダンス特性を示し、ＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０にて規定
されるインタフェース回路の規定を満足するのである。

【００５８】また、このＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０インタ
フェース回路１は、電灯線などの混触あるいは外来サー
ジ電圧がＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０インタフェース回路１
を収容する装置に印加された場合は、ＣＣＩＴＴ Ｉ．
４３０インタフェース回路１内の過電圧保護素子４−１
が機能して、装置内の回路を過電圧から保護する。

【００５９】このように、平衡２線式送信回路２と平衡
２線式受信回路３とをそなえたＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０
インタフェース回路１をデジタル・サービス・ユニット
３２や端末装置３３にそなえることにより、ＣＣＩＴＴ
Ｉ．４３０勧告にて、インタフェース回路１をそなえ
る装置に要求されるインピーダンス特性の規定を満足す
る。

【００６０】また、電灯線などの混触あるいは外来サー
ジ電圧により、デジタル・サービス・ユニット３２，端
末装置３３に過電圧が印加された場合は、ＣＣＩＴＴ
Ｉ．４３０インタフェース回路１によって、装置内の回
路は過電圧から保護されるのである。

【００６１】なお、前述の例では、微小電圧制限回路４
−２を構成するものとして、過電圧保護素子４−１に比
べ低い電圧でオンオフするバリスタ４−２ａを使用した
場合を説明したが、微小電圧制限回路４−２の条件とし
ては、過電圧保護素子４−１に比べて、微小なクランプ
電圧を持ち、また、等価浮遊容量が低ければ良いため、
微小電圧制限回路４−２としては、図６に示すように、
逆直列接続された一対のツェナーダイオード４−２ｂ，
４−２ｂ、または、図７に示すように、逆並列接続され
た一対の整流用ダイオード４−２ｃ，４−２ｃを用いる
こともできる。なお、整流用ダイオード４−２ｃ，４−
２ｃを用いるものでは、ダイオードの電圧降下を利用す
る。そして、これらを使用しても、上記のバリスタ４−
２ａの場合と同様の作用を行なって、同様の効果ないし
利点が得られる。

【００６２】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の過電圧保
護回路付きインタフェース回路によれば、平衡２線式送
信回路と平衡２線式受信回路とをそなえたインタフェー
ス回路において、平衡２線式送信回路および平衡２線式
受信回路のそれぞれに、外線から印加される過電圧に対
して保護すべく、２線間に装架される過電圧保護素子を
有する過電圧保護回路をそなえ、この過電圧保護回路
が、その過電圧保護素子に対し直列に接続され過電圧保
護素子に比べ微小なクランプ電圧をもつとともに等価浮
遊容量の小さい微小電圧制限回路をそなえることによ
り、まず、過電圧保護回路の等価浮遊容量を低く抑えら
れることができ、これにより、高域の周波数において
も、高いインピーダンスを確保できる利点がある。

【００６３】また、過電圧保護回路に、外部から不用意
に過電圧が与えられた場合においても、微小電圧制限回
路が導通状態となるため、平衡２線式送信回路および平
衡２線式受信回路は、過電圧保護素子を接続した場合と
等価の状態となることができる利点がある。

【００６４】さらに、これらの結果により、過電圧保護
素子における素子選択やインタフェース回路に用いられ
る送信トランスあるいは受信トランスの設計開発を、バ
ス接続されるインタフェース回路のインピーダンスの規
格に対して影響されずに、容易に行なうことができる。
従って、装置生産段階においての特性歩留り向上と製造
の容易性や調整の不要等に係わる端末装置の性能を向上
できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理ブロック図である。

【図２】ＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０インタフェース回路を
用いた通信ネットワークを示すブロック図である。

【図３】本発明の一実施例を示す回路図である。

【図４】微小電圧制限回路オフ時の等価回路図である。

【図５】微小電圧制限回路オン時の等価回路図である。

【図６】本発明の他の実施例を示す回路図である。

【図７】本発明の更に他の実施例を示す回路図である。

【図８】微小電圧制限回路オフ時の等価浮遊容量を考慮
した等価回路図である。

【図９】従来例を示す回路図である。

【図１０】ＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０インタフェース回路
におけるインピーダンス特性図である。

【図１１】従来のＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０インタフェー
ス回路におけるインピーダンス測定時の等価回路図であ
る。

【図１２】インピーダンスメータを示す回路図である。

【符号の説明】

１，１′ ＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０インタフェース回路 ２，２′ 平衡２線式送信回路 ３，３′ 平衝２線式受信回路 ４，４′ 過電圧保護回路 ４−１ 過電圧保護素子 ４−２ 微小電圧制限回路 ４−２ａ バリスタ ４−２ｂ ツェナーダイオード ４−２ｃ 整流用ダイオード ５ 外部インタフェース部 ６ 送信トランス ７ 受信トランス ８Ｒ 受信レシーバ ８Ｓ 送信ドライバ ２０ インピーダンスメータ ２１ シンセサイザ ２２ レベルメータ ３１ 交換局 ３２ デジタル・サービス・ユニット ３３ 端末装置

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平衡２線式送信回路（２）と平衡２線式
   受信回路（３）とをそなえたインタフェース回路（１）
   において、 該平衡２線式送信回路（２）および該平衡２線式受信回
   路（３）のそれぞれに、外線から印加される過電圧に対
   して保護すべく、２線間に装架される過電圧保護素子
   （４−１）を有する過電圧保護回路（４）をそなえ、 該過電圧保護回路（４）が、その過電圧保護素子（４−
   １）に対し直列に接続され該過電圧保護素子（４−１）
   に比べ微小なクランプ電圧をもつとともに等価浮遊容量
   の小さい微小電圧制限回路（４−２）をそなえて構成さ
   れたことを特徴とする、過電圧保護回路付きインタフェ
   ース回路。
2. 【請求項２】 該微小電圧制限回路（４−２）が、該過
   電圧保護素子（４−１）に比べ低い電圧でオンオフする
   バリスタで構成されたことを特徴とする請求項１記載の
   過電圧保護回路付きインタフェース回路。
3. 【請求項３】 該微小電圧制限回路（４−２）が、逆直
   列接続された一対のツェナーダイオードをそなえて構成
   されたことを特徴とする請求項１記載の過電圧保護回路
   付きインタフェース回路。
4. 【請求項４】 該微小電圧制限回路（４−２）が、逆並
   列接続された一対のダイオードをそなえて構成されたこ
   とを特徴とする請求項１記載の過電圧保護回路付きイン
   タフェース回路。