JPH0582303A - Ptc thermistor - Google Patents
Ptc thermistorInfo
- Publication number
- JPH0582303A JPH0582303A JP26830691A JP26830691A JPH0582303A JP H0582303 A JPH0582303 A JP H0582303A JP 26830691 A JP26830691 A JP 26830691A JP 26830691 A JP26830691 A JP 26830691A JP H0582303 A JPH0582303 A JP H0582303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- thermal runaway
- control
- electrodes
- point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/01—Mounting; Supporting
- H01C1/014—Mounting; Supporting the resistor being suspended between and being supported by two supporting sections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はＰＴＣサーミスタに係
り、特に熱暴走に至ったことを検出する機能を備えたＰ
ＴＣサーミスタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a PTC thermistor, and more particularly to a PTC thermistor which has a function of detecting a thermal runaway.
Regarding TC thermistors.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、ＢａＴｉＯ3 半導体を用いたＰ
ＴＣサーミスタは知られている。この種のものは、所定
の抵抗温度特性及び静特性（電圧電流特性）を有するの
で、限流抵抗体や定温度発熱体等に利用されている。2. Description of the Related Art In general, P using a BaTiO 3 semiconductor is used.
TC thermistors are known. This type of material has predetermined resistance temperature characteristics and static characteristics (voltage-current characteristics), and is therefore used for current limiting resistors, constant temperature heating elements and the like.
【０００３】この種のサーミスタは、電圧依存性（バリ
スタ効果）があり、電圧が加えられて自己発熱する際に
は、図１２に示す抵抗温度特性において、自己発熱しな
い場合に比べて抵抗急変の大きさが小さくなるという欠
点がある。また図１３に示す静特性（電圧電流特性）に
おいては、電圧上昇に連れて、Ｍ点から電流が減少し続
けるが、熱的に図１２に示すＩ点を越えると、抵抗温度
係数が負になるので、電流が増加し始めて熱暴走に至り
（この時の電圧が熱暴走電圧ＶTRA である）、サーミス
タが破壊されるという欠点がある。This type of thermistor has a voltage dependency (varistor effect), and when a voltage is applied to cause self-heating, the resistance-temperature characteristic shown in FIG. It has the drawback of being small in size. In the static characteristic (voltage-current characteristic) shown in FIG. 13, the current continues to decrease from the point M as the voltage rises, but when the point I shown in FIG. 12 is thermally exceeded, the resistance temperature coefficient becomes negative. Therefore, there is a drawback that the current starts to increase and thermal runaway (the voltage at this time is the thermal runaway voltage VTRA) and the thermistor is destroyed.
【０００４】これを解消するために、従来では置換する
目的の異なる他の成分（粒径を小さく均一にするものと
してはＳｉＯ2 、抵抗変化を大きくするものとしてはＭ
ｎ，Ｃｕ，Ｃｒなど）を添加したり、焼成後に熱処理し
たりして粒径、粒界を制御することにより、サーミスタ
の電圧依存性を小さくすると共に、熱暴走電圧ＶTRAを
高くするようにしている。In order to solve this problem, other components having different purposes in the prior art (SiO 2 for making the particle size small and uniform and M for making the resistance change large) have been used.
(n, Cu, Cr, etc.) or by performing heat treatment after firing to control the grain size and grain boundary to reduce the voltage dependence of the thermistor and increase the thermal runaway voltage VTRA. There is.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、例えばＰＴＣサーミスタに加えられる電圧が
熱暴走電圧ＶTRA 以上になった場合に、熱暴走を防ぐこ
とはできず、サーミスタが破壊するという問題がある。However, in the conventional method, when the voltage applied to the PTC thermistor becomes equal to or higher than the thermal runaway voltage VTRA, thermal runaway cannot be prevented and the thermistor is destroyed. There is.
【０００６】そこで、本発明の目的は、上述した従来の
技術が有する問題点を解消し、サーミスタが熱暴走に至
るような事態が発生しても、サーミスタが破壊すること
のないＰＴＣサーミスタを提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a PTC thermistor which solves the above-mentioned problems of the prior art and prevents the thermistor from being destroyed even in the event of thermal runaway of the thermistor. To do.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、セラミックスの両面に一対の電極を設け
て制御用サーミスタを形成するとともに、セラミックス
の片面に一対の電極を設けて熱暴走検知用サーミスタを
形成し、この熱暴走検知用サーミスタを制御用サーミス
タに熱的に接触させたことを特徴とするものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a pair of electrodes on both sides of a ceramic to form a control thermistor, and a pair of electrodes on one side of the ceramic to provide heat. A feature is that a runaway detecting thermistor is formed and the thermal runaway detecting thermistor is brought into thermal contact with the control thermistor.
【０００８】[0008]
【作用】本発明によれば、熱暴走検知用サーミスタと制
御用サーミスタとは熱的に接触しているので、両サーミ
スタの温度はほぼ等しくなり、また熱暴走検知用サーミ
スタの抵抗温度特性は温度上昇に連れて抵抗値がほぼ直
線的に上昇するので、この特性を利用することにより、
制御用サーミスタの熱暴走を検知して、この熱暴走検知
用サーミスタから制御用サーミスタへの通電停止信号を
出力するようにすれば、制御用サーミスタの熱暴走を確
実に防止できる。According to the present invention, since the thermal runaway detecting thermistor and the control thermistor are in thermal contact with each other, the temperatures of both thermistors are substantially equal, and the resistance temperature characteristic of the thermal runaway detecting thermistor is temperature. Since the resistance value increases almost linearly with the increase, by using this characteristic,
Thermal runaway of the control thermistor can be reliably prevented by detecting thermal runaway of the control thermistor and outputting an energization stop signal from the thermal runaway detection thermistor to the control thermistor.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明によるＰＴＣサーミスタの一実
施例を図１乃至図４を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the PTC thermistor according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００１０】図１及び図２において、１はＢａＴｉＯ3
半導体セラミックス（以下、セラミックスという）を示
し、このセラミックス１はディスク状に形成されてい
る。In FIGS. 1 and 2, 1 is BaTiO 3
A semiconductor ceramic (hereinafter referred to as a ceramic) is shown, and this ceramic 1 is formed in a disk shape.
【００１１】このセラミックス１は仮に同一組成、同一
焼成、及び同一形状品であっても電極構成が異なれば、
異なった抵抗温度特性を示す。即ち、図３は抵抗温度特
性を示しており、図１に示すように、セラミックス１の
両面にサンドイッチ型のオーム性電極３を設けた時に
は、その抵抗温度特性はＡの曲線を示し、図２に示すよ
うに、セラミックス１の片面にコ・プラーナ型のオーム
性電極５を設けた時には、その抵抗温度特性はＢのほぼ
直線を示す。オーム性電極３，５には無電解ニッケルメ
ッキによるもの、Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕなどの溶融金属吹付
けによるもの、Ｉｎ−Ｇａ合金やＩｎ−Ｈｇ合金などの
液体の擦付けによるもの、セラミックス１との間にバリ
アを作らないような焼付Ａｇ電極によるものなどが挙げ
られる。Even if the ceramics 1 have the same composition, the same firing, and the same shape, if the electrode structure is different,
It exhibits different resistance-temperature characteristics. That is, FIG. 3 shows resistance-temperature characteristics. As shown in FIG. 1, when the sandwich type ohmic electrodes 3 are provided on both surfaces of the ceramic 1, the resistance-temperature characteristics show a curve of A, and FIG. As shown in FIG. 5, when the co-planar type ohmic electrode 5 is provided on one surface of the ceramic 1, the resistance temperature characteristic thereof shows a substantially straight line of B. The ohmic electrodes 3, 5 are formed by electroless nickel plating, by spraying a molten metal such as Al, Zn, Cu, by rubbing a liquid such as In-Ga alloy or In-Hg alloy, and ceramics 1. An example is a baked Ag electrode that does not form a barrier between the electrodes.
【００１２】図３を参照して、Ａの曲線を示す特性を有
する（サンドイッチ型の電極３を有する）ＰＴＣサーミ
スタは、いわゆる制御用サーミスタであり、例えば家庭
用ヒータに用いられ、自動車用としては混合気化熱ヒー
タ、電流ブレーカ、ディーゼル燃料ヒータ、ホットウォ
ータコアの補助ヒータなどに用いられる。またＢのほぼ
直線を示す特性を有する（コ・プラーナ型の電極５を有
する）ＰＴＣサーミスタは、上述した制御用サーミスタ
の熱暴走を検知するための熱暴走検知用サーミスタとし
て用いられ、これを使用するに際しては、制御用サーミ
スタに対して熱的に接触させて使用される。Referring to FIG. 3, the PTC thermistor having the characteristic of showing the curve A (having the sandwich-type electrode 3) is a so-called control thermistor, which is used, for example, as a heater for home use and for a car. Used for mixed vaporization heat heater, current breaker, diesel fuel heater, auxiliary heater for hot water core, etc. Further, the PTC thermistor having the characteristic of showing a substantially straight line of B (having the co-planar type electrode 5) is used as a thermal runaway detection thermistor for detecting thermal runaway of the above-mentioned control thermistor and is used. In doing so, it is used by being brought into thermal contact with the control thermistor.
【００１３】次に、作用を説明する。Next, the operation will be described.
【００１４】制御用サーミスタは、図３に示すように、
温度が上昇してある温度を越えるとその抵抗値が急激に
増加する特性を有する。このように抵抗値が急変する
と、静特性（電圧電流特性）においては、図５に示すよ
うに、電流が極大になるＭ点を境にしてそれ以後は、電
圧上昇に連れて電流が減少し続けるが、熱的に図３に示
すＩ点を越えると抵抗温度係数が負になるので、再び電
流が増加し始めて熱暴走に至る（この時の電圧が熱暴走
電圧ＶTRA である）。この熱暴走に至る点はＩ点である
ので、例えばその直前のＨ点において、セラミックス１
への通電を強制的に停止させれば熱暴走を防止できる。The control thermistor, as shown in FIG.
When the temperature rises and exceeds a certain temperature, the resistance value of the resistance increases rapidly. When the resistance value suddenly changes in this way, in the static characteristic (voltage-current characteristic), as shown in FIG. 5, after the point M at which the current becomes maximum, the current decreases as the voltage increases. Continuing, if the temperature exceeds point I shown in FIG. 3, the temperature coefficient of resistance becomes negative, so that the current again starts to increase and thermal runaway occurs (the voltage at this time is the thermal runaway voltage VTRA). Since the point leading to this thermal runaway is point I, for example, at point H immediately before that point, ceramics 1
Thermal runaway can be prevented by forcibly stopping the energization to.
【００１５】しかして、本実施例によれば、熱暴走検知
用サーミスタと制御用サーミスタとは熱的に接触してい
るので、両サーミスタの温度はほぼ等しくなり、よって
図３においてＫ点の熱暴走検知用サーミスタの抵抗値を
検知すれば、非熱暴走領域のＨ点を検知することができ
るので、熱暴走検知用サーミスタの抵抗値がＫ点に達し
た時に、制御用サーミスタへの通電停止信号を出力する
ようにすれば、制御用サーミスタの熱暴走を確実に防止
することができる。According to this embodiment, however, since the thermal runaway detection thermistor and the control thermistor are in thermal contact with each other, the temperatures of both thermistors are almost equal, and therefore the heat at point K in FIG. If the resistance value of the runaway detection thermistor is detected, the H point in the non-thermal runaway region can be detected. Therefore, when the resistance value of the thermal runaway detection thermistor reaches the K point, the power supply to the control thermistor is stopped. By outputting the signal, it is possible to reliably prevent thermal runaway of the control thermistor.
【００１６】この場合に制御用サーミスタの熱暴走を、
該制御用サーミスタと同一の特性を有するサーミスタを
用いて検知することは好ましくない。サーミスタがＡの
曲線を示す特性を有すれば、非熱暴走領域のＨ点と熱暴
走領域のＪ点とで抵抗値が同一になるので、熱暴走を区
別して検知することができない。これに対して、Ｂのほ
ぼ直線を示す特性を有する熱暴走検知用サーミスタを用
いれば、非熱暴走領域のＫ点と熱暴走領域のＬ点とでは
抵抗値が明らかに異なるので、迷うことなく熱暴走を確
実に検知することができる。In this case, thermal runaway of the control thermistor
It is not preferable to detect using a thermistor having the same characteristics as the control thermistor. If the thermistor has the characteristic of showing the curve of A, the resistance value becomes the same at the H point in the non-thermal runaway region and the J point in the thermal runaway region, so that the thermal runaway cannot be detected separately. On the other hand, if a thermal runaway detecting thermistor having the characteristic of showing almost a straight line of B is used, the resistance value is obviously different between the K point in the non-thermal runaway region and the L point in the thermal runaway region, so that there is no hesitation. Thermal runaway can be reliably detected.
【００１７】またＢａＴｉＯ3 半導体のＢａ又はＴｉサ
イトを他の物質で置換すると、抵抗急変温度（抵抗急変
点）を移動させることができる。When the Ba or Ti site of the BaTiO 3 semiconductor is replaced with another substance, the resistance change temperature (resistance change point) can be moved.
【００１８】例えばＢａサイトをＰｂで置換すると抵抗
急変点が高温側に移動して、図４に示すように、その抵
抗急変点Ｑは、制御用サーミスタ（特性曲線Ａ）におけ
るＨ点と同じ温度になる。従って、このように置換して
製造したサーミスタ（特性曲線Ａ′）を熱暴走検知用サ
ーミスタに用いれば、Ｑ点の抵抗値を検知することによ
り制御用サーミスタのＨ点を検知することができる。し
かし、制御用サーミスタと熱暴走検知用サーミスタとは
互いに抵抗急変点、即ち材料組成が異なるので、別々に
材料を用意しなければならず、これではコスト高になり
好ましくない。For example, when the Ba site is replaced with Pb, the sudden resistance change point moves to the high temperature side, and as shown in FIG. 4, the sudden resistance change point Q has the same temperature as point H in the control thermistor (characteristic curve A). become. Therefore, if the thermistor (characteristic curve A ') manufactured by substituting in this way is used for the thermal runaway detection thermistor, the H point of the control thermistor can be detected by detecting the resistance value of the Q point. However, since the control thermistor and the thermal runaway detection thermistor have different sudden resistance change points, that is, different material compositions, it is necessary to prepare different materials, which is not preferable because of high cost.
【００１９】これに対して、本実施例によれば、同一組
成のセラミクスであっても、電極構成を変えることによ
り、制御用サーミスタとしても、熱暴走検知用サーミス
タとしても使用することができるので、コスト的に有利
になるという利点がある。On the other hand, according to this embodiment, even ceramics having the same composition can be used as both a control thermistor and a thermal runaway detecting thermistor by changing the electrode configuration. However, there is an advantage that it becomes advantageous in terms of cost.
【００２０】図６は変形例を示している。FIG. 6 shows a modification.
【００２１】１０は例えばアルミナ製の電気絶縁ケース
を示し、このケース１０の内部には、セラミックス１１
の両面に一対のオーム性電極１３を設けてなる制御用サ
ーミスタ２１と、セラミックス１１の片面に一対のオー
ム性電極１５を設けてなる熱暴走検知用サーミスタ２３
とが設けられている。両サーミスタ２１，２３の電極に
は端子２５ａ〜２５ｄが接続され、各端子２５ａ〜２５
ｄは電気絶縁蓋２７を貫通して外部に延出している。６
０は電気絶縁部材である。Reference numeral 10 denotes an electrically insulating case made of alumina, for example, and inside the case 10, a ceramics 11 is provided.
A control thermistor 21 having a pair of ohmic electrodes 13 on both surfaces of the ceramics, and a thermal runaway detecting thermistor 23 having a pair of ohmic electrodes 15 on one surface of the ceramics 11.
And are provided. Terminals 25a to 25d are connected to the electrodes of both thermistors 21 and 23, and the terminals 25a to 25
d penetrates the electric insulating cover 27 and extends to the outside. 6
Reference numeral 0 is an electrically insulating member.
【００２２】端子２５ａ，２５ｂ，２５ｄには各電極に
圧接するリン青銅製のばね部２８が設けられ、このばね
部２８を介して両サーミスタ２１，２３は押圧されて熱
暴走検知用サーミスタ２３と制御用サーミスタ２１とは
熱的に接触している。図７及び図８において、２９は金
属製の押え部材であり、この押え部材２９はケース１０
を強固に結束している。制御用サーミスタ２１を発熱体
として使用する場合には、ケース１０の一部に空気流通
孔を設けてもよく、限流抵抗体として使用する場合に
は、ケース１０の全てを覆ってもよい。The terminals 25a, 25b, 25d are provided with a spring portion 28 made of phosphor bronze which is in pressure contact with the respective electrodes, and the thermistors 21, 23 are pressed through the spring portion 28 to act as a thermal runaway detecting thermistor 23. It is in thermal contact with the control thermistor 21. 7 and 8, 29 is a metal pressing member, and this pressing member 29 is the case 10
Is tightly bound. When the control thermistor 21 is used as a heating element, an air circulation hole may be provided in a part of the case 10, and when it is used as a current limiting resistor, the case 10 may be entirely covered.
【００２３】これによれば、制御用サーミスタ２１と熱
暴走検知用サーミスタ２３とを同一のケース１０内に収
納しているのでコンパクトになり、しかも両サーミスタ
は電極付与を除いて同一の設備で製造することができ、
更に同一材料組成のセラミクスを使用することができる
ので、製造コストを低く押えることができる。According to this, since the control thermistor 21 and the thermal runaway detection thermistor 23 are housed in the same case 10, the device is compact, and both thermistors are manufactured by the same equipment except for the electrodes. You can
Further, since the ceramics having the same material composition can be used, the manufacturing cost can be kept low.
【００２４】図９及び図１０は他の実施例を示してい
る。この実施例によれば、制御用サーミスタ３１のオー
ム性電極３３の中央部がくり抜かれて、そこには熱暴走
検知用サーミスタ３５が付設されており、両サーミスタ
３１，３５の電極には、夫々端子２５ａ〜２５ｄが接続
されている。このサーミスタ構造体も図６の実施例のよ
うにケース内に収納することが望ましい。9 and 10 show another embodiment. According to this embodiment, the central portion of the ohmic electrode 33 of the control thermistor 31 is hollowed out, and the thermal runaway detection thermistor 35 is attached thereto, and the electrodes of both thermistors 31 and 35 are respectively attached. The terminals 25a to 25d are connected. It is desirable that the thermistor structure is also housed in the case as in the embodiment of FIG.
【００２５】図１１は更に他の実施例を示している。FIG. 11 shows still another embodiment.
【００２６】この実施例によれば、セラミックス５０の
一半部に制御用サーミスタ５１を構成するオーム性電極
５３が設けられると共に、他半部に熱暴走検知用サーミ
スタ５５を構成するオーム性電極５７が設けられてい
る。この場合にも、両サーミスタ５１，５５の電極には
端子２５ａ〜２５ｄが接続されている。According to this embodiment, one half of the ceramic 50 is provided with the ohmic electrode 53 constituting the control thermistor 51, and the other half is provided with the ohmic electrode 57 constituting the thermal runaway detecting thermistor 55. It is provided. Also in this case, terminals 25a to 25d are connected to the electrodes of both thermistors 51 and 55.
【００２７】以上、一実施例に基づいて本発明を説明し
たが、本発明はこれに限定されるものでないことは明ら
かである。例えばセラミックスの形状は、ディスク状に
限定するものではなく、リング状、矩形状、ハニカム状
など他の形状にすることもでき、また電極の形状は円形
状、半円形状などに限定するものではなく、他の形状に
することもできる。The present invention has been described above based on the embodiment, but it is obvious that the present invention is not limited to this. For example, the shape of the ceramics is not limited to the disk shape, but may be other shapes such as a ring shape, a rectangular shape, and a honeycomb shape, and the shape of the electrode is not limited to a circular shape, a semicircular shape, or the like. Alternatively, other shapes can be used.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、セラミックスの両面に一対のオーム性電極を
設けて制御用サーミスタを形成すると共に、セラミック
スの片面に一対のオーム性電極を設けて熱暴走検知用サ
ーミスタを形成し、この熱暴走検知用サーミスタを制御
用サーミスタに熱的に接触させたので、両サーミスタの
温度はほぼ等しくなり、また熱暴走検知用サーミスタの
抵抗温度特性は温度上昇に連れて抵抗値がほぼ直線的に
上昇するので、この特性を利用することにより制御用サ
ーミスタの熱暴走を検知して、ここから制御用サーミス
タへの通電停止信号を出力させれば制御用サーミスタの
熱暴走を確実に防止することができる。As is apparent from the above description, according to the present invention, a pair of ohmic electrodes are provided on both sides of a ceramic to form a control thermistor, and a pair of ohmic electrodes is provided on one side of the ceramic. The thermistor for detecting thermal runaway is formed, and the thermistor for detecting thermal runaway is thermally contacted with the thermistor for control. Since the resistance value increases almost linearly as the temperature rises, this characteristic is used to detect thermal runaway of the control thermistor and output an energization stop signal to the control thermistor to control. The thermal runaway of the thermistor can be reliably prevented.
【図１】ａ及びｂは各々、本発明によるＰＴＣサーミス
タを構成する制御用サーミスタの一実施例を示す平面
図、及び側面図である。1A and 1B are respectively a plan view and a side view showing an embodiment of a control thermistor that constitutes a PTC thermistor according to the present invention.
【図２】ａ及びｂは各々、本発明によるＰＴＣサーミス
タを構成する熱暴走検知用サーミスタの一実施例を示す
平面図、及び側面図である。2A and 2B are respectively a plan view and a side view showing an embodiment of a thermal runaway detecting thermistor that constitutes a PTC thermistor according to the present invention.
【図３】ＰＴＣサーミスタの抵抗温度特性を示す線図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing a resistance temperature characteristic of a PTC thermistor.
【図４】ＰＴＣサーミスタの抵抗温度特性を示す線図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing a resistance temperature characteristic of a PTC thermistor.
【図５】ＰＴＣサーミスタの静特性（電圧電流特性）を
示す線図である。FIG. 5 is a diagram showing static characteristics (voltage-current characteristics) of a PTC thermistor.
【図６】本発明によるＰＴＣサーミスタの一実施例を示
す側面断面図ある。FIG. 6 is a side sectional view showing an embodiment of a PTC thermistor according to the present invention.
【図７】は図６のＸ矢視図である。FIG. 7 is a view on arrow X in FIG.
【図８】は図６のＹ矢視図である。FIG. 8 is a view on arrow Y of FIG.
【図９】他の実施例を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing another embodiment.
【図１０】同じく側面図である。FIG. 10 is a side view of the same.
【図１１】更に他の実施例を示す側面図である。FIG. 11 is a side view showing still another embodiment.
【図１２】従来のＰＴＣサーミスタの抵抗温度特性を示
す線図である。FIG. 12 is a diagram showing a resistance temperature characteristic of a conventional PTC thermistor.
【図１３】従来のＰＴＣサーミスタの静特性（電圧電流
特性）を示す線図である。FIG. 13 is a diagram showing static characteristics (voltage-current characteristics) of a conventional PTC thermistor.
１，１１，５０ セラミックス ３，５，１３，１５，３３，５３，５７ オーム性電極 １０ ケース ２５ａ〜２５ｄ 端子 ２８ ばね部 1,11,50 Ceramics 3,5,13,15,33,53,57 Ohmic electrode 10 Case 25a-25d Terminal 28 Spring part
Claims (1)
て制御用サーミスタを形成するとともに、セラミックス
の片面に一対の電極を設けて熱暴走検知用サーミスタを
形成し、この熱暴走検知用サーミスタを前記制御用サー
ミスタに熱的に接触させたことを特徴とするＰＴＣサー
ミスタ。1. A pair of electrodes is provided on both sides of a ceramic to form a control thermistor, and a pair of electrodes is provided on one side of a ceramic to form a thermal runaway detection thermistor. A PTC thermistor characterized by being brought into thermal contact with a control thermistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26830691A JPH0582303A (en) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | Ptc thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26830691A JPH0582303A (en) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | Ptc thermistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582303A true JPH0582303A (en) | 1993-04-02 |
Family
ID=17456702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26830691A Pending JPH0582303A (en) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | Ptc thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582303A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5410291A (en) * | 1992-09-01 | 1995-04-25 | Nippondenso Co., Ltd. | Thermistor type temperature sensor |
| US5760676A (en) * | 1994-06-10 | 1998-06-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic part such as PTC thermistor and casing for the same with a fuse |
| US5909168A (en) * | 1996-02-09 | 1999-06-01 | Raychem Corporation | PTC conductive polymer devices |
| JP2012028728A (en) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Sensata Technologies Massachusetts Inc | Method and apparatus for controlling failed thermister device |
| CN109765264A (en) * | 2018-12-29 | 2019-05-17 | 清华大学 | Power battery thermal runaway analysis method, system, computer equipment and storage medium |
| JP2023024284A (en) * | 2021-08-06 | 2023-02-16 | 杭州星▲帥▼▲爾▼▲電▼器股▲フン▼有限公司 | PTC starter |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP26830691A patent/JPH0582303A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5410291A (en) * | 1992-09-01 | 1995-04-25 | Nippondenso Co., Ltd. | Thermistor type temperature sensor |
| US5610571A (en) * | 1992-09-01 | 1997-03-11 | Nippondenso Co., Ltd. | Thermistor type temperature sensor |
| US5760676A (en) * | 1994-06-10 | 1998-06-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic part such as PTC thermistor and casing for the same with a fuse |
| US5909168A (en) * | 1996-02-09 | 1999-06-01 | Raychem Corporation | PTC conductive polymer devices |
| JP2012028728A (en) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Sensata Technologies Massachusetts Inc | Method and apparatus for controlling failed thermister device |
| CN109765264A (en) * | 2018-12-29 | 2019-05-17 | 清华大学 | Power battery thermal runaway analysis method, system, computer equipment and storage medium |
| CN109765264B (en) * | 2018-12-29 | 2019-11-22 | 清华大学 | Power battery thermal runaway analysis method, system, computer equipment and storage medium |
| JP2023024284A (en) * | 2021-08-06 | 2023-02-16 | 杭州星▲帥▼▲爾▼▲電▼器股▲フン▼有限公司 | PTC starter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4780598A (en) | Composite circuit protection devices | |
| JP2831594B2 (en) | Protection circuit having PTC element | |
| US5153805A (en) | Temperature-compensated thermal protector | |
| US4045763A (en) | Sealed thermostatic heater | |
| JPH0582303A (en) | Ptc thermistor | |
| KR100309157B1 (en) | Positive temperature characteristic thermistor and thermistor element | |
| US6242998B1 (en) | NTC thermistors | |
| JPS6351356B2 (en) | ||
| JP3452282B2 (en) | Composite thermistor temperature sensor | |
| JP3837838B2 (en) | Positive temperature coefficient thermistor | |
| JPS5932830Y2 (en) | cigarette lighter | |
| JPS628134B2 (en) | ||
| KR100903120B1 (en) | Hair iron having function of overheating prevention | |
| JP2511538B2 (en) | Semiconductor temperature sensor | |
| JP3837839B2 (en) | Positive temperature coefficient thermistor | |
| JP3257746B2 (en) | Inrush current suppression type PTC heating device | |
| JP3000670B2 (en) | Thermistor device | |
| JPS6355755B2 (en) | ||
| JPS61195580A (en) | Ceramic heater | |
| JPS6341731Y2 (en) | ||
| JPS6146476A (en) | Actuator device | |
| JP2000277305A (en) | Overcurrent protecting part and circuit | |
| JPH10270204A (en) | Organic ptc composite material | |
| JPH01216503A (en) | Nonlinear resistor | |
| JPS5843872B2 (en) | Fukugou Hatsunetsoshi |