JPH0575490A - Ａｍ受信装置 - Google Patents
Ａｍ受信装置Info
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- JPH0575490A JPH0575490A JP23767691A JP23767691A JPH0575490A JP H0575490 A JPH0575490 A JP H0575490A JP 23767691 A JP23767691 A JP 23767691A JP 23767691 A JP23767691 A JP 23767691A JP H0575490 A JPH0575490 A JP H0575490A
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- JP
- Japan
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- transistor
- base
- circuit
- collector
- signal
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- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 弱電界中で安定に受信を行うためのＡＧＣ回
路を提供する。 【構成】 エミッタからＡＭ信号が入力される第１のト
ランジスタ３と、一端が第１のトランジスタ３のベース
に接続され、他端が接地されている第１のコンデンサー
１３と、エミッタが第１のトランジスタ３のコレクタに
接続された第２のトランジスタ２と、第２のコンデンサ
ーとコイルの並列共振回路で構成され、一端が第２のト
ランジスタ２のコレクタに接続されたタンク回路８と、
入力端子が第２のトランジスタ２のベースに接続され出
力端子が第１のトランジスタ３のベースに接続されたカ
レントミラー回路を具備し、第１のトランジスタ３のベ
ースにカレントミラー回路の出力電流を供給する。
路を提供する。 【構成】 エミッタからＡＭ信号が入力される第１のト
ランジスタ３と、一端が第１のトランジスタ３のベース
に接続され、他端が接地されている第１のコンデンサー
１３と、エミッタが第１のトランジスタ３のコレクタに
接続された第２のトランジスタ２と、第２のコンデンサ
ーとコイルの並列共振回路で構成され、一端が第２のト
ランジスタ２のコレクタに接続されたタンク回路８と、
入力端子が第２のトランジスタ２のベースに接続され出
力端子が第１のトランジスタ３のベースに接続されたカ
レントミラー回路を具備し、第１のトランジスタ３のベ
ースにカレントミラー回路の出力電流を供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＭ受信装置、特にそ
のＡＧＣ回路に関する。
のＡＧＣ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＡＭ受信装置を図２を用いて説明
する。
する。
【０００３】アンテナ１７から入力されたＡＭ信号がＲ
Ｆアンプ１８により増幅され、周波数混合器１９（以下
ミキサー）に入力される。ＡＭ信号はミキサー１９によ
り局部発振器２０の信号と混合され、中間周波信号（以
下ＩＦ信号）に変換され、前置中間周波増幅器２１（以
下プリＩＦアンプ）に入力される。プリＩＦアンプ２１
により増幅された信号は、中間周波増幅器および検波回
路２２（以下ＩＦ部）に入力される。
Ｆアンプ１８により増幅され、周波数混合器１９（以下
ミキサー）に入力される。ＡＭ信号はミキサー１９によ
り局部発振器２０の信号と混合され、中間周波信号（以
下ＩＦ信号）に変換され、前置中間周波増幅器２１（以
下プリＩＦアンプ）に入力される。プリＩＦアンプ２１
により増幅された信号は、中間周波増幅器および検波回
路２２（以下ＩＦ部）に入力される。
【０００４】このようなＡＭ受信装置で問題となるの
は、１つは強入力特性である。アンテナ１７に入力され
たＡＭ信号はＲＦアンプ１８，ミキサー１９，プリＩＦ
アンプ２１，ＩＦ部２２で増幅されるが、過大なレベル
のＡＭ信号がアンテナ１７に入力された時、ＲＦアンプ
１８以降のいずれかの増幅器が飽和する。ＡＭ受信装置
は、アンテナ１７から入力されたＡＭ信号をＩＦ信号に
変換し、そのエンベロープを検波して音声信号を得るた
め、増幅器が飽和し、その振幅が制限される事は好まし
くない。
は、１つは強入力特性である。アンテナ１７に入力され
たＡＭ信号はＲＦアンプ１８，ミキサー１９，プリＩＦ
アンプ２１，ＩＦ部２２で増幅されるが、過大なレベル
のＡＭ信号がアンテナ１７に入力された時、ＲＦアンプ
１８以降のいずれかの増幅器が飽和する。ＡＭ受信装置
は、アンテナ１７から入力されたＡＭ信号をＩＦ信号に
変換し、そのエンベロープを検波して音声信号を得るた
め、増幅器が飽和し、その振幅が制限される事は好まし
くない。
【０００５】また、希望しない周波数の信号による妨害
もＡＭ受信装置で問題となる。任意の放送局の放送を受
信しようとする時、そのＡＭ信号（以下希望波）の周波
数に近接して他の放送局のＡＭ信号（以下非希望波）が
存在するとする。いま、希望波の信号レベルに対し、非
希望波の信号レベルが非常に大きい時、希望波を受信で
きない。これを隣接妨害という。
もＡＭ受信装置で問題となる。任意の放送局の放送を受
信しようとする時、そのＡＭ信号（以下希望波）の周波
数に近接して他の放送局のＡＭ信号（以下非希望波）が
存在するとする。いま、希望波の信号レベルに対し、非
希望波の信号レベルが非常に大きい時、希望波を受信で
きない。これを隣接妨害という。
【０００６】このような問題を解決するため、従来のＡ
Ｍ受信装置は、図２に示す様なＡＧＣ回路２３とレベル
検波器１６を具備している。
Ｍ受信装置は、図２に示す様なＡＧＣ回路２３とレベル
検波器１６を具備している。
【０００７】図３は、図２に示すＡＧＣ回路２３の具体
的な等価回路を示している。図３において、シングルゲ
ートＭＯＳＦＥＴ１のソースは接地され、ゲートはコイ
ル１５を介して接地されている。ドレインはトランジス
タ３のエミッタと共通である。トランジスタ３のコレク
タは、コイルとコンデンサーの並列共振回路で構成され
るタンク回路８に接続されている。ダイオード７のカソ
ードは抵抗１１を介して接地されている。アノードはコ
ンデンサー１４の一端とトランジスタ６のベースと共通
である。コンデンサー１４の他端は接地されている。ト
ランジスタ６のエミッタは抵抗１２を介して接地され、
コレクタは抵抗の一端１０とトランジスタ３のベースと
コンデンサー１３の一端と共通である。抵抗１０の他端
はＶccに接続され、コンデンサー１３の他端は接地され
ている。
的な等価回路を示している。図３において、シングルゲ
ートＭＯＳＦＥＴ１のソースは接地され、ゲートはコイ
ル１５を介して接地されている。ドレインはトランジス
タ３のエミッタと共通である。トランジスタ３のコレク
タは、コイルとコンデンサーの並列共振回路で構成され
るタンク回路８に接続されている。ダイオード７のカソ
ードは抵抗１１を介して接地されている。アノードはコ
ンデンサー１４の一端とトランジスタ６のベースと共通
である。コンデンサー１４の他端は接地されている。ト
ランジスタ６のエミッタは抵抗１２を介して接地され、
コレクタは抵抗の一端１０とトランジスタ３のベースと
コンデンサー１３の一端と共通である。抵抗１０の他端
はＶccに接続され、コンデンサー１３の他端は接地され
ている。
【０００８】上記構成において以下その動作を説明す
る。アンテナ１７から入力されたＡＭ信号は、シングル
ゲートＭＯＳＦＥＴ１のゲートに入力される。シングル
ゲートＭＯＳＦＥＴ１に入力された信号は増幅され、ド
レイン側からドレイン電流の変動として出力される。シ
ングルゲートＭＯＳＦＥＴ１のドレインはトランジスタ
３のエミッタと共通であり、トランジスタ３のコレクタ
はタンク回路８に接続されている。
る。アンテナ１７から入力されたＡＭ信号は、シングル
ゲートＭＯＳＦＥＴ１のゲートに入力される。シングル
ゲートＭＯＳＦＥＴ１に入力された信号は増幅され、ド
レイン側からドレイン電流の変動として出力される。シ
ングルゲートＭＯＳＦＥＴ１のドレインはトランジスタ
３のエミッタと共通であり、トランジスタ３のコレクタ
はタンク回路８に接続されている。
【０００９】いまトランジスタ３が飽和していないとす
ると、トランジスタ３のコレクタと、タンク回路８の間
から、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１により増幅された
信号が取り出せる。
ると、トランジスタ３のコレクタと、タンク回路８の間
から、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１により増幅された
信号が取り出せる。
【００１０】トランジスタ３のコレクタから取り出され
たＡＭ信号は、レベル検波器１６により全波整流され、
ダイオード７のアノードの電位を変化させる。コンデン
サー１４はダイオード７のアノードの電位のリプル除去
の役割を持つ。ダイオード７のアノードの電位は、レベ
ル検波器１６に入力されたＡＭ信号のレベルが高い時、
上昇する。
たＡＭ信号は、レベル検波器１６により全波整流され、
ダイオード７のアノードの電位を変化させる。コンデン
サー１４はダイオード７のアノードの電位のリプル除去
の役割を持つ。ダイオード７のアノードの電位は、レベ
ル検波器１６に入力されたＡＭ信号のレベルが高い時、
上昇する。
【００１１】ダイオード７のアノードの電位が上昇する
とトランジスタ６のコレクタ電流が増加し、抵抗１０に
よる電圧降下が起こり、トランジスタ６のコレクタ電位
が下がる。コンデンサー１３は、トランジスタ６のコレ
クタ電位のリプル除去の役割を持つ。
とトランジスタ６のコレクタ電流が増加し、抵抗１０に
よる電圧降下が起こり、トランジスタ６のコレクタ電位
が下がる。コンデンサー１３は、トランジスタ６のコレ
クタ電位のリプル除去の役割を持つ。
【００１２】トランジスタ６のコレクタはトランジスタ
３のベースと共通であるため、トランジスタ６のコレク
タ電位が下がるとトランジスタ３のベース電位も下が
り、従ってトランジスタ３のエミッタ電位、すなわちシ
ングルゲートＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電位も下がる。
つまり、レベル検波器１６に入力されたＡＭ信号のレベ
ルが高くなると、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１のドレ
イン電位が低くなる。
３のベースと共通であるため、トランジスタ６のコレク
タ電位が下がるとトランジスタ３のベース電位も下が
り、従ってトランジスタ３のエミッタ電位、すなわちシ
ングルゲートＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電位も下がる。
つまり、レベル検波器１６に入力されたＡＭ信号のレベ
ルが高くなると、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１のドレ
イン電位が低くなる。
【００１３】レベル検波器１６にＡＭ信号が入力されな
い時、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１は飽和領域にあ
り、ドレイン電流はドレイン電位に依存しない。ところ
がレベル検波器１６にあるレベル以上のＡＭ信号が入力
された場合、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１は非飽和領
域となり、ドレイン電流はドレイン電位に依存する様に
なり、コンダクタンスが下がり、シングルゲートＭＯＳ
ＦＥＴ１のゲインが下がり、出力されるＡＭ信号のレベ
ルを抑える。
い時、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１は飽和領域にあ
り、ドレイン電流はドレイン電位に依存しない。ところ
がレベル検波器１６にあるレベル以上のＡＭ信号が入力
された場合、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１は非飽和領
域となり、ドレイン電流はドレイン電位に依存する様に
なり、コンダクタンスが下がり、シングルゲートＭＯＳ
ＦＥＴ１のゲインが下がり、出力されるＡＭ信号のレベ
ルを抑える。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】この様な従来のＡＧＣ
回路では、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１は、最大飽和
領域で約４０mAのドレイン電流が流れているため、ドレ
イン電位はトランジスタ３のベース電流の影響が無視で
きない。このＡＧＣ回路はトランジスタ６のコレクタ電
流と抵抗１０による電圧降下を利用してシングルゲート
ＭＯＳＦＥＴ１を飽和領域から非飽和領域に移行させる
ものであるが、トランジスタ３のベース電流が大きい
と、このベース電流と抵抗１０による電圧降下が起こ
り、ドレイン電圧を降下させる。このためレベル検波器
１６に入力される信号が、ＡＧＣを必要としないレベル
の時に、ＡＧＣが動作してしまう。
回路では、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１は、最大飽和
領域で約４０mAのドレイン電流が流れているため、ドレ
イン電位はトランジスタ３のベース電流の影響が無視で
きない。このＡＧＣ回路はトランジスタ６のコレクタ電
流と抵抗１０による電圧降下を利用してシングルゲート
ＭＯＳＦＥＴ１を飽和領域から非飽和領域に移行させる
ものであるが、トランジスタ３のベース電流が大きい
と、このベース電流と抵抗１０による電圧降下が起こ
り、ドレイン電圧を降下させる。このためレベル検波器
１６に入力される信号が、ＡＧＣを必要としないレベル
の時に、ＡＧＣが動作してしまう。
【００１５】本発明は上記課題を解決するＡＭ受信装置
を提供するものである。
を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、ＡＧＣ回路を構成する第１のトランジスタ
のベース電流の補償回路を具備したものである。
するために、ＡＧＣ回路を構成する第１のトランジスタ
のベース電流の補償回路を具備したものである。
【００１７】
【作用】本発明によれば、ベース電流の補償回路によ
り、ＡＧＣ回路を構成する第１のトランジスタのベース
電流と抵抗による電圧降下の影響を排除し、レベル検波
器に入力された信号のレベルにのみ応じてＡＧＣをかけ
ることができる。
り、ＡＧＣ回路を構成する第１のトランジスタのベース
電流と抵抗による電圧降下の影響を排除し、レベル検波
器に入力された信号のレベルにのみ応じてＡＧＣをかけ
ることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１を参照
しながら説明する。図１は、本発明の一実施例のＡＭ受
信装置におけるＡＧＣ回路の具体的な等価回路図であ
る。シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１のソースは接地さ
れ、ゲートもコイル１５を介して接地されている。ドレ
インはトランジスタ３のエミッタと共通で、トランジス
タ３のコレクタは、トランジスタ２のエミッタに接続さ
れている。トランジスタ２のコレクタはコイルとコンデ
ンサーの並列共振回路で構成されたタンク回路８の一端
に接続されている。タンク回路８の他端は電源電圧Ｖ
cc2に接続されている。
しながら説明する。図１は、本発明の一実施例のＡＭ受
信装置におけるＡＧＣ回路の具体的な等価回路図であ
る。シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１のソースは接地さ
れ、ゲートもコイル１５を介して接地されている。ドレ
インはトランジスタ３のエミッタと共通で、トランジス
タ３のコレクタは、トランジスタ２のエミッタに接続さ
れている。トランジスタ２のコレクタはコイルとコンデ
ンサーの並列共振回路で構成されたタンク回路８の一端
に接続されている。タンク回路８の他端は電源電圧Ｖ
cc2に接続されている。
【００１９】ダイオード７のカソードは抵抗１１を介し
て接地されている。アノードはコンデンサー１４の一端
とトランジスタ６のベースと共通である。コンデンサー
１４の他端は接地されている。トランジスタ６のエミッ
タは抵抗１２を介して接地され、コレクタは抵抗１０の
一端とコンデンサー１３の一端とトランジスタ３のベー
スとトランジスタ５のコレクタと共通である。コンデン
サー１３の他端は接地されている。抵抗１０の他端は電
源電圧Ｖcc1に接続されている。トランジスタ５のベー
スはトランジスタ４のベース・コレクタとトランジスタ
２のベースと共通である。トランジスタ４とトランジス
タ５のエミッタはそれぞれ電源電圧Ｖcc 1に接続されて
いる。
て接地されている。アノードはコンデンサー１４の一端
とトランジスタ６のベースと共通である。コンデンサー
１４の他端は接地されている。トランジスタ６のエミッ
タは抵抗１２を介して接地され、コレクタは抵抗１０の
一端とコンデンサー１３の一端とトランジスタ３のベー
スとトランジスタ５のコレクタと共通である。コンデン
サー１３の他端は接地されている。抵抗１０の他端は電
源電圧Ｖcc1に接続されている。トランジスタ５のベー
スはトランジスタ４のベース・コレクタとトランジスタ
２のベースと共通である。トランジスタ４とトランジス
タ５のエミッタはそれぞれ電源電圧Ｖcc 1に接続されて
いる。
【００２０】上記構成において、次にその動作を説明す
る。シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１は最大、飽和領域で
約４０mAのドレイン電流が流れている。いまドレイン電
流をＩDS、トランジスタ３のｈFEをｈFE3、トランジス
タ３のベース電流をＩB3とすると、
る。シングルゲートＭＯＳＦＥＴ１は最大、飽和領域で
約４０mAのドレイン電流が流れている。いまドレイン電
流をＩDS、トランジスタ３のｈFEをｈFE3、トランジス
タ３のベース電流をＩB3とすると、
【００２１】
【数１】
【００２２】と表わせる。
【００２３】従来のＡＧＣ回路ではＩDSが大きいと、Ｉ
B3と抵抗１０による電圧降下が起こるが、本発明の実施
例のＡＧＣ回路では、トランジスタ５のコレクタ電流を
トランジスタ３のベースに供給することによりその補償
をしている。
B3と抵抗１０による電圧降下が起こるが、本発明の実施
例のＡＧＣ回路では、トランジスタ５のコレクタ電流を
トランジスタ３のベースに供給することによりその補償
をしている。
【００２４】いま、トランジスタ２のｈFEをｈFE2、ト
ランジスタ４のｈFEをｈFE4、トランジスタ５のｈFEを
ｈFE5、トランジスタ５のコレクタ電流をＩc5とすれ
ば、
ランジスタ４のｈFEをｈFE4、トランジスタ５のｈFEを
ｈFE5、トランジスタ５のコレクタ電流をＩc5とすれ
ば、
【００２５】
【数２】
【００２６】となり、（数２）は近似的に０となる。従
ってトランジスタ３のベース電位はトランジスタ６のコ
レクタ電流と抵抗１０による電圧降下でのみ決まること
になる。
ってトランジスタ３のベース電位はトランジスタ６のコ
レクタ電流と抵抗１０による電圧降下でのみ決まること
になる。
【００２７】
【発明の効果】以上の実施例から明らかな様に、本発明
によれば、レベル検波器に入力された信号のレベルにの
み応じてＡＧＣをかけることができる。このためレベル
検波器に入力される信号が、ＡＧＣを必要としないレベ
ルの時にＡＧＣが動作するという不都合を解消すること
ができる。
によれば、レベル検波器に入力された信号のレベルにの
み応じてＡＧＣをかけることができる。このためレベル
検波器に入力される信号が、ＡＧＣを必要としないレベ
ルの時にＡＧＣが動作するという不都合を解消すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例のＡＭ受信装置におけるＡＧ
Ｃ回路の等価回路図
Ｃ回路の等価回路図
【図２】従来のＡＭ受信装置のブロック図
【図３】従来のＡＭ受信装置におけるＡＧＣ回路の等価
回路図
回路図
【符号の説明】 １ シングルゲートＭＯＳＦＥＴ ２，４，５ トランジスタ３のベース電流補償回路を構
成するトランジスタ ３ トランジスタ ７ ダイオード ８ タンク回路 １０〜１２ 抵抗 １３，１４ コンデンサー １５ コイル １６ レベル検波器 １７ アンテナ １８ ＲＦアンプ １９ 周波数混合器 ２０ 局部発振器 ２１ 前置中間増幅器 ２２ ＩＦ部
成するトランジスタ ３ トランジスタ ７ ダイオード ８ タンク回路 １０〜１２ 抵抗 １３，１４ コンデンサー １５ コイル １６ レベル検波器 １７ アンテナ １８ ＲＦアンプ １９ 周波数混合器 ２０ 局部発振器 ２１ 前置中間増幅器 ２２ ＩＦ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 昌子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】アンテナで受信したＡＭ信号を増幅するＲ
Ｆアンプと、上記ＲＦアンプの出力信号のレベルを検出
するレベル検波器と、上記レベル検波器の出力信号に基
づいて上記ＲＦアンプの利得を制御するＡＧＣ回路とを
備え、上記ＡＧＣ回路が、エミッタに上記ＡＭ信号が入
力される第１のトランジスタと、一端が上記第１のトラ
ンジスタのベースに接続され、他端が基準電位点に接続
された第１のコンデンサーと、エミッタが上記第１のト
ランジスタのコレクタに接続された第２のトランジスタ
と、第２のコンデンサーとコイルの並列共振回路で構成
され、一端が上記第２のトランジスタのコレクタに接続
されたタンク回路と、入力端子が上記第２のトランジス
タのベースに接続され、出力端子が上記第１のトランジ
スタのベースに接続されたカレントミラー回路とを具備
し、上記第１のトランジスタのベースに上記カレントミ
ラー回路の出力電流を供給する事を特徴とするＡＭ受信
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23767691A JPH0575490A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | Ａｍ受信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23767691A JPH0575490A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | Ａｍ受信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575490A true JPH0575490A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17018860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23767691A Pending JPH0575490A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | Ａｍ受信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575490A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321957B1 (ko) * | 1998-02-24 | 2002-02-04 | 가네꼬 히사시 | 무선형 선택 호출 수신기 및 선택 호출의 수신 방법 |
| US7649592B2 (en) | 2006-10-04 | 2010-01-19 | Sony Corporation | Backlight unit and liquid crystal display device |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP23767691A patent/JPH0575490A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321957B1 (ko) * | 1998-02-24 | 2002-02-04 | 가네꼬 히사시 | 무선형 선택 호출 수신기 및 선택 호출의 수신 방법 |
| US6374097B1 (en) | 1998-02-24 | 2002-04-16 | Nec Corporation | Radio type selective calling receiver and method of receiving selective calling |
| US7649592B2 (en) | 2006-10-04 | 2010-01-19 | Sony Corporation | Backlight unit and liquid crystal display device |
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