JPH0574181B2

JPH0574181B2 -

Info

Publication number: JPH0574181B2
Application number: JP10303287A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Okunuki; Isamu Shimoda; Mamoru Myawaki; Takeo Tsukamoto; Akira Suzuki; Tetsuya Kaneko; Toshihiko Takeda; Mitsuaki Seki
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-04-28
Filing date: 1987-04-28
Publication date: 1993-10-15
Also published as: JPS63269446A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は電子ビーム装置に関し、特に薄状基板
から電子ビームを放出してウエハ等に実素子パタ
ーンを直接的に描画する装置に用いて好適な電子
ビーム装置に関する。

［従来の技術］荷電ビーム装置等における電子発生源としては
従来熱陰極からの熱電子放出を利用するものが用
いられていた。このような熱陰極を利用した電子
放出は、加熱によるエネルギーロスが大きい点、
加熱手段の形成が必要である点、及び予備加熱に
かなりの時間を要する点や熱により系が不安定化
しやすいという点で問題があつた。

そこで、加熱によらない電子放出素子の研究が
進められ、いくつかの型の素子が提案されてい
る。

たとえば、PN接合に逆バイアス電圧を印加し
電子なだれ降伏現象を生ぜしめ素子外へと電子を
放出する型のもの（特開昭54−111272号公報、米
国特許4259678号参照）や、金属−絶縁体層−金
属層の構成を有し該２つの金属の間に電圧を印加
することによりトンネル効果で絶縁体層を通過し
てきた電子を金属層から素子外へと放出する型
（MIM型）のものや、高抵抗薄膜にその膜厚方向
と直交する方向に電圧を印加し該薄膜表面から素
子外へと電子を放出させる表面伝導型のものや、
電界集中の生じ易い形状の金属に対し電圧を印加
して局所的に高密度の電界を発生させ該金属から
素子外へと電子を放出させる電界効果型（FE型）
のものや、その他のものが提案されている。

これら電子放出素子の応用例として、電子放出
源を複数配列して電子放出装置を構成し、各電子
放出源からの電子放出のON−OFFを制御するこ
とにより所望のパターン状に電子放出を行なわせ
て媒体例えば被加工物表面の衝突させ電子ビーム
露光により表面加工または表面変質を行なうこと
が考えられる。そして、このような電子放出装置
としては、電子放出素子を多数密に配列してなる
ものが考えられる。このような電子放出装置によ
れば被加工物を単に対向配置せしめた上で各電子
放出素子をON−OFF制御することにより２次元
パターン状に被加工物表面の電子ビーム露光を行
なうことができる。

［発明が解決しようとする問題点］しかしながら、現状ではこのような電子放出源
を多数密に配列した電子放出装置を歩留り良く量
産することは困難である。また発熱の問題や隣接
電子ビーム同志の干渉等の難点がある。

また、上述従来例においては、装置が大型化あ
るいは複雑化し、かつ個々の部品が離れているこ
とに起因して精度向上は望めなかつた。

また一方、例えば半導体ウエハの電子ビーム描
画等においては、回路の高集積化に対応すべく、
より効率的かつ精確にビーム照射等が行なえるよ
うな電子ビーム装置等が望まれている。

本発明の目的は、このような観点に基づき、複
数サイズの電子ビーム発生源を適確に用いること
により、小型で高い精度を有しかつ多種サイズの
電子ビームを照射することにより効率的な処理を
可能にする電子ビーム装置を提供することにあ
る。

［問題点を解決するための手段および作用］上記目的を達成するための本発明の電子ビーム
装置は、ビームサイズの異なる複数の電子ビーム
を発生するマルチ電子ビーム発生素子と、ビーム
に感応する媒体に転写すべきパターンデータを記
憶する記憶手段と、該記憶手段からのデータに基
づいて前記マルチ電子ビーム発生素子を駆動し、
前記媒体に電子ビームを照射して前記パターンを
転写する手段とを有し、前記マルチ電子ビーム発生素子は、単一の基板
と、該基板上に設けられ第１ビームサイズの電子
ビームの発生する第１の電子ビーム発生源と、前
記基板上に設けられ前記第１ビームサイズとは異
なる第２ビームサイズの電子ビームを発生する第
２の電子ビーム発生源とを有することを特徴とし
ている。

したがつて、例えば電子ビームにより描画する
装置に本発明を適用した場合、描画する線幅に対
応させて電子ビーム発生源を使い分けることによ
り、種々の線幅のパターンを描画できるととも
に、例えば太い線幅の線も一度で描画することが
できるため、迅速に処理することができる。

［実施例］以下、図に従つて本発明を説明する。

第１図は本発明の一実施例に係る電子ビーム装
置を半導体ウエハの露光に適用した場合の構成を
示す概略図である。同図において、WFはシリコ
ン、ガリウム等の半導体で或るウエハで、電子ビ
ームに感応（露光）するレジストが塗布されてい
る。CP１〜CPnは複数の露光領域を示し、描画
完了後切り取られて１チツプになる部分である。
Ｍ１〜Ｍ８はウエハWF上に設けられたプリアラ
イメントまたはフアインアライメント用マークで
ある。MBは電子ビーム（以下EBと称す）発生
用ヘツドで、ステージMS上に搭載され吸着され
る。上記アライメントマークＭ１〜Ｍ８は最初の
描画工程時にこのヘツドのEBにより描画される。
ステージMSはピエゾ等の圧電素子Px、Py、Pθ
により各々ｘ、ｙ、θ（回転）方向に微移動する
ことができる。各素子Px、Py、PθはウエハWF
との位置合せに用いられる。ヘツドMBにはEB
発生源ES０〜ES１５が設けられている。

EB発生源ES０とES１５は位置合せ専用で、
EB発生源ES１〜ES１４は露光専用もしくは位
置合せ用に共用される。ここでは、露光用EB発
生源ES１〜ES１４は、２個ずつがウエハWFの
Ｘ方向の各チツプ列の描画用に割り当てられる。
すなわち、例えばチツプ（露光領域）CP１の上
半分の領域CP１ＵはEB発生源ES１により、下
半分の領域CP１ＬはEB発生源ES２により描画
される。露光領域CP２〜CP５も同様に各々半分
をEB発生源ES１により、下半分がEB発生源ES
２により描画される。各EB発生源ES０〜ES１
５には各々Ｘ、Ｙ方向へのEBの偏向電極Ｘ１，
Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２が備えられている。またセンサ
Ｓ１〜Ｓ９等が備えられる。これらのセンサは光
感応性もしくは電子感応性であれば良い。

KBはキーボード、DPはデイスプレー、CAD
はコントローラである。これらにより１チツプの
回路パターンが設計され、その情報が１チツプパ
ターンジエネレータPGに送出されると、パター
ンジエネレータPGは１チツプの描画情報を上半
分と下半分の描画情報に分けて各々1/2チツプメ
モリMU、MLに送り込む。各メモリMU、MLは
この描画情報を各々チツプ上半分担当のEB源ES
１，ES３，ES５〜ES１３及び下半分担当のEB
源ES２，ES４，ES６〜SE１４に各々同時に送
り込む。ただし、メモリMUとMLはそれぞれ２
つずつ設けられており、交互に使用することによ
り、パターンジエネレータPGからのデータ転送
時間のロスを実質的に解消している。

メモリMU，MLからの描画情報に基づき、各
EB源はそのＸ方向偏向電極Ｘ１，Ｘ２によつて
Ｘ方向に偏向することにより偏向でカバーできる
範囲内のＸ方向の描画を行ないながら、ウエハ
WFとヘツドMBとをＹ方向へ相対的に連続移動
させることにより1/2領域のＹ方向の全画素につ
いて描画する。ただし、Ｙ方向移動が連続的であ
るためＹ方向の１画素毎にＸ方向の描画を行なう
際にＹ方向のずれを生ずるので、Ｙ方向の偏向電
極Ｙ１，Ｙ２を用いてこれを補正する。そして、
さらにこの描画をウエハWFとヘツドMBとを相
対的にＸ方向に間欠移動させながら繰り返すこと
によりＹ方向の１つのチツプ列を描画する。

このようにして各EB源は実質的に同時にウエ
ハWFのＹ方向の１つのチツプ列例えばCP６，
CP１３，CP２０、CP２７，CP３４を描画する
ため高速描画が可能となる。

上記偏向電極Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２はEBの
軸心の初期位置合せ及びウエハ又はチツプとの位
置合せ用に共用される。例えばチツプCP１のア
ライメントマークＭ４，Ｍ５の位置をセンサＳ
４，Ｓ５が読み取り、その読取り情報に基づいて
EB源ES１，ES２の各々のＸ，Ｙ偏向電極Ｘ１，
Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２の補正駆動によりEBの照射位
置を補正する。このチツプアライメント用マーク
は、例えばマークＭ６のように、チツプCP６と
CP１３の共用としても良い。

一方、プリアライメント用マークとしてはマー
クＭ１，Ｍ２，Ｍ７、Ｍ８等が設けられている。
そして、例えばマークＭ１の位置をセンサＳ１が
読み取り、またマークＭ２の位置を不図示のセン
サが読み取り、これに基づいてヘツドMBの初期
位置合せを圧電素子Px，Py，Pθにより行なう。
そしてその状態でチツプアライメント用マークＭ
３、センサＳ３等を用いてずれ量計測を行ない、
その計測結果に基づいて偏向電極Ｘ１，Ｘ２，Ｙ
１，Ｙ２により位置補正した状態で描画を行な
う。また、描画途中で一旦停止してマークＭ７，
Ｍ８を用いて再アライメントを行なつても良い。

これらの場合におけるマーク検出方式は種々可
能であるが、例えば周知の反射あるいは二次電子
検出方式を用いることができる。すなわち例えば
EB源ES０からマークＭ７に向けてEBを照射さ
せ、その反射あるいは二次電子をセンサＳ７が検
出することによりマークＭ７の位置を知ることが
できる。センサ７としては例えば半導体のPN接
合部が用いられる。

ただし、このようなEBによるマーク検出の場
合は、EBの強度及び照射時間はマーク読取りに
支障ない値に設定することが必要である。

また、複数のマークを一度に検出する場合は、
各マークにそれぞれ異るタイミングでEB照射を
行ない、異るタイミングで検出するのが好まし
く、これによれば、各EB照射を容易に区別化し
て単一の信号処理手段により検出することができ
る。

また、センサとして光感応素子例えばCCD等
を用いたときはEB源の代りに光源を準備すれば
良いことは明らかである。

第２図ａはEB放出ヘツドMBの一例を示す部
分底面図であり、１つのEB放出源を示している。
第２図ｂ及び第２図ｃはそれぞれそのＢ−Ｂ断面
図及びＣ−Ｃ断面図である。

第２図において、GLは絶縁基板であり、該基
板は例えばガラス、セラミツクス、結晶等からな
る。該基板GLの下面には同図に示した表面伝導
型のEB放出源がＢ−Ｂ方向に１列に多数配列さ
れている。このEB放出源は、基板GLの下面に付
された高抵抗薄膜RS及び電極Ｄ１，Ｄ２を有し
ている。高抵抗薄膜RSは例えばPt、Au、Mo、
Ｃ、Pd等の金属薄膜やSnO₂、In₂O₃、TiO等の金
属酸化物薄膜に高温通電して膜破壊を生ぜしめる
ことにより形成される。該高抵抗薄膜RSの厚さ
は例えば100〜10000Å程度であり、その抵抗は例
えば数KΩ〜数百MΩ程度である。図示されるよ
うに、高抵抗薄膜RSのＣ−Ｃ方向の両端には電
極Ｄ１，Ｄ２が接続されている。該電極は例えば
Pt、Au、Ag等の金属からなる一般的な薄膜電極
である。

基板GLの下面には、上記高抵抗薄膜RSの下方
の部分を除いて、Ｄ１，Ｄ２をも覆うように絶縁
層ISが形成されている。該絶縁層は例えばSiO₂、
Sin、Si₃N₄、AlN、BN等からなる。絶縁層ISの
下面には、高抵抗薄膜RSのＢ−Ｂ及びＣ−Ｃ方
向の各々に平行に１対の偏向電極Ｘ１−Ｘ２及び
Ｙ１−Ｙ２が配置されている。該偏向電極も上記
電極Ｄ１，Ｄ２と同様の材料からなる。

Ｓ９，Ｓ１０は前述の光センサまたは電子セン
サである。このセンサはさらに１対Ｙ方向に設け
ても良く、あるいは円環状に設けても良い。この
ようにEB発生源とセンサを一体的に形成すると、
センサとEB発生源との位置関係が固定されるこ
とにより検出制度が向上する。光センサを用いる
ときは、第２図ｃに示すようにアライメント用光
源LPもヘツドMBに内蔵するのが好ましい。光
源LPとして発光ダイオード等の固体素子を用い
る場合は、EB源、センサ等と共に半導体製造技
術や厚膜・薄膜製造技術により同時に成形するこ
とができる。

また、光源LPとして、紫外さらに遠紫外光源
を用いた場合には、ウエハWF上のレジストWR
の刺激用としても用いることができる。EB露光
の前にこれを行なえばレジストWRの表面に薄く
難溶解層ができ、これはEB露光によりさらに難
溶解性になる。これによれば、描画される線幅に
対する膜厚の比を大きくすることができるので、
感度のあるいは解像度（アスペクト比）が向上し
好ましい。レジストとしては、例えば、商品名
「RD2000N」（日立化成工業製）を用いることが
できる。また、光源LPがヘツドMBに内蔵され
ていると、ウエハWFとの相対移動時に予備露光
できるので装置全体が小型になるという利点があ
る。

さらに、この遠紫外光源LPを露光時に薄膜RS
（電子放出部）に照射するようにしても良い。こ
のようにすれば、放出される電子の数が増大し、
好ましい。また、光源LPが可視光源のときは、
薄膜RSをいわゆる光陰極素材とすれば同様の効
果を得ることができる。光陰極材としては、例え
ばアルカリ金属とAg、Bi、Sbとの複合材で半導
体性質を示す材料、銀−セシウム材、アンチモン
−セシウム材、ビスマス−セシウム材、マルチア
ルカリ材等種々用いることができる。

また、EB発生源としては、この他、特開昭54
−111272号公報（USP4259678号）等に示される
半導体でなるものを用いても良い。また、太線幅
を描画するときにだけ光源LPを薄膜RSに照射す
るようにしても良い。

第３図は複数のEB発生源ES１，ES２を１単
位のEB発生源として設定したEB放出ヘツドの例
を示す部分断面図である。この例によれば、低電
圧駆動でも大量の電子が放出でき好ましい。また
ここでも、先と同様に光照射を加えればさらに効
率が良い。また、細線は単一のEB源で、太線は
複数のEB源で描画すれば、描画速度を向上させ
ることができる。

また、フオーカシング用レンズFCや偏向電極
AD等を取り付けても良い。またさらに、このレ
ンズFCや電極ADを取り付ける部材を多室構成と
して真空度を順に低くすれば大気中でのEB露光
も可能となる。すなわち同図に示すように部材Ｖ
１，Ｖ２，Ｖ３等により多室を形成し、1st、
2nd、3rdの順に真空度を低下させれば良い。こ
のようにすればウエハWFの吸着用として真空チ
ヤツクVCを用いることもできる。また、このと
き、センサＳ１１，Ｓ１２は部材Ｖ１等の下面に
取り付ければ良い。

第４図はさらに他のEB放出ヘツドの例を示す
部分断面図である。同図において、BGはこれま
で説明したようなEB放出源であるが、前述した
ように、ここからウエハマークWMに向け電子ビ
ームEBを照射するとウエハWFから二次電子や
反射電子２Ｅが発生する。そして、これを基板
MB側に一体的に形成したセンサ例えばＰ／Ｎジ
ヤンクシヨンPNで受信することにより、ウエハ
マークWMを検出する。ただしここでは、効率良
く電子を検出するため、円環状の電極Ｃ１及びＣ
２を基板MB側に取り付けてある。また、電極Ｃ
１とEB発生源BG間には電圧Vex、電極Ｃ２には
電圧Vd、EB発生源BGとウエハWF間には電圧
Vcが図示の如く接続されている。

したがつて、例えばVex＝10〜100V、Vc＝１
〜10KV及びVd＝100Vをそれぞれ印加すれば、
二次電子や反射電子２ＥはＰ／Ｎジヤンクシヨン
部PNに効率良く集合させることができる。

第５図は第１図の装置の一変形例を示す概略図
である。

同図において、ヘツドMB１は１チツプ毎に４
個のEB源ES１〜ES４を対応させて作製してあ
る。その各EB源には第１図の装置と同様にＸ，
Ｙ偏向電極が備えられている。この場合、全チツ
プについて、それぞれの４つの分割領域を第１図
の場合と同様の原理でＸ，Ｙ偏向電極により同時
に描画できるので、さらに描画速度が向上する。
また、ヘツドMB１にはアライメント用マーク
MMが設けられており、このマークとウエハアラ
イメントマークWMRとの位置合せを光照射によ
り行なう。

描画は、この位置合せ後、まずこの時ヘツド
MB１の下に位置しているＹ方向のチツプ列全て
のチツプについて行なう。そして、他のチツプ列
についてもこの後間欠（ステツプバイステツプ）
的に移動し同様の位置合せ及び描画を繰り返す。

しかし、ウエハWFは通常円形であるから、ウ
エハアライメントマークWMRはＹ方向チツプ列
の全列に対して設けられない場合もある。このと
きは、最初にウエハ中心部の１列のみアライメン
トを行ない、後はノンフイードバツクで露光して
も良い。あるいは最初にウエハWFの中心部のマ
ークWMRを用いてアライメントした後、右方向
に露光を進め、右半分が終了した段階で左方向に
反転し、マークWMRを再び用いるかもしくは未
露光部のアライメントマークWMLを用いて再び
アライメントした後、左方向の露光を行なうよう
にしても良い。

さらに他の位置合せ露光方法を示すため第５図
にヘツドMB２を示す。

この場合、ヘツドMB２は初めウエハWFの左
端部分に位置しており、まず、ウエハステージに
設けられたマークSMをセンサＳ１により検出し
てプリアライメントを行なう。次に、この状態で
マークＭ１，Ｍ２とセンサＳ２，Ｓ３によりずれ
量計測を行なう。そして、露光の際はＸ，Ｙ偏向
電極の両方もしくはいずれかを用いて上記ずれ量
の補正を行ないながら露光する。次の列ではマー
クＭ３を用いて先と同様にずれ量計測を行ない、
その結果に基づいて露光する。さらにその次の列
でも同様にずれ量計測と露光を行なうが、その前
にマークWMLを用いて再プリアライメントを行
なつても良い。

また、マークＭ４を用いてその列に位置させた
ヘツドのずれ量計測を行ない、その位置で各EB
源ES及び電極Ｘ１，Ｘ２のカバーしている領域
を露光した後、ヘツドまたはウエハを連続移動さ
せながら露光を行なわせ、そのチツプ列が終了し
たらヘツドまたはウエハをマークＭ５の位置で停
止させ、先と同様の動作を行なわせるようにする
こともできる。これはいわゆるステツプアンドリ
ピートとステツプアンドスキヤン露光方式の中間
タイプということができる。

第６図は第１図の装置の他の変形例を示す。

同図ａは、複数のヘツドMB１，MB２を設
け、ウエハWFの右半分、左半分を各々担当させ
るようにした例で、これによればさらにスループ
ツトの向上を図ることができる。

同図ｂは小直径のウエハWF１，WF２を単一
のヘツドMBを露光を行なうようにした例で、や
はりスループツトを向上させることができる。

同図ｃは長大なヘツドの製作が困難なときや８
インチ以上の大直径ウエハWFに好適な対応でき
るように、短しヘツドMB１，MB２，MB３を
Ｙ方向に並べた例である。このとき、各端部は前
述の如くアライメントマーク検出部や強度補強等
の部分を必要とするのが通常であるから、同図の
ように千鳥足状に配置するのが好ましい。

同図ｄは単一のヘツドMB内にEB源を複数設
け、かつ放出されるEBの口径を異なるようにし
たものである。すなわちEB源ES１，ES２を大
口径、EB源ES３、ES４を中口径、EB源ES５〜
ES８…を小口径のEB源とし、通常はまずEB源
ES５〜ES８…を用いて線幅中と大の部分は残し
たままでとりあえず露光を行ない、その後、中あ
るいは大の線幅部分をEB源ES４，ES２等を用
いて露光する。このとき、ヘツドもしくはウエハ
は各チツプの該当線幅部分を露光できるように移
動させる。

第７図はさらに他の変形例を示す模式図であ
る。このEB放出ヘツドは、ウエハマークをヘツ
ド側に設けたセンサによらず、ウエハWFで吸収
される電流の大きさにより検出するようにしたも
のである。

同図において、WFは半導体を含むウエハであ
る。GLは複数の電子ビームEB１〜EB７のそれ
ぞれの発生源BG１〜BG７が備えられた単一の
基板で、例えば特開昭54−111272号公報や特開昭
56−15529号公報に記載のガラス、半導体等の基
板を用いることができる。BSは電子ビーム発生
源BG１〜BG７の選択駆動回路、CCは全体の制
御部、ASはウエハWF上のアライメントマーク
WM１〜WM７を検出する電子ビームの吸収電流
検出回路である。また、必要に応じて第２及び３
図を用いて説明したような電子レンズ、偏向電極
あるいはブランキング電極（図示せず）を備え
る。

この構成において、今、ウエハWF上のアライ
メントマークが実線WM２，WM６の位置のと
き、実回路素子パターンはその内部となる。した
がつてこの場合、まず、実回路素子パターン描画
用として電子ビームEB３，EB４，EB５が、ア
ライメントマーク検出用として電子ビームEB２，
EB６が選択回路BSにより選択される。次に電子
ビームEB２，EB６を出射してウエハWFで吸収
させその電流の大きさを周知の手法で検出するこ
とにより、マークWM２，WM６の位置検出を行
なう。ただし、前述のように、電子ビームEB２
とEB６は、区別できるように異るタイミングで
出射して検出する。そしてこれに基づきウエハ
WFをアライメントし、次いで電子ビームEB３，
EB４，EB５により、第１又は第５図において示
したように、回路パターンの露光を行なう。

一方、アライメントマークが破線WM３，WM
５のときは、アライメント用として電子ビーム
EB３，EB５が用いられ、電子ビームEB４及
び／又はEB１，EB２，EB６，EB７が露光用に
使われる。また、破線WM１，WM７がアライメ
ントマークのときは、電子ビームEB１，EB７が
アライメント用、電子ビームEB２〜EB６が露光
用となる。

［発明の適用範囲］なお、本発明は、以上の実施例で説明した電子
線による半導体回路パターンの露光（描画）のみ
ならず、荷電ビーム感応媒体を用いた記録媒体に
対してのデータ書込みや、荷電粒子センサとの組
合せによりそのようなデータの読取りにも適用す
ることが可能である。

具体的に例えば、光デイスクや光カード等の光
磁気記録媒体あるいはマイクロフイルムの記録や
トラツキング等において、書込み用と読出し用の
用途に使い分けて用いることができる。

また、半導体機能検査用としての電子ビームブ
ローブテスタとしてもチツプサイズや測定点に応
じて電子ビーム発生源を選択するようにして用い
ることができる。このときは、測定用の電子ビー
ム発生源の他は出力を禁止しておけばよい。

また、複数の用途に用いる場合、各用途で、さ
らには各電子ビーム源で、各々出力エネルギーを
異るようにすることも容易であり、先の実施例に
採用して好適である。

［発明の効果］以上説明したように本発明によれば、放出ビー
ムのサイズが異なる複数種の電子ビーム発生源を
備えることにより、必要とするビームサイズに応
じて各電子ビーム発生源を使い分けることができ
る。また、単一の基板に複数の電子ビーム発生源
を一体的に形成しているため、装置の小型化およ
び高精度化を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例に係る電子ビーム
装置を半導体ウゥハの露光に適用した場合の構成
を示す概略図、第２図は、第１図の装置に用い得
るヘツドの具体例を示す部分図で、同図ａは底面
図、第図ｂは同図ａのＢ−Ｂ断面図、同図ｃは同
図ａのＣ−Ｃ断面図、第３及び４図は、第１図の
装置に用い得るヘツドの他の例を示す部分断面
図、第５図は、第１図の装置の一変形例を示す概
略図、第６図は、第１図の装置の他の変形例を示
す模式図、そして第７図は、第１図の装置のさら
に他の変形例を示す模式図である。 MB，MB１，MB２，MB３：電子ビーム放
出ヘツド、ES，ES０〜ES１５：電子ビーム発生
源、WF，WF１，WF２：ウエハ、Ｍ１〜Ｍ８，
WM，WM１〜WM７，WMR：アライメントマ
ーク、Ｓ１〜Ｓ１２：センサ、Ｘ１，Ｘ２，Ｙ
１，Ｙ２，AD：偏向電極、CP１〜CP３４、
CPn：１チツプに相当する露光領域、MS：ステ
ージ、Px，Py，Pθ：圧電素子、CP１Ｕ：上半
分領域、CP１Ｌ：下半分領域、PG：１チツプパ
ターンジエネレータ、MU，ML：メモリ、GL：
基板、RS：高抵抗薄膜、Ｄ１，Ｄ２：電極、
IS：絶縁層、LP：光源、WR：レジスト、FC：
フオーカシング用レンズ、PN：Ｐ／Ｎジヤンク
シヨン、EB，EB１〜EB７：電子ビーム、CC：
制御部、AS：検出回路。

Claims

【特許請求の範囲】１ビームサイズの異なる複数の電子ビームを発
生するマルチ電子ビーム発生素子と、ビームに感応する媒体に転写すべきパターンデ
ータを記憶する記憶手段と、該記憶手段からのデータに基づいて前記マルチ
電子ビーム発生素子を駆動し、前記媒体に電子ビ
ームを照射して前記パターンを転写する手段と、
を有し、前記マルチ電子ビーム発生素子は、単一の基板と、該基板上に設けられ、第１ビームサイズの電子
ビームを発生する第１の電子ビーム発生源と、前記基板上に設けられ、前記第１ビームサイズ
とは異なる第２ビームサイズの電子ビームを発生
する第２の電子ビーム発生源と、を有することを特徴とする電子ビーム装置。２前記媒体はレジストが塗布された半導体ウエ
ハである特許請求の範囲第１項に記載の電子ビー
ム装置。